專利名稱：用于生物和反應(yīng)性樣品的基質(zhì)輔助激光解吸襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及質(zhì)譜儀領(lǐng)域，更具體地涉及具有用于減少與反應(yīng)性樣品和激光輻射的相互作用的表面的樣品襯底。
背景技術(shù)：
在質(zhì)譜(在下文中稱之為MS，mass spectrometry)技術(shù)中有幾種有用的表面電離技術(shù)。表面電離的類型包括但不限于，快離子或原子轟擊、場解吸、激光解吸、等離子體解吸。在Hillenkamp等人的美國專利5,118,937以及Hillenkamp的美國專利5,777,324中對這種技術(shù)進(jìn)行了更充分地描述。最廣泛使用的一種表面電離技術(shù)利用基質(zhì)輔助激光解吸電離(在下文中稱之為MALDI，matrix assisted laser desorption ionization)。MALDI技術(shù)的一個問題是樣品的清潔度以及其與襯底的相互作用，這會影響樣品晶化過程。例如，襯底表面鈉的存在可能很容易污染樣品，從而產(chǎn)生失真的譜線。對這種失真數(shù)據(jù)的解釋有些困難。而且，襯底表面較高的離子含量由于減小了樣品的離子產(chǎn)率，而會對該技術(shù)的靈敏度產(chǎn)生負(fù)面的影響。此外，表面反應(yīng)性是反應(yīng)性樣品所關(guān)心的。理想地，樣品在分析過程中應(yīng)該保持不受影響。例如，鍍金的襯底通常產(chǎn)生令人滿意的結(jié)果。還存在使用不銹鋼和非晶硅作為樣品襯底的幾種嘗試。
MALDI技術(shù)的變化包括基質(zhì)的去除以及與樣品反應(yīng)的樣品襯底表面的引入。在Siuzdak等人的美國專利6,288,390中說明了這種改進(jìn)的MALDI技術(shù)的例子。該專利描述了多孔吸光半導(dǎo)體襯底。該專利對大量吸光材料系列進(jìn)行了描述。當(dāng)輻射源在減壓情況下照射襯底、并且來自樣品的被分析物被吸附在襯底上時，照射還會導(dǎo)致被分析物的解吸和電離。雖然這種技術(shù)消除了對基質(zhì)的需要，但是襯底在有限的使用之后必須被更換。
本發(fā)明消除了與用于質(zhì)譜的激光吸收/電離技術(shù)(不管是否使用基質(zhì))相關(guān)聯(lián)的這些以及其他困難。
因此，本發(fā)明的特征是提供一種用于光譜分析的裝置，該裝置使用了MALDI技術(shù)，并包括一種就樣品劣化和襯底的污染而言不與待分析樣品中的材料以及基質(zhì)中的材料起化學(xué)作用的樣品襯底。
發(fā)明的另一個特征是提供一種用于使用MALDI的分析儀的樣品襯底，其相對導(dǎo)電且不吸光。
發(fā)明的另一個特征是提供一種用于使用MALDI的分析儀的樣品襯底，其具有機(jī)械硬度并在將樣品涂覆在襯底上以及在被激光照射的過程中阻止樣品滲入襯底表面。
發(fā)明的另一個特征是提供了一種容易清潔并且可以在多個樣品周期中重復(fù)使用的樣品襯底。
發(fā)明的另一個特征是提供了一種廉價且可以作為一次性的樣品襯底，例如通過將樣品與襯底一起編檔保存而提供了一種用于編檔保存一部分樣品的廉價途徑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及與具有MALDI的質(zhì)譜(MS)或MS系統(tǒng)一起使用的裝置和方法。本發(fā)明的襯底具有用于減小與樣品的相互作用的表面，并包括具有無機(jī)、導(dǎo)電氮化物化合物的表面，所述氮化物化合物的主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組。氮化物化合物可以是例如混合金屬氮化物，例如氮化鋁鈦或氮化鉻鈦。也可以使用氮化碳鈦。
本發(fā)明還提供了一種生產(chǎn)與反應(yīng)性樣品具有被減小了的相互作用的襯底表面的方法。該方法包括向襯底表面涂覆襯底主體涂層，所述涂層選自由氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿組成的金屬氮化物組。
本發(fā)明還涉及用于向分析儀提供材料的離子化樣品的MALDI裝置，其包括本發(fā)明的經(jīng)改善的襯底。本發(fā)明還涉及包括本發(fā)明的襯底的質(zhì)譜儀，其具有MALDI裝置用于向所述質(zhì)譜儀提供材料的離子化樣品。


