專利名稱：電流檢測電路及裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及檢測技術，更確切地說，涉及一種電流檢測電路以及一種電流檢測裝置。
背景技術：
對電路進行檢測，主要是對電路中的電流和電壓進行檢測?，F(xiàn)有的技術關于電壓檢測已經(jīng)非常成熟，幾乎可以在電路的任何位置進行且不會對電路的性能產(chǎn)生明顯的影響；而電流的檢測則相對復雜得多，而且電流檢測多數(shù)都是通過把電流信號映射成電壓信號來達到檢測目的的。
現(xiàn)有技術中比較常用的是將檢流電阻串聯(lián)在被檢測電流所在的回路中，通過檢測檢流電阻兩端的電壓來確定被檢測電流。如圖1所示，為檢測流經(jīng)負載2的被檢測電流I檢，檢流電阻1串聯(lián)在負載2所在的回路中，被檢測電流I檢同樣流經(jīng)檢流電阻1，通過測量檢流電阻1兩端的電壓，由于檢流電阻1的阻值已知，根據(jù)歐姆定律即可得出被檢測電流I檢的大小。
用檢流電阻1測量電流時必然會在檢流電阻1上產(chǎn)生壓降，此壓降的存在相當于減少了電源的供電能力，從電源的供電方面考慮，為使此壓降的存在不對其它電路產(chǎn)生供電方面的影響，要求此壓降比較小。因此，被檢測電流I檢越大，則要求檢流電阻1的阻值越小，而相同的工藝下，電阻越小，電阻值的精確度越難控制，受離散參數(shù)的影響越嚴重，當被檢電流I檢大到一定程度時，滿足檢流電阻上產(chǎn)生小電壓降的檢流電阻1的阻值的精確度就很低，使用檢流電阻1的標稱電阻值作為實際電阻值進行測量誤差會很大，此時在批量制作的同樣的電路中，即使使用相同工藝制作，同樣的標稱值的檢流電阻，對同樣的電流進行檢測的結(jié)果差異也會很大，精確度難以滿足要求。
所以，上述用檢流電阻測量電流的方法，在保證電源供電和精度的情況下，檢測電流的范圍會受到限制，檢測大電流時精確度不能滿足測量要求。
此外，電阻有額定功率的限制，超過一定功率，電阻就不能正常工作，電阻的額定功率的限制也使得使用檢流電阻在測量大電流的應用中受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例針對上述使用檢流電阻測量大電流時檢流電阻阻值受離散參數(shù)的影響而造成精確度差的問題，提出了一種檢測大電流時精確度更高的電流檢測電路及裝置。
本發(fā)明實施例提供的電流檢測電路包括MOS管，通過源極和柵極串聯(lián)于被檢測電流所在的回路之中；偏置電路，與所述MOS管的柵極相連，將所述MOS管偏置在線性工作區(qū)；電壓檢測電路，與所述MOS管的源極和柵極相連，檢測所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差，所述電壓差為所述電流檢測電路的測量信號。
本發(fā)明實施例還提出了一種電流檢測裝置，該裝置包括電流檢測電路，所述電流檢測電路包括MOS管，通過源極和柵極串聯(lián)于被檢測電流所在的回路之中；偏置電路，與所述MOS管的柵極相連，將所述MOS管偏置在線性工作區(qū)；電壓檢測電路，與所述MOS管的源極和柵極相連，檢測所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差，所述電壓差為所述電流檢測電路的測量信號。
本發(fā)明實施例采用了工作在線性區(qū)的MOS管對電流進行測量，MOS管工作在線性區(qū)時，即使測量大電流，即MOS管流過大電流，源極與漏極之間的電壓也很小，對電源的影響較小；另外，MOS管工作在線性區(qū)時的等效電阻可精確地確定，相較檢流電阻檢測電路來說，提高了測量大電流的測量精度。


圖1為現(xiàn)有技術使用檢流電阻檢測電流的示意圖；圖2為本發(fā)明電流檢測電路的結(jié)構(gòu)框圖；圖3為本發(fā)明電流檢測電路的實施例一的電路圖；圖4為本發(fā)明電流檢測電路的實施例二的電路圖；圖5為本發(fā)明電流檢測電路的實施例三的電路圖；圖6為本發(fā)明電流檢測電路的實施例四的電路圖；具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合附圖，利用具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
