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      帶有多孔吹風(fēng)器的薄膜厚度傳感器的制作方法

      文檔序號:6123144閱讀:176來源:國知局

      專利名稱::帶有多孔吹風(fēng)器的薄膜厚度傳感器的制作方法帶有多孔吹風(fēng)器的薄膜厚度傳本發(fā)明涉及一種符合禾又利要求1所述的用于對相對于傳感器系統(tǒng)運動的扁平材料進行測厚的傳繊系統(tǒng);本發(fā)明還涉及一種符合權(quán)利要求7所述且包括一個此對專感器系統(tǒng)的薄膜制備設(shè)備;本發(fā)明還涉及一種符合權(quán)禾腰求9所述使包括一個此類傳感器系統(tǒng)的吹膜設(shè)備運纟亍的方法。用于對相對于傳感器系統(tǒng)運動的扁平材料進行測厚的傳感器系統(tǒng)早已為人所知,適宜將其用來對剛剛擠出的薄膜進行測厚。測量ftffi來調(diào)節(jié)薄膜厚度。所述扁平材料主要指薄膜狀或者薄片狀的材料,通常使這種材料經(jīng)過包括一個傳SI裝置(例如傳感頭)的傳繊系統(tǒng)。所使用的測量方法有光學(xué)、放射性、感應(yīng)式以及電容式測量方法。尤其當(dāng)制備敏感織占性薄膜時,那些與薄膜有接觸的傳系統(tǒng)可能會引起損傷。因此,編號為EP591239B1的專利說明書建議利用氣墊使傳li^體與薄膜相隔一定間距。編號為EP591239B1的專利說明書所述的此類隔開一定間距的傳SI裝置是一種電容式傳,在薄膜的一側(cè)將該傳感器的兩個電極安裝于傳感頭上。這兩個電極均具有朝向薄膜的工作面。在這兩個電極的工作面之間形成電場,該電場穿過傳感器裝置與薄膜之間的氣墊、穿過薄膜以及薄膜后面同樣也是充氣的空間。已知電容器容量與電場所穿透的物質(zhì)(空氣和薄膜材料)的介電常數(shù)8T有關(guān)。薄膜材料厚度變化會改變電容器的容量。但是,薄膜與電極工作面之間的間距波動也會改變電容器的容量。即4採用戰(zhàn)其包則量原理,例如感應(yīng)式測量原理,薄膜(或者任意一種扁平材料)的這禾中間距影響也會存在。尤其對于吹膜設(shè)備而言,該間距始終在變化,因為薄膜在不停地抖動,有可能導(dǎo)致傳自裝置和薄膜之間發(fā)生接觸。編號為DE19511939Al的公開說明書因此建議連續(xù)測量傳lt^裝置和薄膜之間的間距,根據(jù)測量值來調(diào)節(jié)傳麟裝置的位置,并且fflil膜泡的徑向運動進行連續(xù)調(diào)整,使之適應(yīng)薄膜的抖動。當(dāng)然,這里還需要利用傳繊裝置邊緣區(qū)域內(nèi)的負(fù)壓吸嘴來吸住薄膜,從而限制薄膜相對于傳皿^S抖動。編號為EP801290B1的專利說明書闡述了解決該問題的另一種方法,同樣也是建議連續(xù)調(diào)節(jié)傳SI和薄膜之間的間距,ffil測量薄膜和傳^l體之間的動壓,獲得用于進纟亍調(diào)節(jié)的測量信號。由于傳感器裝置的運動滯后于薄膜的抖動,因此補充建議按照下述方式來減小厚度測量過程中因間距波動而產(chǎn)生的誤差在測量厚度之時測量實際間距。根據(jù)間距測量值,{昔助一種誤差函數(shù)來修正(有誤差的)厚度測量值。另一種方法在于僅當(dāng)正好以正確的間距通過時進行測量,但會導(dǎo)致觀糧時間間隔不均等。就這種描述而言,顯而易見,所述的觀糧體復(fù)雜、昂貴,但還是易于出現(xiàn)誤差。因此,本發(fā)明的任務(wù)就是消除這些缺點。