一種研磨材料制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及金屬研磨技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種研磨材料制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在研磨藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的過程中，一般會(huì)使用到研磨材料和研磨用組合物。對(duì)于在研磨硬盤用玻璃基板、液晶顯示面板的玻璃基板、光掩模用合成石英基板等基板的用途中使用的研磨用組合物，為了提高研磨后的基板的品質(zhì)，強(qiáng)烈要求研磨后的基板的表面粗糙度小以及研磨后的基板上如劃痕那樣的表面缺陷少。另外，為了縮短研磨操作所耗費(fèi)的時(shí)間，還要求基板的研磨速度(去除速度)高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種研磨材料制備方法。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
構(gòu)造一種研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其中，包括以下步驟:
將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；
采用酸、堿或鹽來調(diào)節(jié)所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的PH值至1-4 ;
添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；
將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時(shí)回收到容器內(nèi)，從容器內(nèi)再次向研磨裝置供給。
[0005]本發(fā)明所述的研磨材料制備方法，其中，所述按重量計(jì)，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3_5。
[0006]本發(fā)明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒具有I?10m2/g的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。
[0007]本發(fā)明所述的研磨材料制備方法，其中，在每ImL含有I %質(zhì)量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4μπι以上的二次粒徑的顆粒的個(gè)數(shù)為20000000個(gè)以下。
[0008]本發(fā)明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。
[0009]本發(fā)明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
[0010]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明方法制備的研磨材料更加適合用于藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0012]本發(fā)明較佳實(shí)施例的研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其中，包括以下步驟:將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；采用酸、堿或鹽來調(diào)節(jié)所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的pH值至1-4 ;添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時(shí)回收到容器內(nèi)，從容器內(nèi)再次向研磨裝置供給。
[0013]氧化鋯顆粒既可以是由立方晶系、正方晶系、單斜晶系等結(jié)晶質(zhì)氧化鋯形成的顆粒，也可以是由非晶質(zhì)氧化鋯形成的顆粒。作為研磨材料優(yōu)選的是正方晶系、單斜晶系的氧化鋯。氧化鋯顆粒也可包含鈣、鎂、鉿、釔、硅等。
[0014]其中，氧化鋯顆粒的純度優(yōu)選盡量高，具體而言，優(yōu)選為99 %以上，更優(yōu)選為99.5%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為99.8 %以上。隨著氧化鋯顆粒的純度在99 %以上的范圍內(nèi)變高，基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高。在該方面，若氧化鋯顆粒的純度為99 %以上，進(jìn)一步而言為99.5 %以上，更進(jìn)一步而言為99.8 %以上，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高到在實(shí)用上特別適宜的水平。
[0015]優(yōu)選地，所述按重量計(jì)，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3_5。
[0016]氧化鋯顆粒具有I?10m2/g的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。在每ImL含有I %質(zhì)量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4μπι以上的二次粒徑的顆粒的個(gè)數(shù)為20000000個(gè)以下。
[0017]優(yōu)選地，上述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。
[0018]優(yōu)選地，上述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
[0019]氧化鋯顆粒中的雜質(zhì)可以通過粉末X射線衍射法測(cè)定。使用例如RigakuCorporat1n制造的MiniFlex等粉末X射線衍射裝置測(cè)定的2 Θ為26.5°附近的衍射峰的強(qiáng)度優(yōu)選為200cps以下。
[0020]更優(yōu)選2Θ為26.5°附近不出現(xiàn)衍射峰，這表示氧化鋯顆粒實(shí)質(zhì)上不含有作為雜質(zhì)的石英二氧化硅。
[0021]另外，若使用粉末X射線衍射裝置，則能夠測(cè)定氧化鋯的微晶尺寸。優(yōu)選的是基于2Θ為28.0°附近的衍射強(qiáng)度和31.0°附近的衍射強(qiáng)度算出的微晶尺寸均為以上、這表示氧化鋯的晶系為單斜晶系，且該微晶尺寸大。
[0022]氧化鋯顆粒的比表面積優(yōu)選為lm2/g以上，更優(yōu)選為2m2/g以上。另外，氧化鋯顆粒的比表面積優(yōu)選為15m2/g以下，更優(yōu)選為13m2/g以下，進(jìn)一步優(yōu)選為9m2/g以下。若氧化鋯顆粒的比表面積為I?15m2/g的范圍，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高到在實(shí)用上適宜的水平。
[0023]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其特征在于，包括以下步驟: 將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎； 采用酸、堿或鹽來調(diào)節(jié)所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的PH值至1-4 ; 添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑； 將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時(shí)回收到容器內(nèi)，從容器內(nèi)再次向研磨裝置供給。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述按重量計(jì)，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3-5。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒具有I?1mVg的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨材料制備方法，其特征在于，在每ImL含有I%質(zhì)量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4 μπι以上的二次粒徑的顆粒的個(gè)數(shù)為20000000個(gè)以下。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種研磨材料制備方法，包括以下步驟：將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；采用酸、堿或鹽來調(diào)節(jié)所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的pH值至1-4；添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時(shí)回收到容器內(nèi)，從容器內(nèi)再次向研磨裝置供給。本發(fā)明的研磨材料更加適合用于藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。本發(fā)明方法制備的研磨材料更加適合用于藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。
【IPC分類】C01F17/00, H01L21/304, C01G27/02, C09K3/14, B24B37/00
【公開號(hào)】CN105505312
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510417887
【發(fā)明人】沈麗華, 王林丹, 沈川江, 呂阿琴
【申請(qǐng)人】湖州華通研磨制造有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年7月16日