太陽能吸熱器材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種太陽能吸熱器材料(10)，其包括：用于吸收太陽光的多層結(jié)構(gòu)(30)；用于從所述多層結(jié)構(gòu)(30)導(dǎo)熱的金屬基底(20)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次至少包括：第一層(100)Al2O3；第二層(200)Mo；第三層(300)Al2O3；最上層(700)SiO2。
【專利說明】太陽能吸熱器材料
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的太陽能吸熱器材料。
【背景技術(shù)】
[0002]通常將太陽能吸熱器用于家庭應(yīng)用中以將太陽光轉(zhuǎn)化成熱。這些吸收器因為典型的工作溫度低于400°C而通常被稱為“低溫平板吸收器”。太陽能吸熱器通常包含導(dǎo)熱金屬例如銅、鋼或鋁的板狀基底。將流體導(dǎo)管連接于金屬板的一側(cè)，即其內(nèi)側(cè)，而板的外側(cè)涂布有薄的深色表面涂層。深色涂層的性質(zhì)使得涂層反射非常少的入射太陽光。因此，當深色表面涂層曝露于太陽光時，其會從太陽光吸熱且從而加熱金屬板。熱從金屬板轉(zhuǎn)移至在板后側(cè)的管中循環(huán)的流體例如水中。經(jīng)過加熱的流體可用于各種家庭加熱應(yīng)用例如自來水加熱。通常將這種類型的太陽能吸熱器封閉在包括透明窗的盒狀防護罩中且布置在建筑物的屋頂上。
[0003]在已知的太陽能吸熱器材料中，深色涂層為從基底依次具有Al203、Si02、Mo、Si02、Mo、SiO2層的多層結(jié)構(gòu)。將該多層結(jié)構(gòu)施加至銅、不銹鋼或鋁的金屬帶基底上。
[0004]雖然證明是有效的，但是這種已知類型的太陽能吸熱器材料不定期地顯示出針對高溫的低耐受性和潮氣誘導(dǎo)性腐蝕。例如，已在具有上述多層結(jié)構(gòu)的基于銅基底的太陽能吸收器上出現(xiàn)潮氣誘導(dǎo)性腐蝕?；阡X基底的上述類型的太陽能吸收器的耐腐蝕性稍好于包括銅基底的太陽能吸收器，但不具有令人滿意的耐熱性。因此，當上述類型的太陽能吸收器長期暴露于溫暖且潮濕的氣候條件時，吸收器的性質(zhì)傾向于劣化，從而縮短吸收器的使用壽命。
[0005]因此，本發(fā)明的目的在于提供耐熱且耐腐蝕的太陽能吸熱器材料。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]所述目的通過如下的太陽能吸熱器材料而實現(xiàn)，該太陽能吸熱器材料包括:
[0007]用于吸收太陽光的多層結(jié)構(gòu)；
[0008]用于從所述多層結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱的金屬基底，
[0009]其特征在于所述多層結(jié)構(gòu)從所述基底依次至少包括:
[0010]第一層Al2O3 ;
[0011]第二層M。；
[0012]第三層Al2O3;
[0013]第四層即最高層Si02。
[0014]本發(fā)明的太陽能吸熱器材料對潮氣誘導(dǎo)性腐蝕和高溫具有極高耐受性。
[0015]太陽能吸收器材料的“耐熱性”一般來說是材料在如下情況下耐受高溫的能力:不損失其蓄熱能力，或不具有層結(jié)構(gòu)裂縫，或不從基底分層。
[0016]在本發(fā)明的太陽能吸熱器材料中，耐熱性以及在一定程度上對潮氣誘導(dǎo)性腐蝕的耐受性被認為會受以下事實的影響:氧化鋁(Al2O3)和鑰(Mo)的交替層具有相似的熱膨脹系數(shù)。
[0017]當本發(fā)明的吸收器材料被加熱時，Al2O3和Mo的層均勻膨脹并且基本上不會在層結(jié)構(gòu)中形成應(yīng)變或張力，否則所述應(yīng)變或張力將導(dǎo)致層結(jié)構(gòu)破裂和從基底分層。
[0018]太陽能吸收器中的腐蝕通常是由太陽能吸收器周圍空氣中的潮氣所引起，所述潮氣向下穿過多層結(jié)構(gòu)到達金屬基底并于其上形成氧化物/氫氧化物。該氧化物/氫氧化物使多層結(jié)構(gòu)和基底之間的膠粘性劣化，從而引起多層結(jié)構(gòu)從基底分層。