本發(fā)明實施例利用金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET，以下簡稱MOS管)工作在線性區(qū)時，流經(jīng)該MOS管的電流與該MOS管的源極與漏極之間的電壓差成正比的特性檢測電流。
如圖2所示，MOS管21被串聯(lián)在待檢測電流IT所在的支路中，即，MOS管與待檢測電流IT流經(jīng)的負載22串聯(lián)，偏置電路1與MOS管21的柵極相連，給MOS管21提供柵極電壓，將MOS管21偏置在線性工作區(qū)。電壓檢測電路3的兩個檢測端子分別與MOS管21的漏極和源極相連，檢測MOS管21的漏極和源極之間的電壓差。下面分析MOS管21的漏極和源極之間的電壓差與待檢測電流IT成正比的對應關系，由此對應關系就可以得到待檢測電流IT的大小以PMOS管(P溝道MOS管)為例，PMOS管的電流-電壓特性公式為I=KpWL[2(VSG-VTHP)VSD-VSD2],]]>其中，KP為工藝參數(shù)， 為MOS管的寬長比；VSG為PMOS管的源極與柵極之間的電壓差，簡稱源柵電壓；VTHP為PMOS管的閾值電壓；VSD為PMOS管的源極與漏極之間的電壓，簡稱源漏電壓。
由上述PMOS管的電流-電壓特性公式I=KPWL[2(VSG-VTHP)VSD-VSD2]=KPWL[2(VSG-VTHP)-VSD]*VSD]]>可知，當2(VSG-VTHP)＞＞VSD，即MOS管工作在線性區(qū)時，I=2KPWL(VSG-VTHP)*VSD,]]>
所以，此時流經(jīng)PMOS管的電流I與PMOS管的源漏電壓VSD成正比，測出PMOS管的源漏電壓VSD就相當于測出了流經(jīng)PMOS管的電流的大小，即所述PMOS管源極與漏極之間的電壓差VSD可作為電流檢測電路的測量信號。
從I=2KPWL(VSG-VTHP)*VSD]]>可看出，PMOS管工作在線性區(qū)時，相當于一個等效的小電阻，此等效電阻RE=12KPWL(VSG-VTHP),]]>由PMOS管工作在線性區(qū)下的特性2(VSG-VTHP)＞＞VSD可知，即使I很大，VSD仍然很小，而電流RE=VSDI,]]>所以RE很小，滿足測量大電流時對電源分壓小的要求，同時，由于MOS工藝的特點，相較電阻工藝而言，KP、 VTHP都能精確地確定，而VSG可精確地設置或測量，即相對于與MOS管工作在線性區(qū)時的等效電阻阻值相同的檢流電阻而言，MOS管等效電阻的精確度高于檢流電阻的精度，所以對于采用相同MOS工藝制作，具有相同寬長比與閾值電壓的PMOS管來進行大電流檢測的不同電路，對同一電流的測量結(jié)果的一致性，與采用相同電阻工藝制作的檢流電阻來進行大電流檢測的不同電路，對同一電流的測量結(jié)果的一致性相比，前者高于后者。即本發(fā)明實施例采用MOS管進行大電流測量的精確度較利用檢流電流進行大電流測量的精確度高。
而且，相較檢流電阻而言，MOS管的額定功率可以很大，采用MOS管來進行電流檢測，能適用于大功率場合。
以下以圖2中的MOS管21為PMOS管211，偏置電路1為第一電阻11和第二電阻12組成的電阻分壓電路，電壓檢測電路3包括濾波模塊與差分放大電路為例來具體說明本發(fā)明的第一實施方式
如圖3所示，偏置電路1包括第一偏置電阻11和第二偏置電阻12，第一偏置電阻11的一端與PMOS管211的源極相連，第一偏置電阻12的另一端、PMOS管的柵極以及第二偏置電阻12的一端連接于同一節(jié)點，第二偏置電阻12的另一端接公共地；PMOS管211的源極與電源20相連，漏極與負載22的一端相連，負載22的另一端接公共地；電壓檢測電路3由濾波模塊和差分放大電路組成，優(yōu)選地，濾波模塊由濾波電阻32及濾波電容31組成，濾波電阻的一端與PMOS管211的漏極相連，另一端與濾波電容的一端相連，濾波電容的另一端與PMOS管211的源極相連；差分放大電路可為電壓減法運算電路，具體地，電壓減法電路由運算放大器36、第一電阻33、第二電阻34、第三電阻35及第四電阻37構(gòu)成，第一電阻33的一端與PMOS管21的源極相連，另一端與運算放大器36的反相輸入端及第三電阻35的一端相連，第三電阻35的另一端與運算放大器36的輸出端相連，第二電阻34的一端與PMOS管211的漏極相連，另一端與運算放大器36的同相輸入端及第四電阻37的一端相連，第四電阻37的另一端與公共地相連。
