專利名稱：晶圓的干燥方法
晶圓的干燥方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓的干燥方法。背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶圓的制造工藝中，采用濕法清洗的步驟后，常常會采用異丙醇(IPA) 來達(dá)到較好的干燥效果。通常而言，干燥步驟如下(1)開始時(shí)采用一段時(shí)間的去離子水清 洗，同時(shí)向去離子水的頁面通入IPA ； (2)移除清洗晶圓的去離子水，然后進(jìn)行一干燥步驟；[3]最后使殘留的IPA完全蒸發(fā)。這種方法能達(dá)到很好的干燥效果，但是在某些制程，如Al 刻蝕之后的EKC清洗工藝中，裸露在外的Al線如果與去離子水接觸的時(shí)間過長，會有發(fā)生 Al線空洞缺陷的可能，這是因?yàn)锳l在水中有可能發(fā)生原電池反應(yīng)，造成Al離子化。
具體而言，在Al制程中，由于Al會與Cu形成一種Al2Cu合金相，當(dāng)浸入水中時(shí)， 就會產(chǎn)生如下原電池反應(yīng)
陰極=Al2Cuθ 相
H2O +\ O2 +2e- — 20H"
陽極Cu沉積，Al
Al — Al3++3e"
該原電池反應(yīng)造成了 Al的離子化，也就是說，此時(shí)裸露在外的Al線發(fā)生了空洞缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種半導(dǎo)體晶圓的干燥 方法，防止晶圓上裸露的金屬線因發(fā)生原電池反應(yīng)而造成空洞缺陷，從而提高了晶圓的生 產(chǎn)效率和成品率。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體晶圓的干燥方法，該方法至少包 含如下步驟
提供一晶圓；
以去離子水清洗所述晶圓，同時(shí)向該去離子水的液面通入異丙醇；
移除所述去離子水；以及
去除所述晶圓表面的殘留液體，使晶圓干燥；
其中，所述以去離子水清洗所述晶圓的步驟在二氧化碳?xì)夥罩袑?shí)施。
所述移除去離子水的方式為緩慢排放所述去離子水，同時(shí)向所述去離子水的液面 通入異丙醇和氮?dú)饣蛘邔⑺鼍A緩慢從去離子水中升起，同時(shí)向所述去離子水的液面通 入異丙醇和氮?dú)狻?br> 所述去除晶圓表面殘留液體的方法為以高溫氮?dú)鈬姶邓鼍A。
所述去除晶圓表面殘留液體的方法為抽真空。
本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明的方法在晶圓的金屬線外露并且與水有接觸的工 藝中，能夠阻止原電池反應(yīng)的發(fā)生，從而對外露金屬線進(jìn)行了有效的保護(hù)，避免了晶圓干燥 過程中有可能發(fā)生的空洞缺陷對制造工藝產(chǎn)生的不良影響，提高了成品率。

圖1為本發(fā)明晶圓的干燥方法的工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合 所附圖示，做詳細(xì)說明如下。
如圖1所示，為本發(fā)明晶圓的干燥方法的工藝流程圖，本發(fā)明包含如下步驟步驟 S10，提供一晶圓；步驟S20，在二氧化碳?xì)夥罩幸匀ルx子水清洗所述晶圓，同時(shí)向該去離子 水的液面通入異丙醇；步驟S30，移除所述去離子水；步驟S40，去除所述晶圓表面的殘留液 體，使晶圓干燥。
具體而言，本發(fā)明提出的晶圓的干燥方法步驟如下
于步驟SlO中，提供一待干燥的晶圓，最好是將該晶圓置于一密閉的空間中，該密 閉的空間可為一處理箱或者干燥槽，便于對晶圓進(jìn)行干燥。
于步驟S20中，以去離子水清洗所述晶圓，同時(shí)向去離子水的液面通入異丙醇，在 此過程中，向密閉空間內(nèi)通入二氧化碳?xì)怏w，使該晶圓始終處于二氧化碳?xì)怏w的保護(hù)氛圍 中。這是因?yàn)?，在以去離子水清洗晶圓的過程中，裸露在外的Al線如果與去離子水接觸的 時(shí)間過長，就有可能會發(fā)生原電池反應(yīng)，造成Al線的空洞缺陷。為了防止該缺陷的產(chǎn)生，本 步驟中，向去離子水的液面通入異丙醇，同時(shí)通入二氧化碳，可以抑制原電池反應(yīng)的發(fā)生。 二氧化碳?xì)怏w的優(yōu)點(diǎn)在于毒副作用小，可以在開放的空間內(nèi)實(shí)施，并且產(chǎn)生的酸根離子濃 度低，易于控制。由于Al在CO2形成的酸性環(huán)境中會形成Al2O3，從而能夠阻止原電池反應(yīng) 的發(fā)生，達(dá)到了保護(hù)Al線的目的。
于步驟S30中，移除用于清洗晶圓的去離子水。以去離子水清洗過晶圓后，停止通 入二氧化碳?xì)怏w，并且移除去離子水。移除去離子水的方法有多種，例如可以將去離子水緩 慢排放掉，或者將晶圓從去離子水中緩慢升起，然后進(jìn)行后續(xù)步驟。無論采用何種方法，在 移除去離子水的過程中，保持向去離子水的液面通入異丙醇和氮?dú)?，以移除附著在晶圓和 密閉空間內(nèi)表面的水分。
于步驟S40中，去除所述晶圓表面的殘留液體，使晶圓干燥。在此步驟中，去除所 述晶圓表面殘留液體的方法為以高溫氮?dú)鈬姶邓鼍A，或?yàn)閷λ雒荛]的空間抽真空， 使殘留在晶圓表面的異丙醇蒸發(fā)，并使晶圓徹底干燥。
完成上述步驟后，可將該晶圓從上述密閉空間中移出，以便進(jìn)行其他后續(xù)處理。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓的干燥方法，該方法至少包含如下步驟 提供一晶圓；以去離子水清洗所述晶圓，同時(shí)向該去離子水的液面通入異丙醇； 移除所述去離子水；以及 去除所述晶圓表面的殘留液體，使晶圓干燥；其特征在于，所述以去離子水清洗所述晶圓的步驟在二氧化碳?xì)夥罩袑?shí)施。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于，所述移除去離子水的方式為 緩慢排放所述去離子水，同時(shí)向所述去離子水的液面通入異丙醇和氮?dú)狻?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于，所述移除去離子水的方式為 將所述晶圓緩慢從去離子水中升起，同時(shí)向所述去離子水的液面通入異丙醇和氮?dú)狻?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于，所述去除晶圓表面殘留液體 的方法為以高溫氮?dú)鈬姶邓鼍A。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于，所述去除晶圓表面殘留液體 的方法為抽真空。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶圓的干燥方法，至少包含如下步驟提供一晶圓；以去離子水清洗所述晶圓，同時(shí)向該去離子水的液面通入異丙醇；移除所述去離子水；以及去除所述晶圓表面的殘留液體，使晶圓干燥；其中，所述以去離子水清洗所述晶圓的步驟在酸性氣體的氣氛中實(shí)施。本發(fā)明能夠避免晶圓上裸露的金屬線因發(fā)生原電池反應(yīng)而造成的空洞缺陷，提高了晶圓的生產(chǎn)效率。
文檔編號F26B5/04GK102034680SQ200910196719
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者周祖源, 李健, 楊兆宇, 湯舍予 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司