專利名稱：一種可分離的高低能x射線探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種X射線探測器，尤指一種高能探測器與低能探測器可分離的 X射線探測器。
背景技術(shù)：
目前，X射線探測器一般都由高能探測器與低能探測器一體化制作而成，由于需要 在高能探測器與低能探測器之間設(shè)置一個過濾片，為了降低高低能探測器的體積，同時為 了保證過濾的效果，往往使用高密度的鎢片等作為過濾片，這樣一來增加了成本；二來在使 用中，一旦發(fā)現(xiàn)高低能探測器中的一個譬如高能探測器或者低能探測器損壞，都必須更換 整個高低能探測器，這樣就造成了極大的浪費，因為畢竟還有一個探測器是沒有損壞可以 繼續(xù)使用的。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種可分離的高低能X射線探測器，將高能探測器與低 能探測器組裝成高低能探測器，這樣只要其中有一個探測器損壞，就可以直接更換，而不需 要報廢另外一個沒有損壞的探測器。為了達到上述目的，本實用新型是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種可分離的高低能X射線探測器，包括一低能探測器、一高能探測器，所述高能 探測器設(shè)置在所述低能探測器下方，所述高能探測器與所述低能探測器之間設(shè)有一過濾 片，所述過濾片設(shè)置在所述低能探測器的底部或者所述過濾片設(shè)置在所述高能探測器的頂 部。進一步地，所述低能探測器包括一電路板層、設(shè)置在電路板層上的硅片層，設(shè)置在 硅片層上的探測層，所述電路板層向下引出兩排管腳引線；所述高能探測器包括一電路板 層，設(shè)置在電路板層下方的硅片層、設(shè)置在硅片層下方的探測層，所述電路板層向下引出兩 排管腳引線。進一步地，本專利的過濾片為銅片。本實用新型將獨立的低能探測器與高能探測器組裝成高低能探測器，由于不需要 再考慮一體化設(shè)計時體積過大，這樣就可以使用銅片作為過濾片，從而降低了成本。本專利 設(shè)計的目的就在于將一體化的裝置設(shè)計成兩個獨立的裝置組裝而成，這樣其中任何一個裝 置損壞，只要進行替換就可以，從而大大節(jié)約了成本，避免了浪費。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)圖；附圖標號說明1-探測層 2-硅片層 3-電路板層 4-過濾銅片 5-電路板層6-硅片層 7-探測層8-管腳引線9-低能探測器10-高能探測器具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明如圖1所示，一種可分離的高低能X射線探測器，包括一低能探測器9、一高能探測 器10，高能探測器10設(shè)置在低能探測器9下方，高能探測器10與低能探測器9之間設(shè)有一 過濾銅片4，過濾銅片4設(shè)置在低能探測器9的底部或者高能探測器10的頂部。低能探測器9包括一電路板層3、設(shè)置在電路板層3上的硅片層2，設(shè)置在硅片層 2上的探測層1，電路板層3向下引出兩排管腳引線8 ；高能探測器10也同樣包括一電路板 層5，設(shè)置在電路板層5下方的硅片層6、設(shè)置在硅片層6下方的探測層7，電路板層5向下 引出兩排管腳引線8。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認識到，上述的具體實施方式
只是示例性的，是為了使本領(lǐng) 域技術(shù)人員能夠更好的理解本專利內(nèi)容，不應(yīng)理解為是對本專利保護范圍的限制，只要是 根據(jù)本專利所揭示精神所作的任何等同變更或修飾，均落入本專利保護范圍。
權(quán)利要求一種可分離的高低能X射線探測器，包括一低能探測器、一高能探測器，其特征在于所述高能探測器設(shè)置在所述低能探測器下方，所述高能探測器與所述低能探測器之間設(shè)有一過濾片，所述過濾片設(shè)置在所述低能探測器的底部。
2.一種可分離的高低能X射線探測器，包括一低能探測器、一高能探測器，其特征在 于所述高能探測器設(shè)置在所述低能探測器下方，所述高能探測器與所述低能探測器之間 設(shè)有一過濾片，所述過濾片設(shè)置在所述高能探測器的頂部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可分離的高低能X射線探測器，其特征在于所述低能 探測器包括一電路板層、設(shè)置在電路板層上的硅片層，設(shè)置在硅片層上的探測層，所述電路 板層向下引出兩排管腳引線；所述高能探測器包括一電路板層，設(shè)置在電路板層下方的硅 片層、設(shè)置在硅片層下方的探測層，所述電路板層向下引出兩排管腳引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可分離的高低能X射線探測器，其特征在于所述過濾片為 銅片。
專利摘要本實用新型專利公開了一種可分離的高低能X射線探測器，包括一低能探測器、一高能探測器，所述高能探測器設(shè)置在所述低能探測器下方，所述高能探測器與所述低能探測器之間設(shè)有一過濾片，所述過濾片設(shè)置在所述低能探測器的底部。本專利將高能探測器與低能探測器組裝成高低能探測器，這樣只要其中有一個探測器損壞，就可以直接更換，而不需要報廢另外一個沒有損壞的探測器。
文檔編號G01N23/00GK201622249SQ201020108118
公開日2010年11月3日 申請日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者向霞, 梁石磊, 董明 申請人:上海英邁吉東影圖像設(shè)備有限公司