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      磁盤容器的制作方法

      文檔序號(hào):4385113閱讀:211來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:磁盤容器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及磁盤容器,要求享有2004年7月30日提交的日本專利申請(qǐng)No.2004-222810的優(yōu)先權(quán),后者的內(nèi)容結(jié)合于此處以作參考。
      背景技術(shù)
      在現(xiàn)有技術(shù)中,專利參考文獻(xiàn)1(日本未審定專利申請(qǐng)、首次公開(kāi)的No.S60-90172)公開(kāi)了磁盤容器的構(gòu)造,其中一個(gè)盒子與放在它上面的上蓋和底蓋結(jié)合在一起,該盒子具有一對(duì)沿著它們的長(zhǎng)度延伸的相對(duì)的側(cè)壁,側(cè)壁上有用于存儲(chǔ)磁盤的凹槽,盒子的上部和底部敞開(kāi)。
      在該磁盤容器的該對(duì)長(zhǎng)側(cè)壁的內(nèi)表面上,沿著側(cè)壁的長(zhǎng)度方向平行地形成有多個(gè)用于存儲(chǔ)磁盤的凹槽。具體地,該磁盤容器的凹槽是通過(guò)形成從該對(duì)長(zhǎng)側(cè)壁的內(nèi)表面開(kāi)始沿向上和向下的方向延伸的多個(gè)長(zhǎng)的薄帶形突起而制成的,這些凹槽在平行的陣列中沿著側(cè)壁的長(zhǎng)度間隔分布,在這些左右成對(duì)的凹槽上可以存儲(chǔ)多張磁盤。
      當(dāng)存儲(chǔ)和運(yùn)輸磁盤容器內(nèi)的磁盤時(shí),蓋子被放在該容器的頂部和底部,這樣防止灰塵進(jìn)入,磁盤還被上蓋輕輕地壓住,因此它們不會(huì)移動(dòng),以免因磁盤在運(yùn)輸期間在容器中移動(dòng)而導(dǎo)致容器和磁盤之間的磨損產(chǎn)生粉塵。
      關(guān)于磁盤,已經(jīng)公開(kāi)通過(guò)在磁盤的外周端面的側(cè)表面和倒角之間以及在玻璃襯底主表面和倒角之間插置曲表面以防止產(chǎn)生粉塵(例如在專利參考文獻(xiàn)2日本未審定專利申請(qǐng)、首次公開(kāi)的No.2002-100031中)。
      如上所述,當(dāng)存儲(chǔ)和運(yùn)輸磁盤容器內(nèi)的磁盤時(shí),磁盤被上蓋輕輕地壓住,以免磁盤在運(yùn)輸期間因振動(dòng)而輕易移動(dòng)。此外,在磁盤的端面上做一倒角等,從而使得難以產(chǎn)生粉塵。
      然而,問(wèn)題在于,即使采取這種對(duì)策,在打開(kāi)和關(guān)閉上蓋時(shí),或者在從容器中取出磁盤或?qū)⒋疟P放回容器中時(shí),磁盤和容器的內(nèi)表面可能會(huì)相互摩擦,從而可能產(chǎn)生少量的粉塵,這些粉塵可能附著在磁記錄表面上,從而導(dǎo)致硬盤設(shè)備的磁頭或磁記錄介質(zhì)損壞。此外,隨著磁記錄介質(zhì)的記錄密度增加,現(xiàn)在需要將粉塵顆粒減少到這樣的等級(jí),使得粉塵顆粒在現(xiàn)有技術(shù)中不構(gòu)成問(wèn)題。
      為了解決這些問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種可減少粉塵產(chǎn)生的磁盤容器。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明涉及如下內(nèi)容(1)一種磁盤容器,包括一容器主體,該容器主體具有一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁、一敞開(kāi)的上部和一敞開(kāi)的底部;一上蓋,該上蓋可拆卸地裝配到所述容器主體的上部上;以及一底蓋,該底蓋可拆卸地裝配到所述容器主體的底部上,在所述側(cè)壁的內(nèi)表面上沿所述側(cè)壁的長(zhǎng)度方向平行地形成有多個(gè)帶形突起(肋條),從而在所述帶形突起之間的空間內(nèi)形成有用于容納磁盤的凹槽,每個(gè)凹