參照下面的附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)地描述，在附圖中圖1是本發(fā)明及其在質(zhì)譜儀上的應(yīng)用的簡圖；圖2是放大比例的襯底表面區(qū)域的局部視圖；以及圖3示出了根據(jù)本發(fā)明在涂覆有氮化鈦的襯底上沉積的8種肽(神經(jīng)降壓素片斷(neurotensin Frag.)、血管緊縮素(angiotensin)II、緩激肽(bradykinin)、合成肽(synthetic peptide)、血管緊縮素I、syntydeII、纖維蛋白肽(fibrinopeptide)A以及神經(jīng)降壓素(neurotensiun))中每一個的250阿托摩爾(attomole)級的質(zhì)譜。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了本發(fā)明的應(yīng)用。雖然該示了AP(大氣壓)MALDI技術(shù)，但是本發(fā)明不應(yīng)該被狹義地解釋為只包括這種具體類型的MALDI和系統(tǒng)，而本發(fā)明還可以應(yīng)用于本領(lǐng)域中公知的真空MALDI和快原子轟擊(FAB)。
現(xiàn)在參照圖1，由標(biāo)號10指示的具有本發(fā)明的質(zhì)譜儀的例子包括腔體11和樣品襯底16。腔體11包括在前壁6和第一內(nèi)壁8之間的第一真空室9、在壁8和第二內(nèi)壁12之間的第二真空室15以及第三真空室19。雖然在示圖中示出了三個真空室，但是與本發(fā)明一起使用的可以是任意數(shù)量的室。從由箭頭3指示的方向向沉積在襯底16上的樣品和基質(zhì)進(jìn)行激光輻射，由此產(chǎn)生離子化的樣品23。在大氣壓下產(chǎn)生的離子被取樣毛細(xì)管5收集。取樣毛細(xì)管5被定位在前壁6中，并連接大氣壓區(qū)與第一真空室9。除沫器(skimmer)13位于第一內(nèi)壁8中并在第一真空室9和第二真空室15之間。離子光學(xué)系統(tǒng)17位于室15內(nèi)，并且從除沫器13延伸到位于室19內(nèi)的質(zhì)量分析儀21。被取樣的離子束被離子光學(xué)系統(tǒng)17運(yùn)送到質(zhì)量分析儀21。本領(lǐng)域中公知的其他組合、系統(tǒng)和實(shí)施例也可能與本發(fā)明一起使用。
參照圖2，襯底16包括襯底主體109、金屬層107和氮化物化合物層105。根據(jù)本發(fā)明，襯底主體109可以由鋁、不銹鋼、玻璃或塑料、導(dǎo)電或不導(dǎo)電固體材料或膜制成。在一個實(shí)施例中，襯底主體109由鋁制成。第二層是中間金屬層，其為氮化物化合物層105提供到襯底主體109的良好粘附。已經(jīng)認(rèn)識到，取決于具體的制造工藝可能不一定要在襯底設(shè)計中包含第二層。例如，在不銹鋼襯底主體109的情況中，可以直接將氮化鈦固定到襯底主體上，這樣只產(chǎn)生兩個層的襯底。還發(fā)現(xiàn)對于由鋁制成的襯底主體部分來說，可以使用中間無電鍍鎳層107來提供氮化物涂層的良好粘附和均一性。還發(fā)現(xiàn)，形成氮化物化合物的金屬的薄層提供了氮化物化合物到由玻璃制成的襯底主體109的良好粘附。但是，對于本發(fā)明很重要的是，氮化物表面或?qū)討?yīng)該在襯底16的外面，以減小與反應(yīng)性樣品或激光輻射的相互作用。
與例如不銹鋼、金、鎳的一般襯底表面材料相比，來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組中的無機(jī)、導(dǎo)電氮化物化合物出乎意料地使襯底16的表面相對于某些已知的反應(yīng)性被分析物更加惰性化。那些反應(yīng)性被分析物包括但不限于蛋白質(zhì)、肽和煙酸。導(dǎo)電氮化物化合物可以是氮化鈦、氮化鋯或氮化鉿，或者如氮化鈦鋁的混合金屬氮化物。氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿顯示出相對于許多這種被分析物的異常惰性特性。其他氮化物化合物包括但不限于氮化碳鈦、氮化鉻鈦和氮化鎢鈦。但是，混合金屬氮化物化合物應(yīng)該是主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組中，少量的重量含量來自除鈦、鋯和鉿之外的能夠形成氮化物的元素。此外，本發(fā)明的氮化物化合物一般顯示出尤其有益于質(zhì)譜應(yīng)用的其他特性。