對PMOS管211而言，偏置電路1要使PMOS管211的各端子的電壓滿足2(VSG-VTHP)＞＞VSD，只要使PMOS管211的柵極電壓VG相對于VD來說小到一定程度就能滿足2(VSG-VTHP)＞＞VSD。
由于PMOS管211的源漏電壓VSD在線性區(qū)和飽和區(qū)都很小，而漏極電壓VD等于電源20的電壓V20減去PMOS管211的源漏電壓VSD，即VD＝V20-VSD，從該式可看出，VD接近電源電壓V20，所以，使PMOS管211的柵極電壓VG相較于VD而言很小是很容易的。設第一分壓電阻11的電阻值為R11，第二分壓電阻12的阻值為R12，則VG=R12R11+R12*V20,]]>采用適當?shù)腞11和R12(如R11＞＞R12)容易使VG相較V20而言很小，也即相較VD很小，滿足2(VSG-VTHP)＞＞VSD。
需要指出的是，上述實施例采用將MOS管串聯(lián)在電源20與負載22之間的方式只是一種比較優(yōu)選的方式，也可采用將MOS管串聯(lián)在兩個負載之間的方式進行測量，只要偏置電路能夠保證MOS管偏置在線性工作區(qū)均可實現(xiàn)測量電流的目的。
由前面的分析可知，當PMOS工作在線性區(qū)時VSD的大小即可表征被測電流的大小，電壓檢測電路3完成測量VSD的測量濾波電容31和濾波電阻32起到緩啟動的作用，濾除高頻沖擊電流或者干擾信號，消除這些信號對測量精度的影響。當然，濾波電容31和濾波電阻32并不是必須采用的，沒有此濾波模塊，僅用后級的電壓減法運算電路也能測出PMOS管211的源柵電壓。
設第一電阻33的阻值為R33、第二電阻34的阻值為R34、第三電阻35的阻值為R35、第四電阻37的阻值為R37，則電壓減法運算電路的運算結(jié)果，也即運算放大器36的輸出端輸出的電壓VT為VT=R33+R35R33*R37R34+R37*VD-R35R33*VS,]]>在上式中，如果選取電阻值滿足R35R33=R37R34]]>的關系，則有VT=R35R33*(VD-VS)=-R35R33*VSD.]]>從上式可看出，電壓減法運算電路測量出了PMOS管211的源極與柵極之間的電壓，從前面的分析可知，此電壓表征了被檢測電流，所以上述實施例提供的電路可以檢測出被檢測電流。
對于本實施例，電壓檢測電路3實際上是采用差分式放大電路進行電壓測量，為方便調(diào)節(jié)，以減少差分放大電路的輸入失調(diào)對電路的測量精度的影響，第四電阻37可設計為可調(diào)電阻。
需要說明的是，所述電壓減法運算電路的連接方式不限定于上述測量PMOS管211的漏極電壓減去源極電壓，得到PMOS管211的漏源電壓(漏極與源極之間的電壓)的方式，也可采用測量PMOS管211的源極電壓減去漏極電壓，得到PMOS管211的源漏電壓的方式，此點是本領域技術人員很容易通過上述實施方式的啟示而得出的；進一步，本領域技術人員也容易根據(jù)本實施例的啟示采用其它差分電路或其他形式的電路測出PMOS管211源極與漏極之間的電壓。
如前所述，濾波電阻31和濾波電容32不是上述實施例所必須采用的，如果采用，對于濾波電容31與濾波電阻32的具體連接，也不限定于上述方式，還可僅用濾波電容31，濾波電容31的兩端分別接PMOS管211的源極與漏極；還可將濾波電容31的一端與PMOS管211的漏極相連，另一端與濾波電阻32的一端相連，濾波電阻32的另一端與PMOS管211的源極相連。
為使PMOS管211的源柵電壓VSG更加穩(wěn)定，如圖4所示的本發(fā)明的第二實施例，在第一實施例的基礎上，可在PMOS管211的源柵之間連接一個穩(wěn)壓二極管13，穩(wěn)壓二極管13的正相端與PMOS管211的柵極相連，負相端與PMOS管211的源極相連，穩(wěn)壓二極管13兩端的電壓即PMOS管211的源柵電壓VSG。
