專利名稱：通過外延形成半導體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及微細加工技術(shù)，更特別地涉及制造MEMS器件的方法。
背景技術(shù)：
微機械加工及其他微細加工技術(shù)及方法的進步已允許廣泛范圍的微機電系統(tǒng)(MEMS)及器件的制造。這些包括運動轉(zhuǎn)子、齒輪、開關(guān)、加速度計、小型化傳感器、傳動系統(tǒng)，以及其他這種結(jié)構(gòu)。
一種形成MEMS器件的流行方法利用稱為絕緣體上硅(SOI)晶片的改良晶片。SOI晶片基本上是其上布置有二氧化硅犧牲層并在犧牲層上布置有活性單晶硅膜的硅晶片。
制造在SOI晶片上的MEMS器件具有許多優(yōu)點。在這種晶片上的MEMS器件的形成在具有非常高的機械品質(zhì)的單晶硅中發(fā)生。因此，器件的部件可以制成具有高的厚度并固有地具有低的機械應力。此外，因為器件的部件用單晶硅制造，器件可以容易地與CMOS器件及其他這種結(jié)構(gòu)集成。
在MEMS器件的加工中，經(jīng)常需要形成與為MEMS結(jié)構(gòu)提供支撐的處理晶片的電接觸。一種做這件事情的方法涉及使用薄的外延層以選擇性地刻蝕器件層和犧牲層。然后器件硅可以在暴露的襯底上生長至所需的厚度。但是，作為外延生長過程中缺陷傳播的結(jié)果，該方法典型地導致不平整表面。不平整表面是不希望的，因為通常用來洗印器件上的表面特性的細線平板印刷術(shù)已限制深度聚焦。
在MEMS器件的制造及使用過程中遇到的另一個問題涉及靜摩擦。靜摩擦指的是MEMS器件的運動部件附著相鄰表面的現(xiàn)象。靜摩擦典型地當該部件與相鄰表面之間的表面附著力高于微結(jié)構(gòu)的機械復原力時發(fā)生。這些表面附著力可以起因于毛細管力、靜電吸引，或者直接化學鍵。在MEMS器件例如加速度計中，器件的手指不受到垂直靜摩擦是必須的，因為這可能導致器件不正常工作。不幸地，隨著器件尺寸減小，靜摩擦變得越來越成問題，因此隨著MEMS器件變得越來越靈敏，這已變成待克服的越來越大的障礙。
一種防止靜摩擦的方法是通過在SOI晶片上形成防靜摩擦突起。一種已知的制作防靜摩擦突起的方法涉及包括硅襯底、氧化硅犧牲層及硅器件層的晶片。在器件硅中刻蝕出一系列溝槽以暴露犧牲層。然后犧牲層用氫氟酸橫向刻蝕(這不會刻蝕硅)直到存留犧牲層的一個或多個薄的部分。然后，器件硅和硅襯底用KOH溶液各向同性地刻蝕。因為KOH不會腐蝕犧牲層的材料，犧牲層的存留部分擔當在它下方的硅的掩膜。因此，突起在犧牲層的存留部分連著器件層及連著襯底的地方形成。然后犧牲層的刻蝕可以完成，在襯底和器件層的相對表面上留下一系列突起。雖然該方法在形成防靜摩擦突起時可以相當有效，但濕法刻蝕步驟中的加工偏差經(jīng)常導致不一致的突起或器件厚度，以及隨之發(fā)生的器件性能的變化。
因此本領(lǐng)域中需要一種在襯底上特別是在SOI晶片上制作MEMS結(jié)構(gòu)的方法，其允許在形成與處理晶片的電接觸之后的晶片上的高表面平整度。本領(lǐng)域中也需要一種在MEMS結(jié)構(gòu)中制作防靜摩擦突起并獲得一致的器件厚度的方法。這些及其他需求由這里所公開的并在下文描述的方法學及器件來滿足。

發(fā)明內(nèi)容
在一個方面，一種制造半導體結(jié)構(gòu)的方法在這里提供。根據(jù)該方法，其上布置有犧牲層并在犧牲層上布置有半導體器件層的半導體襯底被提供。然后形成貫穿器件層并進入犧牲層的開口。開口可以僅部分貫穿犧牲層，或者可以完全貫穿犧牲層并暴露襯底的一部分。然后器件層外延生長至適當?shù)钠骷穸?，使得開口被器件層的材料覆蓋，并且使得器件層的表面基本上平滑。優(yōu)選地，器件層被生長，使得開口被器件層的材料填充。外延生長器件層的步驟可以用來形成與襯底接觸并貫穿犧牲層的錨部分，或者它可以用來形成與所述器件層接觸的防靜摩擦突起。