例如，本發(fā)明的氮化物化合物當(dāng)被涂覆在襯底表面上時是極硬的，并允許由此涂覆的部分可以使用較硬的研磨料來清潔。本發(fā)明的氮化物化合物具有比約2000kg/mm努氏或維氏顯微硬度更大的硬度，一般大約為2500到約3500。這相當(dāng)于約85Rc。此外，一些氮化物化合物顯示出了可能取決于或不取決于化合物的化學(xué)計量的微結(jié)構(gòu)多態(tài)現(xiàn)象。多態(tài)現(xiàn)象可能是化合物是如何被形成的結(jié)果。說句離題的話，對于沉積在襯底表面上的一些氮化物膜來說，例如對于沉積在金屬襯底上的氮化鈦來說，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)膜的硬度取決于襯底的硬度。
如果襯底用電介質(zhì)涂覆，那么隨著時間的流逝靜電將在襯底上累積。這種充電可能導(dǎo)致離子化效率的下降。因此，如果在襯底的任何表面上使用惰性涂層，那么涂層充分地導(dǎo)電以允許電荷的消散將是有利的。本發(fā)明的氮化物化合物具有不大于約10-1ohm-cm、優(yōu)選不大于約10-3ohm-cm的電阻率，與具有更高電阻率的材料相比，提供對例如有機(jī)鈉鹽的某種離子化合物的表面吸附有抵抗力的導(dǎo)電表面。不管涂層的電阻率如何，涂層都應(yīng)該被均勻地沉積以確保不存在未被涂覆的區(qū)域或者針孔，同時提供充分的覆蓋以遮蓋表面上的活性點(diǎn)。
可以使用許多方法來將本發(fā)明的化合物涂覆到襯底表面上。一種方法包括兩個步驟的工藝在感興趣的表面上沉積金屬或合金的薄層，并將該表面暴露在能夠有效形成期望化合物的反應(yīng)條件下的適當(dāng)元素中。存在許多方法來沉積金屬薄層，例如通過蒸發(fā)、濺射、電鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)等本領(lǐng)域中公知的技術(shù)。但是，值得注意的是，不是所有的金屬層沉積方法可以被輕而易舉地使用于任何特定的金屬。例如，具有低熔點(diǎn)或沸點(diǎn)溫度的金屬特別適合于通過蒸發(fā)沉積。相反，具有高熔點(diǎn)的金屬不容易通過蒸發(fā)沉積。一旦沉積了金屬層，該層就可以被暴露于在適于形成期望化合物的條件下的氮中。例如，金屬層表面可以暴露于輝光放電等離子體中。對于氮化，具有金屬層表面的襯底被放在真空室中。然后，離子化的氮?dú)馀c其他氣體混合，并且施加高壓以起輝光而與襯底反應(yīng)。很明顯，適當(dāng)?shù)哪ば纬蓷l件可能包括高溫處理；因此，其上的表面將發(fā)生轉(zhuǎn)變的材料必須能夠經(jīng)受所有的處理?xiàng)l件。此外，金屬層到本發(fā)明的化合物的轉(zhuǎn)變?nèi)Q于氮到金屬層中的擴(kuò)散速率，并且這種轉(zhuǎn)變對于本發(fā)明的一些化合物來說可能效率較低?？商鎿Q地，本發(fā)明的化合物可以在不包含上述的兩個分立步驟的真空處理中沉積在表面上。這種真空處理包括但不限于，陰極電弧PVD、電子束蒸發(fā)、增強(qiáng)電弧PVD、CVD、磁濺射、分子束外延、這些技術(shù)的組合以及本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所公知的其他多種技術(shù)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將知道，CVD通常包括將襯底表面加熱到足夠高的溫度，以分解氣態(tài)的有機(jī)物質(zhì)，從而形成期望的膜。這種加熱通常避免使用塑料作為在其上沉積膜的表面。另一方面，PVD不必排除塑料作為襯底，并允許受遮蓋膜沉積。但是，該方法只涂覆在涂層材料源的“視線”之內(nèi)的表面，而“盲”點(diǎn)沒有被涂覆。此外，在物理氣相沉積中可以使用一定的襯底加熱，以增強(qiáng)膜的粘附。在氮化鈦的情況下，已經(jīng)廣泛使用空心陰極放電離子鍍。這種方法包括在作為反應(yīng)氣體的氮?dú)獾拇嬖谙鲁练e鈦。在空心陰極放電離子鍍中，因?yàn)樵谡舭l(fā)鈦分子的同時引入氮?dú)?，所以可以形成致密的膜。但是，必須小心，以確保最佳沉積。如果該過程中的能量過低，則被蒸發(fā)的鈦與氮不反應(yīng)，并且得到的膜與表面粘附不好。另一方面，過多的能量導(dǎo)致襯底的再蒸發(fā)或者對表面的毀壞。
