專利名稱：基板的輸送方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適合于在處理半導(dǎo)體基板、液晶基板或部件基板等基板(以下稱晶片ウエハ)的裝置間每次1張地輸送(單張輸送)晶片的單張輸送方法及其裝置。
背景技術(shù)：
作為在處理晶片的裝置間單張輸送晶片的現(xiàn)有技術(shù)，例如可列舉出野崎勝弘的“專集LSI線的生產(chǎn)技術(shù)革命”，NIKKEI微型器件1993年8月號，25-32頁記載的技術(shù)。
該現(xiàn)有技術(shù)特別是公開出以下那樣的內(nèi)容。
1.可有效地利用單張?zhí)幚硌b置和組合工具(クラスタツ一ル)的自動化線。
2.使臺架(ベイ/bay)內(nèi)輸送多張化而可進(jìn)行多品種變量生產(chǎn)的生產(chǎn)線的構(gòu)想。
3.由單張輸送使品種和生產(chǎn)量可變。
4.與單張?zhí)幚硌b置組合可減少晶片的半成品張數(shù)。
5.臺架間使用成批輸送。
6.在批量生產(chǎn)開始時刻將不同工藝的處理室連到1臺組合工具。
如裝置臺數(shù)少，則生產(chǎn)能力也降低。由單獨的組合工具也可連接多個相同的處理室或附加可進(jìn)行多工藝處理的模塊，模擬地提高處理能力。
下面的內(nèi)容由圖示出。
在平面形狀為變形U字形的晶片輸送系統(tǒng)的兩側(cè)配置多臺多工藝裝置，構(gòu)成臺架。即，在臺架內(nèi)的U字形的晶片輸送系統(tǒng)的2列平行輸送線分別沿其配置多臺多工藝裝置。在晶片輸送系統(tǒng)的多個位置設(shè)置具有機械手的往復(fù)移動裝置。在該輸送線與各處理裝置間設(shè)置I/O。另外，在這樣的臺架間的晶片的輸送中采用成批輸送系統(tǒng)。
圖1示出第2現(xiàn)有技術(shù)。圖2為記載于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新聞2001年12月5日的圖。該圖為ITRS(International Technology Roadmap forSemiconductors)示出的晶片單張生產(chǎn)系統(tǒng)的模塊自動化的例子。工序之間由采用了FOUP的25張單位的輸送進(jìn)行輸送，在工序內(nèi)由晶片單張單位進(jìn)行直接輸送。圖中的黑圓圈表示晶片，工藝裝置內(nèi)和工藝裝置間由晶片單位進(jìn)行處理和輸送。按照該系統(tǒng)，由晶片單張單位的處理和直接輸送，使過去的FOUP輸送的直到25張的晶片的等候時間成為零，不需要FOUP開啟器(オ一プナ一)和EFEM這樣的附屬裝置。
而且，這樣的事例也同樣公開于例如林武秀“系統(tǒng)LSI制造俊敏さ“ガ”命單張生產(chǎn)·輸送大幅度縮短TAT”，電子雜志2002年2月號，PP95-99。
圖2示出第3現(xiàn)有技術(shù)例。在圖2中，設(shè)置有處理部、主輸送裝置、及送入送出部；該處理部在輸送通道的兩側(cè)配置多個處理裝置，該處理裝置相對被處理基板進(jìn)行抗蝕劑涂覆和曝光后的顯影，并進(jìn)行用于腐蝕顯影后的被處理基板的一連串的處理；該主輸送裝置沿輸送通道移動，在與各處理裝置之間進(jìn)行基板的轉(zhuǎn)移；該送入送出部具有相對主輸送裝置轉(zhuǎn)移被處理基板的輸送機構(gòu)；處理部的各處理裝置、輸送通道、及送入送出部一體設(shè)置。
圖3示出第4現(xiàn)有技術(shù)例。在圖3中，在玻璃基板形成用于例如液晶顯示器(LCD)的TFT陣列，沿著輸送玻璃基板的輸送裝置的行走的輸送通道，配置用于形成玻璃基板的一層的腐蝕裝置、第1檢查裝置、抗蝕劑剝離裝置、基板等候用緩沖裝置、清洗裝置、成膜裝置、及第2檢查裝置，在輸送通道的一端配置基板送入部，在輸送通道的另一端于基板送出部以多級收容盒，而且使得輸送裝置可相對各盒存取地設(shè)置使臺子升降的升降機構(gòu)。
在上述現(xiàn)有技術(shù)中，雖然臺架的構(gòu)成分別不同，但由于用于在各臺架內(nèi)輸送晶片、被處理基板、玻璃基板的晶片輸送系統(tǒng)、晶片單張直接輸送系統(tǒng)、輸送通道在所有的場合都共同地為單一體，所以，依然存在以下那樣的必須解決的問題。
1.臺架內(nèi)的晶片的輸送和晶片的輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合由在各處理裝置的晶片處理時間(及處理裝置內(nèi)的晶片輸送時間)中的最長時間決定速度。為此，在臺架內(nèi)的晶片的輸送和各處理裝置的晶片的配合產(chǎn)生等候時間，臺架內(nèi)的處理量下降。這樣，如上述現(xiàn)有技術(shù)例的特別是從圖1-圖3所示的第2-第4的現(xiàn)有技術(shù)例那樣，對于各處理裝置，在晶片處理不同的場合明顯地產(chǎn)生這樣的問題。
2.例如在2個FOUP內(nèi)的晶片的處理內(nèi)容對于各FOUP不同的場合，例如一方的FOUP內(nèi)的晶片為等離子腐蝕處理、另一方的FOUP內(nèi)的晶片為等離子CVD處理，兩者不同，在這些處理存在處理時間的長短。為此，在臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片的輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合由處理時間長的該場合的等離子CVD處理決定速度。為此，臺架內(nèi)的晶片特別是等離子腐蝕處理的晶片的輸送和各腐蝕裝置的晶片的配合產(chǎn)生等候時間，臺架內(nèi)的處理量下降。
3.即使在臺架內(nèi)的各處理裝置中的晶片處理相同(例如處理內(nèi)容、條件等)，由于在臺架內(nèi)輸送裝置的晶片的輸送時間與各處理裝置內(nèi)的處理時間+處理裝置內(nèi)的晶片的輸送時間不同，所以，臺架內(nèi)輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合及臺架內(nèi)的晶片的輸送存在產(chǎn)生混亂的危險性，由此可能導(dǎo)致臺架內(nèi)的處理量的下降。
4.在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片混合存在于臺架內(nèi)輸送線的場合，即使處理時間短的晶片的處理結(jié)束，由于在輸送線中處于其前面的處理時間長的晶片的處理不結(jié)束，所以，不能進(jìn)行從處理裝置到輸送線的輸送及到輸送線的下一處理裝置的輸送。即，產(chǎn)生等候時間。在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中，不進(jìn)行處理時間短的晶片與處理時間長的晶片的輸送線的分開使用這樣的識別。因此，在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度。為此，處理時間也變晚，整體的速度下降，從而使臺架整體的處理量下降。
5.在多品種小批量生產(chǎn)的場合，當(dāng)在1個晶片輸送線上來了需要特急處理的晶片時，如存在帶有機械手的往復(fù)移動裝置并且該機械手具有通常的處理晶片，則其成為障礙，不能立即移動到指定的裝置。為此，對于需要特急處理的晶片產(chǎn)生等候時間。為此，該晶片的處理很費時間，不能對應(yīng)多品種小批量生產(chǎn)，處理量下降。
6.晶片輸送線的帶有機械手的往復(fù)移動裝置例如當(dāng)一個出現(xiàn)故障時，使臺架內(nèi)的輸送線停止，不能將晶片輸送到多工藝裝置。為此，不能由多工藝裝置處理晶片，臺架內(nèi)的各晶片的處理停止。另外，該臺架內(nèi)的輸送線、各多工藝裝置的停止使得不能進(jìn)行從該臺架到其它臺架的晶片的輸送，此外的臺架的晶片處理也停止。從而使相關(guān)臺架的晶片處理全部停止。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決上述問題以達(dá)到以下目的。
本發(fā)明的第1目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置即使在晶片的處理對各臺架內(nèi)的各處理裝置不同的場合，也可防止臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片配合由其決定速度，由此防止處理量的下降。
另外，本發(fā)明的第2目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置即使在晶片的處理內(nèi)容對保持晶片的裝置不同的場合，也可防止臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片配合由其決定速度，由此防止處理量的下降。
另外，本發(fā)明的第3目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置可防止在臺架內(nèi)的晶片處理相同的場合可能發(fā)生的臺架內(nèi)輸送裝置與各處理裝置的晶片配合及臺架內(nèi)的晶片輸送的混亂，由此可防止臺架內(nèi)的處理量的下降。
另外，本發(fā)明的第4目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置即使在混合存在處理時間不同的晶片的場合，也可分開使用處理時間短的晶片與處理時間長的晶片，防止處理量下降。
另外，本發(fā)明的第5目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置即使在多品種小批量生產(chǎn)的場合下需要特急處理的晶片來到時，也可防止該晶片的處理花費較多時間，防止處理量下降。
另外，本發(fā)明的第6目的在于提供一種單張輸送方法及其裝置，該單張輸送方法及其裝置即使在晶片輸送線出現(xiàn)故障時也可防止臺架內(nèi)處理和其它臺架的處理停止。
第1-第3目的可通過在臺架內(nèi)可同時輸送地設(shè)置至少另一輸送線而實現(xiàn)。即，即使在晶片處理對臺架內(nèi)的各處理裝置不同的場合，通過分開使用可同時輸送的多個臺架內(nèi)輸送線，抑制臺架內(nèi)的晶片輸送和晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片配合由晶片的處理對各處理裝置不同這一點決定速度(律速)。
另外，即使在晶片的處理內(nèi)容對于各保持晶片的裝置不同的場合，通過與其對應(yīng)地分開使用臺架內(nèi)輸送線的可同時輸送的輸送線，可對應(yīng)于收容于各晶片保持裝置的晶片的處理內(nèi)容順利地實施臺架內(nèi)的晶片輸送和晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片配合。
另外，通過分開使用臺架內(nèi)輸送線的可同時輸送的輸送線，可防止臺架內(nèi)的晶片的處理相同的場合可能發(fā)生的臺架內(nèi)輸送裝置與各處理裝置的晶片配合及臺架內(nèi)的晶片輸送的混亂。
第4目的可通過在晶片普通輸送線設(shè)置其它的晶片特急輸送線作為臺架內(nèi)輸送線的可同時輸送的輸送線而實現(xiàn)。在這里，晶片普通輸送線表示單張輸送在處理裝置中的處理時間較長的晶片的輸送線。晶片特急輸送線表示單張輸送在處理裝置中的處理時間較短的晶片的輸送線。即，在混合存在處理時間短的晶片和處理時間長的晶片的場合，可通過分開使用而實施，即，處理時間短的晶片使用晶片特急輸送線，處理時間長的晶片使用晶片普通輸送線。
處理速度長短不是定量的，例如通過比較某一晶片的處理速度和其它晶片的處理速度而決定，或比較收容于某一晶片收容裝置的晶片的處理速度與收容于其它晶片收容裝置的其它晶片的處理速度而決定。這樣的處理速度的差異由控制裝置進(jìn)行比較運算，根據(jù)該結(jié)果選擇使用晶片普通輸送線或使用晶片特急輸送線。
第5目的可通過在臺架內(nèi)設(shè)置用于跳越的別的單張輸送線而實現(xiàn)。即，在多品種少量生產(chǎn)的場合，當(dāng)需要特急處理的晶片來到時，通過在指定的裝置使用跳越線可進(jìn)行移動。
對于第6目的，可通過在臺架內(nèi)設(shè)置別的單張輸送線實現(xiàn)。即，在臺架內(nèi)的單張輸送線因某種原因而出現(xiàn)故障時，其故障立即被檢測出來，別的單張輸送線開始作動。這樣，臺架內(nèi)的晶片不會停止其輸送。因此，不會停止各處理裝置中的處理地繼續(xù)進(jìn)行處理和輸送，可順利地實施臺架內(nèi)的所有作業(yè)。另外，由于這樣不停止臺架內(nèi)的晶片的輸送·處理，所以，其它相關(guān)臺架也可不全部停止晶片的輸送·處理地實施。
本發(fā)明中所謂的輸送線的分開使用也可這樣理解，即，在臺架內(nèi)具有不同的多個處理裝置，可同時進(jìn)行輸送地在臺架內(nèi)設(shè)置第1輸送線和第2輸送線；該第1輸送線在該第1處理裝置進(jìn)行第1處理并相應(yīng)于該第1處理作動；該第2輸送線在另一處理裝置中進(jìn)行與第1處理不同的第2處理并相應(yīng)于該第2處理作動；分開使用該可同時進(jìn)行輸送地設(shè)置的2個輸送線。


圖1為示出第2現(xiàn)有技術(shù)的晶片單張生產(chǎn)系統(tǒng)的平面圖。
圖2為示出第3現(xiàn)有技術(shù)的曝光后的被處理基板的處理線的平面圖。
圖3為示出第4現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列形成線的平面圖。
圖4為局部地示出本發(fā)明的半導(dǎo)體制造線的第1實施例的平面圖。
圖5為圖4的第1實施例的單張輸送線的與臺架堆料機相反側(cè)的部分的透視外觀圖。
圖6為圖5的I-I視斷面圖。
圖7為圖5的詳細(xì)縱斷面圖。
圖8為圖4的本發(fā)明第1實施例的單張輸送線下側(cè)位置的輸送線的部分平面圖。
圖9為圖4的本發(fā)明第1實施例的單張輸送線上側(cè)位置的輸送線的部分平面圖。
圖10為用于說明圖9的晶片保持部分的晶片保持件及其作用的平面圖。
圖11用于說明圖4的本發(fā)明第1實施例的單張輸送線，為示出臺架間輸送線和臺架內(nèi)的單張輸送線的配合的局部平面圖。
圖12為圖11的正面圖。
圖13為示出圖4的本發(fā)明第1實施例的單張輸送線與真空處理裝置的配合例的局部平面圖。
圖14為示出圖13的上側(cè)位置輸送線與真空處理裝置的配合構(gòu)造的縱斷面圖。
圖15為示意地示出圖14的晶片的輸送狀況的縱斷面圖。
圖16為示出圖13的下側(cè)位置的輸送線與真空處理裝置的配合例的部分平面圖。
圖17為示意地示出圖16的晶片的輸送狀況的縱斷面圖。
圖18為部分地示出本發(fā)明的半導(dǎo)體制造線的第2實施例的平面圖。
圖19為圖18的主要部分的縱斷面圖。
圖20為部分地示出本發(fā)明的半導(dǎo)體制造線的第3實施例的平面圖。
圖21為圖20的主要部分的縱斷面圖。
圖22用于說明半導(dǎo)體制造線的第4實施例，為示出上側(cè)位置的輸送線與真空處理裝置的配合構(gòu)造的第2實施例的縱斷面圖。
圖23為示意地示出圖22的晶片的輸送狀況的縱斷面圖。
圖24用于說明半導(dǎo)體制造線的第4實施例，為示出下側(cè)位置的輸送線與真空處理裝置的配合構(gòu)造的第2實施例的縱斷面圖。
圖25為示意地示出圖24的晶片的輸送狀況的縱斷面圖。
圖26用于說明半導(dǎo)體制造線的第5實施例，為示出臺架間輸送線與臺架內(nèi)的單張輸送線的配合的部分平面圖。
圖27用于說明半導(dǎo)體制造線的第6實施例，為示出臺架間輸送線與各處理裝置的配合的臺架部分的平面圖。
圖28用于說明半導(dǎo)體制造線的第7實施例，為示出橫過單張輸送線部的狀態(tài)的斷面圖。
圖29用于說明半導(dǎo)體制造線的第8實施例，為示出單張輸送線與各處理裝置的配合的另一實施例的部分平面圖。
圖30為圖29的主要部分的縱斷面圖。
圖31用于說明半導(dǎo)體制造線的第9實施例，為示出單張輸送線與各處理裝置的配合的再另一實施例的部分平面圖。
圖32為圖31的主要部分的縱斷面圖。
具體實施例方式
下面，根據(jù)

本發(fā)明的實施例。
從圖4-圖17示出本發(fā)明的第1實施例。
在圖4中，部分地示出具有多個臺架100、200、300……的半導(dǎo)體制造線。各臺架100、200、300……分別通過臺架堆料機130、230、330……連接到臺架間輸送線400。
下面，根據(jù)圖4以臺架100為代表例詳細(xì)說明其構(gòu)成和作用。其它的臺架200、300……的構(gòu)成和作用與臺架100大體相同，所以省略其說明。
如圖4所示，臺架100由該場合的平面形狀為環(huán)狀的單張輸送線120和沿其長度輸送方向(與臺架間輸送線400的輸送方向交叉的方向)并列設(shè)置的處理裝置101-106構(gòu)成。在該場合，處理裝置101-103在單張輸送線120的一方側(cè)鄰接地各并列設(shè)置1臺。另外，在余下的處理裝置104-106的另一方側(cè)鄰接地各并列設(shè)置1臺。處理裝置101-106分別具有輸送機械手11-16，處理裝置101-106具有每次1張即單張地處理晶片W的腔室(省略圖示)。在該例子中，配置了6臺處理裝置，但該臺數(shù)不特別限定。沿單張輸送線120配置的裝置的種類、臺數(shù)、及裝置配置如前面由現(xiàn)有技術(shù)例所示那樣根據(jù)晶片W的工藝流程選擇和決定。
如圖4所示，單張輸送線120通過組合以單張輸送晶片W的輸送線121和可與該輸送線121同時輸送地設(shè)置并以單張輸送晶片W的另一輸送線122而構(gòu)成。在該場合，各輸送線處于上下的位置關(guān)系，形成為將輸送線121設(shè)于下側(cè)位置、將輸送線122設(shè)于上側(cè)位置的構(gòu)造。在該場合，輸送線122具有與輸送線121的晶片輸送面相向的晶片輸送面。另外，在該場合，輸送線121具有大體為水平面的晶片輸送面，輸送線122具有在上下方向上與輸送線121的晶片輸送面相向的大體為水平面的晶片輸送面。即，輸送線121、122以水平面保持晶片W進(jìn)行輸送。
在以下的說明中，說明輸送線121、122的各晶片輸送面在上下方向上相向的例子，但該關(guān)系不特別地限于此。例如，輸送線121、122雙方的晶片輸送面也可在左右方向上相向。在該場合，在輸送線121、122中，晶片W從其構(gòu)造上考慮以被處理面縱型姿勢分別輸送。與各處理裝置之間的晶片W的轉(zhuǎn)移通過從縱型姿勢進(jìn)行姿勢變換而以被處理面水平姿勢實施，或按原有姿勢實施，在實施本發(fā)明方面都沒有特別的問題。