[0019]本發(fā)明材料的高耐腐蝕性被認為是由以下因素所引起的:
[0020]如上所述，本發(fā)明材料中Al2O3和Mo的交替層具有相似的熱膨脹系數(shù)。當這些層被加熱時，其均勻膨脹且因此在層結(jié)構(gòu)中避免了應(yīng)變和張力，否則所述應(yīng)變和張力可導(dǎo)致裂縫，而潮氣可通過所述裂縫向下滲透至基底。
[0021]本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)的最外層是SiO2層。5102層被認為吸收潮氣且因此防止潮氣穿過下面的Al2O3層和Mo層到達金屬基底的表面。盡管SiO2的熱膨脹系數(shù)不同于Mo和Al2O3的熱膨脹系數(shù)，但是當結(jié)構(gòu)被加熱時，在多層結(jié)構(gòu)中不會積聚張力，這是因為SiO2層是最外層。
[0022]在本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)中，重要的是，將最外的SiO2層直接施加于下面的Al2O3層上。其原因在于SiO2和Al2O3具有相似的折射率。因此，SiO2層不會負面影響多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)、即吸收率/發(fā)射率之比至顯著的程度。否則，如果將SiO2層施加于不同于Al2O3的另一層例如Mo上，那么可能就已經(jīng)是這種負面影響至顯著程度的情況。
[0023]根據(jù)一個實施方式，上文定義的多層結(jié)構(gòu)包括:
[0024]厚度為28_89nm 的第一層(IOO)Al2O3 ；
[0025]厚度為16_30nm 的第二層(200) Mo ；
[0026]厚度為39_74nm 的第三層(300) Al2O3 ；
[0027]厚度為39_74nm 的最上層(700) SiO2 ；
[0028]其中選擇所述層的厚度使得吸收率/發(fā)射率之比≥80/ ≤ 20。
[0029]根據(jù)第一優(yōu)選實施方式，所述多層結(jié)構(gòu)具有以下構(gòu)造，優(yōu)選具有所示的層厚度:
[0030]厚度為10_240nm 的第一層 Al2O3 ；
[0031]厚度為8_120nm的第二層Mo ；
[0032]厚度為25_105nm的第三層Al2O3 ；
[0033]厚度為3_60nm的第四層Mo ；
[0034]厚度為15-100nm的第五層Al2O3 ；
[0035]厚度為10-160nm的第六層即最上層SiO2，其中在所指定區(qū)間中選擇每一層的厚度，以使得所述太陽能吸熱器材料的吸收率/發(fā)射率之比>90%/〈10%。
[0036]所述的本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)包括很多層，總共五個交替的Al2O3層和Mo層以及第六層Si02。層數(shù)高因以下原因而對耐腐蝕性具有積極作用:
[0037]在多層結(jié)構(gòu)中，每個單獨層中的缺陷例如晶界或微裂可以排列起來并且形成通過層結(jié)構(gòu)的潮氣通道。然而，在單獨層中缺陷排列起來以形成通道的概率隨著結(jié)構(gòu)中單獨層數(shù)目增大而減小。換言之，在一層中的缺陷被相鄰層密封。
[0038]為了在本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)中在不損害吸收器光學(xué)性質(zhì)的情況下實現(xiàn)甚至更多的層數(shù)，可通過兩個彼此相鄰施加的單獨Al2O3層形成最中間的Al2O3層。其作用在于在多層結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)很多個層，從而針對潮氣滲透提供良好的保護。然而，從光學(xué)觀點來看，兩個相鄰Al2O3層僅構(gòu)成一個Al2O3層且因此不改變太陽能熱學(xué)材料的光學(xué)性質(zhì)。[0039]因此優(yōu)選地，所述多層結(jié)構(gòu)具有以下構(gòu)造，優(yōu)選具有所示的層厚度:
[0040]厚度為10_240nm 的第一層 Al2O3 ；
[0041]厚度為8_120nm的第二層Mo ；
[0042]第三層Al2O3 ；
[0043]第四層Al2O3;
[0044]其中所述第三層和第四層的總厚度為25_105nm ；
[0045]厚度為3_60nm的第五層Mo ；
[0046]厚度為15-100nm的第六層Al2O3 ；
[0047]厚度為10_160nm的第七層即最上層SiO2,
[0048]其中在所指定區(qū)間中選擇每一層的厚度，以使得所述太陽能吸熱器材料的吸收率/發(fā)射率之比>90%/〈10%。
[0049]為了進一步最小化或甚至消除SiO2層對多層結(jié)構(gòu)光學(xué)性質(zhì)的影響，優(yōu)選彼此調(diào)適SiO2層和下面的Al2O3層的厚度。如上文所提及的，Al2O3和SiO2的折射率相似。然而，對于所有波長，Al2O3的折射率都稍高于SiO2的折射率。為了補償這種差異，SiO2層應(yīng)優(yōu)選地比Al2O3層厚。因為Al2O3和SiO2的比折射率隨波長而變化，所以所述層厚度之間的精確關(guān)系必須由本領(lǐng)域技術(shù)人員測定。例如，如果SiO2層的厚度為50nm，那么下面的Al2O3層的厚度應(yīng)為45nm，以維持太陽能吸熱器材料的期望的光學(xué)性質(zhì)。
[0050]為了實現(xiàn)非常好的耐腐蝕性，可在多層結(jié)構(gòu)中設(shè)置厚層。然而應(yīng)限制所述層的最大厚度以防止熱膨脹在多層結(jié)構(gòu)中引起張力和應(yīng)變。如果層結(jié)構(gòu)的總厚度變得太大，那么光學(xué)性質(zhì)即吸收率和發(fā)射率也將劣化。如果多層結(jié)構(gòu)的總厚度超過300nm，那么較少的光將從基底反射回至多層結(jié)構(gòu)中，且因此發(fā)射率將增大并且吸收率將減小。
[0051]可將本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)中的所述層或一些層制得非常薄。其優(yōu)勢在于獲得吸收率和發(fā)射率之間的良好平衡。然而，難以實現(xiàn)非常薄的粘結(jié)層，且因此應(yīng)限制所述層的最小厚度，以保證本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)的所有層都是完整的并且完全封閉的接合薄膜。
[0052]根據(jù)第三優(yōu)選實施方式，本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)中的層可具有以下厚度:
[0053]第一層Al2O3,厚度為 45-100nm ；
[0054]第二層Mo,厚度為 15_33nm ；
[0055]第三層和第四層(400) Al2O3,總厚度為38-83nm ；
[0056]第五層Mo,厚度為8_16nm ；
[0057]第六層Al2O3,厚度為 34_75nm ；
[0058]第七層SiO2,厚度為 38_83nm。
[0059]包括這種多層結(jié)構(gòu)的太陽能吸熱器材料具有穩(wěn)固的粘結(jié)多層結(jié)構(gòu)，其提供良好的耐腐蝕性和良好的熱穩(wěn)定性。
[0060]可選擇多層結(jié)構(gòu)中Mo層的厚度使得第一 Mo層是第二 Mo層的兩倍厚。從而在層結(jié)構(gòu)中獲得向表面具有低金屬分數(shù)的梯度。出于以下原因，優(yōu)選具有貫穿層結(jié)構(gòu)的金屬梯度:太陽能吸收器材料應(yīng)吸收盡可能多的太陽光，且因此優(yōu)選其總共含有高分數(shù)的金屬。然而，在接近太陽能吸收器的表面處，金屬分數(shù)應(yīng)該低，以不影響該層結(jié)構(gòu)的折射率。
[0061]優(yōu)選地，選擇所述可選方案的層的厚度以使得:
[0062]第一層Al2O3的厚度為60nm ；[0063]第二層Mo的厚度為12_42nm ；
[0064]第三層和第四層Al2O3的總厚度為50nm ；
[0065]第五層Mo的厚度為6_21nm ；
[0066]第六層Al2O3的厚度為45nm ；