可以使用上述方法來提供本發(fā)明的表面。一般地，本發(fā)明的涂層可以被沉積成具有從約1000埃到約10微米的厚度。通過PVD獲得的厚度通常為約0.5到約2微米，而CVD工藝通常導(dǎo)致約2到約5微米的厚度。值得注意的是，本發(fā)明的化合物與表面之間的粘附在非常高的厚度處傾向于具有勉強(qiáng)的質(zhì)量。此外，涂層與在其上沉積涂層的表面之間的熱膨脹系數(shù)的差異在表面經(jīng)受溫度的急劇改變時也可能導(dǎo)致粘附問題。
所使用的具體涂覆技術(shù)一般影響被沉積材料的微結(jié)構(gòu)、形態(tài)和其他物理特性。此外，當(dāng)使用上述沉積技術(shù)時，處理參數(shù)的變化可以大大改變沉積膜的形態(tài)。一般來說，期望產(chǎn)生總體上厚度均勻的平滑的膜。平滑的膜往往提供更低的表面面積，從而使得膜動力學(xué)上不利于與被分析物反應(yīng)。但是，膜的平滑度將非常依賴于并且一般由下覆表面的平滑度決定。作為另一種替換，表面涂層材料可以以粉末涂覆。一種粉末涂覆方法包括以粉末的形式提供導(dǎo)電化合物，并使用高壓以高速噴射夾帶在液體中的粉末，使得粉末機(jī)械地粘附到表面上。另一種方法包括在溶劑中懸浮粉末以形成涂料，將涂料涂覆到表面上，以及蒸發(fā)溶劑。溶劑可以是相對惰性的載體或者便于粉末粒子之間或粉末與表面之間的化學(xué)鍵合的載體。此外，可以加熱以蒸發(fā)溶劑或增強(qiáng)化學(xué)鍵合。一般地，不使用有機(jī)粘結(jié)劑，因?yàn)橛袡C(jī)材料在足夠高的蒸汽壓下會放氣以產(chǎn)生與樣品一起被離子化的氣相，在質(zhì)譜中產(chǎn)生高的本底。但是，如果整個放氣足夠低，那么本發(fā)明的膜不一定排除包含有少量的有機(jī)粘結(jié)劑。
對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，上述內(nèi)容的改變將是很清楚的。例如，這些涂層可以被涂覆在包含不銹鋼的表面上，同時這種涂層還可以被涂覆在包含例如塑料、玻璃或陶瓷或其他結(jié)構(gòu)材料的其他表面上。還認(rèn)識到，通過改變襯底結(jié)構(gòu)材料的表面紋理可以使氮化鈦上層實(shí)現(xiàn)特定表面紋理(例如粗糙的或拋光的)，所述表面紋理對于隨后的離子化處理可以提供對樣品晶化有利的某些優(yōu)勢。
此外，一些化合物對一些被分析物來說將是尤其惰性的，并且可以對被設(shè)計用于暴露于特定樣品的表面涂覆特定的涂層。本發(fā)明的襯底可以與不同的表面離子化技術(shù)一起使用，所述離子化技術(shù)包括但不限于快原子轟擊。還認(rèn)識到，襯底可以使本發(fā)明的氮化物表面由例如本領(lǐng)域中公知的特氟隆(Teflon)之類的其他材料遮蓋，以提供多種好的樣品襯底。還認(rèn)識到襯底可以制成特定的形狀，以便于樣品沉積以及樣品離子化。
應(yīng)該理解，雖然已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選的具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是上述的描述以及下面的例子意在說明而不是限制本發(fā)明的范圍。在本發(fā)明范圍內(nèi)的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和改變對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是很顯然的。
例1圖3示出了沉積在根據(jù)本發(fā)明的涂覆有氮化鈦的襯底上沉積的8種肽(神經(jīng)降壓素片斷、血管緊縮素II、緩激肽、合成肽、血管緊縮素I、syntyde II、纖維蛋白肽A以及神經(jīng)降壓素)中每一個的250個阿托摩爾(attomole)級的質(zhì)譜。通常，對于MALDI/MS技術(shù)來說，想要得到在圖譜中能觀察到所有混合成分的這種圖譜是一個挑戰(zhàn)。識別來自混合物各個成分的每一個的任務(wù)，在每單個成分的絕對重量含量很低(比5飛摩爾稍低)的時候更加復(fù)雜。在圖3示出的圖譜中，來自混合物的所有肽即使在實(shí)際上更加低的絕對重量含量(即250阿托摩爾)下也被觀察為質(zhì)子化的分子離子峰，而沒有觀察到鈉或其他干擾加合物。本發(fā)明的TiN襯底為MALDI/MS提供了極度惰性且有利的表面作為樣品襯底。還可以從襯底清洗掉樣品。
權(quán)利要求
