本發(fā)明屬于發(fā)熱片加工，尤其涉及一種發(fā)熱片的加工方法。

背景技術(shù)：

1、發(fā)熱片是霧化器的重要組成部分，發(fā)熱片的溫度過低可能導致霧化效果變差，溫度過高則可能導致煙油部分物質(zhì)焦糊化從而影響用戶使用體驗。相關(guān)技術(shù)中，發(fā)熱片各個區(qū)域的厚度通常是固定的。電流流經(jīng)發(fā)熱片時，發(fā)熱片中部區(qū)域熱量僅能通過上下表面導熱和相變的方式耗散，邊緣區(qū)域的熱量除了上下表面導出外還能從四周溫度更低的電極引腳導出，使得發(fā)熱片邊緣區(qū)域溫度低，中部區(qū)域溫度高，也即發(fā)熱片的溫度分布不均勻；進而導致提高功率過程中中部區(qū)域的溫度會更快達到臨界值，煙氣出現(xiàn)焦糊味，甚至燒毀發(fā)熱片，霧化效果不夠理想。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種發(fā)熱片的加工方法，旨在解決相關(guān)技術(shù)中發(fā)熱片溫度分布不均勻的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，提供一種發(fā)熱片的加工方法，包括以下步驟：

3、提供一種基材片，并對基材片進行預處理以得到單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的中間體；其中，單位距離大于或等于100um；

4、去除中間體中多余的材料，以得到目標形狀的發(fā)熱片；其中，發(fā)熱片包括發(fā)熱部以及分別連接于發(fā)熱部的相對兩側(cè)的電極，中間體的中部對應(yīng)于發(fā)熱部的中部，發(fā)熱部的中部朝向電極的方向與中間體的平均厚度減小的方向相同。

5、進一步地，基材片為金屬片，預處理過程包括：

6、對金屬片進行蝕刻，以得到表面具有起伏的凹凸結(jié)構(gòu)的中間體；其中，中間體上的凹槽深度自其中部向兩側(cè)逐漸增大。

7、進一步地，當蝕刻的方式為電解蝕刻時，對金屬片進行蝕刻的步驟，包括：

8、在金屬片表面無需蝕刻的區(qū)域覆蓋抗蝕劑，得到形成有待蝕刻區(qū)域的覆蓋體；

9、對待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加；

10、將金屬片上剩余的抗蝕劑除去，得到中間體。

11、進一步地，對待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

12、將覆蓋體固定于移動式電解蝕刻裝置的陽極上，并使待蝕刻區(qū)域與移動式電解蝕刻裝置的陰極正對；

13、通電蝕刻，使得待蝕刻面上形成的凹槽的深度自中部向兩側(cè)逐漸增加，得到與目標蝕刻圖案形狀對應(yīng)的凹槽。

14、進一步地，通電蝕刻的步驟還包括：在通電量相同的情況下，通過調(diào)節(jié)陰極的移動速度來調(diào)節(jié)不同區(qū)域的蝕刻深度，以得到與目標蝕刻圖案形狀對應(yīng)的凹槽。

15、進一步地，用于對金屬片進行蝕刻的電極包括陽極和陰極，陽極的靠近陰極的一側(cè)為平面，陰極到陽極之間的距離自中部向兩側(cè)逐漸減??；對待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

16、將曝光顯影后的金屬片固定于陽極和陰極之間，并使待蝕刻區(qū)域與陰極的靠近陽極的一側(cè)中部正對；

17、對電極通電進行蝕刻，以得到與目標蝕刻圖案形狀對應(yīng)的凹槽。

18、進一步地，用于對金屬片進行蝕刻的電極包括陽極以及平行排布于陽極上方的至少三個陰極；對待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

19、將曝光顯影后的金屬片固定于陽極和陰極之間；

20、根據(jù)電極預設(shè)的占空比控制各陰極分別在待蝕刻區(qū)域的對應(yīng)位置進行蝕刻，以得到與目標蝕刻圖案形狀對應(yīng)的凹槽；占空比為目標陰極的通電時間與所有陰極通電時間總和之間的比值。