槽具有底表面A、一對(duì)側(cè)表面B和形成在每個(gè)側(cè)表面B與底表面A之間的斜表面C,這些凹槽滿足如下關(guān)系d≤a,w>t,且2α≤β,其中t是待存儲(chǔ)在磁盤容器中的磁盤的厚度,d是進(jìn)行倒角之后磁盤的周向表面的寬度,α是倒角角度,a是表面A的寬度,β是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度,γ是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度,而w是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離。
      (2)如(1)所述的磁盤容器,其中(2α+10°)≤β≤(2α+30°)。
      (3)如(1)或(2)所述的磁盤容器,其中100°≤β≤120°。
      (4)如(1)-(3)中任意一項(xiàng)所述的磁盤容器,其中20°≤γ≤40°。
      (5)如(1)-(4)中任意一項(xiàng)所述的磁盤容器,其中(d×1.05)≤a≤(d×1.5)。
      通過(guò)使用本發(fā)明的磁盤容器可以減少因磁盤和磁盤容器之間的摩擦而產(chǎn)生的粉塵附著在磁盤上。特別是,由于粉塵變得難于附著在磁記錄表面上,因此可以減少由于附著在磁記錄表面上的粉塵而對(duì)硬盤設(shè)備的磁頭或者對(duì)磁記錄介質(zhì)造成的損壞,此外,還可以提供可以增加記錄密度的磁記錄介質(zhì)。


      圖1是示出本發(fā)明的磁盤容器的示意圖;圖2是本發(fā)明的磁盤容器除去上蓋和底蓋后的示意圖;圖3是本發(fā)明的磁盤容器的截面圖,其中容器中插有磁盤;圖4A是示出本發(fā)明的磁盤容器的凹槽和襯底或磁盤之間的位置關(guān)系的截面圖;圖4B是示出襯底或磁盤的形狀的截面圖。
      具體實(shí)施例方式
      下面將參照附圖解釋本發(fā)明的合適的實(shí)施例。
      圖1-3示出所述磁盤容器。磁盤容器4由容器主體1、上蓋2以及底蓋3構(gòu)成,其中,容器主體1具有一對(duì)側(cè)壁、敞開(kāi)的上部和敞開(kāi)的底部,而上蓋2可拆卸地裝配到主體1的上部,底蓋3可拆卸地裝配到主體的底部。
      在圖2中,凹槽5由沿著容器主體1的一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁的內(nèi)表面的長(zhǎng)度平行地形成的多個(gè)帶形突起6形成,容器主體的上部和底部保持敞開(kāi)。應(yīng)該理解,盡管在圖2中示出了兩個(gè)帶形突起6和由它們限定的一個(gè)凹槽5,但實(shí)際上,沿著7的方向形成有多個(gè)這樣的帶形突起和凹槽。
      下面將利用圖4A和4B來(lái)解釋本發(fā)明的磁盤容器的凹槽和襯底或磁盤之間的位置關(guān)系。在圖4A和4B中,10表示磁盤的橫截面形狀,而11表示凹槽的橫截面形狀。每個(gè)凹槽具有底表面A、一對(duì)側(cè)表面B和形成在每個(gè)側(cè)表面B和底表面A之間的斜表面C。
      關(guān)于本發(fā)明的磁盤容器,凹槽滿足d≤a,w>t,且2α≤β,其中t是待存儲(chǔ)在磁盤容器中的磁盤10的厚度,d是進(jìn)行倒角之后磁盤的周向表面的寬度,α是倒角角度,a是表面A的寬度,β是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度,γ是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度,而w是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離。
      在本發(fā)明中,在接近磁記錄表面的一側(cè)上由倒角工藝產(chǎn)生的邊緣被記為X,在遠(yuǎn)離磁記錄表面的一側(cè)上產(chǎn)生的邊緣被記為Y,通過(guò)確保X不接觸磁盤容器的側(cè)表面,使得因磁盤和磁盤容器之間的摩擦而產(chǎn)生的粉塵難于附著在磁記錄表面上。