穩(wěn)壓二極管13的引入還有溫度補償?shù)淖饔?，由于PMOS管211的閾值電壓VTHP具有負的溫度系數(shù)，所以利用I=2KPWL(VSG-VTHP)*VSD]]>測量電流時，測量值會因VTHP隨溫度變化而受溫度的影響，由于穩(wěn)壓二極管13工作在齊納效應占優(yōu)的情況下，也具有負的溫度系數(shù)，所以實際設計時，可采用適當溫度系數(shù)的穩(wěn)壓二極管使得VSG-VTHP不隨溫度的變化而變化，從而減少或消除溫度對測量精度的影響。
當PMOS管211的源柵電壓VSG較大，穩(wěn)壓二極管13工作在雪崩效應占優(yōu)的情況下，此時穩(wěn)壓二極管具有正的溫度系數(shù)，此時采用穩(wěn)壓二極管13仍不能減少或消除溫度對測量精度的影響。
為了在穩(wěn)壓二極管13具有正的溫度系數(shù)時，仍能減少或消除溫度對測量精度的影響，可采用如圖5所示的本發(fā)明的第三實施例，在第二實施例的基礎上，在穩(wěn)壓二極管13與PMOS管的柵極之間串聯(lián)一個負溫度系數(shù)的二極管14，即穩(wěn)壓二極管13的負相端與PMOS管211的源極相連，穩(wěn)壓二極管13的正相端與二極管14的正相端相連，二極管14的負相端與PMOS管的柵極相連。這種情況下，VSG-VTHP＝V13+V14-VTHP，其中，V13為穩(wěn)壓二極管兩端的電壓，V14為二極管14兩端的電壓，V13具有正溫度系數(shù)，VTHP具有負溫度系數(shù)，則V13-VTHP具有正溫度系數(shù)，由于V14具有負溫度系數(shù)，所以可以適當選擇二極管14和穩(wěn)壓二極管13，使V13+V14-VTHP溫度系數(shù)為0，即不隨溫度的變化而變化，如果一個二極管的負溫度系數(shù)不至于補償V13-VTHP的正溫度系數(shù)，則可多串聯(lián)幾個二極管，以使V13+V14-VTHP不隨溫度的變化而變化，保證測量的精度。
應當理解，對于上述所有的實施方式中，采用第一分壓電阻11和第二分壓電阻12串聯(lián)分壓產(chǎn)生偏置電壓的方式只是本發(fā)明的一個實施方式，通過閱讀對本發(fā)明實現(xiàn)方式的描述，本領域技術人員可以容易想到其它的偏置方式，如將第一分壓電阻11及第二分壓電阻12替換成二極管連接方式的MOS管，同樣能產(chǎn)生滿足本發(fā)明實施例要求的偏置電壓，使PMOS管211工作在線性工作區(qū)，達到測量目的；當然還可采用其它方式，只要能將PMOS管211偏置在線性工作區(qū)即可。
圖2中的MOS管采用NMOS(N溝道MOS)管212時可采用如圖6所示的第四實施例，與前面所述的三個實施例相比，電壓檢測電路可不做變化，對NMOS管212的漏源電壓VDS進行檢測。不同之處在于，負載22與NMOS管212的連接方式以及偏置電路1發(fā)生了變化，負載22與NMOS管212的具體連接為負載的一端與電壓源20相連，另一端與NMOS管212的漏極相連，PMOS管212的源極接公共地；偏置電路包括第三分壓電阻15、第四分壓電阻16，穩(wěn)壓二極管17及二極管18，具體連接為第三分壓電阻15的一端與電源20相連，另一端與NMOS管212的柵極、穩(wěn)壓二極管17的負相端以及第四分壓電阻16的一端相連，第四分壓電阻16的另一端接公共地，穩(wěn)壓二極管17的正相端接二極管18的正相端，二極管18的負相端接公共地。
同PMOS管相類似，NMOS工作在線性區(qū)的條件為2(VGS-VTHN)＞＞VDS，其中VGS為NMOS管柵極和源極之間的電壓，簡稱柵源電壓；VTHN為NMOS管的閾值電壓；VDS為NMOS管的漏源電壓。NMOS管工作在線性區(qū)的電流為I=2KNWL(VGS-VTHN)*VDS,]]>其中KN為工藝參數(shù)， 為MOS管的寬長比。
與采用PMOS測量電流的實施例類似，從NMOS管212漏(D)源(S)兩端的電壓電流關系看，NMOS管212工作在線性區(qū)時相當于一個等效電阻，此等效電阻的阻值很小，由于工藝的原因，此等效電阻的精確度比檢流電阻高，所以采用NMOS管測量電流的測量精度較采用檢流電阻測量電流的測量精度高，這些在前面已有詳細分析，此處不再贅述。
對NMOS管212而言，偏置電路1要使NMOS管212的各端子的電壓滿足2(VGS-VTHN)＞＞VDS，只要使NMOS管212的柵極電壓VG相對于VD來說大到一定程度就能滿足2(VGS-VTHN)＞＞VDS。
