專利名稱：光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法和測(cè)量裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光波導(dǎo)的測(cè)量方法，尤其是一種通過測(cè)量干涉光譜求 出光波導(dǎo)凈傳輸損耗的測(cè)量方法。
本發(fā)明還涉及用于上述方法的測(cè)量裝置。
背景技術(shù)：
在集成光學(xué)領(lǐng)域中，光波導(dǎo)是構(gòu)造集成光電子器件的基礎(chǔ)，傳輸損耗 的大小直接關(guān)系到光電子器件的性能。因此，精確獲知光波導(dǎo)的傳輸損耗 對(duì)于構(gòu)造高質(zhì)量的集成光學(xué)器件、提高微納米加工的工藝水平具有極為重 要的作用。
目前廣泛采用的測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗的方法是截?cái)喾?cut — back method),如圖1所示。由于不同長(zhǎng)度的光波導(dǎo)的傳輸損耗不同導(dǎo)致光纖對(duì) 光纖的測(cè)量時(shí)其總插入損耗也不相同。利用波導(dǎo)長(zhǎng)度與總體插入損耗的依 賴關(guān)系，就可以得出待測(cè)量波導(dǎo)單位長(zhǎng)度的傳輸損耗。具體的做法是首 先在同一光波導(dǎo)芯片上加工出不同長(zhǎng)度的待測(cè)量波導(dǎo)，然后利用光源、光 纖和光信號(hào)探測(cè)設(shè)備測(cè)量每一條波導(dǎo)的總插入損耗，根據(jù)測(cè)量得到的數(shù)值 做出總插入損耗與待測(cè)量波導(dǎo)長(zhǎng)度的依賴圖線，該圖線的斜率即為待測(cè)量 光波導(dǎo)單位長(zhǎng)度的傳輸損耗。
這種方法對(duì)于大尺寸的光波導(dǎo)是比較準(zhǔn)確的，但是，當(dāng)波導(dǎo)尺寸減小 到亞微米甚至納米量級(jí)，往往需要在待測(cè)量的波導(dǎo)的兩端附加一個(gè)寬度逐
漸變大的錐形波導(dǎo)(taper)以減小與光纖的耦合損耗，這樣一來(lái)，錐形波 導(dǎo)引入的損耗就會(huì)附加在待測(cè)量波導(dǎo)的傳輸損耗中，導(dǎo)致獲得的數(shù)值不夠 準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述已有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種光波導(dǎo)傳 輸損耗的測(cè)量方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種用于實(shí)現(xiàn)上述測(cè)量方法的測(cè)量裝置。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法，其步驟
如下
A) 將光波導(dǎo)芯片中的光波導(dǎo)按排列組合中不重復(fù)組合C〖的方式進(jìn)行 組合，其中n為光波導(dǎo)的條數(shù)；
B) 光源經(jīng)過3dB的光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合 到光波導(dǎo)芯片中按C〗的方式組合的其中一組光波導(dǎo)中，該組輸出光分別耦 合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成 的第一條馬赫-曾德爾干涉光譜；
C) 光源經(jīng)過3dB的光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合 到光波導(dǎo)芯片中按C〗的方式組合的另外一組光波導(dǎo)中，該組輸出光分別耦 合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成
的第二條馬赫-曾德爾干涉光譜；
D) 依序接入光波導(dǎo)芯片中按C〗的方式組合的各組光波導(dǎo)，重復(fù)步驟
A或B的測(cè)量，得到多條馬赫-曾德爾干涉光譜；
E) 根據(jù)測(cè)量得到的多條馬赫-曾德爾干涉光譜，利用光波導(dǎo)傳輸損耗 對(duì)干涉光譜的影響關(guān)系，推定出光波導(dǎo)的凈傳輸損耗。
本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)上述測(cè)量方法的測(cè)量裝置，包括光源、光波導(dǎo)芯片 和光信號(hào)探測(cè)器；
其中光波導(dǎo)芯片含有至少三條光波導(dǎo)；
光波導(dǎo)芯片的其中一側(cè)的光路上設(shè)有一3dB的光纖分束器，光源經(jīng)過 光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合到光波導(dǎo)芯片的兩條光 波導(dǎo)中；