在另一個方面，一種制造半導體結(jié)構(gòu)的方法在這里提供。根據(jù)該方法，一種包括襯底和半導體層并在該襯底及半導體層之間布置有犧牲層的產(chǎn)品被提供。貫穿半導體層和犧牲層并暴露襯底的一部分的至少一個開口在該產(chǎn)品中形成。然后器件層外延地生長，使得所得到的層基本上平整，并且使得形成與襯底接觸并貫穿犧牲層的錨部分。外延生長半導體層的步驟可以涉及在開口中半導體層的橫向和垂直外延生長。然后半導體結(jié)構(gòu)在半導體層中形成，并且犧牲層的至少一部分用腐蝕劑例如含水HF溶液移除，從而釋放該結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，開口的深度與器件層的厚度的比值在大約1至大約10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在大約2至大約5的范圍內(nèi)，并且最優(yōu)選地在大約3至大約4的范圍內(nèi)。
在又一個方面，一種制造具有防靜摩擦突起的半導體結(jié)構(gòu)的方法被提供。根據(jù)該方法，一種包括襯底和半導體層并在該襯底及半導體層之間布置有犧牲層的產(chǎn)品被提供。貫穿半導體層并部分進入犧牲層的至少一個開口在該產(chǎn)品中形成。然后半導體層外延地生長以形成器件層，使得器件層的材料延伸到開口中，從而形成從器件層伸出的突起。外延生長半導體層的步驟可以涉及在開口中半導體層的橫向和垂直外延生長。然后半導體結(jié)構(gòu)在半導體層中形成，并且包含突起的犧牲層的至少一部分用腐蝕劑移除。開口的深度與器件層的厚度的比值優(yōu)選地足夠小，使得器件層具有基本上平整的表面。優(yōu)選地，開口的深度與器件層的厚度的比值在大約1至大約10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在大約2至大約5的范圍內(nèi)，并且最優(yōu)選地在大約3至大約4的范圍內(nèi)。
這些及其他方面在下文中更詳細地描述。


圖1是具有與處理晶片的接觸的MEMS結(jié)構(gòu)的截面示圖； 圖2-5是描繪可以用來制造圖1器件的方法學的實施方案的截面示圖； 圖6是描繪裝配有防靜摩擦突起的具有與處理晶片的接觸的MEMS結(jié)構(gòu)的截面示圖； 圖7-9是描繪可以用來制造圖6器件的方法學的實施方案的截面示圖； 圖10是可以使用這里所描述的方法學制造的加速度計的示具體實施例方式現(xiàn)在已發(fā)現(xiàn)上述及看上去不同的問題可以通過使用外延硅的融合橫向過度生長以形成與處理晶片的電接觸并形成防靜摩擦突起來解決。特別地，已發(fā)現(xiàn)具有與襯底的電接觸并具有高的表面平整度的MEMS結(jié)構(gòu)可以通過利用外延硅的融合橫向過度生長在SOI晶片及其他襯底上制造。在該方法中，起始晶片是其上布置有厚的犧牲層和薄的單晶半導體層(典型地大約0.1至大約0.5微米厚)的硅處理晶片。半導體層被形成小的開口圖案。然后半導體層和犧牲層在這些開口中向下刻蝕至處理硅，其后半導體層在外延反應器中生長至所希望的器件厚度。在生長過程中，硅在開口中及上方垂直及橫向地生長并融合以形成平面層，然后平面層繼續(xù)以平面地形生長。從而通過半導體層中開口的尺寸的適當選擇，可以使橫向生長及垂直生長進行，使得在外延結(jié)束時所得到的晶片高度平整并適合于細線平板印刷術(shù)。
半導體層中開口的尺寸可以選擇，例如考慮所希望的器件層的厚度、橫向外延生長速率，以及犧牲層的厚度，使得將得到高度平整的表面。優(yōu)選地，開口的深度與最終器件層厚度的比值在大約1至大約10，更優(yōu)選地大約2至大約5，并且最優(yōu)選地從大約3至大約4的范圍內(nèi)。并且開口的最小寬度與最終器件層厚度的比值優(yōu)選地在大約0.05至大約2，并且更優(yōu)選地大約0.1至大約1.3的范圍內(nèi)。
