專利名稱：帶懸掛t字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子機械系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域，特別涉及氣體液體硅膜微泵和制造方法，具體來說是涉及一種帶懸掛T字型閥膜微閥構(gòu)成的單片單向液體硅膜微泵及其制造方法。
背景技術(shù)：
在已有硅膜微泵中的微閥大多包含硅彈性膜，微泵要開啟微閥，需要克服閥膜的彈性力，使閥膜形變而產(chǎn)生一縫隙讓流體通過。因此，開啟微閥需要消耗一定的能量，這種能量消耗對微泵的效率有不利的影響。閥膜越厚，消耗的能量越大，微泵的效率就越低，然而，為確保微閥關(guān)閉時能夠承受足夠的壓力又要求閥膜具有適當(dāng)?shù)暮穸??？梢姡瑢σ延械墓枘の⒈玫奈㈤y結(jié)構(gòu)而言，開啟低耗能和關(guān)閉高承壓對閥膜厚度的要求是相互矛盾的。所以，硅膜微泵需要一種開啟能量低、關(guān)閉承壓大的新型微閥結(jié)構(gòu)。
另一方面，彈性膜微閥至少是雙片結(jié)構(gòu)的。如采用體硅微機械加工技術(shù)來制造的話，由這種結(jié)構(gòu)的微閥構(gòu)成的微泵需要三層、四層或更多層次的硅片或玻璃的鍵合來構(gòu)成整體機構(gòu)。這種多層次微泵結(jié)構(gòu)不適用于片上型微系統(tǒng)的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，所述的微泵由主襯底硅片、粘合介質(zhì)、輔助襯底構(gòu)成，所述的輔助襯底通過所述的粘合介質(zhì)設(shè)置在所述主襯底硅片上方，具體的，在所述的主襯底硅片中設(shè)置有單一淺腔體，在所述的單一淺腔體兩側(cè)相對位置分別設(shè)置有入口微閥和出口微閥，所述的入口微閥與所述的出口微閥為帶懸掛T字形閥膜的微閥，所述的入口微閥一側(cè)與所述的單一淺腔體聯(lián)通，在所述的入口微閥另一側(cè)設(shè)置有入口微溝道，所述的入口微溝道制作在所述主襯底硅片中，所述的出口微閥一側(cè)與所述的單一淺腔體連通，在所述的出口微閥的另一側(cè)設(shè)置有出口微溝道，所述的出口微溝道制作在所述主襯底硅片中，在所述的主襯底硅片和所述輔助襯底之間設(shè)置有驅(qū)動結(jié)構(gòu)，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)由腔體形變膜，上電極，下電極構(gòu)成，所述的腔體形變膜設(shè)置在所述微閥上方，所述的下電極設(shè)置在腔體形變膜上方，所述的上電極設(shè)置在所述輔助襯底的下方，所述的上電極與所述的下電極之間有間隙。進(jìn)一步的，所述的帶懸掛T字形閥膜微閥由主襯底硅片和腔體形變膜構(gòu)成，所述的腔體形變膜設(shè)置在所述主襯底硅片上方，具體的，在所述的主襯底硅片中設(shè)置有橫臂嵌入槽與閥腔體，所述的橫臂嵌入槽設(shè)置在所述閥腔體兩側(cè)上方，在所述的閥腔體另外兩側(cè)分別設(shè)置有微閥入口微溝道與微閥出口微溝道，在所述微閥入口微溝道上方設(shè)置有橫檔膜，在所述閥腔體中靠近所述微閥入口微溝道一側(cè)設(shè)置有T字型閥膜，在所述的T字型閥膜上方左右兩側(cè)分別設(shè)置有上橫臂，所述的T字型閥膜的上橫臂設(shè)置在所述的橫臂嵌入槽中。更具體的，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為靜電驅(qū)動方式，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為壓電驅(qū)動方式，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為形變記憶合金驅(qū)動方式，更進(jìn)一步的，所述的單一泵腔體的橫截面為矩形，所述的單一泵腔體的橫截面為圓形。
實現(xiàn)本發(fā)明所述的一種單片型單向液體微泵，采用的加工技術(shù)是改進(jìn)的兩項硅微泵加工技術(shù)一是多次加工區(qū)域相互交疊的陽極氧化電壓切換技術(shù)；二是單晶硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)，所述的兩項新型微泵加工技術(shù)均只在硅片的近表面體積內(nèi)加工。