另外，如圖4所示，在處理裝置101-106的輸送機械手11-16與輸送線121、122之間可轉(zhuǎn)移1張即單張晶片W。另外，可在臺架堆料機130的堆料機(省略圖示)和輸送線121、122之間轉(zhuǎn)移晶片W。
如圖4所示，臺架100、200、300……間的晶片的輸送利用臺架堆料機130、230、330……由臺架間輸送線400實施。
圖5、圖6示出單張輸送線120的詳細(xì)構(gòu)造。圖5為與單張輸送線120的與臺架堆料機130相反側(cè)的部分的透視外觀圖。圖6為圖5的I-I視斷面圖。
在圖6中，輸送線121具有移動體121a和晶片保持臺121b。晶片保持臺121b設(shè)于移動體121a。晶片保持臺121b將其上表面作為晶片保持面，在其上保持1張晶片W。晶片W以水平姿勢接觸放置在該晶片保持臺121b的上表面。輸送線122具有移動體122a和晶片保持件122b。晶片保持件122b設(shè)于移動體122a。晶片保持件122b以水平姿勢保持1張晶片W。在圖6中，晶片保持臺121b的晶片載置面與晶片保持件122b的晶片保持部的間隔H由各處理處置的構(gòu)造決定。這將在后面說明。
如圖7所示，例如在移動體121a使用由作為非接觸移動體的該場合的線性軌道121a-1和線性臺車121a-2構(gòu)成的線性移動體。晶片保持臺121b設(shè)于移動體121a的線性臺車121a-2。晶片保持臺121b將其上表面作為晶片保持面，在其上保持1張晶片W。晶片W以水平姿勢接觸放置到該晶片保持臺121b的上表面。
如圖7所示，在移動體122a使用由作為非接觸移動體的該場合的線性軌道122a-1和線性臺車122a-2構(gòu)成的線性移動體。晶片保持件122b設(shè)于移動體122a的線性臺車122a-2。晶片保持件122b在晶片W的外周部接觸其內(nèi)面部分，在該場合，保持1張。
下面，說明從輸送線121向輸送線122轉(zhuǎn)移晶片W的場合。
如圖7所示，首先，在輸送線121的晶片保持臺121b載置保持1張晶片W。另一方面，輸送線122的晶片保持件122b為未保持晶片的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，晶片保持臺121b與晶片保持件122b的位置關(guān)系調(diào)整為可轉(zhuǎn)移晶片的位置關(guān)系。接著，晶片保持臺121b的晶片W朝晶片保持件122b上升(箭頭600)。該上升在到達(dá)可由晶片保持件122b接受晶片的位置時停止。此前，如圖10所示那樣，晶片保持件122b成為朝徑向打開的狀態(tài)(箭頭602)。晶片W來到該部分時打開的晶片保持件122b沿徑向關(guān)閉(箭頭602)。這樣，晶片W由晶片保持件122b的收取部收取其外周內(nèi)面部而被接受。此后，使晶片W上升的構(gòu)件(省略圖示)下降，例如收容到晶片保持臺121b內(nèi)。
圖8示出輸送線121的部分平面圖。
如圖8所示，沿單張輸送線在其底面設(shè)置有線性軌道121a-1。在線性軌道121a-1分別可行走(箭頭603)地設(shè)置該場合的3個線性臺車。在各線性臺車121a-2分別設(shè)置1個晶片保持臺121b。
如圖8所示，線性臺車121a-2的平面形狀例如為矩形。晶片保持臺121b的形狀例如大體為圓形。該晶片保持臺121b的大小根據(jù)晶片的大小選擇。例如，在晶片的直徑變成8英寸、12英寸、14英寸……的場合，根據(jù)該晶片的直徑，使晶片保持臺121b的大小也相應(yīng)地變化。在線性臺車121a-2分別具有檢測前后間隔的傳感器(省略圖示)。這些傳感器分別連接到控制裝置(省略圖示)。另外，在線性臺車121a-2或晶片保持臺121b設(shè)置傳感器(省略圖示)。該傳感器具有檢測晶片的有無和晶片信息的功能。該傳感器連接到控制裝置(省略圖示)。該傳感器也可由1個傳感器實現(xiàn)晶片的有無檢測和晶片信息檢測雙方的檢測功能。另外，也可具有別的功能。
另外，線性臺車121a-2分別具有確認(rèn)輸送線121的自身的位置信息的傳感器(省略圖示)。該傳感器連接到控制裝置(省略圖示)。例如該傳感器具有檢測線性臺車121a-2是否來到與規(guī)定的處理裝置對應(yīng)的位置的功能。各處理裝置可分別設(shè)置具有這樣的檢測功能的傳感器，也可在各線性臺車、處理裝置雙方設(shè)置。
圖9示出輸送線122的部分平面圖。
如圖9所示，沿單張輸送線在其底面設(shè)置線性軌道122a-1。在線性軌道122a-1分別可行走(箭頭604)地設(shè)置該場合的3個線性臺車122a-2。在各線性臺車122a-2設(shè)置晶片保持件122b。例如，如圖10所示那樣，晶片保持件122b具有3個收取部122b-1。該收取部122b-1在圓周上按120°間隔配置，位于晶片W的外周部分。該晶片保持件122b為了接受晶片W而可朝晶片的徑向(箭頭602)開閉。
如圖9所示，線性臺車122a-2的平面形狀例如成為矩形。另外，在線性臺車122a-2分別具有檢測前后的間隔的傳感器(省略圖示)。該傳感器分別連接到控制裝置(省略圖示)。另外，在線性臺車122a-2設(shè)置具有檢測晶片的有無和晶片信息的功能的傳感器(省略圖示)。該傳感器分別連接到控制裝置(省略圖示)。該傳感器也可由1個傳感器實現(xiàn)晶片的有無檢測和晶片信息檢測雙方的檢測功能。另外，也可具有別的功能。
另外，線性臺車122a-2分別具有確認(rèn)輸送線122的自身的位置信息的傳感器(省略圖示)。該傳感器分別連接到控制裝置(省略圖示)。例如該傳感器具有檢測線性臺車122a-2是否來到與規(guī)定的處理裝置對應(yīng)的位置的功能。各處理裝置也可分別設(shè)置具有這樣的檢測功能的傳感器，另外，也可在各線性臺車、處理裝置雙方設(shè)置。
如圖8、圖9所示，輸送線121的線性臺車121a-2的設(shè)置到線性軌道121a-1的臺數(shù)與輸送線122的線性臺車122a-2設(shè)置到線性軌道122a-1的臺數(shù)可相同，也可不同。在圖8、圖9中，示出了分別設(shè)置3臺線性臺車的例子，但該線性臺車的臺數(shù)也可適當(dāng)?shù)貨Q定。另外，連接各傳感器等的控制裝置可分開，也可為1臺裝置。
輸送線121的線性臺車121a-2與輸送線122的線性臺車122a-2的位置關(guān)系的控制由各傳感器和控制裝置的作用適當(dāng)?shù)貙嵤?br> 如圖11、圖12所示，臺架堆料機130連接到臺架間輸送線400。臺架間輸送線400在該場合使用AGV(自動導(dǎo)向車輛)410。AGV410具有機械手411、臺412、軌道413、行走架414。行走軌道413設(shè)置于臺架間輸送線400。行走架414可移動地設(shè)置到軌道413。在行走架414設(shè)置機械手411和臺412。行走架414具有驅(qū)動裝置(省略圖示)。該驅(qū)動裝置連接到控制裝置(省略圖示)。行走架414具有檢測與臺架堆料機130之間的位置的位置檢測傳感器。該傳感器也可由臺架堆料機130具有。
如圖11、圖12所示，臺412的晶片收容裝置例如FOUP(前部開啟聯(lián)合箱(Front Opening Unified Pod))500具有該場合的2個(500a、500b)可載置的平面。FOUP500以水平姿勢對收容于其中的晶片的被處理面進(jìn)行保持地放置到臺412的載置面上。機械手411的該場合的例如前端具有握住FOUP的握持部的臂416。該機械手411具有使臂416旋轉(zhuǎn)運動、左右往復(fù)運動、及升降運動的驅(qū)動裝置(圖示省略)。該驅(qū)動裝置連接到控制裝置(省略圖示)。晶片收容裝置除了FOUP外也可沒有問題地采用開口盒等其它收容裝置。
如圖11、圖12所示，臺架堆料機130具有臺131、門132、機械手133、軌道134。臺架堆料機130在該場合分成臺131部分和輸送機械手部分136。臺131部分和輸送機械手部分136由門132分隔。在門132的AGV410側(cè)設(shè)置臺131。在門132的輸送線121側(cè)配置輸送機械手部分136。臺131在該場合具有可載置3個FOUP500的平面。FOUP可按水平姿勢對收容于其中的多個晶片的被處理面進(jìn)行保持地放置到臺131的載置面。臺131的載置面沿著AGV410的行走方向鄰接FOUP500放置。在該場合，門132具有3個，各門132a-132c分別對應(yīng)于FOUP500配置。在輸送機械手部分136的軌座137設(shè)置軌道134。軌道134平行于臺131的FOUP500的載置面地設(shè)置。機械手133載置于軌道134。機械手133具有在軌道134上行走的驅(qū)動裝置(省略圖示)。該驅(qū)動裝置連接到控制裝置(省略圖示)。該機械手133具有臂138。臂138具有使該臂138進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運動、左右往復(fù)運動、及升降運動的驅(qū)動裝置(省略圖示)。該驅(qū)動裝置連接到控制裝置(省略圖示)。在該場合，該臂138設(shè)置了具有檢測晶片有無和檢測晶片信息的雙方的檢測功能的傳感器(省略圖示)。該傳感器連接到控制裝置(省略圖示)。
在這樣構(gòu)成的裝置系統(tǒng)中，可進(jìn)行以下那樣的晶片的操作和處理。
如圖4-圖12所示，從臺架100的上游側(cè)通過臺架間輸送線400將晶片輸送到臺架100。具體地說，在AGV410的臺412的載置面并列放置FOUP500a、500b。例如，在FOUP500b中收容處理速度快的晶片。由傳感器檢測FOUP500a、500b是否載置到臺412。該檢測信息被送到控制裝置。由此確認(rèn)FOUP500a、500b是否分別被適當(dāng)?shù)胤胖玫脚_412。之后，從控制裝置向驅(qū)動裝置輸出操作信號，開始驅(qū)動裝置的操作。由此，使AGV410在臺架間輸送線400中朝臺架100的臺架堆料機130行走。此后，AGV410由位置檢測傳感器檢測到達(dá)與臺架堆料機130的規(guī)定位置對應(yīng)的場所這一狀態(tài)。該檢測信號被送到控制裝置，從控制裝置輸出停止信號。這樣，AGV410被停止。在該場合，在臺131的FOUP載置面載置FOUP500c、500d。在余下的FOUP載置面的1處未載置FOUP。在該場合，載置到臺架堆料機130的臺131的FOUP500d的晶片處理基本上處于結(jié)束狀態(tài)。余下的FOUP500c內(nèi)的晶片的處理處于中途階段。另外，例如FOUP500d的晶片與FOUP500b的晶片不同，處理速度較慢。在臺131的FOUP的載置面中的余下的1處的載置面即該場合的FOUP500d的朝向門132b地位于右側(cè)的載置面有無FOUP，由傳感器(省略圖示)檢測。當(dāng)由傳感器檢測到?jīng)]有FOUP時，從控制裝置向機械手411的驅(qū)動裝置輸出操作信號。接受該操作信號使機械手411開始操作。該操作在從圖11的臂416的狀態(tài)使臂416旋轉(zhuǎn)到與FOUP500b對應(yīng)的位置時停止。之后，臂416擴大成可握持FOUP500b的間隔。之后，臂416下降到與FOUP500b的握持部對應(yīng)的位置。之后，臂416關(guān)閉，由此將FOUP500b握持于臂416。由臂416握持FOUP500b的這一狀態(tài)由傳感器檢測，該信號輸出到控制裝置。之后，F(xiàn)OUP500b在該狀態(tài)下輸送到臺131的余下的載置面。結(jié)果，F(xiàn)OUP500b被載置到該載置面。該已載置的信號從傳感器輸出到控制裝置。另一方面，F(xiàn)OUP500d的晶片的處理已結(jié)束這一信息被送到控制裝置。接受該信息后，機械手411的臂416移動到可回收FOUP500d的位置而停止。之后，機械手411的臂416在打開其間隔的狀態(tài)下朝FOUP500d移動。該移動在可由臂416對FOUP500d進(jìn)行側(cè)面抓取的時刻由控制裝置停止。之后，臂416關(guān)閉，由此將FOUP500d握持到臂416。在該狀態(tài)下，F(xiàn)OUP500d載置到原先載置了FOUP500b的臺412的載置面。即，在該狀態(tài)下，臺131的原先載置了FOUP500b的面成為下一個FOUP接受面。保持FOUP500a、FOUP500d的AGV410移動朝下一臺架方向即箭頭605或上游方向箭頭606。
然后，根據(jù)控制裝置的指令打開門132c。此時，F(xiàn)OUP500b的門也打開。由此使FOUP500b內(nèi)成為與輸送機械手部136、單張輸送線120的氣氛連通的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，根據(jù)控制裝置的指令使機械手133移動到與門132c對應(yīng)的位置停止。收容于FOUP500b內(nèi)的晶片的信息由臂138的傳感器讀取。讀取的信息輸送到控制裝置。根據(jù)該信息信號選擇將FOUP500b內(nèi)的晶片中的哪一個晶片送出到下一處理。該被選擇的信號輸出到機械手133。由此使臂138處于規(guī)定高度的位置地調(diào)節(jié)機械手133。此后，通過門132c將臂138插入到FOUP500b內(nèi)。該臂138的移動在該臂138的收取部到達(dá)FOUP500b內(nèi)的規(guī)定晶片的背面時由控制裝置停止。之后，該臂138的收取部稍上升。由該上升將晶片接受到臂138的收取部。之后，該臂138退到原來的位置等候。另一方面，處于單張輸送線120的上側(cè)位置的輸送線122的線性臺車122a-2停止到可轉(zhuǎn)移晶片的位置。該停止位置和信息從傳感器輸出到控制裝置。線性臺車122a-2的晶片保持件122b成為朝徑向打開的狀態(tài)。在該場合，沒有在該線性臺車122a-2的下側(cè)位置是否存在線性臺車121a-2的問題。在臂138的收取部具有晶片的機械手133可在軌道134上行走到與線性臺車122a-2對應(yīng)的位置。該行走在機械手133到達(dá)線性臺車122a-2對應(yīng)的位置時由控制裝置停止。在此期間，具有晶片的臂138的收取部旋轉(zhuǎn)180°。此后，臂138的收取部朝線性臺車122a-2移動。當(dāng)由臂138的收取部收取的晶片到達(dá)線性臺車121a-2的下方位置時，該臂138的移動被停止。此后，臂138的收取部上升。該上升在臂138的收取部的晶片到達(dá)可由線性臺車122a-2的晶片保持件122b收取的位置時，由控制裝置停止。在該狀態(tài)下，晶片保持件122b朝徑向關(guān)閉(箭頭602)，由此將晶片從臂138的收取部轉(zhuǎn)移到晶片保持件122b。轉(zhuǎn)移了晶片的臂138退到原來的位置等候。
如圖4所示，例如在將FOUP500b設(shè)置到臺架堆料機130的臺131時，可由處理裝置103、106對處理速度快的晶片進(jìn)行處理地由控制裝置設(shè)定加工條件。在余下的處理裝置101、102、104、105繼續(xù)進(jìn)行處理速度慢的晶片的處理。
圖13為圖4中的單張輸送線120的處理裝置101及處理裝置103的部分的詳細(xì)構(gòu)成圖。圖13示出單張輸送線120的下側(cè)的輸送線121。在位于處理裝置101前方部分之處存在線性臺車121a-2。從處理裝置101的輸送線121側(cè)依次配置門101d、密閉室101a、門101c、處理室101b。在密閉室101a中配置具有收取部11-1的輸送機械手11。該收取部11-1具有與通過例如門101d轉(zhuǎn)移晶片的連桿機構(gòu)回轉(zhuǎn)而通過門101c將晶片轉(zhuǎn)移到處理室101b的功能。
另外，圖13示出單張輸送線120的上側(cè)的輸送線122。在位于處理裝置103的前方部分之處存在線性臺車122a-2。從處理裝置103的輸送線122側(cè)依次配置門103d、密閉室103a、門103c、處理室103b。在密閉室103a中配置具有收取部13-1的機械手13。該收取部13-1具有與通過例如門103d轉(zhuǎn)移晶片的連桿機構(gòu)回轉(zhuǎn)而通過門103c將晶片轉(zhuǎn)移到處理室103b的功能。
此外，對處理速度較慢的晶片進(jìn)行處理的處理裝置102、104、105和輸送線121的使用構(gòu)造大體與處理裝置101和輸送線121的使用構(gòu)造相同，省略圖示和說明。另外，對處理速度快的晶片進(jìn)行處理的處理裝置106和輸送線122的配合構(gòu)造與處理裝置103和輸送線122的配合構(gòu)造大體相同，所以，省略圖示和說明。
圖14示出處理裝置103和單張輸送線122的使用的詳細(xì)內(nèi)容。在圖14中，單張輸送線120的空間和密閉室103a由門103d分隔。在該場合，單張輸送線120和密閉室103a的高度為大體相同的高度。密閉室103a內(nèi)與處理室103b內(nèi)由門103c分隔。
從機械手133的臂138接受FOUP500b內(nèi)的晶片Wb1的線性臺車122a-2從圖11的位置移動到與圖4的處理裝置103對應(yīng)的位置。該移動通過由傳感器檢測線性臺車122a-2到達(dá)規(guī)定位置這一狀況而由控制裝置進(jìn)行控制(圖14)。如圖14所示，在密閉室103a內(nèi)導(dǎo)入潔凈氣體例如氮氣，由此將密閉室103a內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到與單張輸送線120的氣氛壓力大體相同的壓力。此后，打開門103d。此后，機械手13的收取部13-1通過打開的門103d送出到單張輸送線120(箭頭607)。該收取部13-1在到達(dá)由晶片保持件122b保持的晶片Wb1的下方位置時，收取部13-1的動作停止。之后，晶片保持件122b下降(箭頭601)。該下降在晶片Wb1的背面接觸收取部13-1的時刻停止(圖15)。此后，晶片保持件122b朝徑向打開(箭頭602)。由此將晶片Wb1從晶片保持件122b轉(zhuǎn)移到收取部13-1。接受了晶片Wb1的收取部13-1通過門103d拉回到密閉室103a的原來的位置。此后，如圖15(b)所示那樣，關(guān)閉門103d，密閉室103a內(nèi)減壓排氣。在密閉室103a的壓力成為大體與處理室103b的壓力相同的壓力的時刻打開門103c。在該狀態(tài)下，機械手13的收取部13-1從密閉室103a移動到處理室103b。這樣，晶片Wb1在由收取部13-1收取的狀態(tài)下送入到處理室103b。另外，該晶片Wb1轉(zhuǎn)移到內(nèi)設(shè)于處理室103b的試樣臺(省略圖示)上。轉(zhuǎn)移了晶片Wb1的收取部13-1通過門103c退避到密閉室103a，在密閉室103a的原來的位置等候。此后，門103c關(guān)閉。在該狀態(tài)下，載置于處理室103b內(nèi)的試樣臺的晶片Wb1由處理室103b進(jìn)行規(guī)定處理例如等離子腐蝕處理。在處理室103b結(jié)束等離子腐蝕處理的晶片Wb1由與上述送入操作相反的操作依次通過門103c、密閉室103a、門103d，送出到單張輸送線120，轉(zhuǎn)移到晶片保持件122b。對在處理室103b結(jié)束了等離子腐蝕處理的晶片Wb1進(jìn)行支承的線性臺車122a-2由線性軌道122a-1引導(dǎo)，沿輸送線122朝處理裝置106方向移動。
