利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，高梯度磁處理器與電源裝置電連接，所述高梯度磁處理器內(nèi)部填充有高磁化率的填料，填料分布于高梯度磁處理器內(nèi)交替排列的陰離子交換膜和陽離子交換膜之間，所述電源裝置包括太陽能電池方陣、控制器、蓄電池組、逆變器、變壓器以及調(diào)頻電源，太陽能電池方陣的輸出端與控制器的輸入端電連接，控制器的輸出端與逆變器的輸入端電連接，逆變器的輸出端與變壓器的輸入端連接，變壓器的輸出端與調(diào)頻電源的輸入端電連接，所述蓄電池組與控制器電連接。本發(fā)明利用太陽能為動力、結(jié)合高梯度磁場強(qiáng)化的電滲析裝置，能夠提高分離效果、節(jié)省電能、減輕有機(jī)物和微生物造成的膜污染、阻垢效果好。
【專利說明】利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于從水溶液中脫除鹽的電滲析裝置，具體涉及一種利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]電滲析(eletrodialysis，簡稱ED)技術(shù)是膜分離技術(shù)的一種，它將陰、陽離子交換膜交替排列于正負(fù)電極之間，并用特制的隔板將其隔開，組成除鹽(淡化)和濃縮兩個系統(tǒng)，在直流電場作用下，以電位差為動力，利用離子交換膜的選擇透過性，把電解質(zhì)從溶液中分離出來，從而實(shí)現(xiàn)溶液的濃縮、淡化、精制和提純。電滲析主要應(yīng)用于苦咸水和海水淡化、工業(yè)廢水脫鹽等。
[0003]早在上世紀(jì)80年代初，電滲析法就被運(yùn)用于西沙群島海水淡化工程，以解決海島的飲水問題。但是，由于當(dāng)時(shí)淡化級數(shù)多、耗電量大，導(dǎo)致制水成本過高，電滲析法逐漸被低能耗的反滲透法海水淡化技術(shù)取代。近年來，電滲析膜組器研制取得重大進(jìn)展，每噸海水淡化的耗電量低于8度，耗電量較之前的技術(shù)降低了近50%。在海水淡化的同時(shí)，還可以進(jìn)行海水濃縮制鹽，對海水與電能進(jìn)行有效利用，進(jìn)一步達(dá)到節(jié)能降耗的要求。此外，電滲析法海水淡化還具有設(shè)備簡單、維護(hù)方便、膜壽命長、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，在一定程度上能減少廢料的產(chǎn)生。然而，電滲析在實(shí)際使用過程中仍存在較多問題。電滲析對進(jìn)水水質(zhì)要求很嚴(yán)格，包括濁度、懸浮物、有機(jī)物等，以防止堵塞水路、造成膜污染，導(dǎo)致設(shè)備工作效率下降，產(chǎn)水率降低；運(yùn)行過程中陰極和膜上容易結(jié)垢，從而影響出水水質(zhì)，并縮短設(shè)備使用壽命；盡管耗電量已大幅下降，但其能耗仍較高。
[0004]中國專利CN1359857A和CNl526654A提出了一種磁電滲析處理水的方法和裝備，其主要原理是在電滲析處理水的空間內(nèi)增加一個與水流方向和電流方向平行、能使水中陰陽離子定向偏移的靜磁場，靜磁場通過反應(yīng)器殼壁上貼合的永磁鐵產(chǎn)生，能夠一定程度上降低電耗、阻止結(jié)垢。中國專利CN103073096A也提出了一種磁電滲析處理水的方法和裝置，其主要原理是電滲析處理水的空間內(nèi)增加一個與直流電場和水流方向垂直的可控磁場，通過控制電場和磁場強(qiáng)度，延長帶電離子在電滲析器中的停留時(shí)間，提高分離效率。上述三項(xiàng)發(fā)明專利雖然利用磁場強(qiáng)化了電滲析的處理效率，在一定程度上降低了能耗并阻止結(jié)垢，但節(jié)能效果有限，且無法有效阻止有機(jī)物和微生物造成的膜污染。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，本發(fā)明能夠提高分離效果、節(jié)省電能、減輕有機(jī)物和微生物造成的膜污染、阻垢效果好。
