專利名稱：X射線檢測(cè)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及X射線檢測(cè)器及其制造方法。本發(fā)明尤其涉及這樣的X射線檢測(cè)器， 其中由閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換為光以及由光電檢測(cè)器檢測(cè)該光，以及涉及制造這樣的X射線 檢測(cè)器的方法。
背景技術(shù)：
在已知的X射線檢測(cè)器中，閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換為光并且光電檢測(cè)器檢測(cè)該光。這 種類(lèi)型的用于X射線成像裝置的X射線檢測(cè)器是面板型X射線檢測(cè)器(以便允許檢測(cè)X射 線的二維分布)并且也被稱為平板檢測(cè)器(FPD)。FPD具有用于閃爍的熒光材料層和用于檢測(cè)光的光電二極管陣列層。這里所使用 的熒光材料例如為碘化銫(CsI)或者釓的酸式硫化物(Gd2O2S = Tb)。如果使用碘化銫，則允許在光電二極管陣列上生長(zhǎng)碘化銫的針狀晶體結(jié)構(gòu)，借此 形成了閃爍體層(例如見(jiàn)日本專利公開(kāi)號(hào)No. 2005-308582 (第0035-0036段、圖1和2))。如果使用釓的酸式硫化物，則作為釓的酸式硫化物的陶瓷層(ceramic layer) 形成閃爍體層，并且光電二極管通過(guò)電極層和中間層附著于該層(例如見(jiàn)美國(guó)專利號(hào) 7，180，075 (第3列第25行至第5列第58行、圖1))。釓的酸式硫化物也可以用作用于X射線膠片感光紙的熒光材料。在這種情況 下，通過(guò)將釓的酸式硫化物涂覆至用于基板的塑料板來(lái)形成閃爍體層(見(jiàn)，例如日本 laid-open 專利公開(kāi)號(hào)平 10 (1998) -237443 (第 0003 段、圖 1))。

發(fā)明內(nèi)容
為了獲得碘化銫的針狀晶體結(jié)構(gòu)，必須使晶體在嚴(yán)格的控制條件下長(zhǎng)時(shí)間地生 長(zhǎng)，因此導(dǎo)致X射線檢測(cè)器制造成本的增加。另一方面，包括附著在一起的釓的酸式硫化物 的陶瓷層和光電二極管陣列的X射線檢測(cè)器成本相對(duì)較低，但是很難避免層之間夾雜空洞 (void)、氣泡以及異物。因此，由于散射光所造成的串?dāng)_(cross talk)，易于發(fā)生空間分辨 率的變差和不均勻性(non-uniformity)。另外，由于存在中間層，光傳輸效率會(huì)變差。在通 過(guò)將感光紙附著到光電二極管陣列來(lái)制造X射線檢測(cè)器的方法中也存在同樣的問(wèn)題。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種X射線檢測(cè)器，其具有較佳的從閃爍體到光 電二極管陣列的光傳輸特性和低成本，還提供制造這樣的X射線檢測(cè)器的方法。為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明的第一方面中提供了一種檢測(cè)X射線的X射線檢測(cè) 器，該X射線檢測(cè)器包括光電檢測(cè)器和由涂覆于光電檢測(cè)器的光接收表面上的熒光材料形 成的閃爍體層，熒光材料將X射線轉(zhuǎn)換為光。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第一方面，在本發(fā)明的第二方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中熒光材料是稀土元素的酸式硫化物。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第二方面，在本發(fā)明的第三方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫化物(Gd2O2S = Tb)。