如圖11、12所示，F(xiàn)OUP500b內(nèi)的接下來被選擇的晶片Wb2通過與上述操作同樣的操作由機械手133的臂138的收取部收取，從FOUP500b拔出。該拔出的第2晶片Wb2由與上述操作相同的操作從機械手133的臂138的收取部轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。將晶片Wb2接受到晶片保持件122b的線性臺車122a-2由與上述操作相同的操作移動到與處理裝置103對應(yīng)的位置后停止。處理裝置103的處理與處理裝置106的處理在該場合不同。對在處理裝置103進(jìn)行了腐蝕處理的晶片Wb1進(jìn)行保持的線性臺車122a-2在輸送線122朝處理裝置106方向移動。之后，線性臺車122a-2到達(dá)處理裝置106時停止。保持于該線性臺車122a-2的晶片Wb1由與處理裝置103同樣的操作送入到處理裝置106的處理室(省略圖示)。送入到該處理裝置的晶片Wb1在這里進(jìn)行規(guī)定處理例如成膜處理(CVD、PVD等)。成膜處理完畢的晶片Wb1從處理室依次通過門(圖示省略)、密閉室(圖示省略)、門(圖示省略)送出到單張輸送線120。該送出的晶片Wb1保持于線性臺車122a-2的晶片保持件122b，移動到可轉(zhuǎn)移到機械手133的臂138的晶片的位置。此后，保持于線性臺車122a-2的晶片保持件122b的晶片Wb1由與上述操作相反的操作通過機械手133回收到FOUP500b的原來的位置。
另一方面，保持于移動到與處理裝置103對應(yīng)的位置而停止的線性臺車122a-2的晶片保持件122b的晶片Wb2由與上述晶片Wb1的場合同樣的操作送入到處理裝置103的處理室103b，在這里進(jìn)行等離子腐蝕處理。之后，將處理完畢后的晶片Wb1從處理室103b送出到單張輸送線120，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b進(jìn)行保持。之后，該線性臺車122a-2朝處理裝置106行走。
反復(fù)進(jìn)行這樣的操作。這樣，F(xiàn)OUP500b內(nèi)的晶片Wb1、Wb2、……Wbn由輸送線122依次送到處理裝置103、106。由處理裝置103、106處理后的晶片Wb1、Wb2、……Wbn依次返回到FOUP500b，然后，回收到FOUP500b的規(guī)定的位置。
圖16詳細(xì)示出處理裝置101和輸送線121的配合。在圖16中，單張輸送線120的空間與密閉室101a由門101d分隔。在該場合，單張輸送線120和密閉室101a的高度大體相同。密閉室101a內(nèi)和處理室101b內(nèi)由門101c分隔。
收容于FOUP500c內(nèi)的晶片的信息由傳感器讀取。讀取的信息輸送到控制裝置。在該場合，F(xiàn)OUP500c內(nèi)的晶片為處理速度較慢的晶片。因此，在該場合，由傳感器讀取處理速度較慢這樣的信息，將該讀取的信息輸出到控制裝置。另一方面，處于單張輸送線120a下側(cè)位置的輸送線121的線性臺車121a-2停止到可轉(zhuǎn)移晶片的位置。該停止位置和信息從傳感器輸出到控制裝置。該線性臺車121a-2的晶片保持臺121b的晶片抬起銷121c在該場合成為收容于晶片保持臺121b內(nèi)的狀態(tài)。晶片抬起銷在該場合為3根，分別以晶片保持臺121b的中心為中心按120°的間隔配置于晶片保持臺121b。另外，這些銷可按規(guī)定間隔升降移動。在臂138的收取部具有晶片的機械手133在軌道134上行走到與線性臺車121a-2對應(yīng)位置。該行走在機械手133到達(dá)與線性臺車121a-2對應(yīng)的位置時由控制裝置停止。在此期間，具有晶片的臂138的收取部朝線性臺車121a-2移動。當(dāng)由臂138的收取部收取的晶片Wcn到達(dá)線性臺車121a-2的上方位置時，該臂138的移動停止。此后，晶片抬起銷121c上升。在其頂點接觸到臂138收取部的晶片Wcn的背面時，該晶片抬起銷的上升被停止。由此，將晶片Wcn從臂138的收取部轉(zhuǎn)移到晶片抬起銷。此后臂138返回到原來的位置等候。
從機械手133的臂138接受到晶片Wcn的線性臺車121a-2移動到與處理裝置101對應(yīng)的位置。該移動由傳感器檢測線性臺車121a-2到達(dá)規(guī)定位置這一狀態(tài)，由控制裝置控制。
如圖16所示，密閉室101a內(nèi)導(dǎo)入潔凈氣體例如氮氣，由此將密閉室101a內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)到與單張輸送線120的氣氛壓力大體相同的壓力。此后，打開門101d。然后，輸送機械手11的收取部11-1通過打開的門101d送出到單張輸送線120(箭頭607)。另一方面，保持于處在與處理裝置101對應(yīng)的位置的線性臺車121a-2的晶片保持臺121b的晶片Wcn由晶片抬起銷的上升從晶片保持臺121b轉(zhuǎn)移到晶片抬起銷121c受到保持。
在該狀態(tài)下，輸送機械手11的收取部11-1在到達(dá)保持于晶片抬起銷121c的晶片Wcn的下方位置的時刻停止收取部11-1的動作(圖17(a))。此后，晶片抬起銷121c下降。通過該下降，將晶片Wcn從晶片抬起銷121c轉(zhuǎn)移到收取部11-1。接受了晶片Wcn的收取部11-1通過門101d被拉回到密閉室101a原來的位置。此后，門101d關(guān)閉，密閉室101a內(nèi)被減壓排氣(圖17(b))。密閉室101a的壓力在成為與處理室101b的壓力大體相同壓力的時刻打開門101c。在該狀態(tài)下，輸送機械手11的收取部11-1從密閉室101a移動到處理室101b。這樣，晶片Wcn在由收取部11-1收取的狀態(tài)下送入到處理室101b。另外，晶片Wcn轉(zhuǎn)移到內(nèi)設(shè)于處理室101b的試樣臺上。轉(zhuǎn)移了晶片Wcn的收取部11-1通過門101c退避到密閉室101a，在密閉室101a的原來的位置等候。此后，關(guān)閉門101c。在該狀態(tài)下，載置到處理室101b內(nèi)的試樣臺的晶片Wcn在處理室101b進(jìn)行規(guī)定的處理，例如等離子腐蝕處理。
前面說明的處理室103b內(nèi)的晶片Wb的等離子腐蝕處理條件和在該場合的處理室101b內(nèi)的晶片Wc的腐蝕處理條件當(dāng)然不同。即，處理室103b內(nèi)的晶片Wb的等離子腐蝕處理條件為處理時間較短的那樣的條件，另一方面，處理室101b內(nèi)的晶片Wc的等離子腐蝕處理條件的處理時間較長。在處理室101b結(jié)束了等離子腐蝕處理的晶片Wcn由與上述送入操作相反的操作依次通過門101c、密閉室101a、門101d，送出到單張輸送線120，通過晶片抬起銷121c轉(zhuǎn)移到晶片保持臺121b。
對在處理室101b結(jié)束了等離子腐蝕處理的晶片Wcn進(jìn)行保持的線性臺車121a-2由線性軌道121a-1引導(dǎo)，朝處理裝置105的方向沿輸送線121移動。
如圖11、圖12所示，F(xiàn)OUP500c中的接下來受到選擇的晶片Wcn+1通過與上述操作相同的操作由機械手133的臂138a的收取部收取，從FOUP500c取出。該取出的晶片Wcn+1由與上述操作相同的操作從機械手133的臂138的收取部轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。將晶片Wcn+1接受到晶片保持臺121b的線性臺車121a-2由與上述操作相同的操作移動到與處理裝置101對應(yīng)的位置而停止。處理裝置101的處理與處理裝置105的處理在該場合不同。對在處理裝置101進(jìn)行了等離子腐蝕處理的晶片Wcn進(jìn)行保持的線性臺車121a-2在輸送線121朝處理裝置105的方向移動。之后，在線性臺車121a-2到達(dá)與處理裝置105對應(yīng)的位置時停止該移動。保持于該線性臺車121a-2的晶片Wcn由與處理裝置101同樣的操作送入到處理裝置105的處理室(省略圖示)。送入到該處理裝置的晶片Wcn在這里進(jìn)行規(guī)定處理例如成膜處理(CVD、PVD等)。成膜處理完畢的晶片Wcn從處理室依次通過門(圖示省略)、密閉室(圖示省略)、門(圖示省略)送出到單張輸送線120。該送出的晶片Wcn保持于線性臺車121a-2的晶片保持臺121b，移動到可將晶片Wcn轉(zhuǎn)移到機械手133的臂138的位置。此后，保持于線性臺車121a-2的晶片保持臺121b的晶片Wcn由與上述操作相反的操作通過機械手133回收到FOUP500c的原來的位置。另一方面，保持于移動到與處理裝置101對應(yīng)的位置而停止的線性臺車121a-2的晶片保持臺121b的下一晶片Wcn+1由與上述晶片Wcn的場合同樣的操作送入到處理裝置101的處理室101b，在這里進(jìn)行等離子腐蝕處理。之后，處理完畢的晶片Wcn+1從處理室101b送出到單張輸送線120，轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b受到保持。之后，該線性臺車121a-2朝處理裝置105移動。這樣，在進(jìn)行上述FOUP500b內(nèi)的晶片的輸送和處理的同時，F(xiàn)OUP500c內(nèi)的晶片由輸送線121、處理裝置101、102、104、105每次1片地依次處理。該處理完畢的晶片每次1片地返回到FOUP500c，回收到規(guī)定的位置。
以上，說明了FOUP500b內(nèi)的晶片與FOUP500c內(nèi)的晶片在處理裝置中的處理條件不同的例子。下面說明FOUP500b、500c內(nèi)的晶片的處理條件相同的場合。
如圖4所示，處理裝置101-103為相同的處理裝置，例如等離子腐蝕裝置，處理裝置104-106例如為等離子CVD裝置。處理裝置101-103在相同的晶片的處理條件下運行。處理裝置104-106在相同的晶片的處理條件下運行。如圖11所示，在FOUP500b中收容處理速度快的晶片。另外，在FOUP500c、500d收容處理速度慢的晶片。分別收容于FOUP500b-500d的晶片在處理裝置101-103和處理裝置104-106的處理條件等相同。
首先，從圖11、12的狀態(tài)由與上述操作同樣的操作，通過機械手411將臺412的FOUP500b輸送到臺131的空出的載置面載置。然后，在收容于FOUP500d的晶片的處理結(jié)束時，該FOUP500d由機械手411從臺131輸送到臺412的載置面載置。此后，該AGV410朝箭頭604或605方向移動。收容于FOUP500b的晶片Wb1通過上述那樣的操作由機械手133取出，轉(zhuǎn)移到輸送線122的線性臺車122a-2的晶片保持件122b。另一方面，通過FOUP500b的輸送和載置而在處理裝置101-103中處于等候處理狀態(tài)的處理裝置由傳感器檢測，該信號輸出到控制裝置。例如，在檢測到處理裝置101-103中的處理裝置102處于處理等候狀態(tài)的場合，保持上述晶片Wb1的線性臺車122a-2行走到與處理裝置102對應(yīng)的位置停止。該晶片Wb1在此后被送入到處理裝置102的處理室，在這里進(jìn)行等離子腐蝕處理。腐蝕處理完畢的晶片Wb1被取出到處理裝置102外，返回到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。而且，在處理裝置101、103中，同時地實施FOUP500c的處理速度慢的晶片Wcn……的處理。
然后，由傳感器檢測處理裝置104-106中的處于等候處理狀態(tài)的處理裝置，將檢測結(jié)果輸出到控制裝置。當(dāng)檢測到處理裝置104-106中的例如處理裝置104在等候處理時，保持上述晶片Wb1的線性臺車122a-2行走到與處理裝置104對應(yīng)的位置停止。該晶片Wb1此后被送入到處理裝置104的處理室，在這里進(jìn)行等離子CVD處理。CVD處理完畢的晶片Wb1被取出到處理裝置104外，返回到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。
在處理裝置105、106同時地實施FOUP500c的處理速度慢的晶片Wcn……的處理。在處理裝置104結(jié)束處理后的晶片Wb1由輸送線122、機械手133返回到FOUP500b的原來的位置加以回收。與此同時，在處理裝置105、106分別結(jié)束了處理的晶片Wcn……由輸送線121、機械手133返回到FOUP500c的原來的位置而回收。從FOUP500b選擇接下來的晶片Wb2。另一方面，當(dāng)處理裝置101-103中的處理裝置101處于等候處理的狀態(tài)時，晶片Wb2由機械手133、輸送線122送入到處理裝置101的處理室，進(jìn)行等離子腐蝕處理。在處理裝置101的處理結(jié)束后的晶片Wb2被取出處理裝置101外。在處理裝置104-106中，例如當(dāng)處理裝置105處于等候處理狀態(tài)時，在處理裝置101中結(jié)束了處理的晶片Wb2由輸送線122輸送到處理裝置105。該晶片Wb2被送入到處理裝置105的處理室，在這里進(jìn)行等離子CVD處理。處理完畢后的晶片Wb2被取出到處理裝置105外，由輸送線122、機械手133返回到FOUP500b的原來的位置加以回收。與此同時，在處理裝置104、106中，對處理速度慢的晶片Wcn+1……進(jìn)行等離子CVD處理。這些處理結(jié)束了的晶片Wcn+1…分別從處理裝置104、106取出，由輸送線121、機械手133返回到FOUP500c內(nèi)的規(guī)定位置加以回收。這樣，F(xiàn)OUP500b內(nèi)的晶片Wb1、Wb2……Wbn由處理裝置101-103中的處于處理等候狀態(tài)的處理裝置每次1片地依次處理。在這些處理裝置中結(jié)束了處理的晶片Wb1、Wb2……Wbn接下來由處理裝置104-106中的處于等候處理狀態(tài)的任一個處理裝置進(jìn)行等離子CVD處理。這些晶片Wb1、Wb2……Wbn在臺架內(nèi)的輸送由輸送線122實施。在處理裝置104-106中的任一個結(jié)束了處理的晶片Wb1、Wb2……Wbn每次1片地由輸送線122、機械手133返回到FOUP500b內(nèi)的規(guī)定位置加以回收。與此同時，F(xiàn)OUP500c內(nèi)的處理速度慢的晶片Wcn+1…Wcm的處理由處理裝置101-103中的任一個裝置和處理裝置104-106中的任一個裝置依次實施。在該場合，臺架內(nèi)的晶片的輸送由輸送線121進(jìn)行。在處理裝置104-106中的任一個裝置中結(jié)束了等離子CVD處理的晶片Wcn、Wcn+1……Wcm由輸送線121、機械手133返回到FOUP500c內(nèi)的原來的位置加以回收。
如圖11、圖12所示，F(xiàn)OUP500c由AGV410的機械手411載置于臺131的FOUP載置面上。在FOUP500c內(nèi)混合存在處理速度快的晶片即處理時間短的晶片和處理速度慢的晶片即處理時間長的晶片。在這里，各晶片在處理室的處理條件不同。首先，在圖4中，處理裝置101-103為等離子腐蝕處理裝置、處理裝置104-106為等離子CVD裝置。另外，在等離子腐蝕裝置101-103中，將處理裝置103設(shè)定為處理時間短的晶片的處理條件，處理裝置101、102設(shè)定為處理時間長的晶片的處理條件。另外，在處理裝置104-106中，該場合的處理裝置104設(shè)定為處理時間較短的晶片的處理條件，處理裝置105、106設(shè)定為處理時間較長的晶片的處理條件。另外，輸送線121用于處理時間較長的晶片的輸送，輸送線122用于處理時間較短的晶片的輸送。