可M51權(quán)利要求1所述的特征解決這一任務(wù)。試驗結(jié)果表明,氣墊在多孑L或者帶有微孔材料上要比在其它材料上穩(wěn)定得多,本發(fā)明正是利用了這一現(xiàn)象。這樣就使間距波動的影響變得很小,因此可以使傳感器明顯更加,薄膜。如果將傳感器裝置的朝向薄膜(或者任意一種扁平材料)的一側(cè)適當(dāng)朝向扁平材料按壓,則可進一步減小薄膜抖動。在通常情況下,該材料^^施加克服本發(fā)明所述穩(wěn)定氣墊的反力,結(jié)果就會形成平衡狀態(tài),從而限制抖動。視應(yīng)用情況而定,通常也可至少部分由不同于扁平材料的其它物體或者物理量來施加這種反力。對于一種吹膜設(shè)備(Blasfolienanlage),則膜泡的內(nèi)壓將在這里起到?jīng)Q定性的作用。在這種應(yīng)用情況下,最好利用傳裝置朝向膜泡的一面在較長的時間內(nèi)(也許在旨任務(wù)執(zhí)行過程中)壓向膜泡之中。從膜泡外側(cè)進行測量的傳裝置的氣墊此時在膜泡的徑向方向位于膜泡的理論半徑之內(nèi)。對于傳的朝向薄膜的一側(cè)以及傳繊裝置的部件本身而言,通常是同樣的情況。膜泡的橫斷面可能會在測量部位處明顯郷。此類傳繊通常在膜泡的圓周方向中圍繞膜泡運動,以便沿著圓周方向測量猴泡的厚度分布。氣墊進入膜泡理論半徑的壓入深度最好為15厘米,甚至可以為515厘米。本發(fā)明這一實施例的重要之處在于壓A^深度并非是傳S^裝置位置調(diào)節(jié)過程產(chǎn)生的結(jié)果,其中傳感器裝置嘗i鄉(xiāng)艮蹤抖動的薄膜,且有時也會占據(jù)這樣一種位置。氣墊所產(chǎn)生的壓力本身影響薄膜位置和抖動特性。因此在本發(fā)明所述的一種特別有益的實施例中,可以省于來測量薄膜的位置的所有花費,不必連續(xù)快速地修正傳裝置的位置,也不必采用EP801290Bl和DE19511939A1所推薦的其它措施來防止薄膜抖動戶萬引起的后果。當(dāng)傳li^裝置占據(jù)這樣一種相對于扁平材料的暴露位置,并且在必要的情況下向該材料施加壓力時,最好育,識別扁平材料的破損部位何時以及是否會由于相對運動而^fi傳繊體,否貝何能會發(fā)生傳麟驢在該部位上產(chǎn)生孑L洞或者將孔洞擴大并且伸入到材料之中盼瞎況。之后就會由于材料與傳感器之間的相對運動,造成扁平材料或者傳裝置上的大的破損。因此,最好能在必要時識別此類損傷,并且^(專麟裝置向后拉,使其遠(yuǎn)離材料。將本發(fā)明所述的原理應(yīng)用于包含有感應(yīng)式或者電容式測量手段的傳麟裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)特別好的$媒,因為就這些測量方法而言,間距波動對觀糧結(jié)果的影響非常大。電容式觀糧裝置在扁平材料的一側(cè)具有兩個電極,在戰(zhàn)引用的三個文獻中就描繪了這些電極的形狀。這些電極通常均相對圍繞,其工作面在傳裝置的朝向扁平材料的一面上。傳自裝置在這一面上的電aa常是兩個同心圓、兩個橢圓,或者具有曲折的相互交叉的段的形4犬。本發(fā)明所述用于吹膜設(shè)備的傳感器裝置可以安裝于迄今為止并不公開使用這些傳感器的設(shè)備的部位上。迄今為止是將此類傳S^沿著薄膜的輸送方向安裝于校準(zhǔn)籃和展平裝置之間。薄膜在該部位的抖動相對較小,膜管尚且具有圓形橫斷面,并且已經(jīng)基本上結(jié)晶。在該部位進行觀糧的缺點在于吹頭或^4卩環(huán)之間的距離很大,冷卻環(huán)上的薄膜厚度會產(chǎn)生波動,也可以艦吹氣或者加熱熔體的方式來控制厚度波動。