比較起來，在典型的現(xiàn)有技術(shù)器件中，開口到襯底的尺寸與器件層的厚度相比是大的。因此，達到這樣的程度以致可以使橫向過度生長和垂直過度生長在用來制造這種現(xiàn)有技術(shù)器件的方法學中發(fā)生，這典型地不會導致足夠平整以便適合于細線平板印刷術(shù)的器件層。此外，在這種器件中的外延鋒線之間的距離導致在開口邊緣處的缺陷的形成，這又不利地影響外延表面的平整性。
也已發(fā)現(xiàn)外延硅和外延多晶硅的融合橫向過度生長可以用來在MEMS器件中形成防靜摩擦突起，而沒有典型地伴隨依靠各向同性硅刻蝕的常規(guī)方法的器件層厚度變化。在融合橫向過度生長的這種應用中，起始晶片典型地是其上布置有厚的犧牲層和薄的單晶半導體層(典型地大約0.1至大約0.5微米厚)的硅處理晶片。半導體層在需要形成突起的地方形成圖案并刻蝕，以形成一系列單獨的規(guī)則分隔的小開口。然后犧牲層被部分刻蝕。從而，例如如果犧牲層的總厚度為大約1微米，部分刻蝕可以到大約0.3至大約0.5微米的深度。當半導體層隨后通過外延生長至所希望的器件厚度時，由于從犧牲層氧化物被暴露的地方的硅的橫向外延生長以及外延多晶硅的垂直及橫向生長，小的開口被填滿，從而導致防靜摩擦突起的形成。在釋放該結(jié)構(gòu)之后，當犧牲層從突起的周圍移除時，防靜摩擦突起防止MEMS器件機械上靈活的元件的垂直靜摩擦。
這里所描述的方法學可以參考圖1-5及圖6-10來理解。在這些圖中描繪的器件是假想的MEMS器件，其相關(guān)特性合并在單個橫截面中，使得關(guān)于這些特性的每個加工步驟的效果將從單個圖中明白。但是，應當明白在實際的MEMS器件中，這些特性可以不在器件的任何單個橫截面中全部出現(xiàn)。這一點可以參考圖11進一步認識，其說明可以根據(jù)這里所描述的方法學制造的實際MEMS器件的設計。
圖1說明可以使用外延硅的融合橫向過度生長來制造以形成與處理晶片的電接觸的MEMS器件100的一種實施方案。器件在包括硅處理晶片101及犧牲層103的襯底上形成，并具有錨部分133和懸掛部分135。所描繪的特定器件中的錨部分裝備有形成與處理晶片101的電接觸的多個錨109。器件具有外延生長的器件層111，并裝備有不能穿透物質(zhì)區(qū)(proof mass area)143、至少一個運動手指139、至少一個固定手指141，以及彈性懸臂137。該結(jié)構(gòu)的釋放通過形成經(jīng)過垂直溝槽117，119，121，123，125，127，129及131的水平溝槽142來實現(xiàn)。
圖2-5說明可以用來獲得圖1中所描繪的結(jié)構(gòu)的方法學。如圖2中所示，該方法以包括其上布置有二氧化硅犧牲層103的硅處理晶片101的SOI晶片開始?；钚詥尉Ч璧谋〉陌雽w層105布置在犧牲層上。在一些實施方案中，薄的保護層(優(yōu)選地氧化層)可以提供在半導體層之上以防止在隨后加工過程中對表面的傷害，在這種情況下該薄的氧化層可以在半導體層生長至最終器件厚度之前移除。
然后晶片如圖3所示被形成圖案并刻蝕，以限定預先確定尺寸的一系列開口107，這些開口貫穿半導體層105和犧牲層103并暴露硅處理晶片101。用來限定開口107的該刻蝕典型地是反應離子刻蝕(RIE)。
如圖4中所示，然后半導體層105進一步外延生長至所希望的器件厚度，在許多應用中大約為20微米。在生長過程中，可以使硅從硅處理晶片在開口107中垂直地生長以及從器件層105垂直和橫向地生長。如果開口具有關(guān)于最終器件厚度的適當尺寸，晶體生長鋒線融合以形成平整表面。然后該表面繼續(xù)以平面地形生長，直到獲得全部器件厚度。因此，通過適當選擇半導體層中開口的尺寸，可以使橫向過度生長及垂直過度生長進行，使得在外延結(jié)束時所得到的晶片非常平整從而很好地適合于平板印刷術(shù)。
圖5描繪在釋放之前的完整結(jié)構(gòu)。深RIE用來形成一系列溝槽117，119，121，123，125，127，129及131，它們貫穿器件層并向下到達犧牲層103，并且它們可以用來限定器件的錨部分133和懸掛部分135。器件的懸掛部分包括彈性懸臂137、固定手指139、運動手指141，以及不能穿透物質(zhì)區(qū)143。然后結(jié)構(gòu)的釋放可以通過途經(jīng)這些溝槽的犧牲層的刻蝕來實現(xiàn)以獲得圖1中所示的結(jié)構(gòu)。該刻蝕可以例如用含水HF溶液來實現(xiàn)。