光波導(dǎo)芯片的另一側(cè)的光路上設(shè)有一光纖合束器，從光波導(dǎo)芯片中的 兩條光波導(dǎo)輸出的光分別耦合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到 光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成的馬赫-曾德爾干涉光譜。
所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分束器的兩個(gè)輸出端 和光纖合束器的兩個(gè)輸入端制成圓錐形以減小與光波導(dǎo)芯片的耦合損耗 并提高測(cè)量精度。
所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光波導(dǎo)芯片的輸入和輸出 端進(jìn)行拋光以減小與光纖分束器和光纖合束器的耦合損耗提高測(cè)量精度。
所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分束器和光波導(dǎo)芯片 之間、光纖合束器和光波導(dǎo)芯片之間采用光纖陣列。
所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分束器、光纖合束器
與光纖陣列采用法蘭盤光纖轉(zhuǎn)接頭相接。
采用本發(fā)明的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法，能把除光波導(dǎo)傳輸損耗外 的附加損耗，比如光纖與光波導(dǎo)芯片的耦合損耗、光波導(dǎo)中非待測(cè)量部分 的傳輸損耗排除，推定出極為準(zhǔn)確的光波導(dǎo)凈傳輸損耗。此外，與普通的 截?cái)喾ㄏ啾?，本發(fā)明的測(cè)量方法并沒有增加任何的工藝難度，只需在測(cè)量 光路中增加釆用價(jià)格十分低廉的光纖分束器和光纖合束器。


圖l為公知技術(shù)的測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗的截?cái)喾ㄊ疽鈭D； 圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗的千涉譜測(cè)量法的示意
圖3為本發(fā)明實(shí)施例二的測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗的干涉譜測(cè)量法的示意
圖面標(biāo)記說(shuō)明l-光源；2-光波導(dǎo)芯片；2,-第一條待測(cè)量的光波導(dǎo)；
2r第二條待測(cè)量的光波導(dǎo)；23-第三條待測(cè)量的光波導(dǎo)；3-3dB的光纖分束
器；4-光纖合束器；5-光信號(hào)探測(cè)器；6,-輸入端的光纖陣列；62-輸出端的 光纖陣列；7,-光纖轉(zhuǎn)接頭；72-纖轉(zhuǎn)接頭；73-纖轉(zhuǎn)接頭；74-纖轉(zhuǎn)接頭。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法， 能把除光波導(dǎo)傳輸損耗之外的附加損耗排除，推定出極為準(zhǔn)確的光波導(dǎo)凈 傳輸損耗。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗的干涉 光譜測(cè)量法，構(gòu)成測(cè)量路徑的測(cè)量設(shè)備包括光源l、含有至少三條待測(cè)量 光波導(dǎo)的光波導(dǎo)芯片2和光信號(hào)探測(cè)器5;光波導(dǎo)按排列組合中不重復(fù)組合 q的方式進(jìn)行組合，其中H為光波導(dǎo)的條數(shù)(本例是以三條光波導(dǎo)為例)。
測(cè)量設(shè)備還包括一個(gè)3dB的光纖分束器3和一個(gè)光纖合束器4。測(cè)量時(shí)光源 的輸出光經(jīng)過光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合到光波導(dǎo) 芯片的第一條光波導(dǎo)2,和第二條光波導(dǎo)22中，其輸出光分別耦合到光纖合 束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成的馬赫-曾德 爾干涉光譜；然后把第二條光波導(dǎo)22和第三條光波導(dǎo)23配對(duì)、第一條光波 導(dǎo)2,和第三條光波導(dǎo)23配對(duì)接入到測(cè)量路徑中，重復(fù)上述馬赫-曾德爾干涉 光譜的測(cè)量；根據(jù)測(cè)量得到的三條干涉光譜，利用光波導(dǎo)傳輸損耗對(duì)干涉 光譜的影響關(guān)系，可以推定出光波導(dǎo)的凈傳輸損耗。
而且，光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法中，光纖分束器的兩個(gè)輸出端和光 纖合束器的兩個(gè)輸入端均可以拉成圓錐形以減小與光波導(dǎo)芯片的耦合損 耗、提高測(cè)量精度。
而且，光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法中，光波導(dǎo)芯片的輸入和輸出端可 以進(jìn)行拋光以減小與光纖分束器和光纖合束器的耦合損耗、提高測(cè)量精 度。
