本發(fā)明屬于電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器。
背景技術(shù)：
電解是電流通過物質(zhì)而引起化學(xué)變化的過程?；瘜W(xué)變化是物質(zhì)失去或獲得電子(氧化或還原)的過程。電解過程是在電解池中進行的。電解池是由分別浸沒在含有正、負離子的溶液中的陰、陽兩個電極構(gòu)成。電流流進負電極(陰極)，溶液中帶正電荷的正離子遷移到陰極，并與電子結(jié)合，變成中性的元素或分子；帶負電荷的負離子遷移到另一電極(陽極)，給出電子，變成中性元素或分子。
陰極消耗水電離的h+生成h2，造成陰極周圍堿度升高。由于水離子積常數(shù)只隨溫度變化，整個電解過程溫度基本恒定，oh-濃度升高會導(dǎo)致附近h+濃度下降。同時由于hclo是弱酸，隨著clo-濃度升高，電離常數(shù)恒定的條件下，反應(yīng)逆向進行，也會結(jié)合部分h+。而陰極主要反應(yīng)為h+生成h2和clo-生成cl-兩部分?？傓D(zhuǎn)移電子數(shù)一定的條件下，h+量減少，會導(dǎo)致副反應(yīng)加劇。
目前使用鈦整板無法避免陰極主反應(yīng)和clo-濃度升高造成的堿度升高，使陰極附近可反應(yīng)游離態(tài)h+量減少，副反應(yīng)加劇。同時clo-濃度的升高也會造成副反應(yīng)加劇。所以電解反應(yīng)，次氯酸鈉濃度到達一定值后很難在提升，即使采取加大電流、提升鹽濃度等措施也不會有明顯效果，而且會導(dǎo)致電流效率的大幅降低。
有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器。本發(fā)明技術(shù)方案如下：
一種膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，包括與直流電源正極連接的陽極板和與直流電源負極連接的陰極板，在所述陰極板外設(shè)有化合物涂層，所述化合物涂層覆蓋與陰極板的上端面、下端面和面朝陽極板的內(nèi)側(cè)面。
本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，進一步地，所述陽極板和陰極板之間為具有覆膜功能的電解槽。
本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，進一步地，所述化合物涂層厚度大于陰極板厚度。
本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，進一步地，所述陰極板是由不銹鋼板、鈦板和銅板組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，進一步地，陽極板是由不銹鋼板、鈦板和銅板組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，進一步地，在陰極板外側(cè)面覆蓋有所述化合物涂層。
借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點：
①本發(fā)明通過在電解槽中電解液加入化合物離子，在陰極板外形成化合物涂層的覆蓋層，覆層化合物具有離子選擇性，h+、h2o等小離子小分子可通過，clo-等大離子不能通過，同時可以吸附oh-，降低堿度；
②本發(fā)明裝置可有效削弱電解過程中堿度升高對主反應(yīng)抑制作用以及減免clo-濃度升高造成的副反應(yīng)，其濃度提升效果可達到10％，相應(yīng)也提升了電流效率，本發(fā)明無需對極板進行改裝，功能性參數(shù)如電流、鹽濃度、水流量等參數(shù)無需做特殊性調(diào)整，使用方便。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
附圖說明
圖1是本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中各附圖標(biāo)記的含義如下。
1陽極板2陰極板
3化合物涂層4電解槽
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
如圖1所示，本發(fā)明膜覆蓋陰極次氯酸鈉發(fā)生器，包括與直流電源正極連接的陽極板1和與直流電源負極連接的陰極板2，在所述陰極板2外設(shè)有化合物涂層3，所述化合物涂層3覆蓋與陰極板2的上端面、下端面和面朝陽極板1的內(nèi)側(cè)面。所述化合物涂層3通過在電解液加入化合物離子，即所述陽極板1和陰極板2之間為具有覆膜功能的電解槽4。在陰極板外形成化合物涂層的化合物涂層3，覆層的化合物涂層3具有離子選擇性，h+、h2o等小離子小分子可通過，clo-等大離子不能通過，同時可以吸附oh-，降低堿度，從而可有效削弱電解過程中堿度升高對主反應(yīng)抑制作用以及減免clo-濃度升高造成的副反應(yīng)。
為了進一步地優(yōu)化本發(fā)明減免副反應(yīng)的作用，在本發(fā)明的一種實施方式中，在前述內(nèi)容的基礎(chǔ)上，所述化合物涂層3厚度大于陰極板2厚度。
并且，本發(fā)明所述陰極板2和陽極板1均優(yōu)選是由不銹鋼板、鈦板和銅板組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。具體為鈦板-不銹鋼板-銅板-鈦板的多層結(jié)構(gòu)。更具陰極設(shè)置的位置不同，也可同時在陰極板2外側(cè)面覆蓋有所述化合物涂層3。
由于本發(fā)明通過在電解槽4中電解液加入化合物離子，在陰極板2外形成化合物涂層的覆蓋層，即化合物涂層3?；衔锿繉?上的化合物具有離子選擇性，h+、h2o等小離子小分子可通過，clo-等大離子不能通過，同時可以吸附oh-，降低堿度。由此，本發(fā)明裝置可有效削弱電解過程中堿度升高對主反應(yīng)抑制作用以及減免clo-濃度升高造成的副反應(yīng)，其濃度提升效果可達到10％，相應(yīng)也提升了電流效率，本發(fā)明無需對極板進行改裝，功能性參數(shù)如電流、鹽濃度、水流量等參數(shù)無需做特殊性調(diào)整，使用方便。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。