1.一種用于基質(zhì)輔助激光解吸電離質(zhì)譜的襯底，包括(a)具有支撐表面的主體；以及(b)固定到所述支撐表面的氮化物組合物層，所述氮化物組合物的主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述支撐表面是不銹鋼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物是氮化鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物是氮化鋯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物包含占少量重量含量的除鈦、鋯和鉿之外能夠形成氮化物的元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底，其中，所述元素是鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底，其中，所述元素是碳。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底，其中，所述元素是鉻。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物的表面硬度至少為2000kg/mm努氏或維氏顯微硬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物具有不大于10-1ohm-cm的電阻率。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述氮化物組合物層通過中間材料層被固定到所述支撐表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中，所述中間材料層是金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中，所述主體是鋁，并且所述中間材料層是無電鍍鎳。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中，所述支撐表面是玻璃，并且所述中間材料層是鈦。
15.一種制造質(zhì)譜儀中用于支撐表面上的生物樣品和反應(yīng)性樣品的襯底的方法，所述方法包括在所述支撐表面上涂覆氮化物組合物層，所述氮化物組合物的主要重量含量來自由氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿組成的組。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述支撐表面是不銹鋼。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述氮化物組合物是氮化鈦。
18.一種制造質(zhì)譜儀中用于生物樣品和反應(yīng)性樣品的襯底的方法，所述方法包括(a)在所述襯底的支撐表面上沉積元素材料層，所述元素材料選自由鈦、鋯和鉿組成的組；以及(b)在反應(yīng)條件下將所述元素材料暴露于氮中，以將所述層轉(zhuǎn)變成氮化物組合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述沉積包括蒸發(fā)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述沉積包括濺射。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述沉積包括電鍍。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述沉積包括氣相沉積。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述沉積包括物理氣相沉積。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述暴露步驟包括將所述元素材料暴露于包括氮?dú)獾妮x光放電等離子體中。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述暴露操作包括(a)生成壓力低于大氣壓的包括氮?dú)獾臍怏w混合物；以及(b)對所述氣體混合物施加電壓以在所述氣體混合物中形成輝光，使所述氮?dú)馀c所述元素材料反應(yīng)。