[0067]第七層SiO2的厚度為50nm。
[0068]根據(jù)第四優(yōu)選實施方式，所述太陽能吸熱器材料包括具有以下層厚度的多層結(jié)構(gòu):
[0069]第一層Al2O3的厚度為60nm ；
[0070]第二層Mo的厚度為20nm ；
[0071]第三層和第四層Al2O3的總厚度為50nm ；
[0072]第五層Mo的厚度為IOnm ；
[0073]第六層Al2O3的厚度為75nm ；
[0074]第七層SiO2的厚度為50nm。
[0075]第六層Al2O3的厚度優(yōu)選為45nm。
[0076]本發(fā)明太陽能吸熱器的金屬基底優(yōu)選選自銅帶、鋁帶或不銹鋼帶。這些材料具有良好的熱導(dǎo)率且因此適用于太陽能吸熱器中。銅帶和鋁帶還顯示出足夠的反射率性質(zhì)，其對于在本發(fā)明太陽能吸收器材料中提供低發(fā)射率性質(zhì)是必需的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0077]圖1:經(jīng)過根據(jù)優(yōu)選實施方式的本發(fā)明太陽能吸熱器材料的截面的示意圖。
[0078]圖2a和圖2b示出熱處理的G2SS Si02、G2Cu SiO2樣品和未處理的參比樣品G2SSSiO2參比、G2SS SiO2參比的反射率響應(yīng)。
[0079]圖3a和圖3b示出在對樣品G2SS Si02、G2Cu SiO2和參比樣品G2SS SiO2參比、G2SS SiO2參比和樣品G2CU/SS進行熱處理后的吸收率a s和發(fā)射率ε t。
[0080]圖3c示出圖3a和圖3b的熱處理樣品的性能判據(jù)。
[0081]圖4a示出經(jīng)受冷凝處理的G2SS SiO2樣品和未處理的參比樣品G2SS SiO2參比的反射率響應(yīng)。
[0082]圖4b示出與圖4a中的樣品具有相同多層結(jié)構(gòu)但沒有SiO2層的G2SS樣品在冷凝處理之后的反射率響應(yīng)。圖4b還示出未處理的參比樣品G2SS參比的反射率響應(yīng)。
[0083]圖4c示出經(jīng)受冷凝處理的G2Cu SiO2樣品和未處理的參比樣品G2Cu SiO2參比的反射率響應(yīng)。
[0084]圖4d示出與圖4c中的樣品具有相同多層結(jié)構(gòu)但沒有SiO2層的G2Cu樣品在冷凝處理之后的反射率響應(yīng)。圖4d還示出未處理的參比樣品G2Cu參比的反射率響應(yīng)。
[0085]圖5a和圖5b示出在對樣品G2SS Si02、G2Cu SiO2和參比樣品G2SS SiO2參比、G2SS SiO2參比和樣品G2CU/SS進行冷凝試驗后的吸收率a s和發(fā)射率ε t。
[0086]圖5。示出經(jīng)受冷凝試驗的圖5a和5b樣品的性能判據(jù)。
【具體實施方式】
[0087]圖1示出根據(jù)優(yōu)選實施方式的本發(fā)明太陽能吸熱器材料。太陽能吸熱器材料10包括基底20，所述基底20由金屬材料帶構(gòu)成，該金屬材料優(yōu)選地是銅、鋁或不銹鋼，例如15R10類?；?0的厚度可為0.1-0.4mm，并且調(diào)適其長度和寬度以適于實際應(yīng)用。
[0088]將多層結(jié)構(gòu)30施加至所述基底。該多層結(jié)構(gòu)具有以下構(gòu)造:最接近基底的是氧化鋁(Al2O3)層100，接著是鑰(Mo)的第二層200，其上施加Al2O3的第三層300和第四層400。此后，所述多層包括Mo的第五層500、Al2O3的第六層600和SiO2的第七層700、最外層。
[0089]通過使用物理氣相沉積(PVD)，以卷對卷式方法，用Al2O3層、Mo層和SiO2層涂布帶材，以制造本發(fā)明的太陽能吸熱器材料。優(yōu)選地，對帶材的表面進行離子蝕刻，然后進行涂布，以在多層結(jié)構(gòu)和帶材的表面之間提供良好的粘合。
[0090]優(yōu)選地，本發(fā)明太陽能吸收器材料中各層的厚度應(yīng)為=Al2O3層100:10-240nm ；Mo層 200:8-120nm ；A1203 層 300:25-50nm ；A1203 層 400:25-50 ；Mo 層 500:3-60 ；A1203 層 600:15-45nm ；Si02 層 700:10_50nm。