由于NMOS管212的漏源電壓VDS在線性區(qū)和飽和區(qū)都很小，而漏極電壓VD等于NMOS管212的漏源電壓VDS，即VD＝VDS，從該式可看出，VD接近地電壓，所以，使NMOS管212的柵極電壓VG相較于VD而言很大是很容易的。設第三分壓電阻15的電阻值為R15，第四分壓電阻16的阻值為R16，則VG=R16R15+R16*V20,]]>采用適當?shù)腞15和R16(如R16＞＞R15)容易使VG相較VD而言很大，滿足2(VGS-VTHN)＞＞VDS。
穩(wěn)壓二極管17的使用可使NMOS管212的柵極電壓更加穩(wěn)定，同時由于穩(wěn)壓二極管17工作在齊納擊穿為主的狀態(tài)時，具有負的溫度系數(shù)，可與NMOS管212的閾值電壓VTHN的負溫度系數(shù)相補償，減少由于溫度的影響產(chǎn)生的測量誤差。當NMOS管212的柵源電壓比較大，穩(wěn)壓二極管17工作在雪崩擊穿為主的狀態(tài)時，穩(wěn)壓二極管17的負相端與正相端之間的電壓具有負溫度系數(shù)，此時可以利用串聯(lián)的具有負溫度系數(shù)的二極管18進行補償，也可串聯(lián)多個具有負溫度系數(shù)的二極管，這些在介紹利用PMOS管進行電流測量的實施例中有詳細描述，在此不再贅述。
需要指出的是，在第四實施例中，與前面使用PMOS的實施例一樣，提供一種比使用檢流電阻進行電流檢測精確度更高的電流檢測電路而言，穩(wěn)壓二極管17和二極管18并不是必須的。
同樣，同前面的說明一樣，本實施例中的偏置電路1也可采用其他形式的電路，只要能將NMOS管偏置在線性工作區(qū)即可；電壓檢測電路3的形式也不限于圖6中所示的形式，只要能檢測出NMOS管的漏源電壓即可。這些在前面均有詳細說明，在此不再詳細描述。
綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電流檢測電路，其特征在于，包括MOS管，通過源極和柵極串聯(lián)于被檢測電流所在的回路之中；偏置電路，與所述MOS管的柵極相連，將所述MOS管偏置在線性工作區(qū)；電壓檢測電路，與所述MOS管的源極和柵極相連，檢測所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差，所述電壓差為所述電流檢測電路的測量信號。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于，所述偏置電路包括第一分壓電阻，連接于電壓源端與所述MOS管的柵極之間；第二分壓電阻，連接于所述MOS管的柵極與公共地端之間；所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻在所述電壓源端和所述公共地端實現(xiàn)分壓，使所述MOS管柵極的電壓保證所述MOS管偏置在線性工作區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于，所述MOS管串聯(lián)在被檢測電流回路之中的具體方式為所述MOS管的源極與所述被檢測電流回路的公共電位端相連，所述MOS管的漏極與所述被檢測電流所在的回路的負載相連。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測電路，其特征在于，所述MOS管為PMOS管，所述公共電位端為電壓源端。
5.如權(quán)利要求3所述的電流檢測電路，其特征在于，所述MOS管為NMOS管，所述公共電位端為公共地端。
6.如權(quán)利要求4所述的電流檢測電路，其特征在于，所述偏置電路包括第一分壓電阻，連接于所述電壓源端與所述PMOS管的柵極之間，第二分壓電阻，連接于所述PMOS管的柵極與公共地端之間，穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二級管的負相端與所述電壓源端相連，正相端與所述PMOS管的柵極相連；所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻在所述電壓源端和所述公共地端實現(xiàn)分壓，使所述MOS管柵極的電壓保證所述MOS管偏置在線性工作區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的電流檢測電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓二極管的負相端與正相端之間的電壓與所述PMOS管的閾值電壓具有相同的溫度系數(shù)。