如圖11-圖17所示，在FOUP500c內(nèi)插入機械手133的臂138。在此時刻，位于臂138上方的晶片信息由傳感器檢測，并輸送到控制裝置。這樣，在控制裝置中，該晶片例如被判定為處理時間短的晶片WcS1。該處理時間短的晶片WcS1在此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線122的線性臺車122a-2的晶片保持件122b。在晶片保持件122b接受了晶片WcS1的線性臺車122a-2朝處理裝置103沿輸送線122行走。此后，具有晶片WcS1的線性臺車122a-2到達(dá)與處理裝置103對應(yīng)的位置這一狀態(tài)由傳感器檢測到，停止該行走。此后，該晶片WcS1被送入到處理裝置103，進(jìn)行等離子腐蝕處理。等離子腐蝕處理完畢的晶片WcS1被取出到處理裝置103外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了該晶片WcS1的線性臺車122a-2從輸送線122朝處理裝置104行走。另一方面，在FOUP500C內(nèi)插入機械手133的臂138。在此時刻，位于臂138上方的晶片信息由傳感器檢測，并輸出到控制裝置。這樣，在控制裝置中，該晶片例如被判定為處理速度慢的晶片。該處理速度慢的晶片WcL1此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線121的線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。由晶片保持臺121b接受了晶片WcL1的線性臺車121a-2在輸送線121朝處理裝置102行走。此后，具有晶片WcL1的線性臺車121a-2到達(dá)與處理裝置102對應(yīng)的位置的這一狀態(tài)由傳感器檢測到，停止該行走。此后，該晶片WcL1被送入到處理裝置102，進(jìn)行等離子腐蝕處理。等離子腐蝕處理完畢的晶片WcL1被取出到處理裝置102外，轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。此后，接受了該晶片WcL1的線性臺車121a-2從輸送線121朝處理裝置105行走。此后，晶片WcL1送入到處理裝置105，進(jìn)行等離子CVD處理。等離子CVD處理完畢的晶片WcL1被取出到處理裝置105外，轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。此后，該晶片WcL1返回到FOUP500c原來的位置。另一方面，在FOUP500c內(nèi)插入機械手133的臂138。在此時刻，位于臂138上方的晶片信息由傳感器檢測，并輸出到控制裝置。這樣，在控制裝置中，該晶片例如被判定為處理時間較長的晶片。該處理時間較長的晶片WcL2此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線121的線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。在晶片保持臺121b接受了晶片WcL2的線性臺車121a-2沿輸送線121朝處理裝置101行走。此后，具有晶片WcL2的線性臺車121a-2到達(dá)與處理裝置101對應(yīng)的位置的這一狀態(tài)由傳感器檢測到，停止該行走。此后，將該晶片WcL2送入到處理裝置101，進(jìn)行等離子腐蝕處理。等離子腐蝕處理完畢的晶片WcL2被取出到處理裝置101外，轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。此后，接受了該晶片WcL2的線性臺車121a-2沿輸送線121朝處理裝置106行走。此后，晶片WcL2被送入到處理裝置106，進(jìn)行等離子CVD處理。等離子CVD處理完畢的晶片WcL2被取出到處理裝置106外，轉(zhuǎn)移到線性臺車121a-2的晶片保持臺121b。此后，該晶片WcL2返回到FOUP500c的原來的位置。另一方面，在FOUP500c內(nèi)插入機械手133臂138。在該時刻，位于臂138上方的晶片信息由傳感器檢測，輸出到控制裝置。這樣，在控制裝置中，晶片例如被判定為處理時間較短的晶片。該處理時間較短的晶片WcS2此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線122的線性臺車122a-2的晶片保持件122b。在晶片保持件122b接受了晶片WcS2的線性臺車122a-2在輸送線122朝處理裝置103行走。此后，具有晶片WcS2的線性臺車122a-2到達(dá)與處理裝置103對應(yīng)的位置的這一狀態(tài)由傳感器檢測到，停止該行走。此后，該晶片WcS2送入到處理裝置103，進(jìn)行等離子腐蝕處理。此時，晶片WcS1被送入到處理裝置104，進(jìn)行等離子CVD處理。等離子CVD處理完畢的晶片WcS1被取出到處理裝置104外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，該晶片WcS1返回到FOUP500c的原來的位置。此后，等離子腐蝕處理完畢的晶片WcS2被取出到處理裝置103外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了該晶片WcS1的線性臺車122a-2沿輸送線122朝處理裝置104行走。此后，晶片WcS2送入到處理裝置104，進(jìn)行等離子CVD處理。等離子CVD處理完畢的晶片WcS2被取出到處理裝置104外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，該晶片WcS2返回到FOUP500c原來的位置。
這樣，依次實施FOUP500c內(nèi)的處理時間短的晶片WcS1、WcS2…WcSn及處理時間長的晶片WcL1、WcL2…WcLn的在單張輸送線120的輸送處理裝置101-106的處理，然后，返回到FOUP500c原來的位置而被回收。
如圖11-圖14所示，在AGV410的臺412載置FOUP500a、500b。在該狀態(tài)下，AGV410朝箭頭604方向行走。在到達(dá)與臺架100的臺架堆料機130對應(yīng)的位置的時刻，該AGV410停止行走。在FOUP500b內(nèi)，收容特急處理規(guī)格的晶片Wbh1、Wbh2…Wbhn。根據(jù)該晶片的信息，在圖4的處理裝置101-106中選擇進(jìn)行該晶片的處理的裝置并設(shè)定加工條件。在該場合，例如，選擇處理裝置101、105作為用于該特急晶片的處理的裝置。而且，余下的處理裝置102、103、104、106繼續(xù)用于FOUP500c、500d內(nèi)的處理。另外，在該場合選擇輸送線122作為單張輸送線120中的輸送特急晶片的線。在輸送線121中，進(jìn)行FOUP500c、500d內(nèi)的晶片的輸送。
如圖11-圖14所示，F(xiàn)OUP500b載置到臺架堆料機130的臺131的FOUP500d的右橫側(cè)的FOUP載置面。與該FOUP500b對應(yīng)的門132c打開，與此相隨，F(xiàn)OUP500b的門(省略圖示)也打開。在FOUP500b內(nèi)插入機械手133的臂138。在該時刻，由傳感器檢測位于臂138上方的晶片信息，并輸出到控制裝置。這樣，在控制裝置中，該晶片例如被判定為處理速度特急的晶片。該處理速度特急的晶片Wbh1在此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線122的線性臺車122a-2的晶片保持件122b。由該晶片保持件122b接受了晶片Wbh1的線性臺車122a-2在輸送線122朝處理裝置101行走。此后，由傳感器檢測具有晶片Wbh1的線性臺車122a-2到達(dá)與處理裝置101對應(yīng)的位置這一狀態(tài)，停止該行走。此后，該晶片Wbh1被送入到處理裝置101，在這里，進(jìn)行等離子腐蝕處理。等離子腐蝕處理完畢的晶片Wbh1被取出到處理裝置101外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了該晶片Wbh1的線性臺車122a-2沿輸送線122朝處理裝置105行走。此后，晶片Wbh1被送入處理裝置105進(jìn)行等離子CVD處理，等離子CVD處理完畢的晶片Wbh1被取出到處理裝置105外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，該晶片Wbh1返回到FOUP500b原來的位置。然后，在FOUP500b內(nèi)插入機械手133的臂138。在該時刻，由傳感器檢測位于臂138上方的晶片信息，并輸出到控制裝置。這樣，在控制裝置中，該晶片例如被判定為處理速度特急的晶片。該處理速度的特急的晶片Wbh2在此后由機械手133轉(zhuǎn)移到輸送線122的線性臺車122a-2的晶片保持件122b。由該晶片保持件122b接受了晶片Wbh2的線性臺車122a-2在輸送線122朝處理裝置101行走。此后，由傳感器檢測具有晶片Wbh2的線性臺車122a-2到達(dá)與處理裝置101對應(yīng)的位置這一狀態(tài)，停止該行走。然后，將該晶片Wbh2送入到處理裝置101，進(jìn)行等離子腐蝕處理。等離子腐蝕處理完畢的晶片Wbh2被取出到處理裝置101外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了該晶片Wbh2的線性臺車122a-2沿輸送線122朝處理裝置105行走。然后，將晶片Wbh2送入處理裝置105進(jìn)行等離子CVD處理，等離子CVD處理完畢的晶片Wbh2被取出到處理裝置105外，轉(zhuǎn)移到線性臺車122a-2的晶片保持件122b。此后，該晶片Wbh2返回到FOUP500b原來的位置。此后，這些特急晶片在FOUP500b內(nèi)收容了5片。余下的3片特急晶片與上述晶片Wbh1、Wbh2同樣地進(jìn)行輸送處理，返回到FOUP500b的原來的位置。
在FOUP500d收容上述處理速度快即處理時間短的晶片或處理速度慢的即處理時間長的晶片中的任一方。例如，在收容處理時間短的晶片的場合，該晶片WdS由輸送線122輸送，由處理裝置103進(jìn)行等離子腐蝕處理，接著由處理裝置105進(jìn)行進(jìn)行等離子CVD處理。此后，處理完畢的晶片返回到FOUP500d的原來的位置而被回收。另一方面，在收容處理時間長的晶片的場合，該晶片WdL1由輸送線121輸送，在處理裝置101、102進(jìn)行等離子腐蝕處理，接著由處理裝置104、106進(jìn)行等離子CVD處理。此后，返回到處理完畢的FOUP500d的原來的位置加以回收。這樣的處理利用上述FOUP500c內(nèi)的晶片的處理的等候時間實施。這樣的情況由傳感器、控制裝置順利地進(jìn)行處理。
回收所有這樣處理完畢后的晶片的FOUP500b此后載置到AGV410的臺412。然后，該AGV410被移動到別的臺架等別的場所(箭頭604或605)。此期間位于FOUP500c和500d的晶片由輸送線121輸送，在其途中，依次由處理裝置102或103及處理裝置104或106處理。該處理晶片返回到FOUP500c和FOUP500d原來的位置。此后，F(xiàn)OUP500b內(nèi)的特急的晶片的臺架100內(nèi)的處理完全結(jié)束時，與特急晶片對應(yīng)地選擇的處理裝置101和105的加工條件恢復(fù)到FOUP500c和500d內(nèi)的加工條件。此后，F(xiàn)OUP500c和500d內(nèi)的未處理的晶片由輸送線121輸送，并由處理裝置101-106處理。處理完畢后的晶片返回到FOUP500c、500d的原來的位置加以回收。
以上，根據(jù)本發(fā)明的第1實施例進(jìn)行了說明。
在這樣的第1實施例中，可獲得以下那樣的效果。
1.即使在相同臺架內(nèi)的輸送線混合存在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片，由于臺架內(nèi)輸送線在該場合可同時輸送地具有2個輸送線，所以，可單獨分開地進(jìn)行處理時間長的晶片的輸送·處理和處理時間短的晶片的輸送·處理。這樣，可根據(jù)晶片的加工和處理條件分開使用2個輸送線，即，分開使用處理時間長的晶片和處理時間短的晶片的輸送線，所以，可防止如現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生晶片的輸送·處理等候時間。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度，但在本實施例中，由于分開使用2個輸送線，所以，不產(chǎn)生這樣的決定速度的狀況。因此，處理時間不變慢，整體的速度不下降，從而可防止臺架整體的處理量下降。
2.在相同處理條件下，即使在相同臺架內(nèi)的輸送線混合存在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片，由于臺架內(nèi)輸送線在該場合可同時輸送地具有2個輸送線，所以，可單獨分開地進(jìn)行處理時間長的晶片的輸送·處理和處理時間短的晶片的輸送·處理。這樣，即使處理條件相同也可分開使用處理時間長的晶片和處理時間短的晶片的輸送線，所以，可防止如現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生晶片的輸送·處理等候時間。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度，但在本實施例中，由于分開使用2個輸送線，所以，不產(chǎn)生這樣的決定速度的狀況。因此，處理時間不變慢，整體的速度不下降，從而可防止臺架整體的處理量下降。
3.在處理條件不同時，即使在相同臺架內(nèi)的輸送線混合存在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片，由于臺架內(nèi)輸送線在該場合可同時輸送地具有2個輸送線，所以，可單獨分開地進(jìn)行處理時間長的晶片的輸送·處理和處理時間短的晶片的輸送·處理。這樣，即使處理條件不同也可分開使用處理時間長的晶片和處理時間短的晶片的輸送線，所以，可防止如現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生晶片的輸送·處理等候時間。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度，但在本實施例中，由于分開使用2個輸送線，所以，不產(chǎn)生這樣的決定速度的狀況。因此，處理時間不變慢，整體的速度不下降，從而可防止臺架整體的處理量下降。
4.在處理內(nèi)容不同的晶片混合存在于同一FOUP內(nèi)的場合，即使在相同臺架內(nèi)的輸送線混合存在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片，由于臺架內(nèi)輸送線在該場合可同時輸送地具有2個輸送線，所以，可單獨分開地進(jìn)行處理時間長的晶片的輸送·處理和處理時間短的晶片的輸送·處理。這樣，可分開使用在同一FOUP內(nèi)處理時間不同的、處理時間長的晶片和處理時間短的晶片的輸送線，所以，可防止如現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生晶片的輸送·處理等候時間。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度，但在本實施例中，由于分開使用2個輸送線，所以，不產(chǎn)生這樣的決定速度的狀況。因此，處理時間不變慢，整體的速度不下降，從而可防止臺架整體的處理量下降。
5.特急的晶片處理中，即使在相同臺架內(nèi)的輸送線混合存在處理時間長的晶片與處理時間短的晶片，由于臺架內(nèi)輸送線在該場合可同時輸送地具有2個輸送線，所以，可單獨分開地進(jìn)行處理時間長的晶片的輸送·處理和處理時間短的晶片的輸送·處理。這樣，可分開使用處理時間長的晶片和處理時間短的晶片的輸送線，所以，可防止如現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生晶片的輸送·處理等候時間。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，輸送時間由處理時間較長一方?jīng)Q定速度，但在本實施例中，由于分開使用2個輸送線，所以，不產(chǎn)生這樣的決定速度的狀況。因此，處理時間不變慢，整體的速度不下降，從而可防止臺架整體的處理量下降。
另外，在這樣的第1實施例中，還可獲得以下那樣的效果。
6.單張輸送線在該場合可同時輸送地由2個輸送線構(gòu)成，而且，該2個輸送線為在上下位置設(shè)置的構(gòu)造，所以，追加設(shè)置另1個輸送線而導(dǎo)致的潔凈室占有地板面積的增大也可受到抑制。為此，可防止單位潔凈室占有地板面積的處理量的下降。
7.構(gòu)成單張輸送線的該場合的上下2個輸送線的輸送空間為保持成潔凈氣體氣氛的構(gòu)造，所以，可更低地緩和設(shè)置的潔凈室的潔凈度。為此潔凈室的建造費也得到節(jié)減。
8.由于為由大氣裝載機式的臺架堆料機連接臺架間輸送線與臺架內(nèi)輸送線(單張輸送線)的構(gòu)造，所以，可使臺架間輸送線與臺架堆料機之間的FOUP的使用自動化和容易化。
9.由于只要由大氣裝載機(大氣-潔凈氣體氣氛間裝載機)構(gòu)成臺架堆料機即可，不需要對臺架內(nèi)的各處理裝置設(shè)置大氣裝載部，所以，可簡化裝置構(gòu)成，降低該設(shè)備的費用。
10.由于臺架堆料機的大氣裝載部的潔凈氣體氣氛與單張輸送線的輸送空間的清洗氣體氣氛連通，所以，可集約向這些空間供給潔凈氣體的裝置，節(jié)減相應(yīng)的設(shè)備費和運行費。
11.構(gòu)成單張輸送線的2個輸送線在該場合的上下位置設(shè)置，可在與各輸送線對應(yīng)的處理裝置之間獨立地轉(zhuǎn)移晶片，所以，可順利地進(jìn)行各輸送線的晶片的輸送、與對應(yīng)于各輸送線的處理裝置之間的晶片的轉(zhuǎn)移、及各處理裝置的晶片的處理。這樣，即使在處理時間不同的晶片混合存在的場合，或在需要特急處理的晶片來到的場合，也可抑制臺架內(nèi)的處理量和整體的處理量的下降。
12.在本實施例中，由于單張輸送線的空間的高度和各處理室的密閉室的高度大體相同，所以，不使用特別的接口部也可將各處理裝置連設(shè)到單張輸送線。因此，各臺架的構(gòu)筑容易，可縮短各臺架的構(gòu)筑所需的時間，節(jié)減其費用。
在上述第1實施例中，在單張輸送線安裝用于檢測故障的故障檢測裝置(圖4)。由這樣的構(gòu)成，例如在輸送線121因為某種原因而出現(xiàn)故障的場合，該故障可由故障檢測裝置立即檢測到。該檢測信號被送到控制裝置(省略圖示)，由此例如開始輸送線122的操作。為此，即使發(fā)生這樣的異常事態(tài)，臺架內(nèi)的晶片的單張輸送也不停止地繼續(xù)進(jìn)行。因此，可不停止各處理裝置的處理地繼續(xù)進(jìn)行處理·輸送，順利地實施臺架內(nèi)的所有作業(yè)。另外，由于臺架內(nèi)的晶片的輸送·處理不會停止，所以，可不使其它相關(guān)的臺架中的晶片的輸送·處理全部停止地實施。
另外，在上述第1實施例中，由分別配置到上下位置的輸送線的組合構(gòu)成單張輸送線，但除此之外，例如也可使用與第1實施例相同的輸送線作為下側(cè)位置的輸送線，使用OHT作為上側(cè)位置的輸送線。
圖18、圖19示出本發(fā)明的第2實施例。在圖18、圖19中，與示出本發(fā)明第1實施例的圖4、圖6、圖7、圖14等的不同的點在于，單張輸送線120b在該場合由環(huán)狀的輸送線121和配置于其長度方向中央部的直線狀的輸送線123構(gòu)成。
在圖18中，處理裝置101-106沿輸送線121的長度輸送方向和輸送線123的輸送方向?qū)⒏?臺分別配置于其兩側(cè)。
如圖18所示，在輸送線123將該場合的2臺具有晶片收取部的機械手123-1、123-2可移動地在輸送線123的輸送方向的兩側(cè)各配置1臺。
如圖19所示，在輸送線121的環(huán)狀的輸送室700的底壁部例如與上述第1實施例同樣地設(shè)置由線性軌道121a-1和線性臺車121a-2構(gòu)成的移動體121a。在該移動體121a的線性臺車121a-2設(shè)置晶片保持臺121b。在這里，移動體121a、晶片保持臺121b與上述第1實施例相同，所以省略詳細(xì)說明。
如圖19所示，在輸送室700的各相向的一側(cè)設(shè)置門701a、701b。在與其相反一側(cè)例如通過門102d、105d分別設(shè)置密閉室102a、105a。在密閉室102a、105a中分別配置具有收取部12-1、15-1的機械手12、15。在密閉室102a、105a通過門102c、105c分別設(shè)置處理室102b、105b。另外，在圖19中，其它構(gòu)成等與示出上述第1實施例的圖13中的相同，所以，省略詳細(xì)說明。如圖19所示，在輸送室700內(nèi)供給潔凈氣體，例如氮氣，保持為氮氣氣氛。