而且，光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法中，光纖分束器和所述光纖合束器 與所述光波導(dǎo)芯片耦合時(shí)應(yīng)使光耦合效率達(dá)到最大，以降低由于對(duì)準(zhǔn)偏差 引起的兩次干涉光譜測(cè)量結(jié)果的誤差。
而且，光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法中，可以在測(cè)量路徑的光纖分束器
和光波導(dǎo)芯片之間、光纖合束器和光波導(dǎo)芯片之間采用光纖陣列，以降低 光波導(dǎo)芯片與光纖分束器和光纖合束器耦合時(shí)獲得最大化耦合效率的位 置調(diào)節(jié)難度。
而且，光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法中，除了測(cè)量所述兩條干涉光譜外， 還可以測(cè)量其他多條馬赫-曾德爾干涉光譜，根據(jù)多次測(cè)量結(jié)果取平均值， 進(jìn)一步提高光波導(dǎo)凈傳輸損耗的測(cè)量精度。
下面結(jié)合附圖，詳細(xì)敘述本發(fā)明的具體實(shí)施方案。
實(shí)施例一
如圖2所示，為了測(cè)試某種類型的光波導(dǎo)的傳輸損耗，首先通過微納 米加工技術(shù)在一個(gè)半導(dǎo)體芯片2上制作出三條總長(zhǎng)度均為2毫米、待測(cè)量光
波導(dǎo)長(zhǎng)度分別為100微米、500微米和900微米的光波導(dǎo)2,、 22、 23，用于與 光纖實(shí)現(xiàn)較高效率耦合的錐形光波導(dǎo)其長(zhǎng)度為500微米，因此，寬波導(dǎo)的 總長(zhǎng)度分別為900微米、500微米和100微米。
如果感興趣的光波長(zhǎng)為光通信所用的1550納米，測(cè)量時(shí)可以用以該波 長(zhǎng)為中心的寬帶光源作為測(cè)試光源，用一個(gè)高分辨率的光譜分析儀5作為 光信號(hào)檢測(cè)器，測(cè)量所用的3dB光纖分束器3和光纖合束器4均可以從市場(chǎng) 上購(gòu)買。
測(cè)量時(shí)把光纖分束器的輸入端接入寬帶光源，該光纖分束器的兩個(gè)輸 出端分別與長(zhǎng)度為100微米和長(zhǎng)度為500微米的光波導(dǎo)耦合，調(diào)整光纖輸入 端與光波導(dǎo)芯片的相對(duì)位置，使二者達(dá)到最大效率的光耦合，同時(shí)使得散 射光引起的噪聲信號(hào)的干擾達(dá)到最小。從這兩條光波導(dǎo)輸出的光分別耦合 到光纖合束器的兩個(gè)輸出端，同樣需要使二者的耦合效率達(dá)到最大。光纖 合束器的輸出端接入光譜分析議檢測(cè)探測(cè)到的光信號(hào)。此時(shí)，在光譜分析 議上應(yīng)該能看到余弦型的振蕩曲線，因?yàn)楂@得的干涉光譜是波長(zhǎng)的余弦函 數(shù)(其原理將在下面論述)。記下該曲線的振幅等特征值。
接著，把長(zhǎng)度為500微米和900微米的待測(cè)量波導(dǎo)接入到光路中，兩端 分別與光纖分束器的輸出端和光纖合束器的輸入端耦合，同樣需要調(diào)整光 波導(dǎo)芯片與光纖的相對(duì)位置使耦合效率達(dá)到最大。此時(shí)相當(dāng)于把長(zhǎng)度為 500微米和800微米的光波導(dǎo)構(gòu)成了馬赫一曾德爾干涉儀的兩個(gè)干涉臂，從 光譜儀上記錄檢測(cè)到另一條干涉曲線。該曲線的振蕩周期與前一曲線相 同，但是振幅并不相同。
最后，把長(zhǎng)度為100微米和900微米的待測(cè)量波導(dǎo)接入到光路中，重復(fù) 同樣的干涉光譜測(cè)量，得到第三條干涉曲線，記下其振幅。
把第一條干涉曲線的振幅與第二條干涉曲線的振幅相除，得到比值卜 把第二條干涉曲線的振幅與第三條干涉曲線的振幅相除，得到比值"，則 待測(cè)量光波導(dǎo)的傳輸損耗系數(shù)"(cm一1)可以從下面的式子求出
<formula>complex formula see original document page 10</formula>
其中，T二500微米，L產(chǎn)100微米，L2二500微米，1^=900微米。"求
出來(lái)后，利用傳輸損耗系數(shù)與單位長(zhǎng)度的光波導(dǎo)傳輸損耗的如下關(guān)系，就
能求出單位長(zhǎng)度的光波導(dǎo)的傳輸損耗
損糧t/5/c/w) - 4.343."(cw-1)
本發(fā)明實(shí)施例的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法其原理詳細(xì)敘述如下。 為了確知某種類型的光波導(dǎo)的傳輸損耗，在同一個(gè)芯片上加工出三條