4頓本發(fā)明所述的一種觀糧系統(tǒng)例如可以在吹頭的噴嘴縫隙和校準(zhǔn)籃(如果已安裝)之間進行測量。因此,也可以將本發(fā)明所述的測量系統(tǒng)與文件號為102005038731.4尚未公布的德國專利申請書所描述的裝置組合使用。該專利申請中描述了如何直接在擠出薄膜之后限制剛劑出的薄膜抖動特性,這里也提出使用多孔材料,并且也建議將薄膜"夾緊"于兩個氣墊之間。該申請中所推薦的措施或用于弓l導(dǎo)薄膜或者限制薄膜抖動特性的裝置特征均為本專利說明書的組成部分。保留對該申請公布內(nèi)容的弓閱保留在本發(fā)明所述專利請求的范圍中。傳統(tǒng)型傳/i^,布置的另一個缺點是需要沿著膜泡周圍的3蟲立的懸掛裝置(通常有幾米高)以及傳裝置的導(dǎo)向機構(gòu)產(chǎn)生的高額設(shè)備費用。可以將傳^l體與校準(zhǔn)籃組合在一起,對于本發(fā)明所述的傳感器裝置而言,這種方式尤其有益,因為所述的氣墊特性。也可以沿著膜泡周圍安裝多個傳感器,從而可省去傳感器系統(tǒng)沿著膜泡周圍的運動。也可以將傳mi裝置安裝于展平裝置上。如果將其安裝在實際的展平^S后面,則一個傳感器通常就可以同時測量膜管的兩個重疊圓周段的厚度。采用特殊的計算方法,或者以光學(xué)方法測定兩層之間邊界層的位置,也可以解決這一問題。本發(fā)明的其它實施例均來源于具體描述和相關(guān)權(quán)利要求。相關(guān)附圖如下附圖1第一吹膜擠出設(shè)備的示意圖附圖2第一吹膜擠出設(shè)備的示意圖附圖3沿附圖1中剖切線A-A剖開的剖面圖,包括環(huán)繞膜泡周圍的傳感器系統(tǒng)的附加特征。附圖4電容式傳繊裝置朝向扁平材料一側(cè)的俯視圖附圖1所示為第一種吹膜擠出設(shè)備4,其中的膜泡2或者膜管從吹頭1沿箭頭z方向擠出。由包括夾輥5和6的壓扁裝置7將膜泡2壓扁。厚度測量系統(tǒng)3處在典型的位置。厚度測量系統(tǒng)2通常是一種傳裝置,或者是如附圖4所示圍繞膜泡2周圍的傳感頭14。附圖2所示為第二種吹膜擠出設(shè)備4,它具有和第一種吹膜擠出設(shè)備相同的特征。但第二種吹膜擠出設(shè)備的示意圖上還有其它一些有時是必要的,有時是可選的裝置,用于將其在擠出設(shè)備中的位置表示出來。沿輸送方向z觀察,首先是粉轉(zhuǎn)咬氣吹向膜管2的外7賴卩環(huán)8。在現(xiàn)代化的設(shè)備中,外7賴卩環(huán)可以對吹向膜管2圓周的段21n的7賴控氣的纟鵬進行調(diào)節(jié),以使厚處均勻。也可調(diào)節(jié)吹頭內(nèi)的熔術(shù)顯度來達到這一目的。相對于附圖1的添加的另一個裝置特征是用來確定膜管2直徑的校準(zhǔn)籃10。附圖2所示的傳感器系統(tǒng)3還包括一個第二傳繊裝置24,后面將對其功能進行詳細(xì)解釋。在壓扁裝置7前還有展平裝置11。圖中也繪出了冷卻區(qū)9的典型位置,在該7轉(zhuǎn)嘔中使首先作為膜熔體形式存在的材料至少局部結(jié)晶,或者形成晶粒。附圖3所示是圍繞膜泡周圍運動的傳感器系統(tǒng)3的剖面,見圖。圖中所示的多數(shù)部件均用來^m—傳感器裝置14朝向膜泡2運動,或者使其接近膜泡。用來直接固定體14的臂13鉸接在傳感器支架12上,使其可以沿著膜泡的徑向r移動。傳感器支架12可以與,兩個部件13、14一起沿著導(dǎo)軌22運動。通常在測量周期內(nèi)使傳支架沿著圓周方向[(cp)方向]圍繞膜泡運動。