基于雙層梳齒驅(qū)動(dòng)mems大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及MEMS光調(diào)制器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種MEMS閃耀光柵光調(diào)制器和陣列:所述MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器，采用雙層梳齒驅(qū)動(dòng)，并將雙層梳齒驅(qū)動(dòng)位置布置在光柵鏡面兩端的柔性支撐梁上。使用多個(gè)可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器構(gòu)成陣列時(shí)，每一個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器均可在驅(qū)動(dòng)電路控制下獨(dú)立動(dòng)作，而且每個(gè)光柵鏡面間的間隙很小。本結(jié)構(gòu)使光柵可以向兩側(cè)發(fā)生大角度偏轉(zhuǎn)，具有偏轉(zhuǎn)角大、衍射效率高、調(diào)諧頻率高、防粘附的優(yōu)點(diǎn)。這種光柵光調(diào)制器及其陣列，可應(yīng)用于光譜儀、光通信、精密測(cè)量、激光整形、顯示等領(lǐng)域。
【專利說明】基于雙層梳齒驅(qū)動(dòng)MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及MEMS光調(diào)制器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種MEMS閃耀光柵光調(diào)制器和陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)光柵刻劃成鋸齒形狀的線槽斷面時(shí)，光能量集中于某一光譜級(jí)上。由此方向探測(cè)，可得到最大光譜強(qiáng)度，這種現(xiàn)象便稱為閃耀，這種光柵就是閃耀光柵。在閃耀光柵中，起衍射作用的是一個(gè)光滑的平面，它與光柵表面有一夾角，稱為閃耀角。閃耀光柵具有零級(jí)分光、衍射效率高的特性，所以它的研究就越來越受到人們的關(guān)注。閃耀光柵可應(yīng)用于光譜儀、光通信、精密測(cè)量、激光整形、顯示等領(lǐng)域。
[0003]傳統(tǒng)的閃耀光柵其光器陣列一旦刻劃完成,其光柵參數(shù)就固定了，光柵衍射角度也就不可調(diào)諧。而隨著MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))器件和硅微加工技術(shù)的迅速發(fā)展，各種可調(diào)諧的閃耀光柵隨之產(chǎn)生。這類器件相對(duì)于傳統(tǒng)器件，具有可大批量制造、單位成本低、體積微小、方便靈活、性能可靠等優(yōu)勢(shì)，獲得高速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。它們通過調(diào)諧不同的光柵參數(shù)，達(dá)到改變衍射角度的目的。比如改變閃耀光柵常數(shù)(光柵條的間距)或閃耀光柵角度都可以達(dá)到調(diào)諧目的。典型的例子如西北工業(yè)大學(xué)提出的申請(qǐng)?zhí)枮?00910021322.3的中國(guó)發(fā)明專利中的周期可調(diào)微機(jī)械光柵就是通過調(diào)節(jié)光柵周期也就是光柵常數(shù)的方式。但是，調(diào)諧閃耀光柵常數(shù)的調(diào)制器，因?yàn)槠涔鈻艞l寬固定，所以在調(diào)諧拉開光柵條間距的同時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的空隙，降低了衍射效率。另一類器件，通過調(diào)諧閃耀光柵角度可以得到更高的衍射效率。這類器件又分成兩種類型:閃耀光柵陣列整體旋轉(zhuǎn)型和閃耀光柵陣列中光柵條單獨(dú)旋轉(zhuǎn)型。但是，現(xiàn)有的這兩類器件受限于MEMS加工工藝，其驅(qū)動(dòng)方式大多采用靜電驅(qū)動(dòng)，如西北工業(yè)大學(xué)提出的申請(qǐng)?zhí)枮?01310019811.1的中國(guó)發(fā)明專利中的閃耀角可調(diào)微機(jī)械光柵和重慶大學(xué)提出的申請(qǐng)?zhí)枮?00510020184.9的中國(guó)發(fā)明專利中的懸臂梁式閃耀光柵光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)就是用靜電驅(qū)動(dòng)。