專利名稱：一種雙重靜態(tài)場水處理器的制作方法
技術領域：
一種雙重靜態(tài)場水處理器
技術領域：
本實用新型涉及一種水處理裝置，特別是一種雙重靜態(tài)場水處理器。
背景技術：
目前的靜態(tài)場水處理有永磁體水處理器和高壓靜電場水處理器，但尚未見到將永磁體與高壓靜電場復合在一起的水處理器，尤其是將環(huán)型永磁陣列和棒狀高壓靜電場發(fā)射電極復合在一起的水處理器。國內外的實踐證明，永磁水處理器和高壓靜電水處理器各有利弊，且單一永磁場、高壓靜電場均不能產生令人滿意的阻垢、除垢及緩蝕、防銹、殺菌、滅
藻效果，將二者復合在一起確有必要。

發(fā)明內容·(一 )要解決的技術問題本實用新型的目的是提供一種將環(huán)型永磁陣列和棒狀高壓靜電場發(fā)射電極復合在一起的雙重靜態(tài)場水處理器。( 二)所采用的技術方案一種雙重靜態(tài)場水處理器，包括外殼、永磁裝置、水處理室、高壓靜電場發(fā)射電極和高壓靜電發(fā)生器，其特征在于所述的外殼由筒體和兩個端蓋組成；所述的永磁裝置由3 5組環(huán)型永磁陣列、非金屬夾具和金屬緊固件組成；所述的水處理室為圓管狀結構，管內沿軸線通過支承架經絕緣設有一個高壓靜電場發(fā)射電極；高壓靜電發(fā)生器通過同軸電纜與高壓靜電場發(fā)射電極實現電連接；高壓靜電場發(fā)射電極與水處理室的內壁之間形成環(huán)形水流通道；所述的水處理室的兩端分別連接有進口大小頭連接管和出口大小頭連接管；永磁裝置固定在水處理室的外壁，外殼通過聯接裝置與水處理室的外壁密封連接。進一步，所述的環(huán)型永磁陣列由8 24塊扇形、梯形或方形永磁元件排布而成。再進一步，所述的環(huán)型永磁陣列采用Halbach排布時，永磁元件的充磁方向是徑向和切線方向交替排列，徑向排列的永磁元件的充磁方向內外交替排列，切線排列的永磁兀件的充磁方向順旋逆旋交替排列；米用非Halbach排布時,所有永磁兀件的S極朝向內圓周，朝向外圓周的N極用金屬導磁環(huán)連通。進一步，所述的各環(huán)型永磁陣列(2-1)間的徑向充磁元件相互錯開呈螺旋狀排列。進一步，所述的高壓靜電場發(fā)射電極(4)為鈦或鈦合金圓管，外表面鍍有鉬層或釕層。進一步,所述的前絕緣套管(11)的前端設有錐形分流梭。(三)能產生的有益效果與現有的高頻電磁場水處理裝置相比，本實用新型具有以下顯著而可靠的有益效果一是能使環(huán)型永磁場和輻射狀高壓靜電場的優(yōu)勢互補，產生協同效應；二是能使水流均勻通過環(huán)形通道，得到充分而均等的作用；三是能凸顯靜態(tài)磁場、靜態(tài)電場平穩(wěn)、定向、均衡的特點，對水體產生穩(wěn)定而有益的影響，更適宜處理生活飲用水。

圖I為本實用新型的結構示意圖；圖2為實施例一的永磁裝置徑向截面圖；圖3為實施例二的永磁裝置徑向截面圖。圖中，I、外殼；2、永磁裝置；2_1、環(huán)型永磁陣列；2_2、非金屬夾具；2_3、金屬緊固件；3、水處理室；4、高壓靜電場發(fā)射電極；5、同軸電纜；6、高壓靜電發(fā)生器；7、出水口大小頭連接管；8、進水口大小頭連接管；9、聯接裝置；10、底座；11、充當分流梭的前絕緣套管；12、支承架；13、后絕緣套管；14、密封裝置。
具體實施方式
接下來結合圖I、圖2、圖3對本實用新型作以下詳細說明。實施例一一種Halbach陣列雙重靜態(tài)場水處理器，包括外殼I、永磁裝置2、水處理室3、高壓靜電場發(fā)射電極4和高壓靜電發(fā)生器6，其特征在于所述的外殼I由筒體和兩個端蓋組成；所述的永磁裝置2由3組環(huán)型永磁陣列2-1、非金屬夾具2-2和金屬緊固件2-3組成；所述的水處理室3為圓管狀結構，管內沿軸線通過支承架經絕緣設有一個高壓靜電場發(fā)射電極4 ;高壓靜電發(fā)生器6通過同軸電纜5與高壓靜電場發(fā)射電極4實現電連接；高壓靜電場發(fā)射電極4與水處理室3的內壁之間形成環(huán)形水流通道12 ;所述的水處理室3的兩端分別連接有進口大小頭連接管8和出口大小頭連接管15，永磁裝置2固定在水處理室3的外壁，外殼通過聯接裝置14與水處理室3的外壁密封連接。所述的環(huán)型永磁陣列2-1由12塊梯形永磁元件按Halbach陣列排布而成，永磁元件的充磁方向是徑向和切線方向交替排列，徑向排列的永磁元件的充磁方向內外交替排列，切線排列的永磁元件的充磁方向順旋逆旋交替排列。所述的各環(huán)型永磁陣列2-1間的徑向充磁元件相互錯開呈螺旋狀排列。所述的高壓靜電場發(fā)射電極4為鈦合金圓管，外表面鍍有鉬層。