[0006]利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，包括高梯度磁處理器以及電源裝置，高梯度磁處理器與電源裝置電連接，其特征在于:所述高梯度磁處理器內(nèi)部填充有高磁化率的填料，填料分布于高梯度磁處理器內(nèi)交替排列的陰離子交換膜和陽離子交換膜之間，所述電源裝置包括太陽能電池方陣、控制器、蓄電池組、逆變器、變壓器以及調(diào)頻電源，太陽能電池方陣的輸出端與控制器的輸入端電連接，控制器的輸出端與逆變器的輸入端電連接，逆變器的輸出端與變壓器的輸入端連接，變壓器的輸出端與調(diào)頻電源的輸入端電連接，所述蓄電池組與控制器電連接。
[0007]優(yōu)選地，所述填料為不銹鋼鋼毛，或者為海綿狀金屬，或者為纖維狀鐵磁性非晶質(zhì)
I=1-Wl 。
[0008]優(yōu)選地，填料的填充率占高梯度磁處理器內(nèi)部空間的6-10%，磁化流速為4_5mm/s，高梯度磁處理器的磁場強(qiáng)度為53-79mT，調(diào)頻電源的頻率為5Hz，調(diào)頻電源的電壓為320-470V，調(diào)頻電源的輸出電流為2.7-4.2A。
[0009]優(yōu)選地，所述電源裝置還包括一個防反充二極管，該防反充二極管連接于太陽能電池方陣與控制器之間。
[0010]優(yōu)選地，所述太陽能電池方陣由若干個太陽能電池組成，太陽能電池包括透明殼體、至少兩個硅太陽電池、互連條、粘結(jié)劑、下底板以及兩個電極連接柱，相鄰兩個硅太陽電池之間通過互連條連接后，由粘結(jié)劑固定于透明殼體內(nèi)，下底板固定在玻璃殼體的開口處，所述電極連接柱固定在下底板上，位于個端部的硅太陽電池分別與電極連接柱連接。
[0011]更優(yōu)選地，所述透明殼體采用鋼化玻璃，或者聚丙烯酸類樹脂，或者氟化乙烯丙烯，或者透明聚酯，聚碳酸脂材料制成。
[0012]優(yōu)選地，所述太陽能電池方陣由若干個太陽能電池組成，太陽能電池包括透明蓋板、盒式下底板、至少兩個硅太陽電池、互連條、粘結(jié)劑、電極引線，透明蓋板固定在盒式下底板的口部，相鄰兩個硅太陽電池之間通過互連條連接后，由粘結(jié)劑固定于盒式下底板內(nèi)，所述電極引線的一端與硅太陽電池連接，電極引線的另一端從盒式下底板上設(shè)置的孔引出。
[0013]更優(yōu)選地，盒式下底板采用鋼化玻璃，或者鋁合金，或者有機(jī)玻璃，或者TPT材料制成。
[0014]優(yōu)選地，所述高梯度磁處理器底部安裝有曝氣裝置。
[0015]更優(yōu)選地，所述曝氣裝置為微孔曝氣管、穿孔管曝氣器。
[0016]本發(fā)明的原理為:(1)高梯度磁處理器內(nèi)部填充了磁化率很高的填料，在電磁鐵形成的高強(qiáng)磁場作用下，磁力線集中從填料中通過，在填料表面附近的磁力線密度衰減，從而形成高梯度磁場。高梯度磁場引起水中鹽類分子或離子的磁性力偶的磁滯效應(yīng)，因而改變了鹽類在水中的溶解性，同時(shí)使鹽類分子相互間的親和性(結(jié)晶性)消失，防止大晶體的結(jié)晶，避免在離子交換膜面沉積結(jié)垢；高梯度磁場導(dǎo)致微生物生存環(huán)境的突發(fā)改變，造成微生物周圍環(huán)境及體內(nèi)離子、電子傳遞速度變化，微生物的酶鈍化或失活，部分微生物被殺滅；(2)在高梯度磁場作用下，氧氣與水反應(yīng)產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化性的H2O2，能夠氧化部分有機(jī)物并殺滅部分微生物；(3)太陽能經(jīng)過太陽能直流發(fā)電系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，為高梯度磁處理器供電，?jié)省能源。(4)高梯度磁處理器底部裝有曝氣裝置，在反應(yīng)器運(yùn)行過程中進(jìn)行曝氣，在高梯度磁場作用下，生成更多地具有強(qiáng)氧化性的H2O2，提高殺滅微生物的效率。
[0017]本發(fā)明的技術(shù)效果為:在水處理過程中，由于殺滅微生物的效率獲得了提高，因此，防止了堵塞水路、避免了高梯度磁處理器的膜污染以及結(jié)垢，設(shè)備工作效率和產(chǎn)水率獲得提高，延長了設(shè)備使用壽命。由于采用了太陽能發(fā)電并向高梯度磁處理器供電，因此，用電成本得到了降低。本發(fā)明特別適用于在海水和苦咸水淡化、工業(yè)廢水脫鹽等水處理領(lǐng)域。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為電源裝置的方框圖；