[0091]應(yīng)在所指定區(qū)間內(nèi)選擇每個單獨層的厚度，以使得對于所選基底，所述太陽能吸熱器材料的吸收率/發(fā)射率之比≤90%/ ( 10%。
[0092]所述太陽能吸收器的吸收率/發(fā)射率之間的比率是對太陽能吸收器熱效率的度量。期望具有盡可能高的吸收率，因為盡可能多的太陽光應(yīng)被吸收并作為熱轉(zhuǎn)移至基底。然而在運行中，太陽能吸收器變熱并且開始輻射熱。將輻射的熱測量為發(fā)射率，并且可將其視作從太陽能吸收器的熱損失。普遍接受的是，有效的商業(yè)太陽能吸收器在其工作溫度下的吸收率/發(fā)射率之比應(yīng)≤90%/ ( 10%。然而，吸收率/發(fā)射率之比≤80%/ ( 20%的太陽能吸熱器也是完全可用的。
[0093]認為吸收率/發(fā)射率之比受個別層中材料以及基底紅外性質(zhì)的影響。例如，層結(jié)構(gòu)中高分數(shù)的金屬對吸收率具有積極作用。雖然不能得到解釋，但是進一步認為個別層的厚度對于太陽能吸收器材料的吸收率/發(fā)射率之比也具有重要性。
[0094]從使用光譜軟件公司(Software Specta Inc.)的計算機程序TS-Calc Thinfilm進行的模擬，確定根據(jù)上述實施方式的本發(fā)明太陽能吸收器材料的個別層厚度。在模擬中，將初始層結(jié)構(gòu)輸入程序中。初始層結(jié)構(gòu)具有以下厚度:
[0095]Al2O3 層 I:60nm ；Mo 層 2:20nm ；A1203 層 3 和層 4:總計 50nm ；Mo 層 5:IOnm ；A1203層 6:45nm ；Si02 層 7:50nmo
[0096]此后，改變每個單獨層的厚度，以確定在維持吸收率/發(fā)射率之比≤90%/ ( 10%的條件下每層的最大厚度和最小厚度。表1示出模擬結(jié)果。
[0097]
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能吸熱器材料(10)，其包括: 用于吸收太陽光的多層結(jié)構(gòu)(30)； 用于從所述多層結(jié)構(gòu)(30)導(dǎo)熱的金屬基底(20)， 其特征在于所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次至少包括: 第一層(IOO)Al2O3 ； 第二層(200) Mo ；
第三層(300) Al2O3 ； 最上層(700)Si02。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能吸熱器材料 (10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次包括: 厚度為 28_89nm 的第一層(IOO)Al2O3 ； 厚度為I6-3Onm的第二層(2OO)Mo ； 厚度為39_74nm的第三層(3OO)Al2O3 ； 厚度為39-74nm的最上層(700) SiO2 ； 其中選擇所述層的厚度使得吸收率/發(fā)射率之比> 80/ ( 20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次至少包括: 第一層(IOO)Al2O3 ； 第二層(200) Mo ；
第三層(300) Al2O3 ； 第四層(500)Mo ；
第五層(600) Al2O3 ； 最上層(700)Si02。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次包括: 厚度為 10-240nm 的第一層(IOO)Al2O3 ； 厚度為8_l20nm的第二層(2OO)Mo ； 厚度為25-105nm的第三層(300) Al2O3 ； 厚度為3-60nm的第四層(500) Mo ； 厚度為15-100nm的第五層(600) Al2O3 ； 厚度為10_160nm的最上層(700) SiO2，其中選擇所述層的厚度使得吸收率/發(fā)射率之比≤90/≤10。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次包括: 第一層(IOO)Al2O3 ； 第二層(200) Mo ；