具體的，采用多次加工區(qū)域相互交疊的陽極氧化電壓切換技術(shù)的加工所述的微泵制造方案如下首先是在所述主襯底硅片上對所述的閥膜釋放硅槽進(jìn)行刻蝕與填充，具體工藝如下a)所述硅槽圖形光刻，b)等離子刻蝕深硅槽，c)硅槽二氧化硅填充；第二是所述的橫臂嵌入槽腐蝕，具體工藝如下光刻淺硅腐蝕區(qū)窗口，在低的陽極氧化電壓下形成一定厚度的多孔硅膜，將陽極氧化電壓切換到高電壓下對已形成的多孔硅膜下的單晶硅進(jìn)行短時間腐蝕，腐蝕深度控制在0.1-1.0微米內(nèi)；第三是所述泵腔體與所述微溝道區(qū)的深硅腐蝕，具體工藝如下跨接光刻泵腔體和微溝道區(qū)圖形，在低的陽極氧化電壓下形成同樣厚度的多孔硅膜，再將陽極氧化電壓切換到高電壓下對已形成的多孔硅膜下的單晶硅進(jìn)行一定時間的腐蝕，然后，在多孔硅膜上沉淀一層絕緣膜之后就形成了微泵腔體和微溝道；第四是所述閥腔體的深硅腐蝕，具體工藝如下跨接光刻閥腔體區(qū)圖形，使用與所述第三步相同的陽極氧化電壓切換技術(shù)，所述主襯底硅片上硅的腐蝕深度要比所述泵腔體的深度大10微米以上；第五是所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)的制備；第六是閥膜圖形刻蝕；第七是粘合圖形光刻；第八是與所述輔助襯底進(jìn)行對準(zhǔn)粘合；第九是閥膜釋放，具體工藝方法如下將溫度為50-70℃的二氧化硅稀釋蝕液由所述微溝道注入進(jìn)所述的微泵中，將支撐所述閥膜的二氧化硅腐蝕掉，使所述閥膜釋放。
采用單晶硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)的加工所述的微泵制造方案是具體的，首先是所述橫臂嵌入槽的淺單晶硅刻蝕；第二是所述閥腔體區(qū)單晶硅預(yù)刻蝕；第三是所述的泵腔體，所述的微溝道及所述的閥腔體單晶硅腐蝕；第四是SOI硅片上多晶硅閥膜圖形制備；第五是所述SOI硅片與所述主襯底硅片鍵合；第六是所述SOI襯底硅的腐蝕，第七是所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)制備，第八是對所述的閥膜進(jìn)行釋放，所述的SOI技術(shù)是在絕緣體上制造半導(dǎo)體硅的技術(shù)。
所述硅微泵的結(jié)構(gòu)設(shè)計表明，本發(fā)明專利所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵具有開啟能耗低、關(guān)閉承壓大的特點，解決了彈性閥膜型微泵結(jié)構(gòu)中存在的微閥開啟能耗對微泵效率不良影響的問題。而且，本發(fā)明利用所述的新型微閥設(shè)計的微泵是單片型的，并采用兩種具有很強的微流體系統(tǒng)的集成制造能力、簡單、靈活的新型硅微泵制造工藝方法制造，因此，本發(fā)明所述的微泵及其制造方法都有利于促進(jìn)單片型微流體系統(tǒng)的發(fā)展。


圖1是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的空間結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵中懸掛T字型閥膜微閥的局部空間結(jié)構(gòu)圖。
圖3是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的A-A截面圖。
圖4是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的B-B截面圖。
圖5是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵采用多次加工區(qū)域相互交疊的陽極氧化電壓切換技術(shù)制造的工藝剖面圖。
圖6是本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵采用單晶硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制造的工藝剖面圖。
圖中1是帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的整體結(jié)構(gòu)，2是主襯底硅片，3是輔助襯底，4是粘合介質(zhì)、5是腔體形變膜，6是入口微閥，7是出口微閥、8是入口微溝道，9是出口微溝道，10是單一淺腔體，11是下電極，12是上電極，13是入口微溝道，14是襯底閥腔體壁、15是T字型閥膜，16是閥腔體，17是橫檔膜，18是微閥出口微溝道，19是T字型閥膜的上橫臂、20是橫臂嵌入槽，21是絕緣介質(zhì)，22是空氣間隙，23是二氧化硅介質(zhì)，24是氮化硅介質(zhì)，25是閥膜釋放硅槽，26是淺硅腐蝕區(qū)，27是腐蝕掩膜，28是橫臂嵌入槽刻蝕區(qū)，29是釋放介質(zhì)，30是單晶硅薄膜，31是硅襯底，32是壓電薄膜，33是壓電驅(qū)動金屬電極。
