專利名稱：管樁超聲波探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)裝置，尤其涉及一種管樁超聲波探頭。
背景技術(shù)：
隨著高速公路、高速鐵路、能源工程建設(shè)和西部大開發(fā)力度的加大，我國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施 建設(shè)方興未艾；尤其對(duì)橋梁、隧道、溶洞、井巷等的樁基質(zhì)量的檢測(cè)十分重要。管樁是在工廠 制造，可以提前預(yù)制，有效縮短工期，管樁成品直接從工廠運(yùn)輸至施工現(xiàn)場(chǎng)，沒有污染，并且 可以成批加工，節(jié)省材料和費(fèi)用，由于上述優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于住宅、辦公樓、廠房等建筑的 基礎(chǔ)中。由于管樁在施工現(xiàn)場(chǎng)使用越來越多，檢測(cè)也隨之增多。但管樁的檢測(cè)與施工之間存 在矛盾，主要是時(shí)間上，由于管樁與管樁的焊接溫度過高，需要等焊縫足夠冷卻普通探頭才 能進(jìn)行焊縫處的檢測(cè)，但是等候的時(shí)間過長(zhǎng)，土體恢復(fù)會(huì)造成對(duì)樁體的阻力較大，出現(xiàn)樁打 不進(jìn)土層的情況，而且焊接部位檢測(cè)面狹窄，普通探頭靈敏度低、信噪比差，難以辨別缺陷， 焊接部位的探傷難度更大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可以檢測(cè)管樁焊接部位缺陷的管樁超 聲波探頭。為了克服背景技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案 是一種管樁超聲波探頭，包括具有一端開口的中空外殼、晶片、設(shè)置在所述外殼開口端的 鍥塊，所述晶片設(shè)置在所述外殼內(nèi)且與所述鍥塊貼合，所述晶片與所述外殼開口端面呈角 度設(shè)置，所述晶片正反面連接有導(dǎo)線，所述管樁焊接所形成的面為檢測(cè)面，晶片所處的面為 探頭面，所述外殼為耐高溫材料制成的方形體，所述晶片為壓電陶瓷_鋯鈦酸鉛，所述鍥塊 往所述外殼內(nèi)移動(dòng)，所述晶片與所述檢測(cè)面之間的距離增加，所述探頭面與所述檢測(cè)面之 間有耦合層。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，管樁超聲波探頭進(jìn)一步包括所述耦合層為1mm.根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，管樁超聲波探頭進(jìn)一步包括所述耐高溫材料為 鈮酸鋰和石英。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，管樁超聲波探頭進(jìn)一步包括所述導(dǎo)線間設(shè)置有 電感線圈。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，管樁超聲波探頭進(jìn)一步包括所述晶片面積在 8mmX 18mm-15mmX 30mm 之間。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，管樁超聲波探頭進(jìn)一步包括所述晶片與所述外 殼開口端面之間的角度在2° -10°之間。本實(shí)用新型解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)容易，使用 方便，可檢測(cè)管樁焊接部位的缺陷，判別缺陷一目了然，檢測(cè)的準(zhǔn)確度高，使用方便。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。

圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1、外殼，2、晶片，3、鍥塊，4、導(dǎo)線，5、檢測(cè)面，6、探頭面，7、管樁。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn) 化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān) 的構(gòu)成。如圖1所示，一種管樁超聲波探頭，包括具有一端開口的中空外殼1、晶片2、設(shè)置 在所述外殼1開口端的鍥塊3，所述晶片2設(shè)置在所述外殼1內(nèi)且與所述鍥塊3貼合，所述 晶片2與所述外殼1開口端面呈2° -10°角度設(shè)置，所述晶片2正反面連接有導(dǎo)線4，所述 管樁7焊接所形成的面為檢測(cè)面5，晶片2所處的面為探頭面6，所述外殼1為鈮酸鋰和石 英制成的方形體，所述晶片2為壓電陶瓷-鋯鈦酸鉛，所述鍥塊3往所述外殼1內(nèi)移動(dòng)，所 述晶片2與所述檢測(cè)面5之間的距離增加，所述探頭面6與所述檢測(cè)面5之間有1mm耦合 層，所述導(dǎo)線4間設(shè)置有電感線圈，所述晶片2面積在8mmX18mm-15mmX30mm之間。探傷管樁7焊接部位時(shí)，將超聲波探頭連接在超聲波探測(cè)儀上，通過晶片2發(fā)出超 聲波，進(jìn)入焊縫，通過超聲波自身性質(zhì)，最終以橫波返回到晶片2上，傳輸?shù)匠暡ㄌ綔y(cè)儀， 對(duì)波形的分析可知道焊接部位有無缺陷。以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí) 用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù) 性范圍。
權(quán)利要求一種管樁超聲波探頭，包括具有一端開口的中空外殼、晶片、設(shè)置在所述外殼開口端的鍥塊，所述晶片設(shè)置在所述外殼內(nèi)且與所述鍥塊貼合，所述晶片與所述外殼開口端面呈角度設(shè)置，所述晶片正反面連接有導(dǎo)線，所述管樁焊接所形成的面為檢測(cè)面，晶片所處的面為探頭面，其特征在于所述外殼為耐高溫材料制成的方形體，所述晶片為壓電陶瓷-鋯鈦酸鉛，所述鍥塊往所述外殼內(nèi)移動(dòng)，所述晶片與所述檢測(cè)面之間的距離增加，所述探頭面與所述檢測(cè)面之間有耦合層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管樁超聲波探頭，其特征在于所述耦合層為1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管樁超聲波探頭，其特征在于所述耐高溫材料為鈮酸鋰和 石英。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管樁超聲波探頭，其特征在于所述導(dǎo)線間設(shè)置有電感線圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管樁超聲波探頭，其特征在于所述晶片面積在 8mmX 18mm-15mmX 30mm 之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管樁超聲波探頭，其特征在于所述晶片與所述外殼開口端 面之間的角度在2° -10°之間。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種管樁超聲波探頭，包括具有一端開口的中空外殼、晶片、設(shè)置在所述外殼開口端的鍥塊，所述晶片設(shè)置在所述外殼內(nèi)且與所述鍥塊貼合，所述晶片與所述外殼開口端面呈角度設(shè)置，所述晶片正反面連接有導(dǎo)線，所述管樁焊接所形成的面為檢測(cè)面，晶片所處的面為探頭面，所述外殼為耐高溫材料制成的方形體，所述晶片為壓電陶瓷-鋯鈦酸鉛，所述鍥塊往所述外殼內(nèi)移動(dòng)，所述晶片與所述檢測(cè)面之間的距離增加，所述探頭面與所述檢測(cè)面之間有耦合層。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)容易，使用方便，可檢測(cè)管樁焊接部位的缺陷，判別缺陷一目了然，檢測(cè)的準(zhǔn)確度高，使用方便。
文檔編號(hào)G01N29/24GK201607429SQ201020100610
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者宋紅鋼, 朱國(guó)峰, 朱朋輝, 胡瑛, 駱羽豐 申請(qǐng)人:常州市建筑科學(xué)研究院有限公司