圖10說明MEMS器件(在該情況下為加速度計)的一種可能設計，其可以使用參考圖2-5描述的方法學來制造，應當明白廣泛范圍的其他設計及器件可用該方法學來實現(xiàn)。器件200具有包括懸掛部分205和錨部分207的不能穿透物質(zhì)區(qū)203。錨部分通過多個不能穿透物質(zhì)錨(proof mass anchor)209連著襯底(沒有顯示)。懸掛部分在這里具有多個刻蝕孔211并裝備有多個運動手指213。每個運動手指布置于第一215和第二217固定手指之間，它們分別由第一組219和第二組221錨手指錨定。彈簧223布置于器件的懸掛部分和錨部分之間。
至此，外延硅的融合外延過度生長的現(xiàn)象已被描述，主要是關(guān)于其在形成與處理晶片的電接觸之后在晶片上獲得高的表面平整度中的使用。但是，如先前所提到的，該現(xiàn)象也可以用來形成防靜摩擦突起。
圖6說明可以使用外延硅的融合橫向過度生長來制造以形成防靜摩擦突起的MEMS器件151的一種實施方案。器件在包括硅處理晶片153和犧牲層155的襯底上形成，并具有錨部分159和懸掛部分161。所描繪的特定器件中的錨部分裝備有多個錨163。器件具有外延生長的器件層165，并裝備有不能穿透物質(zhì)區(qū)171、至少一個運動手指173、至少一個固定手指175，以及彈性懸臂177。結(jié)構(gòu)的釋放通過形成經(jīng)過垂直溝槽181，183，185，187，189，191，193及195的水平溝槽來實現(xiàn)。器件被提供有多個防靜摩擦突起197以防止器件的運動元件的靜摩擦。
圖7-10說明可以用來獲得圖6中所示的器件的方法學。如圖7中所示，該方法使用包括硅處理晶片153、二氧化硅犧牲層155，以及薄的單晶半導體層165的SOI晶片。然后晶片被形成圖案并刻蝕，以限定貫穿半導體層165及犧牲層155并為了處理接觸而暴露硅處理的多個第一開口167。用來限定多個第一開口167的刻蝕典型地是反應離子刻蝕(RIE)。優(yōu)選地，開口的深度與最終器件層厚度的比值在大約1至大約10，優(yōu)選地大約2至大約5，并且最優(yōu)選地從大約3至大約4的范圍內(nèi)。并且，開口的最小寬度與最終器件層厚度的比值優(yōu)選地在大約0.05至大約2，并且更優(yōu)選地大約0.1至大約1.3的范圍內(nèi)。
并且多個第二開口166在待形成防靜摩擦突起的地方被形成圖案并刻蝕穿過半導體層并進入犧牲層。優(yōu)選地，該多個第二開口延伸進入犧牲層大約0.5微米。進入犧牲層的該多個第二開口的深度優(yōu)選地在犧牲層的厚度的三分之一到一半之間。這些開口的深度典型地將決定防靜摩擦突起的高度。
如圖8中所示，然后半導體層165通過外延進一步生長至所希望的器件厚度(典型地大約20微米)。防靜摩擦突起197在該方法中通過外延硅(從半導體層165在橫向方向上)和外延多晶硅(從開口166的底部在垂直方向上)的融合生長而形成。因此，犧牲層中的多個第二開口166的尺寸(參見圖7)決定防靜摩擦突起的尺寸。在所說明的特定實施方案中，與襯底電接觸的多個錨163也在該方法中形成。但是，這不是這里所公開的形成防靜摩擦突起的方法學的必要部分。因此，例如錨可以使用常規(guī)的錨形成技術(shù)在與防靜摩擦突起分離的步驟中形成。
同樣地應當認識到，錨可以包括除了外延硅之外的材料。例如，錨可以包括氮化硅。還應當認識到，在一些實施方案中該方法學可以單獨用來形成防靜摩擦突起，從而不會導致任何錨部分的形成。
如圖9中所示，然后晶片被形成圖案并刻蝕，并且RIE用來限定一系列溝槽181，183，185，187，189，191，193及195，它們貫穿半導體層165(外延生長的半導體層在這里稱作器件層)并向下到達犧牲層155。然后該結(jié)構(gòu)用合適的腐蝕劑例如含水的HF溶液來釋放。