第三層(300) Al2O3 ； 第四層(400)Al2O3, 第五層(500) Mo ；第六層(600) Al2O3 ； 最上層(700)Si02。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)(30)從所述基底(20)依次包括: 厚度為 10-240nm 的第一層(IOO)Al2O3 ； 厚度為8_l20nm的第二層(2OO)Mo ； 第三層(300) Al2O3 ； 第四層(400)Al2O3, 其中所述第三層和第四層的總厚度為25-105nm ； 厚度為3-60nm的第五層(500) Mo ； 厚度為15-100nm的第六層(600) Al2O3 ； 厚度為10_160nm的最上層(700) SiO2，其中選擇所述層的厚度使得吸收率/發(fā)射率之比≤90/≤10。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中: 所述第一層(100)的厚度為 45-100nm ； 所述第二層(200)的厚度為15-33nm ； 所述第三層(300)和所述第四層(400)的總厚度為38-83nm ; 所述第五層(500)的厚度為8-16nm ； 所述第六層(600)的厚度為34-75nm ； 所述最上層(700) SiO2的厚度為38-83nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中: 所述第一層(100)的厚度為60nm ； 所述第二層(200)的厚度為20nm ； 所述第三層(300)和所述第四層(400)的總厚度為50nm ； 所述第五層(500)的厚度為IOnm ； 所述第六層(600)的厚度為75nm ； 所述最上層(700) SiO2的厚度為50nm。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述最上層(700) SiO2的厚度大于下面的Al2O3層(300)、(600)的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中: 所述第六層(600)的厚度為45nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求3-11中的任一項所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中選擇鑰層(200)、(500)的厚度使得在所述多層結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)Mo濃度梯度，其中所述梯度向著所述最上層(700) SiO2而減小。
12.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能吸熱器材料，其中最接近所述基底(200)的鑰層的厚度約為最上的鑰層(500)的兩倍厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中: 所述第一層(100)的厚度為60nm ； 所述第二層(200)的厚度為12-42nm ；所述第三層(300)和所述第四層(400)的總厚度為50nm; 所述第五層(500)的厚度為6-21nm ； 所述第六層(600)的厚度為45nm ； 所述最上層(700) SiO2的厚度為50nm。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述多層結(jié)構(gòu)的總厚度小于300nm。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的太陽能吸熱器材料(10)，其中所述基底為選自不銹鋼、銅和鋁的帶材。
【文檔編號】F24J2/48GK103547871SQ201280024367
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月19日
【發(fā)明者】古斯塔夫·舍布盧姆, 安德斯·赫爾, 米卡埃爾·斯滕斯特倫 申請人:山特維克知識產(chǎn)權(quán)股份有限公司