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      用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置制造方法

      文檔序號(hào):5299303閱讀:180來源:國知局
      用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置制造方法
      【專利摘要】一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,包括高頻大功率變壓器以及其原邊通過開關(guān)邏輯電路連接的高壓直流電源、副邊連接低壓直流電源;所述的低壓直流電源通過全橋發(fā)射電路連接發(fā)射線圈,所述的開關(guān)邏輯電路連接提供PWM調(diào)制信號(hào)的單片機(jī)處理器。本實(shí)用新型解決電磁發(fā)射過程發(fā)射電壓可調(diào)的難點(diǎn),實(shí)現(xiàn)測(cè)井過程在目的層段遇到井況復(fù)雜時(shí),發(fā)射系統(tǒng)的發(fā)射功率可調(diào)。
      【專利說明】用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及油田測(cè)井儀器配套裝置領(lǐng)域的瞬變電磁發(fā)射裝置,特別是指一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]瞬變電磁法已經(jīng)成功應(yīng)用于地面系統(tǒng)進(jìn)行勘探,專利和成熟的儀器較多,而在石油測(cè)井領(lǐng)域,瞬變電磁法應(yīng)用范圍較少。目前,基于瞬變電磁法的電磁探傷儀器主要是對(duì)套管質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。
      [0003]在套管井電磁測(cè)井系統(tǒng)中,發(fā)射系統(tǒng)的重要性是毋庸置疑的,其性能好壞直接影響著這個(gè)系統(tǒng)的性能。與地面電磁法發(fā)射系統(tǒng)不同的是,它應(yīng)用于生產(chǎn)井中的發(fā)射系統(tǒng)很容易受到現(xiàn)場(chǎng)工作環(huán)境的影響,對(duì)系統(tǒng)的限制也很多。首先,由于井下空間有限,只能采用小線圈發(fā)射,儀器的尺寸不能做的太大,做的小型化又會(huì)影響探測(cè)深度;其次,發(fā)射系統(tǒng)必須具有很強(qiáng)的智能性、靈活性,便于井中的使用;再而,測(cè)井過程需要儀器具備一定的探測(cè)深度,只有靠增加發(fā)射功率來實(shí)現(xiàn)。在目的層段,井眼工況不好時(shí),電磁發(fā)射使用固定功率發(fā)射測(cè)試效果不佳,此時(shí),應(yīng)該加大發(fā)射功率進(jìn)行測(cè)試。為此,設(shè)計(jì)大功率的發(fā)射模塊,針對(duì)測(cè)井工況采用大功率可調(diào)的發(fā)射技術(shù)。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0004]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,提供一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,即瞬變發(fā)射過程發(fā)射電壓可調(diào)裝置,實(shí)現(xiàn)測(cè)井過程在目的層段井況復(fù)雜時(shí),發(fā)射系統(tǒng)的發(fā)射功率可調(diào)。
      [0005]其技術(shù)方案是:包括高頻大功率變壓器以及其原邊通過開關(guān)邏輯電路連接的高壓直流電源、副邊連接低壓直流電源;所述的低壓直流電源通過全橋發(fā)射電路連接發(fā)射線圈,所述的開關(guān)邏輯電路連接提供PWM調(diào)制信號(hào)的單片機(jī)處理器。
      [0006]上述方案可進(jìn)一步改進(jìn)為:
      [0007]所述的全橋發(fā)射電路包括并聯(lián)在發(fā)射線圈兩端且受單片機(jī)處理器控制的四個(gè)開關(guān)單元,所述的開關(guān)單元是金氧半場(chǎng)效晶體管開關(guān)或者絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)。
      [0008]所述的開關(guān)邏輯電路中設(shè)有由PWM調(diào)制信號(hào)控制導(dǎo)通的CMOS大功率開關(guān)管。
      [0009]所述的高頻大功率變壓器的副邊通過整流器、穩(wěn)壓器和濾波器連接低壓直流電源。
      [0010]所述的高壓直流電源的電壓大于140伏,低壓直流電源的電壓大于3伏。
      [0011]本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)原理是:瞬變發(fā)射系統(tǒng),發(fā)射時(shí)是一正一反的兩個(gè)脈沖交替,這樣做是為了后續(xù)對(duì)采集信號(hào)進(jìn)行疊加處理,消除環(huán)境噪聲的干擾,提高信噪比。發(fā)射線圈的電阻一定的條件下,發(fā)射功率的大小體現(xiàn)在發(fā)射電壓的高低。雖然線圈是正反交替的直流脈沖,發(fā)射電源是數(shù)值不變的直流電壓。在瞬變發(fā)射過程,改變了發(fā)射電源電壓值,也就改變了發(fā)射功率。[0012]本實(shí)用新型解決電磁發(fā)射過程發(fā)射電壓可調(diào)的難點(diǎn),實(shí)現(xiàn)測(cè)井過程在目的層段遇到井況復(fù)雜時(shí),發(fā)射系統(tǒng)的發(fā)射功率可調(diào)。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0013]圖1是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的原理框圖;