由于靜電驅(qū)動(dòng)要求驅(qū)動(dòng)電極和光柵面之間的間距較小才能以小于硅片擊穿電壓產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)效果，并且由于吸合現(xiàn)象使得這個(gè)間距只有約1/3左右的行程可用，所以光柵條轉(zhuǎn)動(dòng)角度都比較小，使得光調(diào)制器調(diào)諧能力受限。同時(shí)靜電扭轉(zhuǎn)光柵條的驅(qū)動(dòng)方式施力點(diǎn)在光柵條正下方，容易造成光柵條在扭轉(zhuǎn)時(shí)受應(yīng)力影響而變形，降低衍射效率。而且靜電下拉光柵條時(shí)，容易由于吸合現(xiàn)象的產(chǎn)生導(dǎo)致光柵條粘附到底面而產(chǎn)生失效。也有使用外加磁場(chǎng)或SMA (形狀記憶合金)驅(qū)動(dòng)的可調(diào)諧閃耀光柵，但驅(qū)動(dòng)方式限制了其調(diào)諧頻率(開關(guān)速度)不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器，可應(yīng)用于光譜儀、光通信、精密測(cè)量、激光整形、顯示等領(lǐng)域。
[0005]發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]本發(fā)明提出的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵，改進(jìn)了閃耀光柵的光學(xué)性能和閃耀光柵的機(jī)械性能，其加工采用體硅加工工藝，主要構(gòu)成如下:
[0007]1.雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵:包括娃襯底以及設(shè)置于娃襯底上的絕緣層，光柵通過彈性懸臂梁懸空支撐于絕緣層上方，主要由梳齒驅(qū)動(dòng)(動(dòng)齒、定齒)、光柵鏡面、柔性梁、2個(gè)柱子、驅(qū)動(dòng)電路組成。其中，光柵鏡面與梳齒的動(dòng)齒連接在一起，然后通過柔性梁與柱子連接，兩個(gè)柱子固定在襯底表面，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)由動(dòng)齒和定齒組成，動(dòng)齒交叉懸浮在定齒上方。
[0008]進(jìn)一步，所述的動(dòng)齒分布在柔性梁兩側(cè)，交叉懸浮在兩側(cè)各自的定齒上方，動(dòng)齒和兩側(cè)各自的定齒上均分別裝設(shè)電極，驅(qū)動(dòng)電路在動(dòng)齒和兩側(cè)定齒間交替施加電壓，使得光柵面可以兩面偏轉(zhuǎn)。
[0009]進(jìn)一步，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)布局在中心的有效衍射光柵面兩端，而且寬度小于光柵帶寬。
[0010]實(shí)現(xiàn)前述雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)可以有很多不同加工工藝，其中一種推薦的加工工藝包括如下步驟:
[0011]I)用深槽反應(yīng)離子刻蝕把掩膜板I覆蓋的地方刻蝕成底部梳齒圖形；
[0012]2)經(jīng)過鍵合、器件層的研磨/拋光、熱氧化后，把硅襯底與頂部硅層連接起來形成SOI晶片；
[0013]3)用自對(duì)準(zhǔn)掩膜板2刻蝕出頂部梳齒圖形，并對(duì)步驟2)中得到的氧化層進(jìn)行刻蝕；
[0014]4)用HF去除自對(duì)準(zhǔn)掩膜板和氧化層。
[0015]5)頂層光柵鏡面濺射蒸鍍鋁或者金作為反射面。
[0016]本發(fā)明還提供所述的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列，所述雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列由至少2個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器并列而成，其中每一個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器均可在驅(qū)動(dòng)電路控制下獨(dú)立動(dòng)作。