[0020]圖3為本發(fā)明中第一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明中第二種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；

【具體實(shí)施方式】
[0022]參照圖1和圖2，本發(fā)明的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，包括高梯度磁處理器I以及電源裝置2，高梯度磁處理器I與電源裝置2電連接。所述高梯度磁處理器內(nèi)部填充有高磁化率的填料3，填料3分布于高梯度磁處理器內(nèi)交替排列的陰離子交換膜和陽離子交換膜之間，所述填料為不銹鋼鋼毛，或者為海綿狀金屬，或者為纖維狀鐵磁性非晶質(zhì)合金。填料的填充率占高梯度磁處理器內(nèi)部空間的6-10%。本發(fā)明中，填料的填充率占高梯度磁處理器內(nèi)部空間的7%。所述高梯度磁處理器底部安裝有曝氣裝置(圖中未示出)，所述曝氣裝置為微孔曝氣管、穿孔管曝氣器。所述電源裝置2包括太陽能電池方陣21、控制器22、蓄電池組23、逆變器24、變壓器25以及調(diào)頻電源26，太陽能電池方陣21的輸出端與控制器22的輸入端電連接，控制器22的輸出端與逆變器24的輸入端電連接，逆變器24的輸出端與變壓器25的輸入端連接，變壓器25的輸出端與調(diào)頻電源的輸入端電連接，所述蓄電池組23與控制器電連接。所述電源裝置還包括一個防反充二極管27，該防反充二極管27連接于太陽能電池方陣21與控制器22之間?？刂破?2由單片機(jī)和傳感器組成，在單片機(jī)內(nèi)預(yù)置了相應(yīng)程序后，該單片機(jī)可以完成以下功能:
[0023]檢測發(fā)電系統(tǒng)中各個單元的狀況和參數(shù)，對系統(tǒng)進(jìn)行判斷、控制、保護(hù)等提供依據(jù)。檢測的物理量包括輸入電壓、充電電流、輸出電壓、輸出電流及蓄電池溫升等。根據(jù)當(dāng)前太陽能資源情況和蓄電池荷電狀態(tài)，確定最佳充電方式，實(shí)現(xiàn)高效、快速充電，并充分考慮充電方式對蓄電池壽命的影響。對蓄電池放電過程進(jìn)行管理，如負(fù)載控制自動開關(guān)機(jī)、實(shí)現(xiàn)軟啟動、防止負(fù)載接入時(shí)蓄電池組電壓突降而導(dǎo)致的錯誤保護(hù)。
[0024]如圖3，太陽能電池方陣21由若干個太陽能電池組成，太陽能電池21包括透明殼體30、至少兩個硅太陽電池31、互連條32、粘結(jié)劑33、下底板35以及兩個電極連接柱36。相鄰兩個硅太陽電池31之間通過互連條32連接后，由粘結(jié)劑33固定于透明殼體34內(nèi)，硅太陽電池31至少分為兩層，每一層的兩個相鄰硅太陽電池31有間隙，上層與下層之間互相來填補(bǔ)這些間隙，使得硅太陽電池整體有效受光面積受得增加，以利于提升硅太陽電池的發(fā)電量。本發(fā)明的粘結(jié)劑33可以采用硅橡膠、氟化乙烯丙烯、聚乙烯醇縮丁醛、透明雙氧樹月旨、聚醋酸乙烯。本發(fā)明的粘結(jié)劑33在可見光范圍內(nèi)具有高透光性以及彈性，以及具有良好的電絕緣性能。透明殼體30采用鋼化玻璃，或者聚丙烯酸類樹脂，或者氟化乙烯丙烯，或者透明聚酯，聚碳酸脂材料制成。下底板35固定在玻璃殼體30的開口處，具體是，下底板35上設(shè)有插孔，透明殼體34的端部設(shè)有連接柱，連接柱插入到下底板35的插孔中，再采用密封膠34對兩者的接合處進(jìn)行密封。下底板35采用鋼化玻璃、鋁合金、有機(jī)玻璃或者TPT復(fù)合膜制成，本發(fā)明的下底板35具有良好的耐氣候性能，隨溫度的變化而不起任何變化。在下底板35的上表面粘有一層反射膜37，該反射膜37可以是銀反射膜，當(dāng)太陽光經(jīng)過硅太陽電池31首次吸收后，沒有被吸收的太陽能光線經(jīng)反射膜37反射回來，再次供硅太陽電池31吸收，這樣有利于提高硅太陽電池31的發(fā)電量。據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)，本發(fā)明中的經(jīng)過結(jié)構(gòu)改造的太陽能電池方陣21的發(fā)電量可以提升20-30%。所述電極連接柱36固定在下底板35上，位于個端部的硅太陽電池31分別與電極連接柱36連接。