為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第一方面，在本發(fā)明的第四方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中對(duì)光電檢測(cè)器的光接收表面預(yù)先進(jìn)行表面處理。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第一方面，在本發(fā)明的第五方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中預(yù)先將透明的絕緣材料涂覆于光電檢測(cè)器的光接收表面之上。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第一方面，在本發(fā)明的第六方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中光電檢測(cè)器在光接收表面上具有光電二極管陣列。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第六方面，在本發(fā)明的第七方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中該光電二極管陣列是二維陣列。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第七方面，在本發(fā)明的第八方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中該二維陣列由薄膜半導(dǎo)體組成。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第八方面，在本發(fā)明的第九方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中該薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第一方面，在本發(fā)明的第十方面中提供了一種X 射線檢測(cè)器，其中熒光材料在其位于與光電檢測(cè)器相對(duì)的一側(cè)的表面上具有X射線透射保 護(hù)膜(X-ray transmittingprotective film)。為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明的第十一方面中提供一種制造用于檢測(cè)X射線的X 射線檢測(cè)器的方法，該方法包括將熒光材料涂覆在光電檢測(cè)器的光接收表面上以形成閃爍 體層的步驟。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十一方面，在本發(fā)明的第十二方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中該熒光材料是稀土元素的酸式硫化物。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十二方面，在本發(fā)明的第十三方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫化物(Gd2O2S = Tb)。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十一方面，在本發(fā)明的第十四方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中該方法還包括在形成閃爍層的步驟之前對(duì)光電檢測(cè)器的光接 收表面進(jìn)行表面處理的步驟。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十一方面，在本發(fā)明的第十五方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中在形成閃爍層的步驟之前將透明絕緣材料涂覆在光電檢測(cè)器 的光接收表面上。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十一方面，在本發(fā)明的第十六方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，光電二極管在光接收表面具有光電二極管陣列。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十六方面，在本發(fā)明的第十七方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中該光電二極管陣列是二維陣列。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十七方面，在本發(fā)明的第十八方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，其中該二維陣列由薄膜半導(dǎo)體組成。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十八方面，在本發(fā)明的第十九方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，該薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。為了解決上述問(wèn)題，結(jié)合上述的第十一方面，在本發(fā)明的第二十方面中提供了制 造X射線檢測(cè)器的方法，該方法還包括在與光電檢測(cè)器相對(duì)的一側(cè)的熒光材料的表面上形 成X射線透射保護(hù)膜。