多種腐蝕劑可以在這里所描述的方法學中使用。腐蝕劑的選擇將取決于各種因素，例如襯底、犧牲層或半導體層的組成、刻蝕時在產(chǎn)品上存在的部件組成或特性，以及預期刻蝕的選擇性。優(yōu)選地，腐蝕劑是含水HF溶液，雖然腐蝕劑也可以是具有各種濃度的醋酸的HF。這些材料可以用作含水或基于有機溶劑的溶液，并且溶液可以緩存。在一些應用中，汽相HF也可以用來實施半導體結(jié)構(gòu)的釋放。一種在襯底上尤其是在SOI晶片上制造MEMS結(jié)構(gòu)的方法已在這里提供，其允許在形成與處理晶片的電接觸之后晶片上高的表面平整度。一種在MEMS結(jié)構(gòu)中制造防靜摩擦突起并獲得一致器件厚度的方法也已經(jīng)被提供。
本發(fā)明上面的描述是說明性的，而不是限制性的。因此應當認識到，可以不背離本發(fā)明的范圍而對上述實施方案作各種添加、替代和修改。因此，本發(fā)明的范圍應當僅參考附加權(quán)利要求來解釋。
權(quán)利要求
1.一種形成半導體結(jié)構(gòu)的方法，包括步驟提供包括襯底和單晶半導體層并在襯底及半導體層之間布置有犧牲層的產(chǎn)品；形成貫穿半導體層并進入犧牲層的開口；以及將半導體層外延生長至合適的器件厚度，從而形成器件層；其中半導體層被生長，使得所得到的器件層在開口上延伸，并且其中在開口上延伸的器件層部分的表面是單晶硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中器件層被生長，使得開口被器件層的材料填充。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中開口貫穿犧牲層并暴露襯底的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中外延生長器件層的步驟導致與襯底接觸并貫穿犧牲層的錨部分的形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括步驟在器件層中形成半導體結(jié)構(gòu)；以及移除犧牲層的至少一部分，從而釋放半導體結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中移除犧牲層的至少一部分的步驟包括步驟在器件層中形成暴露出犧牲層的一部分的溝槽；以及通過溝槽使犧牲層與腐蝕劑接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中半導體結(jié)構(gòu)包括錨區(qū)域、不能穿透物質(zhì)區(qū)、運動手指，以及固定手指。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中開口僅部分地貫穿犧牲層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中外延生長半導體層的步驟導致在器件層和犧牲層中防靜摩擦突起的形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中器件層的表面基本上是平整的。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括移除犧牲層的一部分的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中開口的深度與器件厚度的比值在大約1至大約10的范圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中開口的深度與器件厚度的比值在大約2至大約5的范圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中開口的深度與器件厚度的比值在大約3至大約4的范圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將半導體層外延生長至合適的器件厚度的步驟涉及在開口中半導體層的橫向和垂直外延生長。