總長(zhǎng)度相同、錐形波導(dǎo)長(zhǎng)度也相同而待測(cè)量波導(dǎo)長(zhǎng)度不同的光波導(dǎo)。假定 三條長(zhǎng)度不同的待測(cè)量波導(dǎo)Lp L2和L3，錐形波導(dǎo)的總長(zhǎng)度均為T，而錐形 波導(dǎo)外、用于與光纖耦合的寬波導(dǎo)的長(zhǎng)度分別設(shè)為d,、 (12和(13。假設(shè)從光 源輸出的光功率為Pin，經(jīng)由3dB的光纖分束器分別耦合到第一條光波導(dǎo)和
的第二條光波導(dǎo)中，由該光纖分束器引入的相位差為AP、，則進(jìn)入到兩條 光波導(dǎo)中的光電場(chǎng)可以表示為
五2 = V^/2exp[y紐] 式中"為光電場(chǎng)的角頻率。
設(shè)光纖分束器與光波導(dǎo)芯片的幅值耦合效率為、錐形波導(dǎo)的損耗因 子為^"P，寬波導(dǎo)、錐形波導(dǎo)和待測(cè)量波導(dǎo)的傳播常數(shù)分別為"3，A，/^， 《為 待測(cè)量波導(dǎo)的損耗系數(shù)，則兩束光分別經(jīng)過長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)p L2的光波導(dǎo)后， 光電場(chǎng)的復(fù)振幅分別可以寫成 五<formula>formula see original document page 11</formula><formula>formula see original document page 11</formula>
波導(dǎo)的總長(zhǎng)度L^A+r+^-A+r + ^-常數(shù)，式中"。為寬波導(dǎo)的傳輸損
耗。從兩條波導(dǎo)輸出的光經(jīng)合束器合束后，輸出光的能量可以表示為 上式經(jīng)展開整理得到
<formula>formula see original document page 11</formula> 其中^ = ￡2-A為待測(cè)量波導(dǎo)的長(zhǎng)度差。
從上式可以看出，光信號(hào)探測(cè)設(shè)備測(cè)量到的千涉光譜是以功率為
<formula>formula see original document page 12</formula>
的直線為中心線、以
<formula>formula see original document page 12</formula>
為振幅進(jìn)行的余弦振蕩。
力2;4 exp[—a(丄,十L2) / 2 - a0(《+ ^) / 2]
接著測(cè)量以長(zhǎng)度分別為L(zhǎng)2和L3為干涉臂構(gòu)成的干涉曲線，獲得的干涉
光譜將具有與上式類似的表達(dá)式，在此略去。把得到的三條干涉曲線兩兩 相除，得到-
<formula>formula see original document page 12</formula>
<formula>formula see original document page 12</formula>
把上面兩式分別取對(duì)數(shù)，有-.
<formula>formula see original document page 12</formula>
<formula>formula see original document page 12</formula>
再把上面兩式分別相加相減，得到
<formula>formula see original document page 12</formula>
<formula>formula see original document page 12</formula>
考慮到絕大多數(shù)情況下"?！?，即"。的項(xiàng)均可以略去，由上面兩式最 終推導(dǎo)出 '
<formula>formula see original document page 12</formula>
從上述公式可以看出，只要測(cè)量出兩條干涉光譜，根據(jù)光波導(dǎo)芯片上 光波導(dǎo)的總長(zhǎng)度L、錐形波導(dǎo)的長(zhǎng)度T以及三條待測(cè)量波導(dǎo)的長(zhǎng)度L，L2和
L3，就能把待測(cè)量光波導(dǎo)的損耗系數(shù)"求出，且排除了錐形波導(dǎo)的損耗、
光纖與光波導(dǎo)芯片的耦合損耗等損耗因素，因此，求出的光波導(dǎo)凈傳輸損 耗比現(xiàn)有技術(shù)截?cái)喾ǖ臏y(cè)量結(jié)果精確。
如果公式中T， L， L,， L2和U均采用厘米為長(zhǎng)度單位，則光波導(dǎo)的傳 輸損耗系數(shù)"的單位相應(yīng)為cm—1，利用下面的公式可以求出光波導(dǎo)單位長(zhǎng) 度的傳輸損耗-
損耗(c/S / cm) = 4.343. a(cftT')
實(shí)施例二
圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的示意圖，與實(shí)施例一相比，不同之處在于， 在光纖分束器3與光波導(dǎo)芯片1之間、光纖合束器4與光波導(dǎo)芯片1之間各插 入了一個(gè)光纖陣列6,和62，其目的是減小光纖與光波導(dǎo)芯片直接耦合時(shí)的 損耗，從而減小總體的插入損耗，以提高測(cè)量精度。光纖分束器、光纖合 束器與光纖陣列可以采用法蘭盤等光纖轉(zhuǎn)接頭7,、 72、 73、 74相接。其余的 測(cè)量步驟與計(jì)算過程與圖2相同。這種方案比較適合測(cè)量光波導(dǎo)傳輸損耗 較小、而與光纖的耦合損耗較大的情況。