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根據(jù)本發(fā)明的上述第一方面，因?yàn)橛糜跈z測(cè)X射線的X射線檢測(cè)器包括光電檢測(cè) 器和用將X射線轉(zhuǎn)換為光的熒光材料形成的閃爍體層，在形成閃爍體層的步驟之前將熒光 材料涂覆在光電檢測(cè)器的光接收表面上，所以可提供一種X射線檢測(cè)器，其具有較佳的從 閃爍體到光電二極管陣列的光傳輸特性并且具有低成本。根據(jù)本發(fā)明的上述第十一發(fā)明，因?yàn)橹圃煊糜跈z測(cè)X射線的X射線檢測(cè)器的方法 具有將熒光材料涂覆至光電檢測(cè)器的光接收表面以形成閃爍體層的步驟，所以可提供一種 X射線檢測(cè)器，其具有較佳的從閃爍體到光電二極管陣列的光傳輸特性并且具有低成本。根據(jù)本發(fā)明的上述第二或第十二方面，因?yàn)闊晒獠牧鲜窍⊥猎氐乃崾搅蚧铮?所以容易形成閃爍體層。根據(jù)本發(fā)明的上述第三或第十三方面，因?yàn)橄⊥猎氐乃崾搅蚧锸轻彽乃崾搅?化物(Gd2O2S = Tb)，所以閃爍體層具有高穩(wěn)定性。根據(jù)本發(fā)明的上述第四或第十四方面，因?yàn)轭A(yù)先對(duì)光電檢測(cè)器的光接收表面進(jìn)行 了表面處理，所以其對(duì)熒光材料的附著性是令人滿意的。根據(jù)本發(fā)明的上述第五或第十五方面，因?yàn)轭A(yù)先將透明絕緣材料涂覆在光電檢測(cè) 器的光接收表面上，所以其對(duì)熒光材料的隔離是令人滿意的。根據(jù)本發(fā)明的上述第六或第十六方面，因?yàn)楣怆姍z測(cè)器在光接收表面上具有光電 二極管陣列，所以可檢測(cè)熒光的分布。根據(jù)本發(fā)明的上述第七或第十七方面，因?yàn)楣怆姸O管陣列是二維陣列，所以可 檢測(cè)到熒光的二維分布。根據(jù)本發(fā)明的上述第八或第十八方面，因?yàn)樵摱S陣列由薄膜半導(dǎo)體組成，所以 可實(shí)現(xiàn)高速和低功耗。根據(jù)本發(fā)明的上述第九或第十九方面，因?yàn)楸∧ぐ雽?dǎo)體是非晶硅，所以容易形成薄膜。根據(jù)本發(fā)明的上述第十或第二十方面，因?yàn)闊晒獠牧显谄湮挥谂c光電檢測(cè)器相對(duì) 的一側(cè)的表面上具有X射線透射保護(hù)膜，所以可實(shí)現(xiàn)高的抗環(huán)境影響能力(erwiromental resistance)0


圖1是顯示X射線成像裝置外觀的視圖2是顯示在什么狀態(tài)下移動(dòng)X射線成像裝置的視圖3是顯示在什么狀態(tài)下X射線成像裝置對(duì)患者拍射線照片的視圖4是顯示檢測(cè)器面板基本結(jié)構(gòu)的視圖5是顯示檢測(cè)器面板內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖6是顯示檢測(cè)器面板示意性結(jié)構(gòu)的視圖7是顯示X射線檢測(cè)器的制造步驟的圖8是顯示在制造步驟中的X射線檢測(cè)器的視圖9是顯示在另一個(gè)制造步驟中的X射線檢測(cè)器的視圖10是顯示在進(jìn)一步制造步驟中的X射線檢測(cè)器的視圖。
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖詳細(xì)描述執(zhí)行本發(fā)明的最佳模式。本發(fā)明不限于執(zhí)行本發(fā)明的最 佳模式。圖1顯示了 X射線成像裝置的外觀。如圖1所示，X射線成像裝置包括系統(tǒng)控制 臺(tái)100。系統(tǒng)控制臺(tái)100是盒形的(通常為類(lèi)似于矩形平行六面體的)結(jié)構(gòu)，在其內(nèi)部安裝 有控制射線拍照的電子電路。系統(tǒng)控制臺(tái)100在其較低位置提供有用于移動(dòng)的腳輪，另外在上部位置提供有用 于手推的手柄104。如圖2所示，這個(gè)X射線成像裝置是能夠自由移動(dòng)的可移動(dòng)X射線成像