如圖19所示，設(shè)置有在內(nèi)部包含輸送線123的輸送室702。在輸送室702的該場合的頂壁部設(shè)置輸送線123。即，在輸送室702的頂壁部設(shè)置移動體123a。該移動體123a使用非接觸移動體即由該場合的線性軌道123a-1和線性臺車123a-2構(gòu)成的移動體123a。在輸送室702的頂壁部設(shè)置線性軌道123a-1。線性臺車123a-2由線性軌道123a-1引導(dǎo)，可移動地設(shè)置。在線性臺車123a-2設(shè)置具有晶片收取部的機械手123-2。輸送室702內(nèi)的氣氛可為大氣氣氛，也可為潔凈氣體氣氛。
如圖18、圖19所示，由臺架堆料機130接受了規(guī)定晶片的直線狀的輸送線123的機械手123-2通過使線性臺車123a-2移動，而以直線狀在輸送線123移動。此后，該移動在線性臺車123a-2到達(dá)與規(guī)定處理裝置對應(yīng)的位置的時刻停止。此后，收取部具有晶片的機械手123-2朝輸送室702的底壁下降。該下降在密閉室102a的機械手12的晶片的收取部12-1之間停止于可轉(zhuǎn)移晶片的高度。此后，門701a打開。具有晶片的收取部通過門701a送出到輸送室700內(nèi)而停止。另一方面，門102d打開，密閉室102a的機械手12的收取部12-1通過門102d送出到輸送室700內(nèi)，為了轉(zhuǎn)移晶片而停止。從收取部轉(zhuǎn)移了晶片的機械手123-2被通過門701a拉回，此后，返回到原來的位置(高度)等候。接受了晶片的機械手12的收取部12-1被通過門102d拉回到密閉室102a。此后，門102d關(guān)閉，密閉室102a內(nèi)減壓排氣成與處理室102b內(nèi)相同的壓力。此后，門102c打開，晶片被從密閉室102a輸送到處理室102b，在這里進(jìn)行規(guī)定的處理。處理后的晶片由與上述操作相反的操作返回到臺架堆料機130。
在圖18中，直線狀的輸送線123的另一個機械手123-1也為相同的構(gòu)成和作用，所以，省略詳細(xì)說明。
在圖18中，也可進(jìn)行控制，使例如配置于左側(cè)的機械手123-1負(fù)責(zé)配置于左邊部和中央部的處理裝置，另外，使配置于右側(cè)的機械手123-2負(fù)責(zé)配置于右邊部和中央部的處理裝置。
在圖18、圖19中，例如(1)即使在對于臺架內(nèi)的各處理裝置使晶片處理不同的場合，通過分開使用環(huán)狀的輸送線和直線狀的輸送線，也可防止臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合由晶片的處理不同這一點決定速度，從而可防止處理量的下降。
(2)即使在晶片的處理內(nèi)容例如對各FOUP不同的場合，通過分開使用環(huán)狀的輸送線和直線狀的輸送線，使得即使臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合對各F0UP晶片的處理內(nèi)容不同，也可防止由其決定速度，從而可抑制處理量的下降。
(3)通過分開使用環(huán)狀的輸送線和直線狀的輸送線，可防止當(dāng)臺架內(nèi)的晶片的處理相同時可能發(fā)生的、臺架內(nèi)輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合及臺架內(nèi)晶片的輸送的混亂，由此可抑制臺架內(nèi)的處理量的下降。
(4)即使在處理時間不同的晶片混合存在的場合，通過分開使用環(huán)狀的輸送線和直線狀的輸送線，可分開使用處理時間短的晶片和處理時間長的晶片，所以，可抑制處理量的下降。
(5)在多品種小批量生產(chǎn)的場合，當(dāng)需要的特急處理的晶片來到時，例如通過充分利用直線狀的輸送線，可與普通地處理的晶片的輸送處理獨立地進(jìn)行要求特急處理的晶片的輸送處理，所以，可防止該晶片的處理花費較多時間，抑制處理量的下降。
(6)即使晶片輸送線出現(xiàn)故障，也可使用環(huán)狀的輸送線和直線狀的輸送線中的任一個，所以，可防止臺架內(nèi)處理和其它臺架的處理停止。
(7)單張輸送線在該場合下由環(huán)狀的輸送線與直線狀的輸送線這樣2個輸送線構(gòu)成，而且，可在環(huán)狀的輸送線的設(shè)置范圍內(nèi)追加設(shè)置直線狀的輸送線，所以，可抑制潔凈室占有地板面積的增大，防止單位潔凈室占有地板面積的處理量的下降。
另外，在本實施例中，與上述第1實施例相比，由于形成直線狀的輸送線，所以，單張輸送線的構(gòu)成和構(gòu)造更為簡單，可削減其追加設(shè)置費用。
此外，可獲得與上述第1實施例相同的效果。
圖20、圖21示出本發(fā)明的第3實施例。在圖20、圖21中，與示出本發(fā)明的第1實施例的圖4、圖6、圖7、圖14等不同的點在于，單張輸送線在該場合由直線狀的輸送線和相同的直線狀輸送線構(gòu)成。
如圖20、圖21所示，在該場合，各輸送線124、125處于上下的位置關(guān)系，成為輸送線125處于下側(cè)位置、輸送線124處于上側(cè)位置的構(gòu)造。另外，如圖20所示，這樣的單張輸送線120b夾在臺架間輸送線400a、400b中設(shè)置，分別與其對應(yīng)，在其兩端部設(shè)置臺架堆料部130a、130b。
如圖20、圖21所示，這樣的單張輸送線120b的具體構(gòu)造與示出前面的第1實施例的圖6、圖7大體同樣，省略詳細(xì)說明。另外，如圖20所示，6臺的處理裝置101-106在單張輸送線相對其輸送方向分別將3臺配置到其兩側(cè)。
另外，臺架間輸送線、臺架堆料部的構(gòu)成、它與單張輸送線的配合構(gòu)造、及單張輸送線與各處理裝置的配合構(gòu)造例如與前面說明的第1實施例相同，省略說明說明。
在圖20、圖21中，例如(1)即使在對于臺架內(nèi)的各處理裝置使晶片的處理不同的場合，通過分開使用2個直線狀的輸送線，也可防止臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片配合由晶片的處理不同這一點決定速度，從而可防止處理量的下降。
(2)即使在晶片的處理室內(nèi)對各FOUP不同的場合，通過分開使用2個直線狀的輸送線，使得即使臺架內(nèi)的晶片的輸送及晶片輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合對各FOUP晶片的處理內(nèi)容不同，也可防止由其決定速度，從而可抑制臺架內(nèi)處理量的下降。
(3)通過分開使用2個直線狀的輸送線，可防止當(dāng)臺架內(nèi)的晶片的處理相同時可能發(fā)生的、臺架內(nèi)輸送裝置與各處理裝置的晶片的配合及臺架內(nèi)晶片輸送的混亂，由此可抑制臺架內(nèi)的處理量的下降。
(4)即使在處理時間不同的晶片混合存在的場合，通過分開使用2個直線狀的輸送線，可分開使用處理時間短的晶片和處理時間長的晶片，所以，可抑制處理量的下降。
(5)在多品種小批量生產(chǎn)的場合，當(dāng)需要的特急處理的晶片來到時，例如通過充分利用直線狀的輸送線的任一方，可與普通地處理的晶片的輸送處理獨立地進(jìn)行要求特急處理的晶片的輸送處理，所以，可防止該晶片的處理花費較多時間，抑制處理量的下降。
(6)即使晶片輸送線出現(xiàn)故障，也可使用直線狀輸送線中的任一方，所以，可防止臺架內(nèi)的輸送、處理、和其它臺架的處理停止。
另外，在本實施例中，與上述第1實施例、第2實施例相比，可由該場合的2個直線狀的輸送線構(gòu)成單張輸送線，所以，可進(jìn)一步抑制潔凈室占有地板面積的增大，防止單位潔凈室占有地板面積的處理量下降。另外，由于可由該場合的2個直線狀的輸送線構(gòu)成單張輸送線，所以，單張輸送線的構(gòu)成和構(gòu)造可進(jìn)一步簡化，可減少費用。
另外，在從圖20所示那樣的臺架將晶片輸送到橫過臺架間輸送線的相鄰的其它臺架的場合，通過使用任何一方的對應(yīng)的臺架堆料部，可由最短的輸送距離從臺架將晶片輸送到另一臺架。為此，可縮短晶片的輸送時間，提高處理量。
圖22-圖25示出本發(fā)明的第4實施例。
在圖22-圖25中，與示出本發(fā)明的第1實施例的圖13-17不同的點在于，在單張輸送線120的下方位置配置處理裝置107的密閉室107a。
圖22、圖23示出單張輸送線120的上方輸送線122與例如處理裝置107的配合構(gòu)造和晶片的輸送例。另外，圖24、圖25示出處于單張輸送線120的下方位置的輸送線126與例如處理裝置107的配合構(gòu)造和晶片的輸送例。
如圖22、圖23所示，在單張輸送線120的空間的下方位置配置處理裝置107的密閉室107a。單張輸送線的空間與密閉室107a由門107e分隔。在該場合，晶片保持臺122a-2與晶片保持件122b的中心與門107e的開口部中心在垂直位置對齊。門107e的開口部的大小至少比晶片W的尺寸大，即成為晶片W可通過的大小。在該場合，輸送線126的線性軌道126a-1分離成2個。該線性軌道跨過門107e配置。輸送線122的構(gòu)成與第1實施例的場合同樣，省略說明。在密閉室107a的底壁部設(shè)置晶片保持臺107g。晶片保持臺107g的上表面成為晶片保持面，該晶片保持面與門107e的開口部對應(yīng)。在密閉室107a通過門107c連設(shè)輸送室107f，另外，在輸送室107f通過門107d連設(shè)處理室107b。在輸送室107f設(shè)置機械手107h。
如圖22所示，在晶片保持件122b保持晶片W，在該狀態(tài)下，晶片保持臺122a-2在輸送線122朝處理裝置107移動。在該晶片保持臺122a-2如圖22所示那樣到達(dá)與處理裝置107對應(yīng)的位置時，晶片保持臺122a-2的移動停止(圖23(a))。此后，在密閉室107a內(nèi)導(dǎo)入潔凈氣體例如氮氣，由此將密閉室107a內(nèi)調(diào)整到單張輸送線的空間的壓力即大體為大氣壓。此后，門107e打開。然后，使收容于密閉室107a的晶片保持臺107g的晶片抬起銷107j上升。該晶片抬起銷107j的上升持續(xù)到其前端通過門107e的開口部到達(dá)將外周面保持于晶片保持件122b的晶片W的背面的狀態(tài)(圖23(b))。此后，通過朝徑向打開晶片保持件122b，將晶片W從晶片保持件122b轉(zhuǎn)移到晶片抬起銷107j。此后，接受了晶片W的晶片抬起銷107j下降。該下降在將晶片W轉(zhuǎn)移到晶片保持臺107g時停止。此后，門107e關(guān)閉(圖23(c))。在該狀態(tài)下，密閉室107a內(nèi)減壓排氣。在成為與輸送室107f相同的壓力時，打開門107c。此后，晶片抬起銷107j再起動，由此使晶片W成為從晶片保持臺107g懸起的狀態(tài)。此后，機械手107h的收取部通過門107c的開口部送出到密閉室107a內(nèi)。送出到密閉室107a內(nèi)的機械手107h的收取部在到達(dá)晶片W的背面時停止移動(圖23(d))。此后，晶片抬起銷107j下降，收容到晶片保持臺107g。此后，將晶片W接受到收取部的機械手107h被通過門107c拉回到輸送室107f內(nèi)。此后，門107c關(guān)閉(圖23(e))。此后的運行操作與第1實施例相同，省略說明。另外，在處理室107b處理過的晶片由與上述操作相反的操作從處理室107b到機械手107h，從機械手107h到密閉室107a，從密閉室107a返回到單張輸送線的空間，轉(zhuǎn)移到輸送線122的晶片保持件122b受到保持。此后，該晶片被輸送到別的處理裝置或FOUP。
如圖24、圖25所示，在跨過門107e配置的線性軌道126a-1可移動地設(shè)置晶片保持臺。在晶片保持臺設(shè)置晶片保持件。在該場合，晶片保持件具有收取晶片的背面外周邊部的收取件。收取件按120°的間隔配置3個，可朝徑向開閉。在該場合，晶片保持臺、晶片保持件的中心與門107e的開口部中心在垂直位置對齊。其它構(gòu)造與圖22、圖23大體相同，省略說明。如圖24所示，在晶片保持臺的晶片保持件保持晶片W，在該狀態(tài)下，晶片保持臺朝處理裝置107沿輸送線移動。該晶片保持臺如圖24所示那樣到達(dá)與處理裝置107對應(yīng)的位置時停止晶片保持臺的移動(圖25(a))。此后，在密閉室107a內(nèi)導(dǎo)入潔凈氣體例如氮氣，由此將密閉室107a內(nèi)調(diào)整為單張輸送線的空間的壓力即大體為大氣壓力。此后，門107e打開。然后，使收容于密閉室107a的晶片保持臺107g的晶片抬起銷107j上升。該晶片抬起銷107j的上升持續(xù)到其前端通過門107e的開口部到達(dá)由晶片保持件保持外周面的晶片W的背面的狀態(tài)。此后，通過朝徑向打開晶片保持件，將晶片W從晶片保持件轉(zhuǎn)移到晶片抬起銷107j(圖25(b))。此后，接受了晶片W的晶片抬起銷107j下降。此后，門107e關(guān)閉(圖25(c))。
此后的晶片的輸送·處理與圖23(d)、(e)大體相同，省略說明。
在這樣的本實施例中，除了在上述第1實施例的效果外，還可獲得如下那樣的效果。
1.由于為將真空處理室的密閉室直接直接配置到單張輸送線的下方位置的構(gòu)造，所以，可相應(yīng)地減小真空處理裝置的深度尺寸，相應(yīng)地使?jié)崈羰艺加械匕迕娣e變小，進(jìn)一步提高單位潔凈室占有地板面積的處理量。
2.由于可從真空處理裝置的真空輸送室的輸送機械手的動作中省略上下動作，所以，可減少其價格，同時，可降低故障等的發(fā)生率。
在本實施例中，說明了將處理裝置的密閉室配置到單張輸送線的下方位置的例子，但除此之外，也可形成為將處理裝置的密閉室配置到單張輸送線的上方位置的構(gòu)造。在該場合，也可獲得與本實施例的效果同樣的效果。
圖26示出本發(fā)明的第5實施例，涉及臺架間輸送線、臺架堆料部、及單張輸送線之間的配合構(gòu)造。
與示出本發(fā)明的第1實施例的圖11不同的點如下。
首先，與本實施例的大的不同點在于，在臺架間輸送線400c、臺架堆料部130c、單張輸送線120d的晶片的輸送全都按單張實施地構(gòu)成。
如圖26所示，臺架間輸送線400c以單張輸送晶片地構(gòu)成。例如，臺架間輸送線400c具有形成潔凈氣體氣氛或減壓氣氛的空間的隧道狀輸送室(省略圖示)和設(shè)置于該輸送室內(nèi)每次1張地保持晶片進(jìn)行輸送的裝置(省略圖示)。該晶片輸送裝置例如具有前面由第1實施例說明的那樣的線性移動體和設(shè)于該線性移動體的晶片保持件。晶片例如以被處理面朝上的姿勢保持于晶片保持件。多臺晶片保持件連動或可獨立移動地設(shè)于線性移動體。
如圖26所示，該臺架間輸送線400c的輸送室和線性移動體在臺架堆料部130c的上游側(cè)分支，在其下游側(cè)分別匯合連接到臺架間輸送線400c的輸送室和線性移動體。另外，在該場合，環(huán)狀的單張輸送線120d的臺架堆料機側(cè)部分連接到臺架堆料部130c的分支輸送線130c-1。單張輸送線120d具有環(huán)狀的輸送室(圖示省略)和設(shè)置于該輸送室并且每次保持1張晶片輸送的裝置(圖示省略)即在該場合具有設(shè)置于上下方向的2個部位的輸送裝置。環(huán)狀的輸送室內(nèi)調(diào)整為潔凈氣體氣氛或減壓氣氛。該場合的2套晶片輸送裝置具有前面說明的那樣的線性移動體和設(shè)于該線性移動體的晶片保持件。在下側(cè)的晶片保持件中，晶片例如將以被處理面朝上的水平姿勢保持。另外，在上側(cè)的晶片保持件中，晶片例如按被處理面朝上的水平姿勢或被處理面朝下的水平姿勢保持。在下側(cè)，多臺晶片保持件連動或者可獨立移動地設(shè)于下側(cè)的線性移動體。另外，在上側(cè)連動地或可獨立移動地將多臺晶片保持件安裝于上側(cè)的線性移動體。
如圖26所示，單張輸送線120d的輸送室和線性移動體分別連接到臺架堆料部130c的分支輸送線130c-1的輸送室和線性移動體。單張輸送線120d的輸送室與臺架堆料部130c的分支輸送線130c-1的輸送室成為連通狀態(tài)。
如圖26所示，單張輸送線120d的例如上側(cè)位置的輸送線的線性移動體可轉(zhuǎn)移晶片地連接到分支輸送線130c-1的線性移動體。在該場合，在分支輸送線130c-1與單張輸送線120d之間的晶片轉(zhuǎn)移使用上側(cè)位置的輸送線實施。另外，上側(cè)位置的輸送線與下側(cè)位置的輸送線之間成為可轉(zhuǎn)移晶片的構(gòu)造。即，在這樣的場合，通過分支輸送線130c-1輸送來的晶片從分支輸送線130c-1轉(zhuǎn)移到上側(cè)位置的輸送線。此后，根據(jù)晶片具有的處理信息，該晶片依原樣在上側(cè)位置的輸送線輸送，輸送到規(guī)定的處理裝置，或從上側(cè)位置的輸送線轉(zhuǎn)移到下側(cè)位置的輸送線，此后，在該輸送線輸送，輸送到規(guī)定的處理裝置。完成了臺架內(nèi)的規(guī)定處理的晶片沿上側(cè)位置的輸送線輸送后，從該輸送線轉(zhuǎn)移到臺架堆料部130c，或沿下側(cè)位置的輸送線輸送后，從該輸送線送到上側(cè)位置的輸送線，然后從該輸送線轉(zhuǎn)移到臺架堆料部130c。
這樣的輸送線的分開使用的控制例如與上述第1實施例的場合大體相同地實施，所以省略其詳細(xì)說明。
如圖26所示，在臺架堆料部130c從分支輸送線130c-1的下游側(cè)分支的輸送線隨后在分支輸送線的上游側(cè)匯合連接到分支輸送線。該分支輸送線130c-2具有隧道狀的輸送室(圖示省略)和設(shè)置于該輸送室內(nèi)的前面說明的線性移動體的線性軌道。在該場合，輸送室連接到分支輸送室，線性軌道連接到分支輸送線的線性軌道。輸送室和分支輸送室成為連通狀態(tài)。
在該場合，輸送室內(nèi)具有堆料機的功能和整理輸送的緩沖功能。
如圖26所示，沿臺架間輸送線400c每次1張地輸送來的晶片中的被判斷需要臺架內(nèi)的處理的晶片從臺架間輸送線400c分流輸送到分支輸送線130c-1。輸送到該分支輸送線130c-1的晶片根據(jù)其處理內(nèi)容等配置到單張輸送線120d的上側(cè)或下側(cè)，沿輸送線每次輸送1張。這樣，晶片每次1張地輸送到規(guī)定的處理裝置，然后進(jìn)行規(guī)定處理。處理完畢的晶片沿單張輸送線120d的輸送線每次1張地輸送，通過臺架堆料部130c輸送匯合到臺架間輸送線400c。此后，該晶片由臺架間輸送線400c輸送到別的臺架等。
如圖26所示，根據(jù)需要，處理前或處理后的晶片在臺架堆料部130c一時保管。在圖26中，雖然可一時保管2張晶片，但該張數(shù)可適當(dāng)?shù)貨Q定。
在以上那樣的實施例中，可獲得上述第1實施例的效果，同時，可獲得以下那樣的效果。
1.由于臺架間輸送線和單張輸送線為每次1張輸送晶片的線，所以，與這些線連接的臺架堆料部的構(gòu)成、構(gòu)造與第1實施例相比大幅度簡化和小型化。為此，與第1實施例相比，可減少輸送線的構(gòu)筑費用。另外，可減少潔凈室占有地板面積，所以，可提高單位潔凈室占有地板面積的處理量。
