專(zhuān)利名稱(chēng)：電感線(xiàn)圈放電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種模擬電路，尤其是涉及一種電感線(xiàn)圈放電電路。
背景技術(shù)：
在對(duì)電感線(xiàn)圈的直流電阻進(jìn)行測(cè)量時(shí)，需要給定電感線(xiàn)圈一直流電流，在測(cè)量完畢后，需要釋放電感線(xiàn)圈電流?，F(xiàn)有的放電裝置為二極管(D)串聯(lián)一電阻(R)，利用二極管(D)的單向?qū)щ娦裕狗烹娧b置不影響正常測(cè)量，電阻(R)的作用是釋放電感線(xiàn)圈電流， 由于電阻(R)阻值恒定，電感線(xiàn)圈電流隨時(shí)間呈指數(shù)規(guī)律衰減，放電時(shí)間較長(zhǎng)，影響正常工作。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種電感線(xiàn)圈放電電路，能夠具有準(zhǔn)恒壓放電特性，加快電感線(xiàn)圈的放電進(jìn)程。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種電感線(xiàn)圈放電電路，包括二極管(D)，還包括穩(wěn)壓模塊，串聯(lián)后的所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)相串聯(lián)，所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)連接于待放電電感線(xiàn)圈(L)兩端，所述穩(wěn)壓模塊由功率MOS管(T)和連接于所述功率MOS管⑴的柵極(G)與漏極⑶之間的穩(wěn)壓器件組成。優(yōu)選的，所述穩(wěn)壓器件為穩(wěn)壓二極管(W)、瞬態(tài)抑制二極管或壓敏電阻。優(yōu)選的，所述功率MOS管⑴的漏極⑶還串接有電阻(Rl)。優(yōu)選的，所述功率MOS管⑴的柵極(G)與源極⑶間接有電阻(R2)。因此，本實(shí)用新型使用上述結(jié)構(gòu)的電感線(xiàn)圈放電電路，能夠具有準(zhǔn)恒壓放電特性， 加快電感線(xiàn)圈的放電進(jìn)程。下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1為原有電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例與待放電電感線(xiàn)圈的連接結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例未設(shè)置電阻Rl的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為原有電感線(xiàn)圈放電電路與本實(shí)用新型所述電感線(xiàn)圈放電電路中電感線(xiàn)圈電流I與時(shí)間t的變化關(guān)系曲線(xiàn)對(duì)比示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例圖2為本實(shí)用新型電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本實(shí)用新型電感線(xiàn)圈放電電路實(shí)施例與待放電電感線(xiàn)圈的連接結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2和圖3所示，本實(shí)施例包括二極管(D)和穩(wěn)壓模塊，所述穩(wěn)壓模塊和二極管(D)相串聯(lián)，串聯(lián)后的所述穩(wěn)壓模塊和二極管(D)連接于待放電電感線(xiàn)圈(L)兩端，所述穩(wěn)壓模塊和二極管(D)的位置可相互調(diào)換，不影響本實(shí)施例的使用。所述穩(wěn)壓模塊由功率MOS管(T)和連接于功率MOS管(T)的柵極(G)與漏極(D)之間的穩(wěn)壓器件組成，所述穩(wěn)壓器件為穩(wěn)壓二極管(W)、瞬態(tài)抑制二極管或壓敏電阻，本實(shí)施例優(yōu)選為穩(wěn)壓二極管(W)。功率MOS管⑴的漏極⑶還串接有電阻(Rl)，電阻(Rl)為大功率電阻，用于分擔(dān)待放電電感線(xiàn)圈(L)的放電功率，如果待放電電感線(xiàn)圈(L)的放電功率較小，功率MOS管 (T)能夠獨(dú)立承擔(dān)，可無(wú)需設(shè)置電阻(R1)，如圖4所示。