[0025]如圖4，所述太陽能電池方陣21由若干個太陽能電池組成，太陽能電池包括透明蓋板30、盒式下底板31、至少兩個硅太陽電池32、互連條33、粘結(jié)劑35、電極引線36。透明蓋板30固定在盒式下底板31的口部，透明蓋板30采用鋼化玻璃，或者聚丙烯酸類樹脂，或者氟化乙烯丙烯，或者透明聚酯，聚碳酸脂材料制成。本發(fā)明的透明蓋板30具有透光率高、堅(jiān)固且長期保護(hù)電池的優(yōu)點(diǎn)。盒式下底板31采用鋼化玻璃，或者鋁合金，或者有機(jī)玻璃，或者TPT材料制成。本發(fā)明的盒式下底板31具有良好的耐氣候性能，隨溫度的變化而不起任何變化。透明蓋板30固定在盒式下底板31上部的開口處，具體是，透明蓋板30上設(shè)有插孔，盒式下底板31上端的端部設(shè)有連接柱，連接柱插入到透明蓋板30的插孔中，再采用密封膠34對兩者的接合處進(jìn)行密封。相鄰兩個硅太陽電池32之間通過互連條33連接后，由粘結(jié)劑35固定于盒式下底板31內(nèi)。硅太陽電池至少分為兩層，每一層的兩個相鄰硅太陽電池有間隙，上層與下層之間互相來填補(bǔ)這些間隙，使得硅太陽電池整體有效受光面積受得增加，以利于提升硅太陽電池的發(fā)電量。本發(fā)明的粘結(jié)劑35可以采用硅橡膠、氟化乙烯丙烯、聚乙烯醇縮丁醛、透明雙氧樹脂、聚醋酸乙烯。本發(fā)明的粘結(jié)劑35在可見光范圍內(nèi)具有高透光性以及彈性，以及具有良好的電絕緣性能。所述電極引線36的一端與硅太陽電池連接，電極引線36的另一端從盒式下底板31上設(shè)置的孔引出。在盒式下底板315的上表面粘有一層反射膜37，該反射膜37可以是銀反射膜，當(dāng)太陽光經(jīng)過硅太陽電池32首次吸收后，沒有被吸收的太陽能光線經(jīng)反射膜37反射回來，再次供硅太陽電池32吸收，這樣有利于提高硅太陽電池32的發(fā)電量。據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)，本發(fā)明中的經(jīng)過結(jié)構(gòu)改造的太陽能電池方陣21的發(fā)電量可以提升20-3 0%。盒式下底板31上的孔壁與電極引線36之間填充有密封膠34。
[0026]上述兩種電池方陣中所使用的密封膠的組成及重量百分比為:室溫硫化甲基硅橡膠50-70份；增塑劑5-30份；復(fù)合阻燃填料2-100份；基礎(chǔ)填料35-45份；固化劑10-17份；偶聯(lián)劑5-8份；色漿2-3份。前述配比中，其中，增塑劑為氫化礦物油、甲基硅油、苯基硅油的羥基硅油中的一種或一種以上的組合。復(fù)合阻燃填料為氫氧化鎂和氫氧化鋁混合后經(jīng)化學(xué)共沉淀法制備而得，分子式為6Mg(0H) 2.Al (OH) 3.4.5H20?；A(chǔ)填料為納米級的碳酸鈣和鈦白粉的混合物，在該混合物中，碳酸鈣的重量百分比為70%，鈦白粉30%。固化劑采用的硅烷交聯(lián)劑。偶聯(lián)劑采用的是ND42。色漿為鈦白粉和基本色料額混合物，在該混合物中，鈦白粉的重量百分比為20%，基本色料為80%，基本色料是有機(jī)色料?；A(chǔ)填料的加入使密封膠相對密度增加，介質(zhì)及收縮率等都會有所改善，有利于抗紫外線的照射，提高密封膠的耐老化性能，并且基礎(chǔ)填料的合理使用和配比將其拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長率有較大的影響。阻燃填料的加入，使密封膠具有優(yōu)異的阻燃性能。密封膠整體具有固化速度快，提高了光伏組件的生產(chǎn)效率；本發(fā)明的附著力好，且不會對光伏組件造成腐蝕。
[0027]利用本發(fā)明的裝置對取自煉鐵廠循環(huán)冷卻水進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，原冷卻水的電導(dǎo)率為117(^8/?11、？!1值為8.65、濁度為25.21^/1、0)0(化學(xué)需氧量)為44.2mg/L。實(shí)驗(yàn)過程中裝置的參數(shù)值為:磁化流速為4-5mm/s，高梯度磁處理器的磁場強(qiáng)度為53_79mT，調(diào)頻電源的頻率為5Hz，調(diào)頻電源的電壓為320-470V，調(diào)頻電源的輸出電流為2.7-4.2A。