2.由于臺架間輸送線、臺架堆料部、單張輸送線為潔凈氣體氣氛或減壓氣氛，所以，可使設(shè)置了它們的潔凈室的清潔度更為寬松，可節(jié)減這一方面的設(shè)備費用等費用。
在以上的實施例中，說明了每次1張地輸送晶片自身并進(jìn)行處理的例子，但除此之外，例如也可使用具有保持為潔凈氣體氣氛或減壓氣氛并可僅收容1張晶片的空間的晶片保持件，每次1張地輸送和處理晶片。
在該場合，并不特別需要使用圖16說明的輸送室即構(gòu)成臺架間輸送線、臺架堆料部、臺架內(nèi)的單張輸送線的輸送室。但是，使晶片保持件移動的移動體例如由線性軌道和線性臺車構(gòu)成的線性移動體的設(shè)置當(dāng)然在該場合要。另外，在該場合，需要連通各處理裝置的例如密閉室和晶片保持件內(nèi)和隔斷其連通的裝置。
例如，收容1張晶片的晶片保持件在臺架間輸送線、臺架堆料部、臺架內(nèi)的輸送線中的任一方的輸送線的線性軌道上載置于線性臺車輸送到規(guī)定的處理裝置之處。此后，晶片保持件內(nèi)和密閉室內(nèi)被連通，晶片保持件內(nèi)的晶片輸入到密閉室內(nèi)，此后，從密閉室輸入到處理室，在這里進(jìn)行規(guī)定處理。處理完畢后的晶片從處理室輸入到密閉室，返回到晶片保持件內(nèi)收容。此后，晶片保持件內(nèi)和密閉室內(nèi)的連通被隔斷，晶片保持件從密閉室分離。此后，該晶片保持件例如朝其它處理裝置或臺架堆料部輸送。輸送到臺架堆料部的晶片保持件在此后由臺架間輸送線輸送到其它臺架等。
在這樣的例子的場合，除了使用圖26說明的實施例的效果之外，還可具有以下那樣的效果。
1.由于臺架間輸送線、臺架堆料部、臺架內(nèi)的單張輸送線全部可為開放構(gòu)造，所以，可進(jìn)一步簡化這些構(gòu)成和構(gòu)造，節(jié)減其構(gòu)筑費用。
2.由于臺架間輸送線、臺架堆料部、臺架內(nèi)的單張輸送線全部可為開放構(gòu)造，晶片收容于晶片保持件中輸送，所以，可進(jìn)一步使這些輸送室內(nèi)的清潔度寬松，節(jié)減這一方面的設(shè)備費用等費用。
3.由于臺架間輸送線、臺架堆料部、臺架內(nèi)的單張輸送線全部可為開放構(gòu)造，即潔凈室內(nèi)形成為開放構(gòu)造，所以，可容易地進(jìn)行維護(hù)和修理。
圖27示出本發(fā)明的第6實施例。圖27與示出本發(fā)明的第1實施例的圖4、圖13等的不同點如下。
如圖27所示，沿單張輸送線120配置的處理裝置108具有以下那樣的構(gòu)成。在該場合，具有共用的真空輸送室108c，在其中設(shè)置多個真空處理室，例如每次處理1張晶片的單張型的真空處理室108d。在圖27中，真空輸送室108c的形狀例如為六角形。真空處理室108d為4室，在該場合，與各邊對應(yīng)，分別通過門108h設(shè)于真空輸送室108c的該場合的側(cè)壁部。在真空輸送室108c設(shè)置晶片輸送機械手，即該場合的分別具有2個晶片收取部的雙臂型的機械手108i。
如圖27所示，在配置于其左邊部即臺架間輸送線400側(cè)的處理裝置108中，與真空輸送室108c的余下的2邊的側(cè)壁部對應(yīng)地分別通過門108g設(shè)置2個晶片保持室108b。在各晶片保持室108b分別通過門108f設(shè)置密閉室108a。在各密閉室108a內(nèi)設(shè)置晶片輸送用的機械手108j。另外，各密閉室108a和單張輸送線120為通過門108e每次可轉(zhuǎn)移該場合的1張晶片的配合構(gòu)造。該配合構(gòu)造等與上述第1實施例的場合大體相同，省略說明。
如圖27所示，在配置于其左邊部的處理裝置108中，沿單張輸送線120的輸送線中的任一個輸送來的晶片通過打開的門108e由密閉室108a的機械手108j接受(關(guān)閉門108e)，由晶片保持室108b一時保持。在該晶片保持室108b中，根據(jù)真空處理室108d中的晶片的處理內(nèi)容實施晶片的清洗處理、烘干處理、加熱等。此后，該晶片通過打開的門108h由真空輸送室108c的機械手108i從晶片保持室108b送到真空輸送室108c，然后從真空輸送室108c輸送到真空處理室108d中的任一個進(jìn)行處理。這樣，實施在各真空處理室的晶片處理。真空處理室108d的處理結(jié)束了的晶片通過打開的門108h由真空輸送室108c的機械手108i輸送到晶片保持室108b，在這里，一時保持(門108h關(guān)閉)。例如，在對晶片進(jìn)行加熱處理的場合，該晶片保持室108b作為冷卻室使用。此后，該晶片通過打開的門108f由機械手108j從晶片保持室108b輸送到密閉室108a(關(guān)閉門108f)。此后，該晶片通過打開的門108e從密閉室108a傳送到單張輸送線120的輸送線的中的任一個，輸送到別的場所例如別的處理裝置或FOUP等。
在這樣的構(gòu)成中，由于具有晶片保持室，所以，與本發(fā)明的第1實施例的構(gòu)成相比，可防止真空輸送室、各真空處理室內(nèi)的污染，抑制污染導(dǎo)致的處理量的下降。
另外，例如通過門108e在單張輸送線120的例如下側(cè)位置的輸送線121使左側(cè)的密閉室108a配合，另外，通過門108e使右側(cè)的密閉室108a和單張輸送線120的上側(cè)位置的輸送線122配合。
在這樣構(gòu)成的場合，可將輸送處理線分離成下側(cè)位置的輸送線121左側(cè)的密閉室108a左側(cè)的晶片保持室108b真空輸送室108c左側(cè)的2個真空處理室108d和上側(cè)位置的輸送線122右側(cè)的密閉室108a右側(cè)的晶片保持室108b真空輸送室108c右側(cè)的2個真空處理室108d這樣2個線使用。為此，可并列地實施在2個線不同的晶片處理，對晶片處理來說可進(jìn)一步確保余量。另外，即使2個線中的任一個線因故障等停止，也可由剩下的另一線繼續(xù)進(jìn)行晶片的輸送·處理，抑制晶片的生產(chǎn)率的下降。
另外，如圖27所示，在配置于其中央部的處理裝置109中，與真空輸送室109c的余下的2邊的側(cè)壁部對應(yīng)，分別通過門109g設(shè)置密閉室109a。在各密閉室109a內(nèi)設(shè)置晶片輸送用的機械手109j。另外，使各密閉室109a和單張輸送線120分別成為通過門109e每次可轉(zhuǎn)移該場合的1張的晶片的配合構(gòu)造。該配合構(gòu)造及其它構(gòu)造與左邊部的處理裝置108同樣，省略說明。
如圖27所示，在配置于其中央部的處理裝置109中，沿單張輸送線120的輸送線的任一個輸送而來的晶片通過打開的門109e接受到密閉室109a(門109e打開)。此后，該晶片通過打開的門109g從密閉室109a輸送到真空輸送室109c，然后由真空輸送室109c的機械手109j從真空輸送室109c輸送到真空處理室109d中的任一個。這樣，實施各真空處理室109d的晶片的處理。在真空處理室109d的處理結(jié)束了的晶片由真空輸送室109c的機械手109i通過打開的門109g從真空輸送室109c輸送到密閉室109a(門關(guān)閉)。此后，該晶片通過打開的門109e由機械手109j從密閉室109a轉(zhuǎn)移到單張輸送線120的輸送線中的任一個，輸送到別的場所例如別的處理裝置和FOUP等。
在這樣的構(gòu)成中，與上述的配置于左邊部的例子相比，由于沒有晶片保持室108b，所以，可相應(yīng)地減少處理裝置的深度尺寸，可減小潔凈室占有地板面積。因此，在這樣的構(gòu)成中，與配置到左邊部的例子相比，可提高單位潔凈室占有地板面積的處理量。這樣的作用效果與本發(fā)明的第1實施例大體相同。
如圖27所示，在離臺架間輸送線400最遠(yuǎn)的一側(cè)即配置于其右邊部的處理裝置110中，通過各門110f在各密閉室110b設(shè)置晶片輸送室110a。在各晶片輸送室110a設(shè)置晶片輸送用的機械手110j。在該場合，晶片輸送室110a沒有密閉功能，與單張輸送線120的空間時常成為連通狀態(tài)。
如圖27所示，在配置于其右邊部的處理裝置110中，由單張輸送線120的輸送線中的任一個輸送而來的晶片由晶片輸送室110a的機械手110j接受，通過打開的門110f輸送到密閉室110b內(nèi)(門110f關(guān)閉)。此后，密閉室110b內(nèi)的晶片通過打開的門110g由真空輸送室110c的機械手110i輸送到真空輸送室110c，并從真空輸送室110c輸送到真空處理室110d中的任一個進(jìn)行處理。在真空處理室110d中的處理結(jié)束了的晶片通過打開了的門110h由真空處理室110d的機械手110i從真空輸送室110c輸送到密閉室110b(門110g)關(guān)閉。此后，該晶片由晶片輸送室110a的機械手110j從密閉室110b轉(zhuǎn)移到單張輸送線120的輸送線中的任一個，輸送到別的場所，例如別的處理裝置和FOUP等。
在這樣的構(gòu)成中，由于晶片輸送室110a具有作為單張輸送線120與各處理裝置的接口的功能，所以，臺架內(nèi)的各處理裝置的安裝工作容易進(jìn)行。例如，各處理裝置由于由各處理裝置的制造廠家在包含密閉室的范圍內(nèi)制造，所以，對于與臺架內(nèi)的單張輸送線的配合產(chǎn)生尺寸的偏差和誤差，安裝極為困難。然而，如本實施例那樣，通過設(shè)置這些接口部，可解決該問題。另外，在這樣的構(gòu)成中，由于具有密閉室，所以，與本發(fā)明的第1實施例的構(gòu)成相比，可防止真空輸送室、各真空處理室內(nèi)的污染，抑制污染導(dǎo)致的處理量的下降。另外，例如，將左側(cè)的晶片輸送室作為與單張輸送線的例如下側(cè)位置的輸送線的配合，另外，也可將右側(cè)的晶片輸送室作為與單張輸送線的上側(cè)位置的輸送線的配合。
在這樣構(gòu)成的場合，可將輸送處理線分離成下側(cè)位置的輸送線121左側(cè)的晶片輸送室110a左側(cè)的密閉室110b真空輸送室110c左側(cè)的2個真空處理室110d和上側(cè)位置的輸送線122右側(cè)的晶片輸送室110a右側(cè)的密閉室110b真空輸送室110c右側(cè)的2個真空輸送室110c這樣2個線使用。為此，可獲得與配置于左邊部的例子的場合的作用效果同樣的作用效果。
在這樣的構(gòu)成的場合，不需要在晶片輸送室設(shè)置減壓裝置，在單張輸送線的空間氣氛為潔凈氣體氣氛的場合，也可設(shè)置將潔凈氣體供給到與其連通的晶片輸送室內(nèi)的裝置。另外，在單張輸送線的空間為開放空間的場合，也可形成為與其相同的開放構(gòu)造。
以上，使用圖27說明了本發(fā)明的第7實施例，但在圖27中，對于與示出本發(fā)明的第1實施例的圖4、圖13等同樣的構(gòu)成和作用等省略說明。
對于圖27的實施例，可進(jìn)行以下那樣的變形和改良。
(1)在圖27中，以在共用的真空輸送室設(shè)置了多個室的單張?zhí)幚碛谜婵仗幚硎业念愋偷奶幚硌b置為例進(jìn)行了說明，但不特別限于此。例如真空處理室可僅為同時地處理多個晶片的即批量的處理室，也可將這樣的批量處理室與單張?zhí)幚硎医M合，在實施本發(fā)明方面，并不特別產(chǎn)生問題。
(2)即使通過組合單張多張類型的處理裝置和批量處理裝置和(批量處理+單張?zhí)幚?裝置和真空處理室為1室的單一處理裝置等的組合構(gòu)成臺架，也可實施本發(fā)明，而且，不會特別產(chǎn)生問題。
(3)即使通過組合這樣的真空處理裝置和這以外的處理裝置例如在常壓下處理晶片的處理裝置或在加壓狀態(tài)下處理晶片的處理裝置等構(gòu)成臺架，在實施本發(fā)明時也沒有特別的問題。
例如，將版印、等離子CVD裝置、濺鍍裝置、等離子腐蝕裝置、檢測·評價裝置、CMP(化學(xué)機械拋光機)、真空蒸鍍裝置、電鍍裝置等用于臺架的構(gòu)成。
作為這樣的處理裝置，當(dāng)然實用上選擇在臺架的晶片的處理中所需的處理裝置進(jìn)行配置。
圖28示出本發(fā)明的第7實施例。圖28示出橫過單張輸送線部的狀態(tài)的斷面圖。
如圖28所示，在左側(cè)的輸送室703沿其左方向依次通過門連設(shè)密閉室、處理室。如圖28所示，在右側(cè)的輸送室703朝其右向通過門依次連設(shè)密閉室、處理室。如圖28所示，在該場合輸送室703、例如密閉室102a、處理室102c的各底壁面大體為相同高度。在該場合，距基礎(chǔ)(地板)面的高度為H1。另一方面，如圖28所示，在該場合，輸送室703、例如密閉室105a′、處理室105b′的各頂壁面大體為相同高度。在該場合，距基礎(chǔ)(地板)面的高度為H2。因此，在圖28中，輸送室703的高度H3為H2-H1。
如圖28所示，在這樣的輸送室703內(nèi)，下側(cè)的輸送線121的例如非接觸移動體的線性軌道121a-1設(shè)于其底壁面，上側(cè)的輸送線122的例如非接觸移動體的線性軌道122a-2設(shè)于其頂壁部。在這里，各輸送線121、122的構(gòu)成、構(gòu)造與前面的第1實施例大體相同，省略詳細(xì)說明。另外，各輸送室703內(nèi)與前面的第1實施例同樣地成為潔凈氣體氣氛。
如圖28所示，在左側(cè)和右側(cè)的密閉室102a、105a′內(nèi)設(shè)置具有與第1實施例相同的收取部12-1、15-1′的輸送用的機械手12、15′。一般包含直到密閉室102a、105a′的處理裝置分別由裝置制造廠家制造，例如分別運入和設(shè)置到半導(dǎo)體工廠的臺架。在這里，例如密閉室的高度與各裝置無關(guān)地統(tǒng)一成大體相同的高度時，沒有特別的問題。然而，在大多數(shù)場合，各裝置中的密閉室的高度不同。
在圖28所示的實施例中，考慮了這一點，所以，通過使單張輸送線為接口部，即使如上述那樣使各裝置的密閉室的高度不同，也可由此解決問題，可順利地構(gòu)筑臺架。
如圖28所示，例如在左側(cè)的輸送室703中，沿下側(cè)的輸送線121輸送而來的或?qū)⒁斔偷木谂c密閉室102a的機械手12之間的轉(zhuǎn)移與前面的一實施例中的場合同樣地進(jìn)行。另一方面，沿上側(cè)的輸送線122輸送而來的晶片在與密閉室102a的機械手12之間的轉(zhuǎn)移如以下那樣實施。首先，在保持晶片的狀態(tài)下，晶片保持件122b下降。該下降停止到可在密閉室102a的機械手12之間進(jìn)行晶片轉(zhuǎn)移的高度(位置)。此后，打開門102d，密閉室102a的機械手12的晶片收取部12-1朝晶片保持件122b送出，結(jié)果，晶片保持件122b的晶片收取轉(zhuǎn)移到機械手12的收取部12-1。此后，該晶片與前面的第1實施例的場合同樣地由處理室102b進(jìn)行規(guī)定處理。此間，轉(zhuǎn)移了晶片的晶片保持件122b不阻礙在下側(cè)的輸送線121的晶片輸送地返回到原來的高度位置等候。在處理室102b的處理結(jié)束了的晶片從處理室102b返回到密閉室102a。另外，等候的晶片保持件122b下降，在規(guī)定的高度(位置)停止。此后，密閉室102a內(nèi)泄放壓力，門102d打開。在該狀態(tài)下，密閉室102a內(nèi)的處理完畢的晶片通過將機械手12送出而從密閉室102a內(nèi)輸送到輸送室703內(nèi)，然后，再次轉(zhuǎn)移到晶片保持件122b。此后，該晶片保持于晶片保持件122b，例如在輸送室內(nèi)輸送到與右側(cè)的密閉室105a′對應(yīng)的位置。該晶片從晶片保持件122b轉(zhuǎn)移到密閉室105a′的機械手15′的晶片收取部15-1′。此后，該晶片與前面的第1實施例同樣地在處理室105b′進(jìn)行規(guī)定處理。在處理室105b′的處理結(jié)束后的晶片從處理室105b′返回到密閉室105a′。此后，密閉室105a′內(nèi)泄放壓力，打開門。在該狀態(tài)下，密閉室105a′內(nèi)的處理完畢的晶片通過送出機械手15′而從密閉室105a′輸送到輸送室703內(nèi)，然后，再次轉(zhuǎn)移到晶片保持件122b。此后，該晶片為了在其它處理裝置中進(jìn)行處理而在輸送室703內(nèi)輸送，例如為了返回到臺架堆料部的FOUP而輸送。
如圖28所示，沿更下側(cè)的輸送線121輸送而來的晶片在與密閉室122a的機械手12之間的轉(zhuǎn)移如以下那樣實施。首先，在下側(cè)的輸送線121輸送保持晶片的晶片保持臺121b，該輸送在到達(dá)與規(guī)定的處理裝置102的密閉室102a對應(yīng)的位置時停止。此后，門102d打開，密閉室102a的機械手12的晶片收取部12-1朝晶片保持臺121b送出，結(jié)果，晶片保持臺121b的晶片轉(zhuǎn)移到機械手12的收取部12-1。此后，該晶片與前面第1實施例的場合同樣地在處理室102b中進(jìn)行規(guī)定處理。在此期間，例如，轉(zhuǎn)移了晶片的晶片保持臺121b不阻礙下一晶片的輸送地在輸送室703內(nèi)朝前推進(jìn)。在處理室102b中的處理結(jié)束了的晶片從處理室102b返回到密閉室102a。另一方面，用于接受晶片的晶片保持臺121b移動到與該密閉室102a對應(yīng)的位置。此后，密閉室102a內(nèi)泄放壓力，打開門102d。在該狀態(tài)下，密閉室102a內(nèi)的處理完畢的晶片通過送出機械手12而從密閉室102a內(nèi)輸送到輸送室703內(nèi)，然后，轉(zhuǎn)移到晶片保持臺121b。此后，該晶片保持于晶片保持臺121b，例如在輸送室703內(nèi)輸送到與右側(cè)的密閉室105a′對應(yīng)的位置。此后，該晶片與第1實施例的場合相同地由抬起銷使其在輸送室703內(nèi)朝其頂壁部上升。該上升在達(dá)到規(guī)定的高度時停止。此后，門105d′打開，密閉室105a′的機械手15′的晶片收取部15-1′朝晶片保持臺121b送出，結(jié)果，晶片保持臺121b的晶片被收取轉(zhuǎn)移到機械手15′的晶片收取部15-1′。此后，該晶片與前面的第1實施例的場合同樣地在處理室105b′進(jìn)行規(guī)定的處理。在此期間，例如轉(zhuǎn)移晶片的晶片保持臺121b不阻礙以下的晶片的輸送地進(jìn)一步在輸送室703內(nèi)朝前推進(jìn)。在處理室105b′的處理結(jié)束后的晶片從處理室105b′返回到密閉室105a′。另一方面，用于接受晶片的晶片保持臺121b移動到與該密閉室105a′對應(yīng)的位置。此后，密閉室105a′內(nèi)的壓力泄放，打開門。在該狀態(tài)下，密閉室105a′內(nèi)的處理完畢的晶片通過送出機械手15′而從密閉室105a′內(nèi)輸送到輸送室703內(nèi)，然后，轉(zhuǎn)移到晶片保持臺121b。此后，該晶片例如為了由其它處理裝置進(jìn)行處理而在輸送室703內(nèi)輸送，或例如為了返回到臺架堆料部的FOUP而輸送。