為了便于理解,圖中還繪出了膜泡的圓周段21m和210,其表示現(xiàn)代的厚度調(diào)節(jié)方法通常將膜泡圓周分解成N個可以制蟲調(diào)節(jié)的圓周段或者扇區(qū)21n。附圖3中沒有繪出臂13和傳感器支架12構(gòu)成的固定裝置對傳感頭14朝向薄膜的一側(cè)15或者氣墊23進行適當(dāng)定位,使其處在膜泡2的理論半徑R范圍之內(nèi)。圖中使用帶有附圖標(biāo)記S的箭頭M示位移距離S或者其(夸大的)位移量。在吹膜設(shè)備4上使用本發(fā)明所述的傳系統(tǒng)3時,具有可以移動的優(yōu)點,對此已有討論。第二傳感器裝置24也是本發(fā)明所述的一種有益實施例,如附圖2所示,該裝置可在薄膜輸送方向z中在第一傳裝置14前面探測薄膜是否有損傷和破洞。當(dāng)發(fā)現(xiàn)有破洞時,就會移動杠桿臂13,使第一傳感器裝置14離開薄膜。圖中用箭頭25表示的這一運動的執(zhí)行器,可以安裝在杠桿臂13之中,或者安裝于傳感器支架12上??蒑移動來避免薄膜2和第一傳感器裝置14受損。光學(xué)傳或者育,對電磁波作出反應(yīng)的傳感器均可用來實現(xiàn)這一目的,這些傳自通常需要一個安裝于膜泡內(nèi)部的對應(yīng)元件。附圖4是電容式傳感器的傳,裝置14朝向薄膜一側(cè)的示意圖。這一側(cè)14可分成電極10范圍之外的區(qū)域、外側(cè)和內(nèi)側(cè)電極17和19、電極17和19之間的電介質(zhì)18以及通常(但并非始終)有的一個內(nèi)側(cè)區(qū)域20。多孔或者有微孔的材料可以位于其中的任何一個區(qū)域之中。在其中的任何一個區(qū)域內(nèi)其也可以是用來壓迫空氣的材料,以便形成氣墊。即使沒有空氣直接在該部位上受到材料的壓迫,而是僅僅在相鄰部位上受到壓迫,這種材料也要有助于氣墊的穩(wěn)定性。至少一個電極或者至少其工作面也可以由一種這樣的材I4構(gòu)成。為了盡可育g有禾哋定位電場,可以選擇一種金屬,尤其是一種燒結(jié)金屬。如果燒結(jié)金屬具有細(xì)微的晶粒結(jié)構(gòu),或者材料具有細(xì)微孔,聯(lián)系將傳壓入膜泡之中則是特別有利的。就這種情況而言,將小于100縣的晶粒尺寸或者W殘盼為細(xì)微等級。如果晶粒尺寸或者孔徑小于80微米,甚至小于50微米,則更為有益。就這些晶粒尺寸或者L徑而言,可以使用壓力相對較高的空氣來形成氣墊,從而有助于穩(wěn)定氣墊。即使為小于一巴的50或者100毫升空氣,也能形成相對較高的壓力。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>權(quán)利要求1.用于對相對于傳感器系統(tǒng)(3)運動的扁平材料(2)進行測厚的傳感器系統(tǒng)(3),其(1)具有下列特征-用來對扁平材料(2)進行測厚的第一傳感器裝置(14),-用來產(chǎn)生氣墊(23)的裝置,其被設(shè)置,從而可在運轉(zhuǎn)過程中在傳感器裝置(15)的所述至少朝向扁平材料(2)的一側(cè)與扁平材料(2)之間形成氣墊(23),其特征在于第一傳感器裝置(14)在氣墊(23)的范圍內(nèi)具有由多孔材料以及/或者帶有微孔的材料構(gòu)成的表面段。2.根據(jù)戰(zhàn)權(quán)利要求所述的傳感器系統(tǒng),特征在于-用來識別扁平材料(2)內(nèi)損傷或者破洞的第二傳感器裝置(24),-該傳裝置(24)相對于第一傳感皿置(14)和扁平禾才料(2)布置,-使ME受損部位或者破洞由于扁平材料(2)與第一傳S^裝置(14)之間的相對運動到達氣墊(23)區(qū)域之前,能夠識另咄扁平材料(2)中的受損部位或者破洞。