直ο系統(tǒng)控制臺(tái)100的上表面由操作面板106組成并且提供有人機(jī)通信裝置，例如圖 像顯示器和鍵盤(pán)。在系統(tǒng)控制臺(tái)100后面提供有垂直柱狀物110，X射線輻射器130連接于臂120的 前端，其中臂120自柱狀物110水平延伸。X射線輻射器130在通過(guò)電纜132施加到系統(tǒng)控 制臺(tái)100的高壓下產(chǎn)生X射線。X射線輻射器130可以在臂120的前端改變其方向。臂120可以沿著柱狀物110 垂直移動(dòng)并且柱狀物110可以圍繞縱向軸旋轉(zhuǎn)。X射線成像裝置包括檢測(cè)器面板200。檢測(cè)器面板200通常是類(lèi)似于矩形平板的 結(jié)構(gòu)，并且獨(dú)立于系統(tǒng)控制臺(tái)100構(gòu)成，而且是便攜式的。當(dāng)沒(méi)有執(zhí)行射線拍照時(shí)，檢測(cè)器 面板200收納在形成在系統(tǒng)控制臺(tái)100前面的容納部分108中，然而當(dāng)執(zhí)行射線拍照時(shí)，從 容納部分108取出該檢測(cè)器面板200并使用。檢測(cè)器面板200就是所謂的FPD。圖3顯示了在什么狀態(tài)下使用X射線成像裝置。如圖3所示，X射線成像裝置在 病房使用。例如通過(guò)將檢測(cè)器面板200應(yīng)用于患者的后面和使用X射線輻射器130從前面 發(fā)射X射線來(lái)進(jìn)行射線照相。檢測(cè)器面板200所檢測(cè)到的X射線信號(hào)以無(wú)線的形式發(fā)送到 系統(tǒng)控制臺(tái)100。圖4顯示了檢測(cè)器面板200的基本結(jié)構(gòu)。如圖4所示，檢測(cè)器面板200包括類(lèi)似 于盒子的殼體55和安裝在殼體55內(nèi)的類(lèi)似于矩形平板的X射線檢測(cè)器組件51。使用X射 線透射材料形成X射線檢測(cè)器組件51的上部，該上部與X射線檢測(cè)器組件51的X射線檢 測(cè)表面相對(duì)。殼體55在其一端部具有手柄552。圖5示意性地顯示了檢測(cè)器面板200的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖5是檢測(cè)器面板200的垂直 剖面圖。如圖5所示，X射線檢測(cè)器組件51由X射線檢測(cè)器52、支持基板53和電路板54 組成。X射線檢測(cè)器52放置于支持基板53的表面上，而電路板54放置于支持基板53的后 面，兩者通過(guò)柔性電路板56電連接在一起。X射線檢測(cè)器52是閃爍體層52a、光電轉(zhuǎn)換層52b和玻璃基板52c的疊層 (laminate)。閃爍體層52a將X射線轉(zhuǎn)換為光，光電轉(zhuǎn)換層52b將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。然后， 通過(guò)柔性電路板56將電信號(hào)輸入到電路板54。光電轉(zhuǎn)換層52b是本發(fā)明中的光電檢測(cè)器 的一個(gè)例子。在電路板54上安裝有電路。電路是用于系統(tǒng)控制臺(tái)100的接口，它將該輸入信號(hào) 轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)并以無(wú)線的形式將該數(shù)字信號(hào)傳送到系統(tǒng)控制臺(tái)100。在支持基板53的背面形成四個(gè)隔離片(spacer) 57b。隔離片57b與支持基板53是一體的。利用隔離片57b，支持基板53豎立在殼體55的內(nèi)部底壁(inner bottom wall) 上。隔離片57b的下端通過(guò)粘合(bonding)或者螺絲釘固定在殼體55的內(nèi)部底壁。圖6示意性地顯示了 X射線檢測(cè)器52的結(jié)構(gòu)。X射線檢測(cè)器52是執(zhí)行本發(fā)明的 最佳模式的一個(gè)例子。借助X射線檢測(cè)器52的結(jié)構(gòu)，顯示了執(zhí)行關(guān)于X射線檢測(cè)器的本發(fā) 明的最佳模式的例子。如圖6所示，在X射線檢測(cè)器52中，在玻璃基板52c上形成光電轉(zhuǎn)換層52b、在光 電轉(zhuǎn)換層52b上形成閃爍體層52a，以及在閃爍體層52a上形成保護(hù)層52a'。光電轉(zhuǎn)換層52b由光電轉(zhuǎn)換元件的二維陣列組成。光電轉(zhuǎn)換元件的二維陣列是公 知的有源矩陣。該有源矩陣由薄膜半導(dǎo)體組成。此處所使用的薄膜半導(dǎo)體例如是非晶硅。在有源矩陣中，用于光電轉(zhuǎn)換的光電二極管、存儲(chǔ)光電二極管輸出的電流的電容 器、以及輸出該電容器的電荷的TFT(薄膜晶體管)組成了一個(gè)單元。有源矩陣中的一個(gè)單 元相當(dāng)于X射線圖像的一個(gè)像素。例如將釓的酸式硫化物(Gd2O2S = Tb)作為熒光材料來(lái)組成閃爍體層52a。熒光材 料不限于釓的酸式硫化物，而可以是任何其他合適的稀土元素(例如釔(Y)或鑭(La))的 酸式硫化物。保護(hù)層52a'用于保護(hù)閃爍體層52a不受外部環(huán)境的影響。