在這樣的實施例中，可獲得與上述第1實施例的效果同樣的效果，同時，可進(jìn)一步獲得以下那樣的效果。
1.即使設(shè)置于臺架內(nèi)的各處理裝置的例如密閉室的高度不同，通過使這樣的單張輸送線為接口部，可順利地進(jìn)行臺架的構(gòu)筑。這樣，可縮短臺架的構(gòu)筑工序，節(jié)減臺架的構(gòu)筑費用。另外，可縮短臺架的啟動時間，提高處理量。
在這樣的本實施例中，在處理裝置的密閉室使輸送室的底壁的高度與高度較低的密閉室一致，在處理裝置的密閉室使輸送室的頂壁的高度與高度較高的密閉室對應(yīng)，但這樣的內(nèi)容不特別限于本實施例。即，如具有與各處理裝置的高度對應(yīng)的接口部地構(gòu)成單張輸送線，也可為任意的構(gòu)造。
如圖29、圖30示出本發(fā)明的第8實施例。圖29、圖30特別是示出圖22、23示出并說明的實施例即在單張輸送線120的空間的下方位置配置處理裝置的密閉室704的構(gòu)成的另一實施例。
在圖29、圖30中，與示出前面的實施例的圖22、圖23的不同點如下。
該不同點特別是由圖29明確地進(jìn)行了說明。如圖29所示，單張輸送線120的該場合的配置于下面的輸送線126下方位置的密閉室704不僅由1個處理裝置構(gòu)成，而且由多個處理裝置(101、102)構(gòu)成，在該場合，2臺處理裝置通用。在密閉室704內(nèi)設(shè)置晶片的輸送裝置。輸送裝置在該場合使用非接觸移動體，在該場合為由線性軌道127a-1和線性臺車127a-2構(gòu)成的移動體127a。在密閉室704的底壁部設(shè)置線性軌道127a-1。線性軌道127a-1在密閉室704的長度方向沿處理裝置排列的方向設(shè)置。在線性軌道127a-1可移動地設(shè)置至少1臺線性臺車127a-2。該線性臺車127a-2的晶片保持臺127b與設(shè)于密閉室704與輸送室101a之間的門101d的開口部對應(yīng)。在該場合，該門107e對應(yīng)于1臺處理裝置設(shè)置，在該場合，僅對應(yīng)于左側(cè)的1臺處理裝置設(shè)置。在圖29、圖30中，與示出前面的實施例的圖22、圖23同樣的構(gòu)成和構(gòu)造由相同符號示出，省略說明。
如圖29、圖30所示，由單張輸送線120的例如下側(cè)的輸送線126輸送而來的晶片輸入到密閉室704。輸入到該密閉室704內(nèi)的晶片轉(zhuǎn)移到其中的晶片保持臺127b。接受了晶片的晶片保持臺127b例如朝配置于右側(cè)的處理裝置102的輸送室102a在密閉室704內(nèi)移動。該晶片保持臺127b的移動在該晶片保持臺127b到達(dá)配置于右側(cè)的處理裝置102的門102d對應(yīng)的位置時停止。此后，門102d打開，晶片保持臺127b的晶片朝輸送室102a和處理室102b輸送并進(jìn)行規(guī)定處理。處理完畢的晶片由與上述的操作相反的操作按處理室102b→輸送室102a→密閉室704→下側(cè)的輸送線126的順序輸送，轉(zhuǎn)移到晶片保持臺126b。接受了處理完畢的晶片的晶片保持臺126b朝別的處理裝置和臺架堆料部等沿下側(cè)的輸送線126輸送。
如圖29、圖30所示，由單張輸送線120的例如下側(cè)的輸送線126輸送而來的下一晶片輸入到密閉室704。輸入到該密閉室704內(nèi)的晶片轉(zhuǎn)移到其中的晶片保持臺127b。接受了晶片的晶片保持臺127b在該場合不移動。即，該晶片在該場合需要在左側(cè)的處理裝置101進(jìn)行處理，晶片保持臺127b停止在與該門101d對應(yīng)的位置。此后，門101d打開，晶片保持臺127b的晶片朝輸送室101a和處理室101b輸送并進(jìn)行規(guī)定處理。處理完畢的晶片由與上述的操作相反的操作按處理室101b→輸送室101a→密閉室704→下側(cè)的輸送線126的順序輸送，轉(zhuǎn)移到晶片保持臺126b。該接受了處理完畢的晶片的晶片保持臺126b朝別的處理裝置和臺架堆料部等沿下側(cè)的輸送線126輸送。
在圖29、圖30中，與圖22、圖23的實施例相比，可對各處理裝置減少與單張輸送線的門等的配合而將其簡化，所以，可節(jié)減臺架的構(gòu)筑費。
如圖29、圖30所示，在單張輸送線中，說明了使用下側(cè)輸送線的場合，但使用上側(cè)的輸送線或使用上側(cè)、下側(cè)的輸送線的場合也可同樣地操作，沒有特別的問題。
在圖29、圖30中，以下那樣的使用也有效。
(1)通過密閉室實施處理裝置內(nèi)的晶片的輸送。例如，在密閉室內(nèi)輸送在左側(cè)的處理裝置中進(jìn)行規(guī)定處理了的晶片，將其輸送到右側(cè)的處理裝置的處理室，在這里，進(jìn)行以下的規(guī)定處理。另外，也可實施其相反操作。
圖31、圖32示出本發(fā)明的第9實施例。圖31、圖32特別是示出圖22、23示出并說明的實施例即在單張輸送線的空間的下方位置配置處理裝置的密閉室的構(gòu)成的再另一實施例。
在圖31、圖32中，與示出前面的實施例的圖22、圖23不同的點為處理裝置的輸送室101a、102a通過門800連設(shè)這一點。除此之外，與圖22、圖23同樣的構(gòu)成由相同符號示出，省略說明。
圖31、圖23中，這樣的構(gòu)成(1)如箭頭610所示那樣，對各處理裝置獨立地輸送和處理晶片。
(2)如箭頭611所示那樣，可通過其它裝置的密閉室、輸送室將晶片輸送到一方的輸送室、處理室進(jìn)行處理。在這樣的場合，當(dāng)將晶片輸送到規(guī)定處理裝置或?qū)⑻幚硗戤叺木〕龅絾螐堓斔途€120時，可減小輸送線的情況導(dǎo)致的不良影響。例如，輸送線的線性臺車在保持晶片的狀態(tài)下因某種原因停止于與右側(cè)的處理裝置102的密閉室706對應(yīng)的場所時，通過使用左側(cè)的輸送室101a、密閉室705，可順利地將來自右側(cè)的處理裝置102的處理室102b的處理完畢的晶片轉(zhuǎn)移到單張輸送線120。另外，例如在同樣的狀態(tài)下，當(dāng)需要將由輸送線輸送來的晶片輸送到右側(cè)的處理裝置102的處理室102b的場合，通過使用左側(cè)的密閉室706、輸送室101a，可將晶片輸送到右側(cè)的處理裝置102的處理室102b。
(3)另外，在并列設(shè)置3臺處理裝置的場合，例如由于某種原因使線性臺車停止在與中央部的處理裝置的密閉室對應(yīng)的位置時，可按左側(cè)的密閉室→左側(cè)的輸送室→中央部輸送室→右側(cè)輸送室→右側(cè)的密閉室→線性臺車的晶片保持臺這樣的順序，跳過該停止的線性臺車輸送晶片。
(4)另外，可將由一方的處理裝置處理的晶片按該輸送室→門→另一方的輸送室→另一方的處理室的順序輸送，連續(xù)地處理同一晶片。
(5)即可分別獨立地實施(1)那樣的晶片的并行輸送處理、(4)那樣的晶片的串行輸送處理，也可將兩者合并實施。
在以上的本實施例中，輸送線使用具有移動體和晶片保持臺(件)的輸送線，為了抑制移動體產(chǎn)生影響處理量的微粒，使用線性軌道和線性臺車構(gòu)成的線性移動體，但并不特別限定。例如，移動體可使用由導(dǎo)向帶和檢測該導(dǎo)向帶并使其移動的裝置構(gòu)成。
另外，單張輸送線的輸送空間的氣氛在以上的實施例中以潔凈氣氛例如氮氣氣氛進(jìn)行了說明，但從本發(fā)明的主旨和目的考慮，這不是必要條件。例如，該輸送空間的氣氛也可為減壓氣氛。在這樣的場合，臺架堆料部的配合構(gòu)造稍變復(fù)雜。例如，需要由密閉室連接FOUP和該輸送空間。另一方面，該輸送空間和各處理裝置的配合構(gòu)造在這些處理裝置為真空處理裝置(例如等離子腐蝕裝置、等離子CVD裝置、濺鍍裝置等)的場合，不需要密閉室等，可使構(gòu)造更簡單。但是，這些處理裝置內(nèi)具有大氣氣氛下的處理裝置(例如版印、CMP、檢查·評價裝置等)的場合，相反需要密閉室等連設(shè)用的裝置。另外，還需要使該輸送空間為減壓氣氛的減壓排氣裝置等的設(shè)置，另外，需要這些設(shè)備的運行費用。
例如，該輸送空間的氣氛例如也可為與潔凈室內(nèi)同樣的氣氛即不進(jìn)行特別對應(yīng)的氣氛。在這樣的場合，需要由用于調(diào)整相互的氣氛的密閉室連接FOUP和該輸送空間。但是，該輸送空間與各處理裝置的配合構(gòu)造可與上述實施例的場合相同。另外，在這樣的輸送空間的場合，不需要潔凈氣體的供給裝置和低壓排氣裝置等的設(shè)置，因此，也不需要運行費用。
以上，說明了單張輸送線的輸送空間的氣氛的各種例子，但在處理裝置為真空處理裝置、大氣氣氛下的處理裝置等的場合，在向這些裝置輸送途中，在晶片產(chǎn)生顆粒附著，為了防止由此導(dǎo)致的合格率下降，該輸送空間的氣氛最好控制成潔凈氣體氣氛或減壓氣氛。但是，在僅使用可收容1張的晶片的FOUP輸送晶片的場合，如前面說明的那樣，不限于此。
另外，在上述實施例中，說明了使用AGV作為臺架間輸送線的例子，但除此之外，也可使用OHT(架空輸送裝置)等輸送裝置。
除了以上說明外，本發(fā)明可考慮以下對策。
1.一種基板輸送方法，包括由輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由可與上述輸送線同時輸送地設(shè)置的另一(其他)輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一(其他)輸送線配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一(其他)輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、及根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線和上述另一(其他)輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
2.一種基板輸送方法，包括由輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由具有與上述輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面的另一(其他)輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一(其他)輸送線的基板輸送面配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一(其他)輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、及分開使用上述輸送線和上述另一(其他)輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
3.一種基板輸送方法，包括由設(shè)有基本呈水平面的基板輸送面的輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由具有與上述輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面的另一(其他)輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一(其他)輸送線的基板輸送面配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一(其他)輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、及分開使用上述輸送線和上述另一(其他)輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
4.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張對在該處理裝置處理的基板進(jìn)行輸送，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一(其他)輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述基板的單張輸送的步驟。
5.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張對在該處理裝置處理的基板進(jìn)行輸送，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一(其他)輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線與上述另一(其他)輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述基板的單張輸送的步驟。
6.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張對在該處理裝置處理的基板進(jìn)行輸送，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并具有與該輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述基板的單張輸送的步驟。
7.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張對在該處理裝置處理的基板進(jìn)行輸送，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線并具有基本呈水平面的基板輸送面的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并具有與該輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述基板的單張輸送的步驟。
8.一種對基板進(jìn)行輸送的方法，設(shè)置有多個臺架，在臺架內(nèi)和臺架間對上述基板進(jìn)行輸送，該臺架具有多個處理裝置和對基板按單張進(jìn)行輸送的單張輸送線，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，在上述臺架內(nèi)分開使用構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一輸送線，對上述基板進(jìn)行單張輸送，分開使用上述輸送線和另一輸送線，在上述輸送線、另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；在上述臺架間輸送上述基板。
9.一種對基板進(jìn)行輸送的方法，設(shè)置有多個臺架，在臺架內(nèi)和臺架間對上述基板進(jìn)行輸送，該臺架具有多個處理裝置和對基板按單張進(jìn)行輸送的單張輸送線，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，在上述臺架內(nèi)根據(jù)上述基板的處理信息分開使用構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一輸送線，對上述基板進(jìn)行單張輸送，并根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線和另一輸送線，在上述輸送線、另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；在上述臺架間根據(jù)上述基板的處理信息輸送上述基板。
10.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
11.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
12.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
13.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
14.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由具有基本呈水平面的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
15.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，具有單張輸送線和控制系；該單張輸送線由具有基本呈水平面的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
16.一種臺架，具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
17.一種臺架，具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
18.一種臺架，具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
19.一種臺架，具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系、輸送裝置、及臺架堆料部；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該臺架堆料部在上述臺架外與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
20.一種臺架，具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與上述輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系、輸送裝置、及臺架堆料部；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該臺架堆料部在上述臺架外與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
21.一種半導(dǎo)體晶片制造線的臺架，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
22.一種半導(dǎo)體晶片制造線的臺架，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
23.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)由上述臺架間輸送裝置輸送到該臺架的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
