基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，包括以下步驟：步驟一、施工豎井，并在所述豎井下端部側(cè)向開(kāi)馬頭門，同時(shí)沿所述馬頭門開(kāi)挖橫通道；步驟二、在所述橫通道內(nèi)設(shè)置二襯結(jié)構(gòu)至所述橫通道的頂拱拱腳處，在所述頂拱拱腳處水平設(shè)置有二襯頂板，往所述二襯頂板與所述拱頂圍合形成的拱頂腔體內(nèi)回填混凝土；步驟三、根據(jù)設(shè)計(jì)要求，在所述二襯頂板上方預(yù)留上蓋物業(yè)基坑的圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件；步驟四、完成所述橫通道的其他區(qū)間施工工作。本發(fā)明可先期施工地下區(qū)間結(jié)構(gòu)，而不必受預(yù)建上蓋物業(yè)的工法和工期限制，且有效的加強(qiáng)了其抗浮能力，可在頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件下構(gòu)筑高斷面的橫通道。
【專利說(shuō)明】基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及地下結(jié)構(gòu)物施工【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法。

【背景技術(shù)】
[0002]城市地鐵大多位于交通樞紐，地面已建或?qū)㈤_(kāi)發(fā)的建筑物密集，尤其是近年來(lái)，隨著地鐵線路的增加，在地鐵車站或區(qū)間上方預(yù)建上蓋物業(yè)的情況逐漸增多。目前常用的施工工法是地下建筑與地面建筑相結(jié)合，同步設(shè)計(jì)、同步施工，這就造成了兩者的施工工期與施工工法相互影響相互制約。而同時(shí)由于區(qū)間埋設(shè)較深，采用明挖法施工后區(qū)間頂板為平頂，在覆土較厚情況下，頂板結(jié)構(gòu)較厚，不經(jīng)濟(jì)。故現(xiàn)有的預(yù)建上蓋物業(yè)的大斷面區(qū)間施工工法大多需要協(xié)調(diào)兩者的施工工期和施工方法，且由于區(qū)間埋深較深，采用明挖法施工后區(qū)間頂板覆土較厚，致頂板較厚，回填覆土多。
[0003]因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開(kāi)發(fā)一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，來(lái)克服以上不足，且在構(gòu)造完成的橫通道頂部與預(yù)建的上蓋物業(yè)底部為小凈距的條件下，滿足上蓋物業(yè)的抵抗浮力的要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明提出一種可先期施工地下區(qū)間結(jié)構(gòu)，而不必受預(yù)建上蓋物業(yè)的工法和工期限制的基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，包括以下步驟:
[0006]步驟一、施工豎井，并在所述豎井下端部側(cè)向開(kāi)馬頭門，同時(shí)沿所述馬頭門開(kāi)挖橫通道。
[0007]步驟二、在所述橫通道內(nèi)設(shè)置二襯結(jié)構(gòu)至所述橫通道的頂拱拱腳處，在所述頂拱拱腳處水平設(shè)置有二襯頂板，往所述二襯頂板與所述拱頂圍合形成的拱頂腔體內(nèi)回填混凝土。
[0008]步驟三、根據(jù)設(shè)計(jì)要求，在所述二襯頂板上方預(yù)留上蓋物業(yè)基坑的圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件。
[0009]步驟四、完成所述橫通道的其他區(qū)間施工工作。
[0010]較佳的，所述橫通道上設(shè)置有初襯結(jié)構(gòu)，由所述橫通道內(nèi)部朝預(yù)留所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件的上方徑向注漿后局部破除所述初襯結(jié)構(gòu)。
[0011]較佳的，在所述橫通道內(nèi)處于所述二襯頂板下方的位置還水平設(shè)置有二襯隔板，在完成步驟四后，再往所述二襯頂板、所述二襯隔板及橫通道內(nèi)側(cè)壁圍合形成的腔體內(nèi)填充素土。
[0012]較佳的，步驟三所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件為在所述二襯頂板上方預(yù)留用于所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)插設(shè)的0.8-1.0m寬的安裝槽。