這里所使用的保護(hù)層 52a'的材料例如是塑料材料，其在X射線透射、機(jī)械強(qiáng)度、抗靜電損害(ESD)和抗電磁干擾 (EMI/EMC)所有的方面都具有較佳的效果。圖7顯示了制造X射線檢測(cè)器52的過(guò)程的主要步驟。這個(gè)過(guò)程是執(zhí)行本發(fā)明的 最佳模式的例子。利用這個(gè)過(guò)程顯示了關(guān)于制造X射線檢測(cè)器的方法的本發(fā)明的最佳模式 的例子。如圖7所示，在步驟Pl執(zhí)行表面處理。如圖8所示，對(duì)在玻璃基板52c上形成的 光電轉(zhuǎn)換層52b執(zhí)行表面處理。在這個(gè)步驟之前的步驟完成在玻璃基板52c內(nèi)的光電轉(zhuǎn)換 層52b的形成。執(zhí)行表面處理以便活化光電轉(zhuǎn)換層52b的表面，因此加強(qiáng)了其與在下一個(gè)步驟中 涂覆的熒光材料的粘合性。如果光電轉(zhuǎn)換層52b的表面已經(jīng)充分地活化，則可以省略表面處理。在步驟P2中涂覆熒光材料。通過(guò)將分散在合適的有機(jī)粘結(jié)劑中的熒光材料(例 如釓的酸式硫化物)的顆粒涂覆至光電轉(zhuǎn)換層52b的表面執(zhí)行熒光材料的涂覆。然后通過(guò) 烘干固化這樣涂覆的熒光材料。涂覆步驟P2與在制造感光紙工藝中在基紙上涂覆熒光材料的步驟相同。因此，可 以通過(guò)使用相同的裝置和工藝來(lái)執(zhí)行將熒光材料涂覆到光電轉(zhuǎn)換層52b的步驟。如圖9所示，通過(guò)這種方式在光電轉(zhuǎn)換層52b上形成了閃爍層52a。閃爍層52a處 于直接耦合到光電轉(zhuǎn)換層52b的狀態(tài)。因?yàn)橥ㄟ^(guò)涂覆熒光材料形成閃爍層52a，所以容易阻 止層之間夾雜空洞、氣泡和異物。在涂覆熒光材料之前可以在光電轉(zhuǎn)換層52b的表面上形成絕緣膜。通過(guò)將非常薄 的透明絕緣材料涂覆到光電轉(zhuǎn)換層52b的表面來(lái)形成絕緣膜。因?yàn)橥ㄟ^(guò)涂覆絕緣材料來(lái)形 成絕緣膜，所以容易阻止層之間夾雜空洞、氣泡和異物。因此，提高了光電轉(zhuǎn)換層52b和閃爍層52a之間的電絕緣。此時(shí)，閃爍層52a處于未直接耦合到光電轉(zhuǎn)換層52b的狀態(tài)，但是光學(xué)上可以將其看作處于直接耦合狀態(tài)，因?yàn)?絕緣膜非常薄并且透明。在步驟P3形成保護(hù)層。通過(guò)將合適的材料涂覆到閃爍層52a的表面來(lái)形成保護(hù) 層。也可以按照與在制造感光紙的工藝中形成保護(hù)膜的相同的方式來(lái)形成保護(hù)層。如圖10所示，以這種方式獲得了 X射線檢測(cè)器52，其中光電轉(zhuǎn)換層52b、閃爍層 52a和保護(hù)層52a‘以這種次序堆疊在玻璃基板52c上。在如此制造的X射線檢測(cè)器52中，因?yàn)殚W爍層52a和光電轉(zhuǎn)換層52b相互直接耦 合，可以以非常有效的方式將光從閃爍層52a傳送到光電轉(zhuǎn)換層52b。結(jié)果提高了 X射線檢 測(cè)器52的靈敏度，因此可在射線拍照的過(guò)程中降低患者的X射線的曝光量。因?yàn)殚W爍層52a和光電轉(zhuǎn)換層52b相互直接耦合，因此從閃爍層52a到光電轉(zhuǎn)換 層52b的光的傳輸在X射線檢測(cè)器52的整個(gè)表面是均勻的。而且因?yàn)樵陂W爍層52a和光電轉(zhuǎn)換層52b之間不存在空洞、氣泡和異物，所以由散 射光引起的串?dāng)_大幅度地減少了，并且不僅實(shí)現(xiàn)了空間分辨率(MTF)的提高，而且在其均 勻性上也實(shí)現(xiàn)了改善。例如，假設(shè)閃爍層52a的厚度是100 μ m，由散射光所引起的串?dāng)_的范圍d是 200 μ m。用像素來(lái)表示的話這相當(dāng)于兩個(gè)像素，因此串?dāng)_的范圍不超過(guò)兩個(gè)像素。具有這樣的高空間分辨率及其均勻性，以及從閃爍層52a到光電轉(zhuǎn)換層52b的光 的傳輸?shù)木鶆蛐?，X射線檢測(cè)器52能夠提供高質(zhì)量的X射線圖像。另外，在層52a和52b之間不存在用于將閃爍層52a和光電轉(zhuǎn)換層52b相互附著 的結(jié)合層或者中間層，所以不用擔(dān)心因?yàn)檫@樣一個(gè)結(jié)合層或者中間層的熱擴(kuò)散系數(shù)(CTE) 而引起的可靠性變差。除此之外，制造成本也降低了。
權(quán)利要求
一種檢測(cè)X射線的X射線檢測(cè)器，包括光電檢測(cè)器；以及由涂覆在光電檢測(cè)器的光接收表面上的熒光材料形成的閃爍體層，所述熒光材料將X射線轉(zhuǎn)換為光。