[0017]本發(fā)明的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器，它具有MEMS可調(diào)諧的閃耀光柵調(diào)制器可大批量制造、單位成本低、體積微小、方便靈活、性能可靠的優(yōu)點(diǎn)，相比于其它MEMS可調(diào)諧的閃耀光柵調(diào)制器，還具有轉(zhuǎn)動(dòng)角度大、衍射效率高、調(diào)諧頻率高的優(yōu)點(diǎn)。雙層梳齒驅(qū)動(dòng)由于兩側(cè)懸浮的動(dòng)齒交叉分布兩側(cè)定齒上方，可以采用深槽刻蝕工藝得到深寬比較高的梳齒結(jié)構(gòu)，這樣使得梳齒在單側(cè)定齒和動(dòng)齒之間施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，偏轉(zhuǎn)角度就比間隙較小的靜電驅(qū)動(dòng)大，而交替在兩側(cè)定齒和動(dòng)齒之間施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，光柵光調(diào)制器可以兩面偏轉(zhuǎn)使偏轉(zhuǎn)角度加倍，所以具有轉(zhuǎn)動(dòng)角度大、調(diào)諧能力高的優(yōu)點(diǎn)。
[0018]由于偏轉(zhuǎn)角度的增大，可能出現(xiàn)光柵鏡面在偏轉(zhuǎn)后會(huì)與底面產(chǎn)生粘附，可采用在反向側(cè)施加電壓使光柵鏡面偏轉(zhuǎn)恢復(fù)。這樣就避免了靜電驅(qū)動(dòng)中常見的粘附失效問題。
[0019]由于雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)施加力的位置集中在扭轉(zhuǎn)梁上，所以應(yīng)力集中和產(chǎn)生變形的主要地方只有扭轉(zhuǎn)梁，光柵鏡面的有效衍射面上受應(yīng)力影響小，衍射面在扭轉(zhuǎn)時(shí)保持平坦，衍射效率高。雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)布局在中心的有效衍射光柵面兩端，而且寬度小于光柵帶寬，這樣使得在形成光柵陣列時(shí)有效光學(xué)衍射面間隙很小，明顯提高了衍射效率。雙層梳齒驅(qū)動(dòng)方式相對(duì)于SMA、磁力驅(qū)動(dòng)方式能獲得更高的調(diào)諧頻率。
[0020]本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述:
[0022]圖1示出雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2示出雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下將對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0025]參見圖1，本實(shí)施例的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器娃襯底I以及設(shè)置于硅襯底I上的絕緣層2，光柵鏡面3通過扭轉(zhuǎn)梁懸空支撐于絕緣層2上方，所述的扭轉(zhuǎn)梁由動(dòng)齒4和柱子5組成，動(dòng)齒4上設(shè)置電極，動(dòng)齒4的一端通過柱子5固定設(shè)置于絕緣層2上，動(dòng)齒4的另一端與光柵鏡面3固定連接，所述的動(dòng)齒為兩個(gè)，分別與光柵鏡面3的兩端固定連接，動(dòng)齒4與定齒6組成梳齒驅(qū)動(dòng)器，其中定齒6固定于襯底I上，并在上面設(shè)置電極，所述的定齒6共有兩個(gè)，分別與動(dòng)齒4對(duì)應(yīng)，工作時(shí)以襯底I寬度方向?yàn)閄方向正方向，向動(dòng)齒4與定齒6a或者定齒6b在X方向的某一側(cè)之間施加電壓，由于兩個(gè)柱子5是固定的，而且動(dòng)齒和定齒是呈上下空間交錯(cuò)排列的，所以動(dòng)齒不會(huì)往X軸正方向移動(dòng)，而是向下偏轉(zhuǎn)，此時(shí)，光柵鏡面3隨著動(dòng)齒向下偏轉(zhuǎn)而偏轉(zhuǎn)。另外光柵鏡面3的兩端均存在梳齒驅(qū)動(dòng)器，因此可以在梳齒兩邊的其中一邊施加電壓，光柵鏡面3可以向梳齒的兩邊偏轉(zhuǎn)，這樣雙向偏轉(zhuǎn)使得偏轉(zhuǎn)角度比單向偏轉(zhuǎn)增加了一倍。由于偏轉(zhuǎn)角度的增大，可能出現(xiàn)光柵鏡面在偏轉(zhuǎn)后會(huì)與底面產(chǎn)生粘附，可采用在反向側(cè)施加電壓使光柵鏡面偏轉(zhuǎn)恢復(fù)。