[0013]本發(fā)明的有益效果如下:
[0014]I)本發(fā)明采用暗挖法施工，與上蓋物業(yè)分別施工，不必受預(yù)建上蓋物業(yè)的工法和工期限制的，在地下結(jié)構(gòu)施工完成后，預(yù)建的上蓋物業(yè)可按期再行施工。
[0015]2)本發(fā)明尤其適合應(yīng)用在構(gòu)筑的橫通道頂部與上蓋物業(yè)(地下室)底面之間凈距小的情況下，且通過(guò)本發(fā)明的施工方法可以很好的滿足上蓋物業(yè)抵抗浮力的要求，本發(fā)明通過(guò)在橫通道的拱頂部分填充混凝土有效的加強(qiáng)了其抗浮能力，可以在頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件下構(gòu)筑高斷面的橫通道。
[0016]3)本發(fā)明還為圍護(hù)結(jié)構(gòu)預(yù)留了實(shí)施條件，有利于后期圍護(hù)結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑，實(shí)現(xiàn)圍護(hù)結(jié)構(gòu)與橫通道的巧妙連接，有效的提高了圍護(hù)結(jié)構(gòu)的安全可靠性。
[0017]4)本發(fā)明加設(shè)了二襯隔板，且在二襯隔板與二襯頂板之間填充素土，進(jìn)一步提高了橫通道的抗浮能力。
[0018]以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明，以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本實(shí)施例基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法流程圖。
[0020]圖2為步驟SI所構(gòu)筑的高斷面橫通道的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3為步驟S2所構(gòu)筑的高斷面橫通道的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4為步驟S3所構(gòu)筑的高斷面橫通道的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖5為步驟S4所構(gòu)筑的高斷面橫通道的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖6為圖4的A-A斷面示意圖。
[0025]圖7為圖4的B處局部放大圖。
[0026]圖8為本實(shí)施例的進(jìn)一步實(shí)施形成的高斷面橫通道的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]如圖1所示，本實(shí)施例的一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，包括以下步驟:
[0028]步驟S1、結(jié)合圖2所示，施工豎井1，并在豎井I下端部側(cè)向開(kāi)馬頭門2，同時(shí)沿馬頭門2開(kāi)挖橫通道3。
[0029]步驟S2、結(jié)合圖3所示，在橫通道3內(nèi)設(shè)置二襯結(jié)構(gòu)至橫通道3的頂拱拱腳處，在所述頂拱拱腳處水平設(shè)置有二襯頂板5，往二襯頂板5與所述拱頂圍合形成的拱頂腔體6內(nèi)回填混凝土。示例性的，本實(shí)施例的二襯結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述頂拱下方的橫通道內(nèi)側(cè)壁上，本實(shí)施例在拱頂腔體6內(nèi)回填的混凝土采用素混凝土填充頂拱腔體6后端部作用于上蓋物業(yè)的部分(見(jiàn)圖4所示)，當(dāng)然了，在其他實(shí)施例中也可以為全部填充。
[0030]步驟S3、結(jié)合圖4、圖6和圖7所示，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，在二襯頂板5上方預(yù)留上蓋物業(yè)基坑的圍護(hù)結(jié)構(gòu)7的實(shí)施條件。示例性的，如圖所示，后期要構(gòu)筑的上蓋物業(yè)4位于橫通道3的后端部，故后期要構(gòu)筑的圍護(hù)結(jié)構(gòu)7也僅局部設(shè)置在橫通道的拱頂腔體6上，在二襯頂板5上方相應(yīng)的位置預(yù)留用于圍護(hù)結(jié)構(gòu)7插設(shè)的1.0m寬的安裝槽。當(dāng)然了，在其他具體實(shí)施例中，安裝槽的寬度還可以是0.Sm寬或根據(jù)設(shè)計(jì)要求適配其他尺寸，此外圍護(hù)結(jié)構(gòu)也可以是整個(gè)圍護(hù)結(jié)構(gòu)均插設(shè)在腔體上。