具體實施例方式
如圖1、圖2、圖3、圖4所示，本發(fā)明一種帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的具體結(jié)構(gòu)，由主襯底硅片2、粘合介質(zhì)4、輔助襯底3構(gòu)成，所述的輔助襯底3通過所述的粘合介質(zhì)4設(shè)置在所述主襯底硅片2上方，具體的，在所述的主襯底硅片2中設(shè)置有單一淺腔體10，在所述的單一淺腔體10兩側(cè)相對位置分別設(shè)置有入口微閥6和出口微閥7，所述的入口微閥6與所述的出口微閥7為帶懸掛T字形閥膜的微閥，所述的入口微閥6一側(cè)與所述的單一淺腔體10聯(lián)通，在所述的入口微閥6另一側(cè)設(shè)置有入口微溝道8，所述的入口微溝道8制作在所述主襯底硅片2中，所述的出口微閥7一側(cè)與所述的單一淺腔體10連通，在所述的出口微閥7的另一側(cè)設(shè)置有出口微溝道13，所述的出口微溝道13制作在所述主襯底硅片中，在所述的主襯底硅片2和所述輔助襯底3之間設(shè)置有驅(qū)動結(jié)構(gòu)，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)由腔體形變膜5，上電極12，下電極11構(gòu)成，所述的腔體形變膜5設(shè)置在所述微閥上方，所述的下電極11設(shè)置在所述腔體形變膜5上方，所述的上電極12設(shè)置在所述輔助襯底3的下方，所述的上電極12與所述的下電極11之間有間隙。進(jìn)一步的，所述的帶懸掛T字形閥膜微閥由主襯底硅片2和腔體形變膜5構(gòu)成，所述的腔體形變膜5設(shè)置在所述主襯底硅片2上方，具體的，在所述的主襯底硅片2中設(shè)置有橫臂嵌入槽20與閥腔體16，所述的橫臂嵌入槽20設(shè)置在所述閥腔體16兩側(cè)上方，在所述的閥腔體16另外兩側(cè)分別設(shè)置有微閥入口微溝道13與微閥出口微溝道9，在所述微閥入口微溝道9上方設(shè)置有橫檔膜17，在所述閥腔體16中靠近所述微閥入口微溝道9一側(cè)設(shè)置有T字型閥膜15，在所述的T字型閥膜15上方左右兩側(cè)分別設(shè)置有上橫臂19，所述的T字型閥膜15與襯底閥腔體壁14接觸，所述的T字型閥膜15的上橫臂19設(shè)置在所述的橫臂嵌入槽20中。更具體的，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為靜電驅(qū)動方式，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為壓電驅(qū)動方式，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為形變記憶合金驅(qū)動方式，更進(jìn)一步的，所述的單一泵腔體10形狀為矩形，所述的單一泵腔體10形狀為圓形。
實施例1如圖5所示，采用多次加工區(qū)域相互交疊的陽極氧化電壓切換技術(shù)制造本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的加工過程如下1.所述的閥膜釋放硅槽的刻蝕與填充選用0.01-0.015Ωcm的低阻P型硅片2；LPCVD淀積氮化硅24，厚度0.2～0.3微米；硅槽圖形光刻，硅槽寬度為0.2～1.2微米；等離子刻蝕深硅槽，高溫局部氧化，用熱生長二氧化硅24填滿硅槽。
2.所述閥膜硅嵌槽腐蝕去除經(jīng)局部氧化后的氮化硅，并對硅片進(jìn)行化學(xué)機械拋光；LPCVD淀積氮化硅24，厚度0.2～0.3微米；光刻淺腐蝕區(qū)圖形26；將硅陽極氧化電壓置于低電壓，形成多孔硅膜5，厚5～20微米；再將硅陽極氧化電壓切換至高電壓，進(jìn)行淺硅腐蝕，深度為0.1～0.2微米。
3.泵腔體與微溝道區(qū)的深硅腐蝕LPCVD淀積氮化硅24，厚度0.2～0.3微米；光刻泵腔體和微溝道區(qū)圖形，刻蝕圖形與淺硅腐蝕圖形交疊；將硅陽極氧化電壓置于低電壓，形成多孔硅膜5，厚5～20微米；再將硅陽極氧化電壓切換至高電壓，進(jìn)行深硅腐蝕，深度為10～50微米。
