專利名稱：具有改進的尺寸控制的塑料半導體封裝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明大體上涉及半導體裝置和工藝的領域，且更特定來說涉及用于集成電路芯片 的密封方法，從而產(chǎn)生具有改進的尺寸控制和板裝配特性的較薄且大致平整的封裝。
技術背景近些年來，半導體行業(yè)中的主要趨勢是努力縮小半導體封裝，以使得在將封裝安裝 到用戶電路板上時封裝輪廓消耗較少的面積和較小的重量，以及以最小的成本(材料與 制造成本兩者)實現(xiàn)這些目標。最成功的方法之一是開發(fā)出所謂的"芯片級封裝"。這些 封裝具有超過芯片面積少于20%的輪廓。僅具有芯片本身輪廓的芯片級封裝常常被稱為 "芯片尺寸封裝"。密封芯片級封裝的工藝已采用兩種不同的例行程序。在一種方法中，從注射器開口 將半粘性材料分配到待覆蓋的裝置表面的預選定區(qū)域上，接著借助于毛細作用力將材料 分配到整個區(qū)域上并分配到開口內(nèi)。此技術存在若干缺點。首先，該工藝難以均勻控制 并容易出現(xiàn)統(tǒng)計上的變化，例如不平坦的填充物、明顯的彎月面形成或例如空洞的瑕疵。 材料的選擇限于半液態(tài)材料，其通常需要延長的"固化"時間用于聚合和硬化，從而導 致產(chǎn)品中較高的機械應力。其次，現(xiàn)有的技術工藝并不經(jīng)濟。為了將分配器數(shù)目保持在 實際界限以內(nèi)，在一個制造步驟中可密封合適數(shù)目的封裝，該工藝并不有助于大量生產(chǎn)。已經(jīng)付出相當多的努力來應用常規(guī)的傳遞模制技術以生產(chǎn)較薄的半導體產(chǎn)品。然而， 已證實實在難以制造總厚度薄于0.8 mm的裝置。主要的難題是模制化合物對鋼模具的腔 壁的粘附，已證實其為在模制層縮減到厚度低于0.2mm時(取決于化合物的化學性質(zhì)) 模制化合物對裝置零件的粘附變得明顯。 發(fā)明內(nèi)容申請人認識到需要一種低成本、穩(wěn)健且操作上可靠的模具設計和用于制造薄的機械 上穩(wěn)定的半導體裝置的方法。通過借助于用薄的連續(xù)塑料膜覆蓋模具腔壁來防止模制化 合物對模具腔壁的不利粘附，實現(xiàn)了部分解決方案。為此目的，從許多開口 "分配的"真空的拉力壓按所述柔性膜使其抵靠壁，從而保持模制化合物遠離壁。對于芯片級封裝且尤其對于薄裝置，可通過壓縮模具技術實現(xiàn)這些特征。模具本身200680025114. 5說明書第2/7頁必須經(jīng)設計以使得完成的產(chǎn)品的輪廓不展現(xiàn)與所需幾何形狀的不希望的偏離；尤其要確 保一致的裝置厚度和高度。此外，模具設計必須提供一種模制過程，其使任何過程建立 的壓力保持最小，使得完成的產(chǎn)品在涉及升高溫度的應用中將僅展現(xiàn)最小的翹曲。本發(fā)明的一個實施例是一種裝置，其具有半導體芯片，其裝配在平面襯底上。密封 化合物圍繞所述裝配的芯片以及所述襯底在所述芯片附近的一部分，所述化合物具有平 面頂部區(qū)域。密封化合物進一步具有從所述襯底到達所述頂部區(qū)域的多個側部區(qū)域，這 些側部區(qū)域與所述頂部區(qū)域形成邊緣線，其中所述頂部區(qū)域平面與毎一側部區(qū)域的各別 平面相交。所述密封化合物沿著所述邊緣線凹入，使得所述材料沿著所述線下陷；此特 征促使所述凹處防止來自所述側部區(qū)域平面的任何化合物到達所述頂部區(qū)域平面，借此 保持了所述頂部區(qū)域的平面性。本發(fā)明的另一實施例是一種用于封裝半導體裝置的設備，其中所述封裝具有平面頂 部區(qū)域和側部區(qū)域。模具具有頂部和底部以形成用于固持預先裝配在平面襯底上的半導 體芯片的腔。底部模具部分經(jīng)構造以容納所述襯底。