功率MOS管(T)的柵極(G)與源極(S)間接有電阻(R2)，電阻(R2)為小功率大阻值電阻，由于功率MOS管(T)輸入阻抗較高，若懸空設(shè)置，其導(dǎo)通狀態(tài)為不確定狀態(tài)，在此設(shè)置大阻值電阻(R2)，可防止功率MOS管⑴誤導(dǎo)通，通過(guò)Ves控制功率MOS管⑴的通態(tài)電阻，進(jìn)而控制電感線(xiàn)圈(L)的放電進(jìn)程。在本實(shí)施例工作時(shí)，待放電電感線(xiàn)圈電流經(jīng)過(guò)電阻R1、二極管(D)和功率MOS管 (T)，形成回路，釋放待放電電感線(xiàn)圈電流，當(dāng)待放電電感線(xiàn)圈電流較大時(shí)，Ves較大，功率 MOS管⑴的等效電阻較小，主要放電電壓由電阻(Rl)承擔(dān)；當(dāng)電感線(xiàn)圈電流逐漸減小時(shí)， Ves相應(yīng)下降，功率MOS管(T)的等效電阻增大，功率MOS管(T)承擔(dān)更多的放電電壓；當(dāng)電感線(xiàn)圈電流減小為0時(shí)，Vgs = 0，功率MOS管⑴等效電阻很大，放電終止。整個(gè)過(guò)程中待放電電感線(xiàn)圈兩端的放電電壓約等于￥<^與￥ 之和，其中Vw為穩(wěn)壓二極管(W)的額定電壓， 為一定值，Ves為控制電壓，根據(jù)功率MOS管(T)的特性，在控制過(guò)程中的變化范圍相對(duì)乂 較小，因此本實(shí)施例中待放電電感線(xiàn)圈相當(dāng)于兩端恒壓，處于準(zhǔn)穩(wěn)壓狀態(tài)，由此特性決定放電電流近似線(xiàn)性規(guī)律下降，大大加快了電感線(xiàn)圈(L)的放電進(jìn)程，提高了電感線(xiàn)圈的放電效率，圖5中曲線(xiàn)1代表原有電感線(xiàn)圈放電電路中電感線(xiàn)圈電流I與時(shí)間t的變化關(guān)系，曲線(xiàn) 2代表本實(shí)施例中電感線(xiàn)圈電流I與時(shí)間t的變化關(guān)系。因此，本實(shí)用新型使用上述結(jié)構(gòu)的電感線(xiàn)圈放電電路，能夠具有準(zhǔn)恒壓放電特性， 加快電感線(xiàn)圈的放電進(jìn)程。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種電感線(xiàn)圈放電電路，包括二極管(D)，其特征在于還包括穩(wěn)壓模塊，所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)相串聯(lián)，串聯(lián)后的所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)連接于待放電電感線(xiàn)圈(L)兩端，所述穩(wěn)壓模塊由功率MOS管(T)和連接于所述功率MOS管(T)的柵極(G) 與漏極(D)之間的穩(wěn)壓器件組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感線(xiàn)圈放電電路，其特征在于所述穩(wěn)壓器件為穩(wěn)壓二極管(W)、瞬態(tài)抑制二極管或壓敏電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感線(xiàn)圈放電電路，其特征在于所述功率MOS管(T)的漏極(D)還串接有電阻(Rl)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感線(xiàn)圈放電電路，其特征在于所述功率MOS管⑴的柵極(G)與源極(S)間接有電阻(R2)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電感線(xiàn)圈放電電路，包括二極管(D)和穩(wěn)壓模塊，所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)相串聯(lián)，串聯(lián)后的所述穩(wěn)壓模塊和所述二極管(D)連接于待放電電感線(xiàn)圈(L)兩端，所述穩(wěn)壓模塊由功率MOS管(T)和連接于所述功率MOS管(T)的柵極(G)與漏極(D)之間的穩(wěn)壓器件組成。本實(shí)用新型使用上述結(jié)構(gòu)的電感線(xiàn)圈放電電路，能夠具有準(zhǔn)恒壓放電特性，加快電感線(xiàn)圈的放電進(jìn)程。
文檔編號(hào)G01R15/00GK201965164SQ201020644609
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2010年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月2日
發(fā)明者王永輝 申請(qǐng)人:保定市金源科技有限公司