21、進一步地，使依次排列的各陰極對應(yīng)的占空比之間呈梯度變化；梯度變化趨勢為先減小后增大。

22、進一步地，對涂有抗蝕劑的金屬片進行曝光、顯影的步驟，包括：

23、對涂有抗蝕劑的金屬片的待蝕刻面進行圖案化曝光，使得待蝕刻面上的未曝光區(qū)域顯示為目標蝕刻圖案；其中，目標蝕刻圖案為圓形、橢圓形、多邊形、長條形、曲線形、折線形中的至少一種，目標蝕刻圖案間隔排布或呈網(wǎng)狀分布；

24、采用預設(shè)的化學試劑洗去未曝光區(qū)域的抗蝕劑，得到覆蓋體。

25、進一步地，對金屬片蝕刻的過程包括：對金屬片進行單面蝕刻，或者，對金屬片進行雙面蝕刻。

26、本發(fā)明中發(fā)熱片的加工方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：通過對基材片進行預處理，得到單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的中間體，按照所需的發(fā)熱片形狀去除中間體中對應(yīng)位置的材料，使得最終得到的發(fā)熱片的發(fā)熱部也具有單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的特性，從而使得發(fā)熱部的發(fā)熱功率表現(xiàn)為自中部向邊緣逐漸升高，能夠減小發(fā)熱部不同區(qū)域的溫度變化差異，有效抵消實際熱損耗，使得發(fā)熱部表面實際溫度分布更加均勻，提高了有效霧化面積占比。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，所述基材片為金屬片，所述預處理過程包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，所述對所述金屬片進行蝕刻的步驟，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，所述對所述待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制所述蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自所述待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，所述通電蝕刻的步驟還包括：在通電量相同的情況下，通過調(diào)節(jié)所述陰極的移動速度來調(diào)節(jié)不同區(qū)域的蝕刻深度，以得到與所述目標蝕刻圖案形狀對應(yīng)的凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，用于對所述金屬片進行蝕刻的電極包括陽極和陰極，所述陽極的靠近所述陰極的一側(cè)為平面，所述陰極到所述陽極之間的距離自中部向兩側(cè)逐漸減?。凰鰧λ龃g刻區(qū)域進行蝕刻，并控制所述蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自所述待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，用于對所述金屬片進行蝕刻的電極包括陽極以及平行排布于所述陽極上方的至少三個陰極；?所述對所述待蝕刻區(qū)域進行蝕刻，并控制所述蝕刻區(qū)域單位距離的蝕刻量自所述待蝕刻區(qū)域的中部向兩側(cè)逐漸增加的步驟，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，使依次排列的各所述陰極對應(yīng)的占空比之間呈梯度變化；梯度變化趨勢為先減小后增大。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，所述對涂有抗蝕劑的所述金屬片進行曝光、顯影的步驟，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)熱片的加工方法，其特征在于，對所述金屬片蝕刻的過程包括：對所述金屬片進行單面蝕刻，或者，對所述金屬片進行雙面蝕刻。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種發(fā)熱片的加工方法，包括：提供一種基材片，并對基材片進行預處理以得到單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的中間體；其中，單位距離大于或等于100um；去除中間體中多余的材料，以得到目標形狀的發(fā)熱片。本申請通過對基材片進行預處理，得到單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的中間體；按照所需的發(fā)熱片形狀去除中間體中對應(yīng)位置的材料，使得最終得到的發(fā)熱片的發(fā)熱部也具有單位距離的平均厚度自其中部向兩側(cè)逐漸減小的特性，從而使得發(fā)熱部的發(fā)熱功率表現(xiàn)為自中部向邊緣逐漸升高，能夠減小發(fā)熱部不同區(qū)域的溫度變化差異，有效抵消實際熱損耗，使得發(fā)熱部表面實際溫度分布更加均勻，提高了有效霧化面積占比。

技術(shù)研發(fā)人員：吳偉,楊威
受保護的技術(shù)使用者：深圳市卓力能技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19