頂部模具部分具有用以界定所述封 裝的所述平面頂部區(qū)域的中心模以及擱置在所述襯底上且用以界定所述封裝的所述平面 側部區(qū)域的側模。具有寬度的間隙使所述中心模與所述側模分離。突出部件沿著所述中 心模的周邊，所述部件朝向所述腔延伸且具有近似等于所述間隙的寬度的高度。其它實施例增加了所述側模的突出部，用以放大抵靠所述襯底的所述擱置區(qū)域。所 述突出部在多個選定的模位置處，使得在封裝過程期間?？傻挚克龅撞磕＞卟糠指?力地夾持所述襯底。本發(fā)明的另一實施例是一種用于密封半導體裝置的方法。提供模具，其具有頂部和 底部以形成具有平面頂部區(qū)域和側部區(qū)域的封裝。所述頂部模具部分具有用以界定所述 封裝的平面頂部區(qū)域的中心模以及用以界定所述封裝的平面?zhèn)炔繀^(qū)域的側模。所述中心 模通過具有寬度的間隙與所述側模分離，且進一步具有沿著所述模周邊的突出部件，其 中所述部件朝向所述腔延伸且具有近似等于所述間隙的寬度的高度。用保護性塑料帶給 所述頂部腔部分加襯。通過向所述間隙施加真空而將所述帶拉到緊貼所述頂部模具部分 的輪廓，借此促使所述帶在橋接所述間隙之前給所述中心模部件加襯。提供預先裝配在 襯底上的半導體芯片。將所述襯底定位在所述底部模具部分上，使得所述芯片背向所述 底部模具。在所述芯片上分配預定量的低粘性密封化合物以覆蓋所述芯片以及所述襯底 在所述芯片附近的部分。通過將所述頂部夾持到所述底部上而閉合所述模具部分，借此 所述帶形成圍繞所述襯底的密封。使所述密封化合物成形以遵循所述帶的輪廓，通過防5止來自側部區(qū)域平面的任何化合物到達所述頂部區(qū)域平面而保持所述頂部封裝區(qū)域的平 面性。本發(fā)明提供不含任何空洞且具有異乎尋常平整的表面和高度光澤的薄裝置是一個技 術優(yōu)點。此外，生產(chǎn)量與常規(guī)陶器制造密封相比約高了一個數(shù)量級。本發(fā)明可應用于各種各樣的不同半導體裝置(尤其是薄封裝)是另一個技術優(yōu)點。 從壓模機的釋放對完成的裝置幾乎不施加任何應力，且完成的裝置在板裝配期間展現(xiàn)顯 著減少的翹曲。此外，低模數(shù)模制化合物和壓縮模制技術使線偏移最小。當結合附圖以及所附權利要求書中陳述的新穎特征考慮時，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施 例的以下描述將明白通過本發(fā)明特定實施例所呈現(xiàn)的技術優(yōu)點。


圖1A描繪一壓縮模具的示意性橫截面，圖1A的左半邊為夾持之前，圖1A的右半 邊為夾持之后。模具的頂部包含本發(fā)明的特征。圖1B是頂部模具的一部分的放大橫截面圖，其詳細描繪本發(fā)明的實施例。圖2是具有本發(fā)明實施例的壓縮模具的一部分以及用低粘性密封化合物覆蓋的經(jīng)裝 配半導體裝置的示意性橫截面。圖3是說明本發(fā)明實施例的壓縮模具的頂部的部分的示意性橫截面。圖4是圖3中部分"A"的放大橫截面圖。圖5是根據(jù)常規(guī)技術的圖3中部分"A"的放大橫截面圖。圖6是說明關于本發(fā)明實施例的模制過程中的步驟的示意性橫截面。圖7展示圖4的細節(jié)的示意性橫截面。圖8是說明在升起模具的頂部之后的模制裝置的示意性橫截面。 圖9展示并入本發(fā)明特征的模制半導體裝置的示意性橫截面。 圖IOA和IOB是壓縮模具的頂部(側模)的夾持壓印的示意性俯視圖。 圖IOA說明關于本發(fā)明實施例的壓印。 圖10B是常規(guī)模具部分的壓印。
具體實施方式