所述的前絕緣套管11的前端設有錐形分流梭。實施例二一種非Halbach陣列雙重靜態(tài)場水處理器，包括外殼I、永磁裝置2、水處理室3、高壓靜電場發(fā)射電極4和高壓靜電發(fā)生器6，其特征在于所述的外殼I由筒體和兩個端蓋組成；所述的永磁裝置2由5組環(huán)型永磁陣列2-1、非金屬夾具2-2和金屬緊固件2-3組成；所述的水處理室3為圓管狀結構，管內沿軸線通過支承架經絕緣設有一個高壓靜電場發(fā)射電極4 ;高壓靜電發(fā)生器6通過同軸電纜5與高壓靜電場發(fā)射電極4實現電連接；高壓靜電場發(fā)射電極4與水處理室3的內壁之間形成環(huán)形水流通道12 ;所述的水處理室3的兩端分別連接有進口大小頭連接管8和出口大小頭連接管15，永磁裝置2固定在水處理室3的外壁，外殼通過聯接裝置14與水處理室3的外壁密封連接。所述的環(huán)型永磁陣列2-1由8塊方形永磁元件采用非Halbach排布,所有永磁元件的S極朝向內圓周,朝向外圓周的N極用金屬導磁環(huán)連通。所述的各環(huán)型永磁陣列2-1間的徑向充磁元件相互錯開呈螺旋狀排列。所述的高壓靜電場發(fā)射電極4為鈦合金圓管，外表面鍍有鉬層。所述的前絕緣套管11的前端設有錐形分流梭。以上所述實施例，只是本實用新型優(yōu)先選用的兩種實施方式，本領域的技術人員在本實用新型技術方案范圍內進行的通常變化和替換都應包含在本實用新型的保護范圍內。
權利要求1.一種雙重靜態(tài)場水處理器，包括外殼(I)、永磁裝置(2)、水處理室(3)、高壓靜電場發(fā)射電極(4)和高壓靜電發(fā)生器(6)，其特征在于所述的外殼(I)由筒體和2個端蓋組成；所述的永磁裝置(2)由3 5組環(huán)型永磁陣列(2-1)、非金屬夾具(2-2)和金屬緊固件(2-3)組成；所述的水處理室(3)為圓管狀結構，管內沿軸線通過支承架經絕緣設有一個高壓靜電場發(fā)射電極⑷；高壓靜電發(fā)生器(6)通過同軸電纜(5)與高壓靜電場發(fā)射電極(4)實現電連接；高壓靜電場發(fā)射電極(4)與水處理室(3)的內壁之間形成環(huán)形水流通道(12);所述的水處理室(3)的兩端分別連接有進口大小頭連接管(8)和出口大小頭連接管(15)，永磁裝置(2)固定在水處理室(3)的外壁，外殼通過聯接裝置(14)與水處理室(3)的外壁密封連接。
2.如權利要求I所述的一種雙重靜態(tài)場水處理器，其特征在于所述的環(huán)型永磁陣列(2-1)由8 24塊扇形、梯形或方形永磁元件排布而成。
3.如權利要求I或2所述的一種雙重靜態(tài)場水處理器，其特征在于所述的環(huán)型永磁陣列(2-1)采用Halbach排布時，永磁元件的充磁方向是徑向和切線方向交替排列，徑向排列的永磁元件的充磁方向內外交替排列，切線排列的永磁元件的充磁方向順旋逆旋交替排列；采用非Halbach排布時,所有永磁元件的S極朝向內圓周，朝向外圓周的N極用金屬導磁環(huán)連通。
4.如權利要求I所述的一種雙重靜態(tài)場水處理器，其特征在于所述的各環(huán)型永磁陣列(2-1)間的徑向充磁元件相互錯開呈螺旋狀排列。
5.如權利要求I所述的一種雙重靜態(tài)場水處理器，其特征在于所述的高壓靜電場發(fā)射電極(4)為鈦或鈦合金圓管，外表面鍍有鉬層或釕層。
6.如權利要求I所述的一種雙重靜態(tài)場水處理器，其特征在于所述的前絕緣套管(11)的前端設有錐形分流梭。
專利摘要本實用新型公開了一種雙重靜態(tài)場水處理器，包括外殼、永磁裝置、水處理室、高壓靜電場發(fā)射電極和高壓靜電發(fā)生器，其特征在于所述的外殼由筒體和兩個端蓋組成；所述的永磁裝置由3～5組環(huán)型永磁陣列、非金屬夾具和金屬緊固件組成；所述的水處理室為圓管狀結構，管內沿軸線通過支承架經絕緣設有一個高壓靜電場發(fā)射電極；高壓靜電場發(fā)射電極與水處理室的內壁之間形成環(huán)形水流通道；所述的水處理室的兩端分別連接有進出口大小頭連接管；永磁裝置固定在水處理室的外壁，外殼通過聯接裝置與水處理室的外壁密封連接。它將高強度的靜態(tài)磁場和靜態(tài)電場同時施加于環(huán)形水流通道，能使水流得到充分的作用，發(fā)生顯著的有益變化，特別適用于飲用水的處理。
文檔編號C02F1/48GK202717619SQ201220403028
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權日2012年8月15日
發(fā)明者羅子凌 申請人:羅子凌