26.一種用于向分析儀器提供材料的離子化樣品的裝置，該裝置包括(a)用于支持材料樣本的襯底，所述樣品從所述材料得到，所述襯底具有擁有支撐表面的主體以及固定到所述支撐表面的氮化物組合物層，所述氮化物組合物包含的主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組；(b)對準(zhǔn)所述層的發(fā)光裝置，用于照射所述樣本以導(dǎo)致材料從所述樣本的解吸而形成所述材料的離子；以及(c)用于捕獲所述離子以及用于將所述離子傳遞到所述分析儀的接口。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述氮化物組合物主要的重量含量是氮化鈦。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述氮化物組合物主要的重量含量是氮化鋯。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述氮化物組合物具有不大于10-1ohm-cm的電阻率。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述氮化物組合物包含占少量重量含量的除鈦、鋯和鉿之外能夠形成氮化物的元素。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述發(fā)光裝置是激光器。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中，所述接口包括(a)具有第一真空室和臨接所述第一真空室的第二真空室的殼體；(b)從所述襯底延伸到所述第一真空室的取樣毛細(xì)管，用于將所述離子傳送到所述第一真空室；(c)在所述第一真空室和所述第二真空室之間的除沫器，用于引導(dǎo)所述離子進(jìn)入所述第二真空室；以及(d)位于所述第二真空室內(nèi)用于將所述離子聚焦到所述分析儀的離子光學(xué)器件。
33.一種質(zhì)譜儀，包括(a)用于分析材料的離子化樣品的分析儀；(b)用于支持材料樣本的襯底，所述樣品從所述材料樣本得到，所述襯底具有擁有支撐表面的主體以及固定到所述支撐表面的氮化物組合物層，所述氮化物組合物的主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組；(c)對準(zhǔn)所述層的發(fā)光裝置，用于照射所述樣本以導(dǎo)致材料從所述樣本的解吸而形成所述材料的離子；以及(d)在所述殼體內(nèi)用于捕獲所述離子以及用于將所述離子傳遞到所述分析儀的接口。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述氮化物組合物主要的重量含量是氮化鈦。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述氮化物組合物主要的重量含量是氮化鋯。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述氮化物組合物具有不大于10-1ohm-cm的電阻率。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述氮化物組合物包含占少量重量含量的除鈦、鋯和鉿之外能夠形成氮化物的元素。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述發(fā)光裝置是激光器。
39.根據(jù)權(quán)利要求33所述的質(zhì)譜儀，其中，所述殼體具有第一真空室、第二真空室和包含所述質(zhì)量分析儀的第三真空室，所述第二真空室位于所述第一真空室和所述第三真空室之間，并且所述接口包括(a)具有第一真空室和臨接所述第一真空室的第二真空室的殼體；(b)從所述襯底延伸到所述第一真空室的取樣毛細(xì)管，用于將所述離子傳送到所述第一真空室；(c)位于所述第二真空室內(nèi)的離子光學(xué)器件，所述離子光學(xué)器件從除沫器延伸并進(jìn)入所述第三真空室直到所述分析儀，用于將所述離子聚焦到所述分析儀。
全文摘要
一種用于基質(zhì)輔助激光解吸電離質(zhì)譜儀的襯底(16)。該襯底具有一主體(109)，該主體(109)具有支撐表面(107)和固定在支撐表面上的氮化物化合物層。氮化物化合物的主要重量含量來自氮化鈦、氮化鋯和氮化鉿的組。
文檔編號G01N33/543GK1723531SQ03818310
公開日2006年1月18日 申請日期2003年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月30日
發(fā)明者亞歷克斯·莫迪凱, 白健 申請人:安捷倫科技有限公司