[0031]步驟S4、結(jié)合圖5所示，完成橫通道3的其他區(qū)間施工工作。具體的，將拱頂腔體前部未填充混凝土的空間采用素土進(jìn)行回填并在相應(yīng)位置保留安裝槽，同時(shí)在橫通道3的兩側(cè)壁上，開(kāi)設(shè)正洞馬頭門，向兩側(cè)區(qū)間施工。
[0032]作為本實(shí)施例的進(jìn)一步【具體實(shí)施方式】，橫通道3上設(shè)置有初襯結(jié)構(gòu)，結(jié)合圖6和圖7所示，由橫通道3內(nèi)部朝預(yù)留圍護(hù)結(jié)構(gòu)7的實(shí)施條件的上方徑向注漿后局部破除所述初襯結(jié)構(gòu)。示例性的，本實(shí)施例在開(kāi)挖橫通道時(shí)，即同時(shí)構(gòu)筑初襯結(jié)構(gòu)和二襯結(jié)構(gòu)，而在后續(xù)的步驟S3中，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，將預(yù)留插設(shè)圍護(hù)結(jié)構(gòu)7的頂拱位置的初襯結(jié)構(gòu)進(jìn)行局部破除，然后再由橫通道內(nèi)部徑向的對(duì)圍護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行注漿加固形成加固區(qū)域8，如圖7加固區(qū)域所示。
[0033]作為本實(shí)施例的進(jìn)一步【具體實(shí)施方式】，結(jié)合圖8所示，在橫通道3內(nèi)處于二襯頂板5下方的位置還水平設(shè)置有二襯隔板9，在完成步驟S4后，再往二襯頂板5、二襯隔板9及橫通道3內(nèi)側(cè)壁圍合形成的腔體內(nèi)填充素土。具體的，可根據(jù)橫通道的設(shè)計(jì)要求，在橫通道內(nèi)行車隧道上方界限位置設(shè)置二襯隔板和填充素土，一方面滿足通行要求，一方面增強(qiáng)橫通道抵抗上蓋物業(yè)浮力的要求。
[0034]通過(guò)本實(shí)施例的基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，可以自主構(gòu)筑地下建筑結(jié)構(gòu)，不受地面建筑結(jié)構(gòu)工期的制約和影響，且還能很好的滿足后期地面結(jié)構(gòu)的施工要求，尤其適合在頂部小凈距情況下施工高斷面橫通道。
[0035]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一、施工豎井，并在所述豎井下端部側(cè)向開(kāi)馬頭門，同時(shí)沿所述馬頭門開(kāi)挖橫通道；步驟二、在所述橫通道內(nèi)設(shè)置二襯結(jié)構(gòu)至所述橫通道的頂拱拱腳處，在所述頂拱拱腳處水平設(shè)置有二襯頂板，往所述二襯頂板與所述拱頂圍合形成的拱頂腔體內(nèi)回填混凝土 ；步驟三、根據(jù)設(shè)計(jì)要求，在所述二襯頂板上方預(yù)留上蓋物業(yè)基坑的圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件； 步驟四、完成所述橫通道的其他區(qū)間施工工作。
2.如權(quán)利要求1所述的基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，其特征在于:所述橫通道上設(shè)置有初襯結(jié)構(gòu)，由所述橫通道內(nèi)部朝預(yù)留所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件的上方徑向注漿后局部破除所述初襯結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，其特征在于:在所述橫通道內(nèi)處于所述二襯頂板下方的位置還水平設(shè)置有二襯隔板，在完成步驟四后，再往所述二襯頂板、所述二襯隔板及橫通道內(nèi)側(cè)壁圍合形成的腔體內(nèi)填充素土。
4.如權(quán)利要求1或2所述的基于頂部小凈距地下室開(kāi)挖條件的高斷面橫通道施工方法，其特征在于:步驟三所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施條件為在所述二襯頂板上方預(yù)留用于所述圍護(hù)結(jié)構(gòu)插設(shè)的0.8-1.0m寬的安裝槽。
【文檔編號(hào)】E21D13/02GK104047621SQ201310080820
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月14日
【發(fā)明者】黃愛(ài)軍, 徐正良, 田海波, 張向霞, 張?jiān)龇? 申請(qǐng)人:上海市城市建設(shè)設(shè)計(jì)研究總院