本發(fā)明屬于固體發(fā)光材料;涉及一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉及其制備方法和白光led發(fā)光裝置。
背景技術(shù):
1、熒光粉轉(zhuǎn)換的白色發(fā)光二極管(wled)因其高效、低能耗、環(huán)保、節(jié)能、壽命長(zhǎng)、緊湊和耐用性等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于照明和顯示設(shè)備?,F(xiàn)階段商用的wled器件由藍(lán)色led芯片與y3al5o12:ce3+(yag:ce3+)黃色熒光粉組成。但是,這種商用wled卻極度缺乏紅光和青光發(fā)射,導(dǎo)致其顯色指數(shù)偏低(ra<75)、相對(duì)色溫偏高(cct>5000k)。隨著人們生活水平的提高,色品質(zhì)較差的商用wled已經(jīng)不能滿足人們對(duì)高色品質(zhì)健康照明光源日益增長(zhǎng)的需求。由紫外(uv)led芯片與藍(lán)、綠、紅三色熒光粉封裝而成的uv-wled是另一種實(shí)現(xiàn)wled照明的策略。由于uv-wled中同時(shí)具有藍(lán)、綠、紅三色熒光粉的發(fā)射,使得其顯色指數(shù)較高。因此,開(kāi)發(fā)用于uv-wled的高效藍(lán)、綠、紅三基色熒光粉被廣泛認(rèn)為是提升wled顯色指數(shù)和改善照明光源色品質(zhì)急需突破的技術(shù)瓶頸。但是,迄今為止商業(yè)上還沒(méi)有可利用的高效窄帶藍(lán)光熒光粉。
2、熒光粉是wled的關(guān)鍵組成部分。熒光粉的量子效率和熱穩(wěn)定性直接影響著wled器件的性能。wled器件在長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中會(huì)因電流的熱效應(yīng)帶來(lái)的高溫工作環(huán)境會(huì)使熒光粉的發(fā)射發(fā)生衰減。隨著大功率照明和顯示設(shè)備的普及,wled器件的工作溫度越來(lái)越高,這也對(duì)熒光粉的熱穩(wěn)定性提出了更高的要求。另外,目前商用的藍(lán)、綠、紅三色熒光粉的合成溫度偏高、合成條件較為苛刻、成本相對(duì)較高。因此,開(kāi)發(fā)高量子效率、高熱穩(wěn)定性、易于合成的窄帶藍(lán)光熒光粉至關(guān)重要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉及其制備方法和白光led發(fā)光裝置,本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的熱穩(wěn)定性能好、化學(xué)穩(wěn)定性好、發(fā)光強(qiáng)度高、量子效率高、激發(fā)范圍較寬。
2、本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
3、一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉,其化學(xué)式為:li3cs2sr2-xb3p6o24:xeu2+,其中,0.005≤x≤0.03。
4、優(yōu)選的,x取值為0.02。
5、本發(fā)明如上所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,包括:
6、將所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的原料混合均勻后進(jìn)行預(yù)燒,之后隨爐冷卻,得到中間體;
7、將所述中間體研磨成粉末并壓制成型,得到成型體;
8、將所述成型體在n2與h2的混合氣氛中煅燒,之后隨爐冷卻,得到燒結(jié)體;
9、將所述燒結(jié)體研磨成粉末,得到所述的硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉。
10、優(yōu)選的,所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的原料中,金屬元素來(lái)源為相應(yīng)金屬元素的金屬單質(zhì)、金屬氧化物、氫氧化物或碳酸鹽,磷源為磷酸銨、磷酸一氫銨或磷酸二氫銨,硼源為硼酸或三氧化二硼。
11、優(yōu)選的,將所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的原料通過(guò)研磨的方式混合均勻。
12、優(yōu)選的,預(yù)燒過(guò)程中,預(yù)燒溫度為200~500℃,保溫時(shí)間為2~6h,保溫結(jié)束后隨爐冷卻。
13、優(yōu)選的,煅燒時(shí)的溫度為700-800℃,保溫時(shí)間為4~12h,保溫結(jié)束后隨爐冷卻。
14、優(yōu)選的,所述n2與h2的混合氣氛中,h2的體積百分?jǐn)?shù)為5%-30%。
15、本發(fā)明還提供了一種白光led發(fā)光裝置,包括封裝基板、近紫外led芯片以及能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放藍(lán)光的熒光粉、釋放綠光的熒光粉和釋放紅光的熒光粉,其中,釋放藍(lán)光的熒光粉采用本發(fā)明如上所述的硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉。
16、優(yōu)選的,所述近紫外led芯片為gan半導(dǎo)體芯片,能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放綠光的熒光粉為β-sialon:eu2+,能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放紅光的熒光粉為k2sif6:mn4+。