權(quán)利要求
1. 一種光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法，其步驟如下A)將光波導(dǎo)芯片中的光波導(dǎo)按排列組合中不重復(fù)組合Cn2的方式進(jìn)行組合，其中n為光波導(dǎo)的條數(shù)；B)光源經(jīng)過3dB的光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合到光波導(dǎo)芯片中按Cn2的方式組合的其中一組光波導(dǎo)中，該組輸出光分別耦合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成的第一條馬赫-曾德爾干涉光譜；C)光源經(jīng)過3dB的光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合到光波導(dǎo)芯片中按Cn2的方式組合的另外一組光波導(dǎo)中，該組輸出光分別耦合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成的第二條馬赫-曾德爾干涉光譜；D)依序接入光波導(dǎo)芯片中按Cn2的方式組合的各組光波導(dǎo)，重復(fù)步驟A或B的測(cè)量，得到多條馬赫-曾德爾干涉光譜；E)根據(jù)測(cè)量得到的多條馬赫-曾德爾干涉光譜，利用光波導(dǎo)傳輸損耗對(duì)干涉光譜的影響關(guān)系，推定出光波導(dǎo)的凈傳輸損耗。
2、 一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述測(cè)量方法的測(cè)量裝置，包括光源、光波導(dǎo) 芯片和光信號(hào)探測(cè)器；其中光波導(dǎo)芯片含有至少三條光波導(dǎo)；光波導(dǎo)芯片的其中一側(cè)的光路上設(shè)有一3dB的光纖分束器，光源經(jīng)過 光纖分束器均分為功率相等的兩束光后，分別耦合到光波導(dǎo)芯片的兩條光波導(dǎo)中；光波導(dǎo)芯片的另一側(cè)的光路上設(shè)有一光纖合束器，從光波導(dǎo)芯片中的 兩條光波導(dǎo)輸出的光分別耦合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到 光信號(hào)探測(cè)器以測(cè)量所形成的馬赫-曾德爾干涉光譜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分束器的兩個(gè)輸出端和光纖合束器的兩個(gè)輸入端制成圓錐形以減小與光波 導(dǎo)芯片的耦合損耗并提高測(cè)量精度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光波導(dǎo)芯片的輸入和輸出端進(jìn)行拋光以減小與光纖分束器和光纖合束器的耦合 損耗提高測(cè)量精度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分 束器和光波導(dǎo)芯片之間、光纖合束器和光波導(dǎo)芯片之間采用光纖陣列。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量裝置，其中，光纖分 束器、光纖合束器與光纖陣列采用法蘭盤光纖轉(zhuǎn)接頭相接。
全文摘要
一種光波導(dǎo)傳輸損耗的測(cè)量方法，構(gòu)成測(cè)量路徑的測(cè)量設(shè)備包括光源、含有三條或者三條以上待測(cè)量光波導(dǎo)的光波導(dǎo)芯片和探測(cè)設(shè)備，所述測(cè)量設(shè)備還包括一個(gè)3dB的光纖分束器和一個(gè)光纖合束器，測(cè)量時(shí)光源的輸出光經(jīng)3dB的光纖分束器后分別耦合到光波導(dǎo)芯片的第一條和第二條光波導(dǎo)中，其輸出光分別耦合到光纖合束器的兩個(gè)輸入端，合束后輸出到探測(cè)設(shè)備以測(cè)量形成的馬赫—曾德爾干涉光譜，隨后把第二條和第三條光波導(dǎo)配對(duì)、第一條和第三條光波導(dǎo)配對(duì)，接入到測(cè)量路徑中重復(fù)上述測(cè)量，根據(jù)測(cè)量得到的三條干涉光譜，利用光波導(dǎo)傳輸損耗對(duì)干涉光譜的影響關(guān)系，可以推定出光波導(dǎo)的凈傳輸損耗。本發(fā)明能把附加損耗排除，求得的光波導(dǎo)傳輸損耗更為準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)G01M11/00GK101206155SQ20061016554
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者余和軍, 余金中, 李智勇, 陳少武 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所