本公開涉及一種具有浮置金屬部分的半導體封裝件及其制造方法。

背景技術：

1、許多應用需要僅被流體包圍和/或能夠相對于靜止元件機械移動的金屬結構。

2、us2015/084139a1公開了用于提供半導體封裝件的精確制造的結構的技術和機制。在一個實施例中，半導體封裝件的堆積載體包括多孔電介質材料。在多孔介電材料上設置籽晶銅和電鍍銅。執(zhí)行后續(xù)蝕刻以移除鄰近多孔介電材料的銅，從而形成將mems結構的懸置部分與多孔介電材料分離的間隙。在另一實施例中，半導體封裝件包括設置在絕緣層的一些部分或氮化硅材料層的一些部分之間的銅結構。氮化硅材料層將絕緣層耦合到另一絕緣層。絕緣層中的一個或兩個層均通過相應的釋放層結構被保護，免于表面去污處理。

3、然而，us2015/084139a1中公開的技術不適用于后段制程(beol)處理。

技術實現(xiàn)思路

1、可能需要一種具有浮置金屬部分的半導體封裝件及一種用于制造適于beol處理的所述封裝件的方法。

2、示例公開一種半導體封裝件，其包括：半導體芯片；包封體，其中所述半導體芯片至少部分地嵌入所述包封體中；金屬結構，形成于所述包封體的外表面上，其中所述金屬結構包括浮置部分，其中所述浮置部分浮置于所述包封體上，其中所述金屬結構與所述半導體芯片電耦合。

3、其它示例公開一種用于制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：提供至少部分嵌入包封體中的半導體芯片；在所述包封體上提供金屬結構；通過在包封體中形成凹陷來形成金屬結構的浮置部分。

技術特征：

1.一種半導體封裝件(1000)，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝件(1000)，

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體封裝件(1000)，其中所述金屬結構(1005、0706)由第一金屬制成，其中所述第一金屬包括以下至少一者：銅cu、鋁al、鎢w、鎳ni、鈀pd、鉑pt。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體封裝件(1000)，其中所述包封體(0102)包括凹陷(1007)，其中所述浮置部分(1005)設置在所述凹陷(1007)上方。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝件(1300)，其中所述凹陷(1307)至少部分地被第二金屬(1308)覆蓋，其中所述第二金屬(1308)不同于所述第一金屬，或者所述第二金屬與所述第一金屬相同。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體封裝件(1300)，其中所述第二金屬(1308)包括以下至少一者：銅cu、鋁al、鎢w、鎳ni、鈀pd、鉑pt。

7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的半導體封裝件(1000)，其中所述金屬結構(0705；1305；1505；1705；1805；1905)是以下至少一者：加熱器(0705)、天線(1305)、揚聲器(1505)、開關、電阻器(1705；1805；1905)、特別是氣體傳感器元件(1705；1805；1905)。

8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的半導體封裝件(1900)，其中所述金屬結構(1905)由蓋(1913)覆蓋。

9.根據(jù)權利要求1到8中任一項所述的半導體封裝件(1900)，其中所述浮置部分(1905)被提供在所述包封體(1901、1902)的凹痕中。

10.根據(jù)權利要求4至9中任一項所述的半導體封裝件(1000)，其中所述凹陷(1007)具有矩形開口、特別是正方形開口，或者所述凹陷具有圓形開口、特別是圓形開口或橢圓形開口。

11.一種用于制造半導體封裝件(1000)、特別是根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的半導體封裝件的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中在所述包封體(0102)上提供所述金屬結構(0705、0706)包括以下至少一項：

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中在所述包封體(0102)上提供所述金屬結構(0705、0706)包括結構化所述第一金屬(0404)。

14.根據(jù)權利要求1至13中任一項所述的方法，其中在所述包封體(0102)中形成凹陷(1007)包括使用激光來去除所述包封體(0102)的一部分。

15.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的方法，其中在所述包封體(0102)中形成凹陷(1007)包括蝕刻所述包封體(0102)的一部分。

技術總結
本公開的示例公開了一種半導體封裝件，其包括：半導體芯片；包封體，其中半導體芯片至少部分地嵌入于包封體中；金屬結構，形成于包封體的外表面上，其中金屬結構包括浮置部分，其中浮置部分浮置于包封體上，其中金屬結構與半導體芯片電耦合。其它示例公開了一種用于制造半導體封裝件的方法，方法包括：提供至少部分嵌入于包封體中的半導體芯片；在包封體上提供金屬結構；通過在包封體中形成凹陷來形成金屬結構的浮置部分。

技術研發(fā)人員：H·托伊斯,張超發(fā),呂志鴻,R·沙勒,蔡國耀,J·凱蒂哈斯,K·C·安德魯·索
受保護的技術使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21