24.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)由上述臺架間輸送裝置輸送到該臺架的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
25.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部在上述臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
26.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部在上述臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
27.一種具有臺架的液晶制造線，該臺架具有對液晶基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述液晶基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有上述單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；上述單張輸送線由對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時進(jìn)行輸送地設(shè)置的對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部可在與該單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板；該控制系根據(jù)上述臺架堆料部的上述液晶基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板。
28.一種相鄰地具有多個臺架的液晶制造線，該臺架具有對液晶基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述液晶基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置以夾住上述臺架的狀態(tài)設(shè)置，在上述臺架間輸送上述液晶基板；該單張輸送線由對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部分別在上述臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述液晶基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板。
如以上那樣按照本發(fā)明，通過在臺架內(nèi)可并列輸送地至少設(shè)置另1個別的輸送線，可解決有關(guān)臺架內(nèi)的晶片輸送所產(chǎn)生的問題，可防止臺架內(nèi)的處理量的下降和臺架整體的處理量的下降。
權(quán)利要求
1.一種基板輸送方法，包括由輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由可與上述輸送線同時輸送地設(shè)置的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一輸送線配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線和上述另一輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
2.一種基板輸送方法，包括由輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由具有與上述輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一輸送線的基板輸送面配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線和上述另一輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
3.一種基板輸送方法，包括由設(shè)有基本呈水平面的基板輸送面的輸送線對基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由具有與上述輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在沿上述輸送線和另一輸送線的基板輸送面配置的多個處理裝置與上述輸送線和另一輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線和上述另一輸送線實施上述基板的單張輸送的步驟。
4.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線由按單張輸送在該處理裝置處理的基板的輸送線和按單張同時輸送上述基板的另一輸送線構(gòu)成，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由上述輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由上述另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述板的單張輸送的步驟。
5.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張輸送在該處理裝置處理的基板，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并具有與該輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述基板的單張輸送的步驟。
6.一種在臺架內(nèi)對基板進(jìn)行單張輸送的方法，該臺架具有多個處理裝置和單張輸送線，該單張輸送線按單張輸送在該處理裝置處理的基板，并列設(shè)置上述多個處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線并具有基本呈水平面的基板輸送面的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并具有與該輸送線的基板輸送面沿上下方向相向的基板輸送面的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、根據(jù)上述基板的處理信息分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述板的單張輸送的步驟。
7.一種對基板進(jìn)行單張輸送的方法，臺架具有多個處理裝置和按單張輸送基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿該并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線，在該臺架中對從該臺架外按單張輸送到上述臺架的上述基板進(jìn)行單張輸送；其中，包括由構(gòu)成上述單張輸送線的輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、由與上述輸送線一起構(gòu)成上述單張輸送線并可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟、在上述輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、在上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板的步驟、分開使用上述輸送線與上述另一輸送線在上述臺架內(nèi)實施上述板的單張輸送的步驟。
8.一種基板的輸送方法，包括a)將基板收容裝置配置到臺架堆料部的步驟，b)從該基板收容裝置按單張取出基板的步驟，c)由輸送線按單張輸送上述基板的步驟，d)在沿上述輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的另一輸送線配置的多個處理裝置與上述輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移上述基板的步驟，e)由上述輸送線對在上述處理裝置處理完畢的上述基板進(jìn)行單張輸送并回收到上述基板收容裝置的步驟，f)由上述另一輸送線對上述基板進(jìn)行單張輸送的步驟，g)在上述處理裝置與上述另一輸送線之間按單張轉(zhuǎn)移上述基板的步驟，h)由上述另一輸送線對在上述處理裝置中處理完畢的上述基板進(jìn)行單張輸送并回收到上述基板回收裝置的步驟，及i)按上述基板的處理信息分別實施上述c-e的步驟和f-h的步驟的步驟。
9.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，包括單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成，在與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
10.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，包括單張輸送線和控制系；該單張輸送線由對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與上述輸送線的基板輸送面相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成，在與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
11.一種基板的輸送裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置，對由該處理裝置處理的基板進(jìn)行單張輸送；其中，包括單張輸送線和控制系；該單張輸送線由具有基本呈水平面的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面沿上下相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成，在與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用。
12.一種臺架，該臺架具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由具有基本呈水平面的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面沿上下相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
13.一種臺架，該臺架具有多個處理裝置和按單張輸送由該處理裝置處理的基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由具有基本呈水平面的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的基板輸送面沿上下相向的基板輸送面并對上述基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系、輸送裝置、及臺架堆料部；該控制系根據(jù)上述基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該臺架堆料部在上述臺架外與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板。
14.一種半導(dǎo)體晶片制造線的臺架，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由具有基本呈水平面的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面沿上下相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
15.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由具有基本呈水平面的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面沿上下方向相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)由上述臺架間輸送裝置輸送到該臺架的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
16.一種設(shè)置了多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、上述單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片的輸送；該單張輸送線由具有基本呈水平面的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和具有與該輸送線的半導(dǎo)體晶片輸送面沿上下方向相向的半導(dǎo)體晶片輸送面并對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部在上述臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述基板；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
17.一種具有臺架的半導(dǎo)體晶片制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有上述單張輸送線、控制系、及輸送裝置；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)輸送到該臺架的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
18.一種液晶制造線的臺架，該臺架具有對液晶基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述液晶基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中上述單張輸送線由對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時進(jìn)行輸送地設(shè)置的對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；具有控制系和輸送裝置；該控制系根據(jù)上述液晶基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板。
19.一種具有多個臺架的液晶制造線，該臺架具有對液晶基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述液晶基板的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、臺架堆料部、上述單張輸送線、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置在上述臺架間進(jìn)行上述液晶基板的輸送；該臺架堆料部在該臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板；該單張輸送線由對上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的上述液晶基板進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述液晶基板的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述液晶基板。
20.一種相鄰地具有多個臺架的半導(dǎo)體制造線，該臺架具有對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定處理的處理裝置和按單張輸送上述半導(dǎo)體晶片的單張輸送線，并列設(shè)置多個上述處理裝置，沿并列設(shè)置的多個處理裝置配置上述單張輸送線；其中具有臺架間輸送裝置、單張輸送線、臺架堆料部、控制系、及輸送裝置；該臺架間輸送裝置以夾住上述臺架的狀態(tài)設(shè)置，在上述臺架間輸送上述半導(dǎo)體晶片；該單張輸送線由對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的輸送線和可與該輸送線同時輸送地設(shè)置的對上述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單張輸送的另一輸送線構(gòu)成；該臺架堆料部分別在上述臺架間輸送裝置與上述單張輸送線之間轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片；該控制系根據(jù)從上述臺架間輸送裝置輸送到上述臺架堆料部的上述半導(dǎo)體晶片的處理信息在上述單張輸送線中控制上述輸送線和上述另一輸送線的分開使用；該輸送裝置在上述輸送線、上述另一輸送線與上述處理裝置之間按單張轉(zhuǎn)移和輸送上述半導(dǎo)體晶片。
全文摘要
一種單張輸送方法及其裝置，各臺架100、200、300……分別通過臺架堆料機130、230、330……連接到臺架間輸送線400。臺架100由該場合的平面形狀為環(huán)狀的單張輸送線120和沿其長度輸送方向(與臺架間輸送線400的輸送方向交叉的方向)并列設(shè)置的處理裝置101－106構(gòu)成。在該場合，處理裝置101－103在單張輸送線120的一方側(cè)各鄰接配置1臺地并列設(shè)置。另外，余下的處理裝置104－106在另一方側(cè)各鄰接配置1臺地并列設(shè)置。處理裝置101－106分別具有輸送機械手11－16。處理裝置101－106具有每次處理1張即單張晶片W的腔室。這樣，即使對在臺架內(nèi)的各處理裝置來說晶片的處理不同的場合，也可防止臺架內(nèi)的晶片的輸送和晶片輸送裝置與各處理裝置的配合由其決定速度，這樣，可防止處理量的下降。
文檔編號B65G1/00GK1446742SQ0214221
公開日2003年10月8日 申請日期2002年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月26日
發(fā)明者內(nèi)牧陽一, 江川優(yōu)子, 加治哲德 申請人:株式會社日立高新技術(shù)