[0026]本實(shí)施例的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)參數(shù)如下:
[0027]光柵鏡面長(zhǎng)度500um光柵鏡面寬度160um光柵鏡面高度20um
[0028]梳齒長(zhǎng)度 50um 梳齒寬度 IOum 梳齒高度 20um
[0029]柱子長(zhǎng)度 20um 柱子寬度 20um 柱子聞度 50um
[0030]扭轉(zhuǎn)梁長(zhǎng)度 258um扭轉(zhuǎn)梁寬度 2um 扭轉(zhuǎn)梁高度 20um
[0031]可通過如下方法制作上述雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器:
[0032]I)首先準(zhǔn)備<100>P單晶硅晶片，然后用各向異性深度反應(yīng)離子刻蝕把掩膜板一覆蓋的底部梳齒刻蝕成硅晶片，屏蔽層用的是1.6mm正光刻膠，接觸光刻機(jī)用于處理所有的光刻步驟；
[0033]2)在步驟I)的硅晶片上使用濕法氧化淀積一層厚度為200nm的氮化硅作為絕緣層；
[0034]3)使用各向異性深度反應(yīng)離子刻蝕硅刻蝕機(jī)把覆蓋頂部和底部梳齒圖案的自對(duì)準(zhǔn)掩膜板二刻蝕在頂部硅器件層；
[0035]4)晶片再次在深度反應(yīng)離子刻蝕硅刻蝕機(jī)中刻蝕，為了消除底部梳齒中多余的硅；[0036]5)最后，利用氫氟酸腐蝕掉殘留在底部的氧化物，在光柵的頂層、鏤空處表面以及絕緣層上派射蒸鍍金或招500nm,形成反射面。
[0037]雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器主要用于形成光柵光調(diào)制器陣列，可應(yīng)用于光譜儀、光通信、精密測(cè)量、激光整形、顯示等領(lǐng)域。
[0038]參見圖2，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列由至少2個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器并列而成，還設(shè)置有相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路，使其中每一個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器均可在驅(qū)動(dòng)電路控制下獨(dú)立動(dòng)作，即陣列中的每個(gè)光柵都可以根據(jù)下拉電壓的不同分別向上下偏轉(zhuǎn)到不同的角度。
[0039]光柵光調(diào)制器作為光衍射器件，其平坦度對(duì)其光學(xué)特性有至關(guān)重要的影響，若其平坦度較差，將直接關(guān)系到對(duì)光的開關(guān)調(diào)制效果，提高光學(xué)平坦度在光柵光調(diào)制器設(shè)計(jì)中尤為重要，其表面的不平度差一般要求不超過λ/10，因此可將不平度在λ/10以內(nèi)的光柵面積作為平坦度的衡量指標(biāo)，其中λ為入射光中心波長(zhǎng)。通過仿真表明，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器在偏轉(zhuǎn)時(shí)，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變形的主要地方只有扭轉(zhuǎn)梁，有效衍射面上受應(yīng)力影響小，衍射面在扭轉(zhuǎn)時(shí)保持平坦，平坦度較好，衍射效率高。
[0040]如如西北工業(yè)大學(xué)提出的申請(qǐng)?zhí)枮?01310019811.1的中國(guó)發(fā)明專利中的閃耀角可調(diào)微機(jī)械光柵和重慶大學(xué)提出的申請(qǐng)?zhí)枮?00510020184.9的中國(guó)發(fā)明專利中的懸臂梁式閃耀光柵光調(diào)制器在進(jìn)行光柵下拉過程中只能單面進(jìn)行平動(dòng)，光柵條轉(zhuǎn)動(dòng)角度都比較小，而雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器在偏轉(zhuǎn)時(shí)，由于可以分別向兩級(jí)電極施加電壓，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)使得光柵面可以兩面偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)角度較大。