4.閥腔體的深硅腐蝕LPCVD淀積氮化硅24，厚度0.2～0.3微米；光刻閥腔體區(qū)圖形，刻蝕圖形與淺硅腐蝕圖形交疊；將硅陽極氧化電壓置于低電壓，形成多孔硅膜5，厚5～20微米；再將硅陽極氧化電壓切換至高電壓，進(jìn)行深硅腐蝕，深度為20～60微米，6為進(jìn)口微閥，7為出口微閥。
5.靜電驅(qū)動電極制備淀積氮化硅24，厚度0.2～0.3微米；電子束淀積金屬鋁膜，厚度為0.9微米；電極圖形11反刻；PECVD淀積氮化硅，厚度0.2～0.3微米，作為隔離介質(zhì)。
6.閥膜圖形刻蝕光刻閥膜圖形，反應(yīng)離子刻蝕氮化硅24。
7.粘合圖形光刻淀積磷硅玻璃作為粘合介質(zhì)4，厚度在0.1～2微米之間；粘合圖形光刻。
8.對準(zhǔn)粘合將制備好的主襯底硅片2，依照所述主襯底上的粘合圖形4對準(zhǔn)低溫鍵合在一起。
9.閥膜釋放將溫度為60℃的二氧化硅稀釋蝕液由微溝道注入進(jìn)微泵中，將支撐閥膜的二氧化硅腐蝕掉，使閥膜釋放。
實施例2如圖6所示，采用單晶硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制造本發(fā)明所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的加工過程如下1.閥膜嵌槽刻蝕選擇(100)或(110)晶向的硅片，對電阻率無限制；高溫濕氧氧化，二氧化硅27厚度為0.6微米；閥膜嵌槽28圖形光刻；淺硅濕法刻蝕，刻蝕深度為3～5微米。
2.閥腔體區(qū)硅預(yù)刻蝕 去除原有二氧化硅掩膜；再次高溫濕氧氧化，二氧化硅27厚度為1.2微米；LPCVD淀積氮化硅24，厚0.2～0.3微米，光刻微泵腔體、微閥腔體和微溝道圖形；等離子體刻蝕氮化硅24，光刻閥腔體區(qū)圖形6和7；閥腔體區(qū)硅濕法刻蝕，深度為10～20微米。
3.泵腔體、微溝道、閥腔體腐蝕漂去預(yù)刻蝕后的硅片上的二氧化硅，打開微泵腔體和微溝道刻蝕窗口；微泵腔體、微閥腔體和微溝道圖形區(qū)的深硅濕法刻蝕，深度為20～50微米，去除硅片上的氮化硅和二氧化硅，此步驟同時完成微泵腔體10、進(jìn)出口微閥腔體6和7、進(jìn)出口微溝道8和9空間區(qū)的硅刻蝕。
4.SOI硅片31上閥膜圖形制備選擇SOI硅片31，二氧化硅上的硅膜30厚5～20微米，電阻率為5～10Ωcm；淀積磷硅玻璃厚1.0～3.0微米，作為閥膜的釋放介質(zhì)；釋放介質(zhì)圖形光刻，淀積厚多晶硅膜，厚度5～20微米；光刻閥膜圖形15和橫檔膜7。
5.SOI硅片鍵合將制備好圖形的SOI硅片31對準(zhǔn)常壓鍵合到刻蝕好硅圖形的主襯底硅片2上。
6.SOI襯底硅的腐蝕鍵合后，用堿性或酸性蝕液將SOI上的襯底硅刻蝕掉。
7.壓電驅(qū)動結(jié)構(gòu)制備去除SOI原有的二氧化硅；淀積二氧化硅，厚度0.2～0.3微米；電子束淀積金屬膜，厚度為0.3～1.0微米；下電極圖形33反刻；淀積并光刻壓電膜32；再次淀積金屬膜并光刻上電極圖形33。
8.閥膜釋放將溫度為60℃的二氧化硅稀釋蝕液由微溝道注入進(jìn)微泵中，將閥膜圖形下的磷硅玻璃腐蝕掉，使閥膜釋放。
權(quán)利要求
1.一種帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，由主襯底硅片、粘合介質(zhì)、輔助襯底構(gòu)成，所述的輔助襯底通過所述的粘合介質(zhì)設(shè)置在所述主襯底硅片上方，其特征在于在所述的主襯底硅片中設(shè)置有單一淺腔體，在所述的單一淺腔體兩側(cè)相對位置分別設(shè)置有入口微閥和出口微閥，所述的入口微閥與所述的出口微閥都為懸掛T字形閥膜的微閥，所述的入口微閥一側(cè)與所述的單一淺腔體聯(lián)通，在所述的入口微閥另一側(cè)設(shè)置有入口微溝道，所述的入口微溝道制作在所述主襯底硅片中，所述的出口微閥一側(cè)與所述的單一淺腔體連通，在所述的出口微閥的另一側(cè)設(shè)置有出口微溝道，所述的出口微溝道制作在所述主襯底硅片中，在所述的主襯底硅片和所述輔助襯底之間設(shè)置有驅(qū)動結(jié)構(gòu)，所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)由腔體形變膜，上電極，下電極構(gòu)成，所述的腔體形變膜設(shè)置在所述微閥上方，所述的下電極設(shè)置在所述腔體形變膜上方，所述的上電極設(shè)置在所述輔助襯底的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的帶懸掛T字形閥膜微閥由主襯底硅片和腔體形變膜構(