      [0014]圖2是加載于發(fā)射線圈的矩形發(fā)射脈沖示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]為清楚說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面給出優(yōu)選的實(shí)施方式并結(jié)合附圖詳細(xì)說明。
      [0016]實(shí)施例1
      [0017]一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置的基本構(gòu)成,包括高頻大功率變壓器以及其原邊通過開關(guān)邏輯電路連接的高壓直流電源、副邊連接低壓直流電源;所述的低壓直流電源通過全橋發(fā)射電路連接發(fā)射線圈,所述的開關(guān)邏輯電路連接提供PWM調(diào)制信號(hào)的單片機(jī)處理器。
      [0018]優(yōu)化實(shí)施例2
      [0019]參見圖1,一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,采用采用單芯鎧裝電纜,直流供電,地面供電電壓值一般在140V以上,屬于直流高壓。在發(fā)射裝置內(nèi)部,加載于發(fā)射線圈的電壓在3V以上,二者之間需要電源變換。
      [0020]用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置通過DC/DC的轉(zhuǎn)換方式將直流高壓電源轉(zhuǎn)換為需要的直流低壓,轉(zhuǎn)換過程采用PWM調(diào)制的方法。開關(guān)邏輯電路采用CMOS大功率開關(guān)管,單片機(jī)處理器提供PWM調(diào)制序列,經(jīng)過功率放大器驅(qū)動(dòng)后控制CMOS管交替導(dǎo)通,從而得到高頻交流電壓。單片機(jī)處理器依據(jù)測(cè)試工況的變化,提供不同的PWM調(diào)制信號(hào),進(jìn)而控制高頻變壓器副邊繞組的輸出電壓。
      [0021]高頻大功率變壓器采用推挽隔離式,通過變壓器組交替打開實(shí)現(xiàn)傳遞能量。變壓器原邊的電壓較高,副邊低壓,副邊經(jīng)過整流、穩(wěn)壓和濾波后,得到低壓直流電源,此電源電壓值受到PWM調(diào)制信號(hào)的控制,大小可調(diào)。低壓電源提供給予發(fā)射線圈。
      [0022]發(fā)射控制采用全橋發(fā)射電路,開關(guān)單元是MOSFET或者IGBT等功率開關(guān),可提供大功率的發(fā)射電流。開關(guān)單元I?4受到單片機(jī)處理器控制,向發(fā)射線圈提供正反向的發(fā)射。
      [0023]加載于發(fā)射線圈的發(fā)射波形如圖2所示。發(fā)射線圈中不同的時(shí)刻\ (i=l,2...),被加載正負(fù)矩形脈沖序列,脈沖序列的幅值V1可調(diào)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,其特征在于:在高頻大功率變壓器的原邊通過開關(guān)邏輯電路與高壓直流電源連接,其副邊連接低壓直流電源;低壓直流電源通過全橋發(fā)射電路連接發(fā)射線圈,開關(guān)邏輯電路通過PWM調(diào)制信號(hào)連接到單片機(jī)處理器。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,其特征在于:所述的全橋發(fā)射電路包括并聯(lián)在發(fā)射線圈兩端且受單片機(jī)處理器控制的四個(gè)開關(guān)單元,開關(guān)單元采用金氧半場(chǎng)效晶體管開關(guān)或者絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,其特征在于:所述的開關(guān)邏輯電路中設(shè)有由PWM調(diào)制信號(hào)控制導(dǎo)通的CMOS大功率開關(guān)管。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3的用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,其特征在于:所述的高頻大功率變壓器的副邊通過整流器、穩(wěn)壓器和濾波器連接低壓直流電源。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于瞬變電磁測(cè)井的功率可調(diào)發(fā)射裝置,其特征在于:所述的高壓直流電源的電壓大于140伏,低壓直流電源的電壓大于3伏。
      【文檔編號(hào)】E21B47/00GK203640715SQ201320663678
      【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月26日
      【發(fā)明者】張守偉, 沈建國, 臧德福, 張付明, 管林華 申請(qǐng)人:中國石油化工集團(tuán)公司, 中石化勝利石油工程有限公司測(cè)井公司
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