[0028]當(dāng)冷卻水溫度升高，水中溶解的鹽類被濃縮，其結(jié)垢趨勢上升；磁處理后水體的電導(dǎo)率明顯增加，說明溶液中自由離子的濃度在高梯度磁場作用后增加了，抑制了結(jié)晶的形成而減緩了結(jié)垢的產(chǎn)生。原冷卻水的PH值為8.65，呈弱堿性，冷卻水在循環(huán)過程中，由于水中溶解的CO2，使pH值略有升高；磁處理后pH值降到了 8.5以下，保持了 pH的穩(wěn)定。冷卻水在循環(huán)過程中，濁度和COD會因外界的污染而增大，水質(zhì)的改變還會產(chǎn)生金屬管道的腐蝕和藻類及細(xì)菌繁殖的現(xiàn)象。經(jīng)本發(fā)明的磁處理后冷卻水的濁度和COD都有了較大幅度的去除，從而穩(wěn)定并改善了水質(zhì)。
【權(quán)利要求】
1.利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，包括高梯度磁處理器以及電源裝置，高梯度磁處理器與電源裝置電連接，其特征在于:所述高梯度磁處理器內(nèi)部填充有高磁化率的填料，填料分布于高梯度磁處理器內(nèi)交替排列的陰離子交換膜和陽離子交換膜之間，所述電源裝置包括太陽能電池方陣、控制器、蓄電池組、逆變器、變壓器以及調(diào)頻電源，太陽能電池方陣的輸出端與控制器的輸入端電連接，控制器的輸出端與逆變器的輸入端電連接，逆變器的輸出端與變壓器的輸入端連接，變壓器的輸出端與調(diào)頻電源的輸入端電連接，所述蓄電池組與控制器電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述填料為不銹鋼鋼毛，或者為海綿狀金屬，或者為纖維狀鐵磁性非晶質(zhì)合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:填料的填充率占高梯度磁處理器內(nèi)部空間的6-10%，磁化流速為4-5mm/s，高梯度磁處理器的磁場強(qiáng)度為53-79mT，調(diào)頻電源的頻率為5Hz，調(diào)頻電源的電壓為320-470V，調(diào)頻電源的輸出電流為2.7-4.2A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述電源裝置還包括一個防反充二極管，該防反充二極管連接于太陽能電池方陣與控制器之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述太陽能電池方陣由若干個太陽能電池組成，太陽能電池包括透明殼體、至少兩個硅太陽電池、互連條、粘結(jié)劑、下底板以及兩個電極連接柱，相鄰兩個硅太陽電池之間通過互連條連接后，由粘結(jié)劑固定于透明殼體內(nèi)，下底板固定在玻璃殼體的開口處，所述電極連接柱固定在下底板上， 位于個端部的硅太陽電池分別與電極連接柱連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述透明殼體采用鋼化玻璃，或者聚丙烯酸類樹脂，或者氟化乙烯丙烯，或者透明聚酯，聚碳酸脂材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述太陽能電池方陣由若干個太陽能電池組成，太陽能電池包括透明蓋板、盒式下底板、至少兩個硅太陽電池、互連條、粘結(jié)劑、電極引線，透明蓋板固定在盒式下底板的口部，相鄰兩個硅太陽電池之間通過互連條連接后，由粘結(jié)劑固定于盒式下底板內(nèi)，所述電極引線的一端與硅太陽電池連接，電極引線的另一端從盒式下底板上設(shè)置的孔引出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:盒式下底板采用鋼化玻璃，或者招合金，或者有機(jī)玻璃，或者TPT材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述高梯度磁處理器底部安裝有曝氣裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的利用太陽能以及磁場強(qiáng)化的電滲析水處理裝置，其特征在于:所述曝氣裝置為微孔曝氣管、穿孔管曝氣器。
【文檔編號】C02F1/469GK104071875SQ201410315159
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】許柯, 任洪強(qiáng), 耿金菊, 丁麗麗 申請人:南京大學(xué)