【】本技術(shù)涉及mems(micro-electro-mechanical?system，即微機(jī)電系統(tǒng))，尤其涉及一種mems傳感器。

背景技術(shù)

0、
背景技術(shù)：

1、常見(jiàn)的mems結(jié)構(gòu)使用絕緣體氧化物如氧化硅作為阻擋塊以限制mems運(yùn)動(dòng)，但絕緣體在碰撞過(guò)程中將積累大量電荷并產(chǎn)生靜電力，靜電力將牽引mems傳感器可活動(dòng)部件，進(jìn)而影響元件輸出信號(hào)或造成活動(dòng)部件卡死。

2、請(qǐng)參考圖1所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中一種常見(jiàn)的電容式加速度計(jì)z軸結(jié)構(gòu)的截面圖。

3、其中，蓋帽層110與mems層120通過(guò)第一鍵合層130鍵合固定，鍵合區(qū)域由蓋帽層110的第一連接部112提供。第一鍵合層130通常為氧化物熔融鍵合，但不限于此。

4、襯底層140與mems層120通過(guò)第二鍵合層150鍵合固定，鍵合區(qū)域由mems層120的第二連接部122以及襯底層140上方的金屬層160提供，第二鍵合層150通常為鋁鍺共晶鍵合，但不限于此。

5、mems層120中的錨定結(jié)構(gòu)123同時(shí)連接蓋帽層110，mems層120以及襯底層140，為mems層120提供支撐。

6、mems層120中的正質(zhì)量塊124、負(fù)質(zhì)量塊126通過(guò)mems扭轉(zhuǎn)彈簧127連接至錨定結(jié)構(gòu)123，由于質(zhì)量不對(duì)稱，在元件受到z方向加速度時(shí)，正質(zhì)量塊124和負(fù)質(zhì)量塊126將做蹺蹺板式上下轉(zhuǎn)動(dòng)。

7、金屬層160中的正感應(yīng)電極162和負(fù)感應(yīng)電極164分別位于正質(zhì)量塊124和負(fù)質(zhì)量塊126下方，質(zhì)量塊124、126位移時(shí)，與感應(yīng)電極162、164間距改變，因此感應(yīng)電極162、164與質(zhì)量塊124、126的板間電容變化，從而輸出電信號(hào)，達(dá)到檢測(cè)加速度的目的。

8、氧化硅阻擋塊170位于質(zhì)量塊124、126下方，當(dāng)質(zhì)量塊124、126上下擺動(dòng)時(shí)將與氧化硅阻擋塊170撞擊并限制其位移，防止擺幅過(guò)大造成損傷。但由于氧化硅為絕緣體，過(guò)多的碰撞將積累大量電荷從而產(chǎn)生靜電力，靜電力吸引質(zhì)量塊124、126將造成偏移或卡死，影響元件工作。

9、因此，有必要提出一種新的技術(shù)方案來(lái)解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

0、
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

1、本實(shí)用新型的目的之一在于提供一種mems傳感器，其在蓋帽層上設(shè)置阻擋塊，以替代氧化物阻擋塊，從而在限制mems層中的可活動(dòng)部件位移的同時(shí)避免產(chǎn)生靜電力。

2、根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提供一種mems傳感器，其包括：襯底層；mems層，其位于所述襯底層的一側(cè)表面，所述mems層中形成有mems傳感器結(jié)構(gòu)；蓋帽層，其位于所述mems層遠(yuǎn)離所述襯底層的一側(cè)表面；蓋帽阻擋塊，其位于所述蓋帽層鄰近所述mems層的一側(cè)表面，所述蓋帽阻擋塊與所述mems傳感器結(jié)構(gòu)中的可活動(dòng)部件相互間隔，以對(duì)所述可活動(dòng)部件的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行限位。

3、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在蓋帽層上設(shè)置阻擋塊，以替代氧化物阻擋塊，從而在限制mems層中的可活動(dòng)部件位移的同時(shí)避免產(chǎn)生靜電力。

技術(shù)特征：

1.一種mems傳感器，其特征在于，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems傳感器，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems傳感器，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的mems傳感器，其特征在于，其還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mems傳感器，其特征在于，其還包括金屬層，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems傳感器，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種MEMS傳感器，其包括：襯底層；MEMS層，其位于所述襯底層的一側(cè)表面，所述MEMS層中形成有MEMS傳感器結(jié)構(gòu)；蓋帽層，其位于所述MEMS層遠(yuǎn)離所述襯底層的一側(cè)表面；蓋帽阻擋塊，其位于所述蓋帽層鄰近所述MEMS層的一側(cè)表面，所述蓋帽阻擋塊與所述MEMS傳感器結(jié)構(gòu)中的可活動(dòng)部件相互間隔，以對(duì)所述可活動(dòng)部件的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行限位。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)在蓋帽層設(shè)置阻擋塊，以替代氧化物阻擋塊，從而在限制MEMS層中的可活動(dòng)部件位移的同時(shí)避免產(chǎn)生靜電力。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇云鵬,姜萍,金羊華,儲(chǔ)莉玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美新半導(dǎo)體（紹興）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240327
技術(shù)公布日：2024/12/5