      換句話說(shuō),通過(guò)將磁盤和磁盤容器之間的位置關(guān)系設(shè)置為由上述方程限定的關(guān)系,只允許Y接觸磁盤容器,而X不接觸磁盤容器,因此,因磁盤和磁盤容器之間的摩擦而產(chǎn)生的粉塵變得難于附著在磁記錄表面上。原因在于,與接觸磁記錄表面的邊緣X相比,邊緣Y不接觸磁記錄表面,因此,由于邊緣和磁盤容器之間的摩擦而產(chǎn)生的粉塵附著在磁記錄表面上的可能性降低。
      優(yōu)選地,磁盤容器可以滿足2α+10°≤β≤2α+30°。
      這是因?yàn)?,通過(guò)使α和β位于上述范圍內(nèi),可以防止因打開(kāi)和關(guān)閉上蓋、從容器中取出磁盤和將磁盤放入容器、或者因在容器沒(méi)有上蓋的情況下移動(dòng)容器產(chǎn)生震動(dòng)而導(dǎo)致凹槽側(cè)表面與接近磁盤數(shù)據(jù)表面的邊緣接觸,從而獲得如下有益效果,即防止因磁盤和容器之間摩擦而產(chǎn)生的粉塵附著在磁記錄表面上。
      更優(yōu)選地,磁盤容器可以滿足100°≤β≤120°。
      盡管磁盤或磁盤襯底的倒角角度可以自由確定,但一般采用45°的倒角角度。因此,當(dāng)容器滿足上述方程時(shí),相同形狀的容器可以廣泛應(yīng)用于許多不同型號(hào)的磁盤或磁盤襯底,使得該容器能夠通用。
      優(yōu)選地,磁盤容器可以滿足20°≤γ≤40°。
      通過(guò)將γ設(shè)定在上述范圍內(nèi),磁盤可以從容器中平滑地取出或被平滑地放入容器中,減少磁盤在容器長(zhǎng)度方向上的大幅度移動(dòng),防止與直接相鄰的磁盤接觸。如果γ小于上述范圍,由于凹槽最上部的寬度變小,因此在取出或放入磁盤時(shí),磁盤易于接觸容器側(cè)壁的帶形突起,且產(chǎn)生粉塵的可能性增加,而這是不希望看到的。另一方面,如果γ大于上述范圍,因?yàn)槿萜鱾?cè)壁的帶形突起的高度變小,所以在取出或放入磁盤時(shí),變得易于將它放入相鄰的凹槽內(nèi),并且在容器受到震動(dòng)時(shí),已經(jīng)插入凹槽內(nèi)的磁盤變得易于發(fā)生位移,且相鄰的磁盤變得易于相互接觸,而這些也是不希望看到的。
      優(yōu)選地,磁盤容器可以滿足d×1.05≤a≤d×1.5。
      通過(guò)將a和d設(shè)定在上述范圍內(nèi),使得處于存儲(chǔ)狀態(tài)的磁盤所受的震動(dòng)最小,并且可防止接近磁盤數(shù)據(jù)表面的邊緣與凹槽的側(cè)表面接觸。
      優(yōu)選地,上述的磁盤容器可以由由熱塑性樹(shù)脂成分組成的抗靜電合成樹(shù)脂制成。例如,可以以合適的方式使用通過(guò)混有炭粉、ABS樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、PEEK樹(shù)脂等而具有導(dǎo)電性的聚碳酸酯樹(shù)脂,其中,特別優(yōu)選使用聚碳酸酯樹(shù)脂。
      (示例1)制造用于存儲(chǔ)直徑為48mm(1.89英寸)的磁盤的磁盤容器。該容器由通過(guò)混有炭粉而具有導(dǎo)電性的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。磁盤的厚度(t)定為0.508mm,倒角角度(α)定為45°,倒角工序之后的寬度(d)定為0.268mm。關(guān)于磁盤容器的凹槽的形狀,表面A的寬度(a)定為0.30mm,每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度(β)定為110°,凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度(γ)定為30°,而凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離(w)定為1.2mm。
      將50張磁盤插到兩個(gè)這樣的磁盤容器內(nèi)(每個(gè)容器內(nèi)25張磁盤),在打開(kāi)和關(guān)閉上蓋5次之后,對(duì)附著到50張磁盤的磁記錄表面上的粉塵顆粒進(jìn)行計(jì)數(shù)。用光學(xué)顯微鏡放大100倍觀察,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)粉塵。