17、本發(fā)明具有如下有益效果:
18、本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉有很寬的激發(fā)帶且在250~400nm波段內(nèi)有很強(qiáng)的吸收,可被近紫外光有效激發(fā),能與商用紫外led芯片很好地匹配;本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉能發(fā)射出主峰為432nm的藍(lán)光,發(fā)射峰半峰寬窄(36nm),色純度高(達(dá)到99%);本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉發(fā)射強(qiáng)度強(qiáng),熱穩(wěn)定性好(150℃時(shí)該熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度仍然能保持在室溫發(fā)射強(qiáng)度的86%以上)。即使溫度達(dá)到250℃,該藍(lán)光熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度依舊保持室溫發(fā)射強(qiáng)度的50%,能滿足白光led裝置的實(shí)際工作需求。本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉化學(xué)穩(wěn)定性好(在空氣中放置30天發(fā)射強(qiáng)度仍然能保持初始強(qiáng)度的97%以上)。即使在去離子水中浸泡30天發(fā)射強(qiáng)度仍然能保持初始強(qiáng)度的93%以上,能滿足白光led裝置的實(shí)際工作環(huán)境??梢钥闯?,本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的熱穩(wěn)定性能好、化學(xué)穩(wěn)定性好、發(fā)光強(qiáng)度高、量子效率高、激發(fā)范圍較寬。
19、本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉采用高溫固相法制備,操作簡(jiǎn)單、成本低、重復(fù)性好、環(huán)保、產(chǎn)物相純度高,可工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
20、進(jìn)一步的,本發(fā)明硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的合成溫度低,僅為700-800℃。
1.一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉,其特征在于,其化學(xué)式為:li3cs2sr2-xb3p6o24:xeu2+,其中,0.005≤x≤0.03。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉,其特征在于,x取值為0.02。
3.權(quán)利要求1或2所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,包括:
4.權(quán)利要求3所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的原料中,金屬元素來(lái)源為相應(yīng)金屬元素的金屬單質(zhì)、金屬氧化物、氫氧化物或碳酸鹽,磷源為磷酸銨、磷酸一氫銨或磷酸二氫銨,硼源為硼酸或三氧化二硼。
5.權(quán)利要求3所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,將所述硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的原料通過(guò)研磨的方式混合均勻。
6.權(quán)利要求3所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,預(yù)燒過(guò)程中,預(yù)燒溫度為200~500℃,保溫時(shí)間為2~6h,保溫結(jié)束后隨爐冷卻。
7.權(quán)利要求3所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,煅燒時(shí)的溫度為700-800℃,保溫時(shí)間為4~12h,保溫結(jié)束后隨爐冷卻。
8.權(quán)利要求3所述的一種硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉的制備方法,其特征在于,所述n2與h2的混合氣氛中,h2的體積百分?jǐn)?shù)為5%-30%。
9.一種白光led發(fā)光裝置,其特征在于,包括封裝基板、近紫外led芯片以及能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放藍(lán)光的熒光粉、釋放綠光的熒光粉和釋放紅光的熒光粉,其中,釋放藍(lán)光的熒光粉采用權(quán)利要求1或2所述的硼磷酸鹽窄帶藍(lán)光熒光粉。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種白光led發(fā)光裝置,其特征在于,所述近紫外led芯片為gan半導(dǎo)體芯片,能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放綠光的熒光粉為β-sialon:eu2+,能夠吸收近紫外led發(fā)光并釋放紅光的熒光粉為k2sif6:mn4+。