圖1A描繪根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于封裝尤其為半導體裝置的裝置的設備(一般 指定為100)。期望裝置的封裝具有平面的頂部區(qū)域和平面的側部區(qū)域。圖1A的設備經(jīng) 設計以用于作為優(yōu)選技術的壓縮模制技術以利用本發(fā)明的創(chuàng)新。然而要強調(diào)的是，適用 于傳遞模制技術或陶器制造技術的設備也可并入本發(fā)明的特征。圖1A中設備的左邊部分100a說明在夾持工藝步驟之前的設備，右邊部分100b說明在夾持工藝步驟之后的設備， 借此以箭頭101指示夾持步驟的方向。如圖1A所示的壓縮模制技術的設備例如可從曰本 Yamada公司購得。圖1A的設備含有模具，所述模具帶有其頂部IIO和其底部120。在右邊部分100b 說明的夾持步驟之后，頂部110和底部120形成具有高度131和寬度140的腔130，以固 持預先裝配在平面襯底上的至少一個半導體芯片。在圖1A的實例中，芯片151和152 的堆疊展示為在襯底161和162的堆疊上，其中每一芯片通過引線連接到其各自的襯底。模具的底部120經(jīng)構造以容納襯底。模具的頂部110具有中心模111以界定封裝的 平面頂部區(qū)域(在圖1A中，由于圖1A說明的夾持動作而將頂部111展示為兩段)。此 外，頂部模具部分iio具有側模112和113，其在夾持動作之后擱置在襯底140上且界定 封裝的平面?zhèn)炔繀^(qū)域。如圖1A所示且如圖1B放大，存在使中心模111與側模112和113分離的間隙170。 間隙no具有寬度170a。中心模的突出部件180沿著中心模111的周邊且因此面向間隙 170。如圖1B所示，部件180朝向腔130延伸且具有近似等于間隙170的寬度170a的高 度180a。對于許多半導體封裝類型，部件180的優(yōu)選高度180a在約100與400 y m之 間。對于若干封裝類型，最優(yōu)選的部件高度180a為約300 um。圖2到圖6描繪模具的若干部分以說明用于密封尤其為半導體裝置的裝置的工藝流 程中的選定步驟，所述工藝步驟利用本發(fā)明的特征。如圖2所示，密封方法以提供模具 的步驟開始，所述模具具有頂部201和底部202以形成用于產(chǎn)生具有平面頂部和側部區(qū) 域的封裝的腔210。頂部模具部分201具有中心模203以界定封裝的平面頂部區(qū)域，且 具有側模204和205以界定封裝的平面?zhèn)炔繀^(qū)域。中心模203通過具有寬度206a的間隙 206而與側模分離。中心模206進一步具有沿著模周邊的突出部件207。所述部件朝向腔210延伸且具 有近似等于間隙206的寬度206a的高度207a。在下一工藝步驟中，頂部模具部分201在面向腔210的側部上用由惰性聚合物材料 制成的保護性塑料帶220加襯。此帶確保壓縮模制封裝將不粘附到模具(通常為鋼)的 表面；完成的封裝將因而容易釋放，且另外不需要在模制過程之后清潔模具。如圖2所指示，帶220在平整表面(帶部分220a)上平滑地加襯，但在隅角和其它 不平的表面部分(帶部分220b)上稍微松散地拉伸。為了沿著頂部模具部分201的所有 輪廓拉緊帶220,對間隙206施加真空。此真空的吸力拉動帶部分220b，且促使帶部分220b在模203、 204和205的所有輪廓上緊貼加襯。圖3更詳細地說明中心模203的部件207附近的帶部分220b的加襯(由與圖2中相 同的標號識別相同零件)。施加的真空301迫使帶220緊貼置于部件207的表面上而朝向 腔210延伸，從而形成帶部分220c。真空進一步迫使帶220橋接間隙的寬度206a，從而 形成帶部分220d。帶部分220d的準確形狀取決于帶的彈性強度和真空力。圖4是圖3中標記為"A"的部分的放大。其展示中心模203的部件207 (面向腔210 的部件)、中心模203與頂部模205之間的其它間隙206以及呈因聚合物材料的強度和真 空力引起的平均形狀的帶220?？紤]到帶的最終形狀和朝向腔210延伸的帶表面，應注 意，在中心模203上帶的較高層401與間隙206中最大凸起部處帶的較低層402之間已 形成明顯的距離410。