gòu)成，所述的腔體形變膜設(shè)置在所述主襯底硅片上方，在所述的主襯底硅片中設(shè)置有橫臂嵌入槽與閥腔體，所述的橫臂嵌入槽設(shè)置在所述閥腔體兩側(cè)上方，在所述的閥腔體另外兩側(cè)分別設(shè)置有微閥入口微溝道與微閥出口微溝道，在所述微閥入口微溝道上方設(shè)置有橫檔膜，在所述閥腔體中靠近所述微閥入口微溝道一側(cè)設(shè)置有T字型閥膜，在所述的T字型閥膜上方左右兩側(cè)分別設(shè)置有上橫臂，所述的T字型閥膜的上橫臂設(shè)置在所述的橫臂嵌入槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為靜電驅(qū)動方式。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為壓電驅(qū)動方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的驅(qū)動結(jié)構(gòu)為形變記憶合金驅(qū)動方式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的單一泵腔體的橫截面為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，其特征在于所述的單一泵腔體的橫截面為圓形。
8.制造如權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微的方法，其特征在于首先是在所述主襯底硅片上對所述的閥膜釋放硅槽進(jìn)行刻蝕與填充，具體工藝如下a)所述硅槽圖形光刻，b)等離子刻蝕深硅槽，c)硅槽二氧化硅填充；第二是所述的橫臂嵌入槽腐蝕，具體工藝如下光刻淺硅腐蝕區(qū)窗口，在低的陽極氧化電壓下形成一定厚度的多孔硅膜，將陽極氧化電壓切換到高電壓下對已形成的多孔硅膜下的單晶硅進(jìn)行短時間腐蝕，腐蝕深度控制在0.1-1.0微米內(nèi)；第三是所述泵腔體與所述微溝道區(qū)的深硅腐蝕，具體工藝如下跨接光刻泵腔體和微溝道區(qū)圖形，在低的陽極氧化電壓下形成同樣厚度的多孔硅膜，再將陽極氧化電壓切換到高電壓下對已形成的多孔硅膜下的單晶硅進(jìn)行一定時間的腐蝕，然后，在多孔硅膜上沉淀一層絕緣膜之后就形成了微泵腔體和微溝道；第四是所述閥腔體的深硅腐蝕，具體工藝如下跨接光刻閥腔體區(qū)圖形，使用與所述第三步相同的陽極氧化電壓切換技術(shù)，所述主襯底硅片上硅的腐蝕深度要比所述泵腔體的深度大10微米以上；第五是所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)的制備；第六是閥膜圖形刻蝕；第七是粘合圖形光刻；第八是與所述輔助襯底進(jìn)行對準(zhǔn)粘合；第九是閥膜釋放，具體工藝方法如下將溫度為50-70℃的二氧化硅稀釋蝕液由所述微溝道注入進(jìn)所述的微泵中，將支撐所述閥膜的二氧化硅腐蝕掉，使所述閥膜釋放。
9.制造如權(quán)利要求1所述的帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵的方法，其特征在于首先是所述橫臂嵌入槽的淺單晶硅刻蝕；第二是所述閥腔體區(qū)單晶硅預(yù)刻蝕；第三是所述的泵腔體，所述的微溝道及所述的閥腔體單晶硅腐蝕；第四是SOI硅片上多晶硅閥膜圖形制備；第五是所述SOI硅片與所述主襯底硅片鍵合；第六是所述SOI襯底硅的腐蝕，第七是所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)制備，第八是所述的閥膜釋放。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶懸掛T字形閥膜微閥的單片型單向液體微泵，具有開啟能耗低、關(guān)閉承壓大的特點，并采用陽極氧化電壓切換技術(shù)和單晶硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制造，且制造技術(shù)能夠簡便靈活地同步集成制造微泵、微閥和微溝道網(wǎng)絡(luò)，使新設(shè)計的單片硅膜微泵結(jié)構(gòu)及其制造方法便于在單片型微流體系統(tǒng)中應(yīng)用。
文檔編號F04B43/02GK1534193SQ03116069
公開日2004年10月6日 申請日期2003年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月28日
發(fā)明者湯玉生 申請人:湯玉生