      (對(duì)比示例1)用傳統(tǒng)類型的磁盤容器進(jìn)行相同的試驗(yàn)。該容器由與示例1相同的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。這些傳統(tǒng)的磁盤容器的凹槽具有與本發(fā)明的表面A和B相應(yīng)的表面,但沒(méi)有與表面C對(duì)應(yīng)的表面。此外,表面A是平面,且表面A的寬度是0.74mm,而每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度為30°。
      使用兩個(gè)這種磁盤容器,進(jìn)行與示例1相同的試驗(yàn),結(jié)果,在磁記錄表面上發(fā)現(xiàn)總共有10個(gè)粉塵顆粒。
      (示例2)制造用于存儲(chǔ)直徑為48mm(1.89英寸)的磁盤的磁盤容器。該容器由通過(guò)混有炭粉而具有導(dǎo)電性的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。磁盤的厚度(t)定為0.508mm,倒角角度(α)定為45°,倒角工序之后的寬度(d)定為0.268mm。此外,關(guān)于磁盤容器的凹槽的形狀,表面A的寬度(a)定為0.30mm,每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度(β)定為100°,凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度(γ)定為30°,且凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離(w)定為1.0mm。
      將25張磁盤插到一個(gè)這樣的磁盤容器內(nèi)(每個(gè)容器內(nèi)25張磁盤),在取出和放入磁盤20次之后,計(jì)算附著到25張磁盤的磁記錄表面上的粉塵顆粒的數(shù)目。用光學(xué)顯微鏡放大100倍觀察,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)粉塵。
      (對(duì)比示例2)用傳統(tǒng)類型的磁盤容器進(jìn)行相同的試驗(yàn)。該容器由與示例2相同的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。過(guò)去使用的這種磁盤容器的凹槽具有與本發(fā)明的表面A和B相應(yīng)的表面,但沒(méi)有與表面C對(duì)應(yīng)的表面。此外,表面A是平面,且表面A的寬度是0.74mm,而每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度為30°。
      使用一個(gè)這種磁盤容器,進(jìn)行與示例2相同的試驗(yàn),結(jié)果,在磁記錄表面上發(fā)現(xiàn)總共有20個(gè)粉塵顆粒。
      (示例3)制造用于存儲(chǔ)直徑為48mm(1.89英寸)的磁盤的磁盤容器。該容器由通過(guò)混有炭粉而具有導(dǎo)電性的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。磁盤的厚度(t)定為0.508mm,倒角角度(α)定為45°,倒角工序之后的寬度(d)定為0.268mm。關(guān)于磁盤容器的凹槽的形狀,表面A的寬度(a)定為0.30mm,每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度(β)定為100°,每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度(γ)定為30°,且凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離(w)定為1.0mm。
      用一個(gè)這種磁盤容器和一張磁盤,在取出和放入磁盤一次以使它被迫接觸凹槽之后,對(duì)附著到該磁盤的磁記錄表面上的粉塵顆粒進(jìn)行計(jì)數(shù)。以相同的方式用三張磁盤進(jìn)行這一操作,用光學(xué)顯微鏡放大100倍觀察,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)粉塵。