由于由部件207的高度引起的距離410，層402不高于層401，且 腔210在層401處保持其最高層。此結果與圖5中針對類似于圖4中部分"A"的模具部分所說明的常規(guī)情形相反。沒 有本發(fā)明的部件207。因此，帶220的層501低于層502。帶220形成具有高度510的凸 起部，從而允許腔210延伸超過層501。在腔210被密封化合物填充之后，凸起部510 也將被化合物填充，從而形成非所需的與層501不一致的尖端。在下一工藝步驟中，提供預先裝配在襯底上的半導體芯片。參看圖2,芯片230展 示為附接到襯底240，線結合231將芯片結合墊連接到襯底接觸墊。襯底240定位在底 部模具部分250上，使得芯片230背向底部模具250。接下來，將預定量的低粘性密封化合物260分配在芯片230及其線結合231上。化 合物260還覆蓋襯底240靠近芯片的部分?；衔锏牧拷?jīng)計算以在頂部模具部分降低之 后填充腔210而不留下空洞且沒有溢出。圖6說明通過將頂部201夾持到底部202上而閉合頂部模具部分201的下一工藝步 驟，其中帶220緊貼地由真空固持且緊貼到模具部分201。在此操作中，帶220形成圍 繞襯底240的密封。如圖6說明，此操作在帶220緊貼到頂部模具部分201時壓按密封 化合物260并使密封化合物260成形以遵循帶220的輪廓。由于此壓力下的成形，密封 化合物260填充模具腔而不會留下空洞且沒有溢出。壓縮模制過程產(chǎn)生輪廓如實再現(xiàn)緊 貼到頂部模具201的帶220的輪廓的封裝。圖7放大通過壓縮模制過程產(chǎn)生的封裝的一部分。模制化合物260、密封芯片230、 襯底240和線結合連接231具有平面頂部封裝區(qū)域701。來自側部區(qū)域平面702的化合 物到達不了頂部區(qū)域平面701。作為替代，側平面702與頂部區(qū)域平面701形成邊緣線703,其中頂部區(qū)域平面與來自每一側部區(qū)域的各自平面相交。沿著這些邊緣線703，密 封化合物260凹入以使得材料260沿著線下陷。因此，凹處703防止來自側部區(qū)域平面 702的任何化合物到達頂部區(qū)域平面701?？偸潜３猪敳繀^(qū)域的平面性。在后續(xù)工藝步驟中，允許密封化合物至少部分聚合("固化")，借此使裝置輪廓牢固。 如圖8所示，接著可通過升起頂部模具部分201來打開模具?，F(xiàn)可從模具移除封裝的裝 置800。如圖8中的裝置800所說明，本發(fā)明的實施例包括裝配在襯底802上的半導體芯片 801,所述組合件可包含將芯片結合墊與襯底接觸墊互連的結合線803?；蛘?，使用焊料 元件的倒裝芯片組合件可在芯片墊與襯底墊之間建立互連。密封化合物810圍繞裝配的 芯片801以及芯片在襯底802附近的至少一部分。密封化合物810具有平面頂部區(qū)域811 。 化合物810進一步具有從襯底802到頂部區(qū)域811的多個側部區(qū)域812。側部區(qū)域812 與頂部區(qū)域811形成邊緣線，其中頂部區(qū)域平面與來自每一側部區(qū)域的各自平面相交。 密封化合物沿著邊緣線凹入(813)以使得材料810沿著線在813處下陷。因此，凹處 813防止來自側部區(qū)域平面的任何化合物到達頂部區(qū)域平面，借此保持了頂部區(qū)域811 的平面性。圖8指示密封化合物的平面頂部區(qū)域811平行于平面襯底802。在許多實施例中，側 部區(qū)域與襯底形成一角度830，其中所述角度為90?；蚋　τ谠S多裝置，凹處813具 有在約0.1 mm與0.4mm之間的深度，其中優(yōu)選深度為約0.3 mm。為了修整裝置(見圖9)，可將悍料球陣列901附接到與芯片230相對的襯底表面241。 