另外，類似懸臂梁式閃耀光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)其驅(qū)動(dòng)方式大多采用靜電驅(qū)動(dòng)。由于靜電驅(qū)動(dòng)要求驅(qū)動(dòng)電極和光柵面之間的間距較小才能以小于硅片擊穿電壓產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)效果，并且由于吸合現(xiàn)象使得這個(gè)間距只有約1/3左右的行程可用，所以光柵條轉(zhuǎn)動(dòng)角度都比較小。而雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器采用深槽刻蝕工藝可以得到深寬比較高的梳齒結(jié)構(gòu)，這種梳齒驅(qū)動(dòng)使得偏轉(zhuǎn)角度也較大，使得光調(diào)制器調(diào)諧能力得到提高。
[0041]改變閃耀光柵常數(shù)(光柵條的間距)或閃耀光柵角度都可以達(dá)到調(diào)諧目的。但是，調(diào)諧閃耀光柵常數(shù)的調(diào)制器，因?yàn)槠涔鈻艞l寬固定，所以在調(diào)諧拉開光柵條間距的同時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的空隙，降低了衍射效率，而雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器由于雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)布局在中心的有效衍射光柵面兩端，而且寬度小于光柵帶寬，這樣使得在形成光柵陣列時(shí)有效光學(xué)衍射面間隙很小，明顯提高了衍射效率。
[0042]驅(qū)動(dòng)電路采用本領(lǐng)域現(xiàn)有的成熟技術(shù)，多采用電壓驅(qū)動(dòng)。根據(jù)不同的陣列要求，采用有源驅(qū)動(dòng)或無源驅(qū)動(dòng)方式。同時(shí)驅(qū)動(dòng)電路的電極引出線可在制作該結(jié)構(gòu)的同時(shí)得到。
[0043]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器其特征在于:包括:包括硅襯底以及設(shè)置于硅襯底上的絕緣層，光柵通過彈性懸臂梁懸空支撐于絕緣層上方，主要由雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)、光柵鏡面、柔性梁、2個(gè)柱子、驅(qū)動(dòng)電路組成；其中，光柵鏡面與梳齒的動(dòng)齒連接在一起，然后通過柔性梁與柱子連接，兩個(gè)柱子固定在襯底表面，雙層梳齒驅(qū)動(dòng)由動(dòng)齒和定齒組成，動(dòng)齒交叉懸浮在定齒上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器，其特征在于:所述的動(dòng)齒分布在柔性梁兩側(cè)，交叉懸浮在兩側(cè)各自的定齒上方，動(dòng)齒和兩側(cè)各自的定齒上均分別裝設(shè)電極，驅(qū)動(dòng)電路在動(dòng)齒和兩側(cè)定齒間交替施加電壓，使得光柵面可以兩面偏轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器，其特征在于:雙層梳齒驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)布局在中心的有效衍射光柵面兩端，而且寬度小于光柵鏡面帶寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列，其特征在于:所述雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器陣列由至少2個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器并列而成，其中每一個(gè)雙層梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS大轉(zhuǎn)角可動(dòng)閃耀光柵光調(diào)制器均可在驅(qū)動(dòng)電路控制下獨(dú)立動(dòng)作。
【文檔編號(hào)】B81B3/00GK103901609SQ201410116359
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月26日
【發(fā)明者】張智海, 張文凱, 路遠(yuǎn), 高玲肖 申請(qǐng)人:重慶大學(xué)