      (對(duì)比示例3)用傳統(tǒng)類型的磁盤容器進(jìn)行相同的試驗(yàn)。該容器由與示例3相同的聚碳酸酯樹(shù)脂制成。這種傳統(tǒng)的磁盤容器的凹槽具有與本發(fā)明的表面A和B相應(yīng)的表面,但沒(méi)有與表面C對(duì)應(yīng)的表面。此外,表面A是平面,且表面A的寬度是0.74mm,而每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度為30°。
      使用一個(gè)這種磁盤容器,進(jìn)行與示例3相同的試驗(yàn),結(jié)果,在磁記錄表面上發(fā)現(xiàn)總共有32個(gè)粉塵顆粒。
      工業(yè)實(shí)用性通過(guò)使用本發(fā)明的磁盤容器可以減少因磁盤和磁盤容器之間的摩擦而產(chǎn)生的粉塵附著在磁盤上。特別是,由于粉塵變得難于附著在磁記錄表面上,因此可以減少因粉塵附著在磁記錄表面而對(duì)硬盤設(shè)備的磁頭或者對(duì)磁記錄介質(zhì)造成的損壞,此外,還可以提供可以增加記錄密度的磁記錄介質(zhì)。
      權(quán)利要求
      1.一種磁盤容器,包括一容器主體,該容器主體具有一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁、一敞開(kāi)的上部以及一敞開(kāi)的底部;一上蓋,該上蓋可拆卸地裝配到所述容器主體的上部上;以及一底蓋,該底蓋可拆卸地裝配到所述容器主體的底部上,其中,在所述側(cè)壁的內(nèi)表面上沿所述側(cè)壁的長(zhǎng)度方向平行地形成有多個(gè)帶形突起,從而在所述帶形突起之間的空間內(nèi)形成有用于容納磁盤的凹槽,每個(gè)凹槽具有底表面A、一對(duì)側(cè)表面B和形成在每個(gè)側(cè)表面B和底表面A之間的斜表面C,這些凹槽滿足如下關(guān)系d≤a,w>t,且2α≤β,其中t是待存儲(chǔ)在磁盤容器中的磁盤的厚度,d是進(jìn)行倒角之后磁盤的周向表面的寬度,α是倒角角度,a是表面A的寬度,β是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度,γ是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的角度,而w是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離。
      2.如權(quán)利要求1所述的磁盤容器,其特征在于,(2α+10°)≤β≤(2α+30°)。
      3.如權(quán)利要求1所述的磁盤容器,其特征在于,100°≤β≤120°。
      4.如權(quán)利要求1所述的磁盤容器,其特征在于,20°≤γ≤40°。
      5.如權(quán)利要求1所述的磁盤容器,其特征在于,(d×1.05)≤a≤(d×1.5)。
      全文摘要
      在磁盤容器的側(cè)壁的內(nèi)表面上平行地形成多個(gè)帶形突起,從而在帶形突起之間的空間內(nèi)形成凹槽。每個(gè)凹槽具有底表面A、一對(duì)側(cè)表面B和形成在每個(gè)側(cè)表面B和底表面A之間的斜表面C。這些凹槽滿足d≤a,w>t,且2α≤β,其中t是磁盤的厚度,d是進(jìn)行倒角之后磁盤的周向表面的寬度,α是倒角角度,a是表面A的寬度,β是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面C之間的角度,γ是表面B之間的角度,而w是每個(gè)凹槽任意一側(cè)上的表面B之間的最短距離。
      文檔編號(hào)B65D85/86GK1989051SQ200580025227
      公開(kāi)日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2005年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月30日
      發(fā)明者諫見(jiàn)俊洋 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社
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