在圖9的實例中，襯底240展示為比芯片230和封裝化合物260大。然而應強調(diào)的是， 在其它實施例中，尤其是在芯片尺寸的裝置中，襯底240和封裝260可具有大致相同的 尺寸。此外，在又一些其它實施例中，焊料球901也可位于與芯片230同一側上的襯底 表面242上。最后應指出，當襯底240初始具有整個晶片的大小時，可增加例如鋸割的 單獨化步驟。本發(fā)明的另一實施例是用于封裝尤其是半導體裝置的裝置的設備，其中期望所述封 裝具有平面頂部和平面?zhèn)炔繀^(qū)域。所述設備的優(yōu)選應用是壓縮模制技術，但其也適用于其它密封技術。所述設備由具有頂部和底部以形成腔的模具組成，所述腔用于固持例如 預先裝配在平面襯底上的半導體芯片的物體。底部模具部分經(jīng)構造以容納襯底。頂部模具部分具有界定封裝的平面頂部區(qū)域的中心模，且具有擱置在襯底上并界定封裝的平面?zhèn)炔繀^(qū)域的側模。具有預定寬度的間隙分離中心模與側模。突出部件沿著中心模的周邊，其中所述部件朝向腔延伸且具有近似等于間隙寬度的高度。側模的突出部經(jīng)設計以放大側模抵靠襯底的擱置區(qū)域(圖2中，側模指定為205)。 突出部被放置在多個選定的模位置處，使得在封裝過程期間模可抵靠著底部模具部分更 有力地夾持襯底。因此，襯底在升高的溫度下翹曲的趨勢減小。圖IOA展示側模抵靠著襯底的擱置區(qū)域的優(yōu)選設計。側模突出部具有城堡形配置， 且側模突出部的位置至少包含襯底的隅角；在圖IOA中，隅角突出部指定為1001、 1002、 1003和1004。與圖IOB展示所說明的標準技術相比，位于封裝襯底的隅角中的城堡形突 出部使夾持的襯底放大了約5%到20%之間，此取決于分派給突出部的區(qū)域大小。對于圖9所示的裝置類型，通過城堡形突出部實現(xiàn)的增強的夾持在兩個方面改進了 板附接期間在升高的焊料回流溫度下的裝置翹曲第一，最大裝置翹曲減小了約5%到 15%。第二，幾乎完全抑制了隅角區(qū)域中襯底的移位。兩種改進均有助于可靠的板附接 方法，其中所有熔化的焊料球都找到其各自的用于回流的配對物而不會有開口。盡管已參考說明性實施例描述了本發(fā)明，但不希望以限制性意義解釋此描述。所屬 領域的技術人員在參考所述描述之后將明白說明性實施例以及本發(fā)明其它實施例的各種 修改和組合。舉例來說，可在各種對稱位置(例如在側部的中心)選擇側模的突出部。 作為另一實例，遞送多個裝置以用于在襯底帶上的模制過程，所述裝置在模制過程完成 之后通過鋸割而單獨化。作為另一實例，待模制的裝置為微機械裝置，其中頂部區(qū)域的 平面性需要保持以用于玻璃板的正確附接。因此希望所主張的發(fā)明涵蓋任何此類修改或 實施例。
權利要求
1.一種半導體裝置，其包括半導體芯片，其裝配在平面襯底上；密封化合物，其圍繞所述裝配的芯片并圍繞所述襯底靠近所述芯片的一部分，所述化合物具有平面頂部區(qū)域；所述密封化合物進一步具有多個側部區(qū)域，所述多個側部區(qū)域從所述襯底到達所述頂部區(qū)域并與所述頂部區(qū)域形成邊緣線，其中所述頂部區(qū)域平面與每一側部區(qū)域各自的平面相交；且所述密封化合物沿著所述邊緣線凹入，使得沒有化合物到達所述頂部區(qū)域平面上，從而保持了所述頂部區(qū)域的平面性。
2. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述密封化合物的所述平面頂部區(qū)域大致平行于 所述平面襯底，且其中所述側部區(qū)域與所述襯底形成一角度，所述角度為90°或更小。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述凹處具有在約0.1mm與0.4mm之間的深度。
