專利名稱:二次電子檢測器的制造方法
【專利摘要】一種二次電子檢測器，包括：閃爍體，吸收二次電子并轉(zhuǎn)換為光；導(dǎo)光體與閃爍體連接；以及光電轉(zhuǎn)換裝置，將閃爍體導(dǎo)出的光轉(zhuǎn)換為電子后放大，且閃爍體包括：基板，配置于上述導(dǎo)光體上；導(dǎo)電膜設(shè)置于基板上，發(fā)光膜設(shè)置于導(dǎo)電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導(dǎo)電膜連接。本實用新型能抑制自試樣表面發(fā)出的二次電子的檢測量。
【專利說明】二次電子檢測器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種檢測器，尤其是一種二次電子檢測器。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的檢測器中，由高電壓而被吸引至閃爍體附近的二次電子的一部分會被環(huán)狀電極吸收。因此，閃爍體的二次電子的檢測量會減少，無法獲得充分的信號雜訊比。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供一種二次電子檢測器。
[0004]為解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:一種二次電子檢測器，包括:閃爍體，吸收二次電子并轉(zhuǎn)換為光；導(dǎo)光體與閃爍體連接；以及光電轉(zhuǎn)換裝置，將閃爍體導(dǎo)出的光轉(zhuǎn)換為電子后放大，且閃爍體包括:基板，配置于上述導(dǎo)光體上；導(dǎo)電膜設(shè)置于基板上，發(fā)光膜設(shè)置于導(dǎo)電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導(dǎo)電膜連接。
[0005]導(dǎo)電膜是透明氧化物。
[0006]上述光電轉(zhuǎn)換裝置是光電倍增管或半導(dǎo)體受光元件。
[0007]該實用新型的有益效果是:本發(fā)明能抑制自試樣表面發(fā)出的二次電子的檢測量。

【附圖說明】

[0008]圖1是本發(fā)明的實施形態(tài)的概略圖；
[0009]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)概略圖；
[0010]圖3是圖2的A-A剖面圖。

【具體實施方式】
[0011]電子束裝置包括鏡筒部10及試樣室18。鏡筒部10包括產(chǎn)生電子束(一次帶電粒子)EB的電子槍12、以及將電子束EB照射至安裝在試樣室18內(nèi)的試樣16的電子光學(xué)系統(tǒng)14。電子光學(xué)系統(tǒng)14中含有聚焦透鏡(focusing lens)、掃描線圈(scannina coil、)、物鏡(objective lens)等。試樣室I 8中設(shè)置對二次電子SE進(jìn)行檢測的二次電子檢測器20。如圖2所示，二次電子檢測器20包括閃爍體22、導(dǎo)光體24以及光電轉(zhuǎn)換裝置26。閃爍體22吸收自照射了電子束EB的試樣16表面所發(fā)出的二次電子SE后將二次電子SE轉(zhuǎn)換為光。導(dǎo)光體24使經(jīng)轉(zhuǎn)換的光穿透PMT26。光電轉(zhuǎn)換裝置26將通過導(dǎo)光體24而導(dǎo)出的光轉(zhuǎn)換為電子后放大，以生成電信號。作為光電轉(zhuǎn)換裝置26，可使用光電倍增管(photomultipliertube，PMT)、或光電二極體(photo d1de)、光電晶體(phototransistor)等半導(dǎo)體受光元件等。如圖2及圖3所示，閃爍體22包括配置于導(dǎo)光體24上的厚度為100 μm左右的基板2、置于基板2上的厚度1nm?I μ m左右的導(dǎo)電膜4、以及設(shè)置于導(dǎo)電膜4上的厚度為1nm?10nm左右的發(fā)光膜6。由二次電子SE的射入而由發(fā)光膜6所發(fā)出的光，穿透導(dǎo)電膜4及基板2后射入至導(dǎo)光體24。于發(fā)光膜6的外緣部的一部分設(shè)置使導(dǎo)電膜4露出的多個連接部8。連接部8與配線28連接，該配線28將用以吸引二次電子的電壓供給至導(dǎo)電膜4。作為導(dǎo)電膜4，可使用對由發(fā)光膜6所發(fā)出的光為透明的氧化鋅、氧化鈦等的透明氧化物。
【權(quán)利要求】
1.一種二次電子檢測器，其特征在于包括:閃爍體，吸收二次電子并轉(zhuǎn)換為光；導(dǎo)光體與閃爍體連接；以及光電轉(zhuǎn)換裝置，將閃爍體導(dǎo)出的光轉(zhuǎn)換為電子后放大，且閃爍體包括:基板，配置于上述導(dǎo)光體上；導(dǎo)電膜設(shè)置于基板上，發(fā)光膜設(shè)置于導(dǎo)電膜上，閃爍體還包括配線，配線與上述導(dǎo)電膜連接。2.如權(quán)利要求1所述的二次電子檢測器，其特征在于:導(dǎo)電膜是透明氧化物。3.如權(quán)利要求1所述的二次電子檢測器，其特征在于:上述光電轉(zhuǎn)換裝置是光電倍增管或半導(dǎo)體受光元件。
【文檔編號】G01N23-225GK204287085SQ201420711766
【發(fā)明者】侯晶 [申請人]成都唯昂新材料有限公司