16.一種形成半導體結(jié)構(gòu)的方法，包括步驟提供包括襯底和單晶半導體層并在襯底及半導體層之間布置有犧牲層的產(chǎn)品；形成貫穿半導體層和犧牲層并暴露襯底的一部分的至少一個開口；外延生長半導體層以形成器件層，使得器件層的材料延伸進入開口從而形成與襯底接觸并貫穿犧牲層的錨部分；在半導體層中形成半導體結(jié)構(gòu)；以及用腐蝕劑移除犧牲層的至少一部分，從而釋放半導體結(jié)構(gòu)；其中半導體層被生長，使得所得到的器件層在開口上延伸，并且其中在開口上延伸的器件層部分的表面是單晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中腐蝕劑包括含水HF溶液。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約1至大約10的范圍。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約2至大約5的范圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約3至大約4的范圍。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中外延生長半導體的步驟涉及在開口中半導體層的橫向和垂直外延生長。
22.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所釋放的半導體結(jié)構(gòu)是MEMS結(jié)構(gòu)。
23.一種形成具有防靜摩擦突起的半導體結(jié)構(gòu)的方法，包括步驟提供包括襯底和半導體層并在襯底及半導體層之間布置有犧牲層的產(chǎn)品；形成貫穿半導體層并部分進入犧牲層的至少一個開口；外延生長半導體層以形成器件層，使得器件層的材料延伸進入開口中從而形成從器件層延伸進犧牲層中的突起；在半導體層中形成半導體結(jié)構(gòu)；以及用腐蝕劑移除所述突起周圍的犧牲層的至少一部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中半導體層被生長，使得所得到的器件層在開口上延伸，并且其中在開口上延伸的器件層部分的表面包括單晶硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約1至大約10的范圍。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約2至大約5的范圍。
27.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中開口的深度與器件層的厚度的比值在大約3至大約4的范圍。
28.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中外延生長半導體層的步驟涉及在開口中半導體層的橫向和垂直外延生長。
29.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中所釋放的半導體結(jié)構(gòu)是MEMS結(jié)構(gòu)。
全文摘要
提供一種形成半導體結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)該方法，其上布置有犧牲層(103)并在犧牲層(103)上布置有薄的單晶半導體層(105)的半導體襯底(101)被提供。然后貫穿半導體層(105)并進入犧牲層(103)的開口(107)被形成。然后半導體層(105)外延生長至合適的器件厚度，從而獲得器件層。半導體層被生長，使得所得到的器件層在開口(107)上延伸，并且使得在開口上延伸的器件層部分的表面是單晶硅。
文檔編號B81C1/00GK1732123SQ200380107421
公開日2006年2月8日 申請日期2003年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月23日
發(fā)明者比什努·戈戈伊 申請人:飛思卡爾半導體公司