2.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器，其中所述熒光材料是稀土元素的酸式硫化物 (acid sulfide)。
3.如權(quán)利要求2所述的X射線檢測(cè)器，其中所述稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫 化物(Gd2O2SiTb)。
4.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器，其中預(yù)先對(duì)所述光電檢測(cè)器的所述光接收表面 進(jìn)行表面處理。
5.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器，其中預(yù)先將透明的絕緣材料涂覆至所述光電檢 測(cè)器的所述光接收表面。
6.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器，其中所述光電檢測(cè)器在所述光接收表面上具有 光電二極管陣列。
7.如權(quán)利要求6所述的X射線檢測(cè)器，其中所述光電二極管陣列是二維陣列。
8.如權(quán)利要求7所述的X射線檢測(cè)器，其中所述二維陣列由薄膜半導(dǎo)體組成。
9.如權(quán)利要求8所述的X射線檢測(cè)器，其中所述薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。
10.如權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器，其中所述熒光材料在其位于與所述光電檢測(cè)器 相對(duì)的一側(cè)的表面上具有X射線透射保護(hù)膜。
11.一種制造用于檢測(cè)X射線的X射線檢測(cè)器的方法，包括將熒光材料涂覆至光電檢測(cè) 器的光接收表面以形成閃爍體層的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述熒光材料是稀土元素的 酸式硫化物。
13.如權(quán)利要求12所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述稀土元素的酸式硫化物 是釓的酸式硫化物(Gd2O2S = Tb)。
14.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，還包括在形成所述閃爍體層的步 驟之前對(duì)所述光電檢測(cè)器的所述光接收表面進(jìn)行表面處理的步驟。
15.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中在形成透明該閃爍體層的步 驟之前將透明絕緣材料涂覆至所述光電檢測(cè)器的所述光接收表面。
16.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述光電檢測(cè)器在所述光接 收表面上具有光電二極管陣列。
17.如權(quán)利要求16所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述光電二極管陣列是二維 陣列。
18.如權(quán)利要求17所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述二維陣列由薄膜半導(dǎo)體 組成。
19.如權(quán)利要求18所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，其中所述薄膜半導(dǎo)體是非晶硅。
20.如權(quán)利要求11所述的制造X射線檢測(cè)器的方法，還包括在與所述光電檢測(cè)器相對(duì) 的一側(cè)的所述熒光材料的表面上形成X射線透射保護(hù)膜的步驟。
全文摘要
提供具有較佳的從閃爍體到光電檢測(cè)器的光傳輸特性、低成本的X射線檢測(cè)器以及制造這樣一種X射線檢測(cè)器的方法。用于檢測(cè)X射線的X射線檢測(cè)器包括光電檢測(cè)器和由涂覆在光電檢測(cè)器的光接收表面上的熒光材料形成的閃爍體層，其中該熒光材料將X射線轉(zhuǎn)換為光。該熒光材料是稀土元素的酸式硫化物。該稀土元素的酸式硫化物是釓的酸式硫化物(Gd2O2S:Tb)。光電檢測(cè)器在它的光接收表面上具有光電二極管陣列。該光電二極管陣列是二維陣列。
文檔編號(hào)G01T1/20GK101957452SQ20091016077
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者張風(fēng)超, 鄔柱 申請(qǐng)人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司