8.如權(quán)利要求5所述的電流檢測電路，其特征在于，所述偏置電路包括第三分壓電阻，連接于電壓源端與所述NMOS管的柵極之間，第四分壓電阻，連接于所述NMOS管的柵極與所述公共地端之間，穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管的負相端與所述NMOS的柵極相連，正相端與所述公共地端相連；所述第三分壓電阻和所述第四分壓電阻在所述電壓源端和所述公共地端實現(xiàn)分壓，使所述MOS管柵極的電壓保證所述MOS管偏置在線性工作區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的電流檢測電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓二極管的負相端與正相端之間的電壓與所述NMOS管的閾值電壓具有相同的溫度系數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于，所述電壓檢測電路包括差分放大電路，所述差分放大電路的兩個差分輸入端分別接所述MOS管的源極與漏極，接收所述MOS管的源極與漏極之間的電壓差，所述差分電路將所述電壓差放大后輸出。
11.如權(quán)利要求10所述的電流檢測電路，其特征在于，所述差分放大電路包括電壓輸出端，第一差分輸入端，與所述MOS管的源極/漏極相連，運算放大器，所述運算放大器的輸出端與所述電壓輸出端相連，第一電阻，連接于所述第一差分輸入端與所述運算放大器的反相輸入端之間，第三電阻，連接于所述運算放大器的反相輸入端與輸出端之間，第二差分輸入端，與所述MOS管的漏極/源極相連，第二電阻，連接于所述第二差分輸入端與所述運算放大器的同相輸入端之間，第四電阻，連接于所述運算放大器的同相輸入端與公共地端之間。
12.如權(quán)利要求10所述的電流檢測電路，其特征在于，所述電壓檢測電路還包括濾波電容和濾波電阻，所述濾波電容與所述濾波電阻串聯(lián)之后連接于所述MOS管的源極與漏極之間。
13.一種電流檢測裝置，其特征在于，所述電流檢測裝置包括電流檢測電路，所述電流檢測電路包括MOS管，通過源極和柵極串聯(lián)于被檢測電流所在的回路之中；偏置電路，與所述MOS管的柵極相連，將所述MOS管偏置在線性工作區(qū)；電壓檢測電路，與所述MOS管的源極和漏極相連，檢測所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差，所述電壓差為所述電流檢測電路的測量信號。
14.如權(quán)利要求13所述的電流檢測裝置，其特征在于，所述電流檢測裝置還包括電流值顯示單元，用于將所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差轉(zhuǎn)換成被所述檢測電流值并顯示所述被檢測電流值。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種電流檢測電路，該電路包括MOS管，通過源極和柵極串聯(lián)于被檢測電流所在的回路之中；偏置電路，與所述MOS管的柵極相連，將所述MOS管偏置在線性工作區(qū)；電壓檢測電路，與所述MOS管的源極和柵極相連，檢測所述MOS管的漏極與源極之間的電壓差，由于處于線性工作區(qū)的MOS的漏極與源極之間的電壓差與流經(jīng)MOS管的電流成線性關系，所以所述電壓差可作為所述電流檢測電路的測量信號。本發(fā)明還提出了一種電流檢測裝置。本發(fā)明提供的電流檢測電路和電流檢測裝置在檢測大電流時能得出高精度的測量結(jié)果。
文檔編號G01R19/00GK101029910SQ20071007362
公開日2007年9月5日 申請日期2007年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月22日
發(fā)明者張宗民, 周興學 申請人:華為技術有限公司