3.根據(jù)戰(zhàn)權(quán)利要求所述的傳感器系統(tǒng),特征在于用來改麟一傳感器裝置(14)和扁平材料(2)之間距離的回拉裝置(12,13)。4.根據(jù)戰(zhàn)權(quán)利要求中任一項所述的傳麟體,其特征在于,第一傳繊裝置(14)包括感應(yīng)式或者電容式測量裝置。5.根據(jù)J^權(quán)利要求所述的傳,系統(tǒng),其特征在于,傳感器系統(tǒng)(3)包括電容式測量裝置,且電容式測量,包括至少兩個布置于扁平材料(2)—側(cè)的電極(17,19)。6.根據(jù),權(quán)利要求所述的傳感器系統(tǒng),其特征在于,多孔的或具有微孔的材料布置于傳感器裝置朝向扁平材料(2)的所述至少一面的下列局部區(qū)域中的至少一個區(qū)域之中-在電極(17,19)的在朝向扁平材料(2)的工作面之間(18),-在電極(17,19)的在朝向扁平材料(2)的工作面周圍(16)-在的電極(17,19)的朝向扁平材料(2)工作面上。7.吹膜設(shè)備(4),其特征在于,按照J(rèn)l^權(quán)利要求中任一項所述特征的傳感器系統(tǒng)(3),可利用該傳感器系統(tǒng)(3)在吹膜設(shè)備的下列部位中的至少一個部位上測量薄膜厚度-在吹頭(1)和膜管冷卻區(qū)(9)之間-在校準(zhǔn)籃(10)上-在校準(zhǔn)籃(10)和展平裝置(11)之間-在展平^a(ii)上-在壓扁裝置(7)上-在展平裝置(11)后面8.用于運行生產(chǎn)薄膜(3)的設(shè)備(4)的方法,-其中在設(shè)備(4)運行過程中通過傳感器裝置(14)來測量薄膜(2)的厚度,并且-其中在傳,裝置(14)朝向薄膜(2)的所述至少一側(cè)(15)和薄膜(2)之間產(chǎn)生氣墊(23),其特征在于,通過由多孔的或有微孔的材料壓迫空氣的方式來產(chǎn)生氣墊(23)。9.根據(jù),權(quán)利要求所述的方法,其特征在于,第一傳感器裝置(14)的朝向薄膜(2)的面(15)在測量過程中位于膜泡(2)之外,但可在測量周期內(nèi)艦固定裝置(12,13)朝向膜泡(2)調(diào)整,使得第一傳麟裝置(14)朝向薄膜(2)的面(15)位于膜泡(2)的理論半徑(R)范圍之內(nèi)。全文摘要本發(fā)明涉及一種用于對相對于傳感器系統(tǒng)(3)運動的扁平材料(2)進行測厚的傳感器系統(tǒng)(3),所述傳感器系統(tǒng)具有對扁平材料(2)進行測厚的傳感器裝置(14),且具有適當(dāng)布置的用來產(chǎn)生氣墊(23)的裝置,從而在運轉(zhuǎn)過程中可以在傳感器裝置(15)朝向扁平材料(2)的一側(cè)與扁平材料(2)之間形成氣墊(23)。第一傳感器裝置(14)在氣墊(23)的范圍內(nèi)具有多孔材料以及/或者微孔材料構(gòu)成的表面段。文檔編號G01B7/06GK101322007SQ200680040105公開日2008年12月10日申請日期2006年10月24日優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日發(fā)明者M·巴克曼申請人:溫德莫勒及霍爾希爾公司
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