4. 一種用于密封半導體裝置的方法，其包括以下步驟提供模具，所述模具具有頂部和底部以形成用于產(chǎn)生具有平面頂部區(qū)域和側部區(qū)域的封裝，所述頂部模具部分具有用以界定所述封裝的所述平面頂部區(qū)域的中心模以及用以界定所述封裝的所述平面?zhèn)炔繀^(qū)域的側模，所述中心模通過具有寬度的間隙與所述側模分離且進一步具有沿著所述模周邊的突出部件，所述部件朝向所述腔 延伸且具有近似等于所述間隙的所述寬度的高度；用保護性塑料帶給面向所述腔的所述頂部模具部分加襯；通過向所述間隙施加真空將所述塑料帶拉到緊貼所述頂部模具部分的輪廓，借此 促使所述帶給所述中心模部件加襯并橋接所述間隙； 在襯底上提供半導體芯片；將所述襯底定位在所述底部模具部分上，使得所述芯片背向所述底部模具； 在所述芯片上分配預定量的密封化合物以覆蓋所述芯片以及所述襯底靠近所述 芯片的部分；以及通過將所述頂部夾持到所述底部上而閉合所述模具部分，借此形成圍繞所述襯底 的帶密封；以及使所述密封化合物成形以遵循所述帶的輪廓，借此通過防止任何化合物到達所述 頂部區(qū)域平面上而保持所述頂部封裝區(qū)域的平面性。
5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其進一步包括以下步驟至少部分固化所述密封化合物，借此使所述裝置輪廓牢固； 打開所述模具并從所述模具移除所述襯底以及所述密封的芯片； 將焊料球陣列附接到與所述芯片相對的襯底表面；以及單獨化所述密封的半導體裝置。
6. —種用于封裝具有平面頂部區(qū)域和側部區(qū)域的半導體裝置的設備，其包括模具，其具有頂部和底部以形成用于固持預先裝配在平面襯底上的半導體芯片的 腔；所述底部模具部分經(jīng)構造以容納所述襯底；所述頂部模具部分具有用以界定所述封裝的所述平面頂部區(qū)域的中心模，以及擱 置在所述襯底上且用以界定所述封裝的所述平面?zhèn)炔繀^(qū)域的側模； 間隙，其使所述中心模與所述側模分離，所述間隙具有寬度；以及 沿著所述中心模周邊的突出部件，所述部件朝向所述腔延伸且具有近似等于所述 間隙的所述寬度的高度。
7. 根據(jù)權利要求6所述的設備，其中所述部件的所述高度在約100nm與400tim之間。
8. 根據(jù)權利要求6或7所述的設備，其進一步包括所述側模的突出部，用以放大抵靠著所述襯底的所述擱置區(qū)域，所述突出部在多 個選定的模位置處，使得在所述封裝過程期間所述模可抵靠所述底部模具部分更有 力地夾持所述襯底。
9. 根據(jù)權利要求8所述的設備，其中所述側模突出部具有城堡形配置。
10. 根據(jù)權利要求6或7所述的設備，其中所述側模突出部的所述位置至少包含所述襯 底的隅角。
11. 根據(jù)權利要求10所述的設備，其中位于所述封裝襯底的所述隅角中的所述城堡形 突出部使所述夾持的襯底區(qū)域放大了約5%到20%之間。
全文摘要
一種裝置具有半導體芯片(801)，其裝配在平面襯底(802)上；以及密封化合物(810)，其圍繞所述裝配的芯片以及所述襯底靠近所述芯片的一部分，所述化合物具有平面頂部區(qū)域(811)。所述密封化合物具有從所述襯底到達所述頂部區(qū)域的多個側部區(qū)域(812)，這些側部區(qū)域與所述頂部區(qū)域形成邊緣線，其中所述頂部區(qū)域平面與每一側部區(qū)域的各自平面相交。所述密封化合物沿著所述邊緣線凹入(813)，使得所述材料沿著所述線下陷；此特征促使所述凹處防止來自所述側部區(qū)域平面的任何化合物到達所述頂部區(qū)域平面，借此保持了所述頂部區(qū)域的平面性。
文檔編號B29C45/14GK101218083SQ200680025114
公開日2008年7月9日 申請日期2006年7月21日 優(yōu)先權日2005年7月27日
發(fā)明者高橋吉見 申請人:德州儀器公司