專利名稱：?jiǎn)卧庾R(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建和模式生成的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明目的在于集成電路(IC)的測(cè)試。本發(fā)明的各種方面可能特別用于模型化缺陷并生成高質(zhì)量測(cè)試模式，以測(cè)試IC來(lái)探測(cè)在制造過(guò)程期間或之后出現(xiàn)的缺陷。
背景技術(shù)：
各種各樣的錯(cuò)誤模型被用于生成測(cè)試模式，其用于探測(cè)集成電路中的錯(cuò)誤，例如固定型(stuck-at)、橋接、單元內(nèi)部開路和過(guò)渡錯(cuò)誤，等等。這些錯(cuò)誤模型都是基于錯(cuò)誤只出現(xiàn)在庫(kù)單元的端口處的庫(kù)單元實(shí)例之間和庫(kù)單元的外部的互連線之間的假設(shè)。現(xiàn)今的自動(dòng)測(cè)試模式生成(ATPG)工具應(yīng)用這些標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型，并假定在庫(kù)單元內(nèi)沒有錯(cuò)誤，或基于 ATPG所使用的門極模型只考慮庫(kù)單元內(nèi)部的這些錯(cuò)誤。這些門極模型對(duì)將錯(cuò)誤加在單元端口處或在ATPG所使用的基本單元結(jié)構(gòu)處是有用的，但不適合于模型化庫(kù)單元內(nèi)部的基于布局的缺陷。提出了特別以單元內(nèi)缺陷為目標(biāo)的技術(shù)。例如，N-探測(cè)、嵌入式多探測(cè)(EMD)和門極窮盡測(cè)試在探測(cè)(或“覆蓋”)一些以前未模型化的缺陷中顯示相當(dāng)大的成功。然而， 這些最新發(fā)展的技術(shù)可能對(duì)真實(shí)世界設(shè)計(jì)太復(fù)雜，或它們只提高以概率性方式探測(cè)單元內(nèi)缺陷的可能性，而不是以確定性方式以它們?yōu)槟繕?biāo)的可能性。在N-探測(cè)測(cè)試中，通過(guò)在不同的條件下多次以同一錯(cuò)誤為目標(biāo)來(lái)提高探測(cè)的機(jī)會(huì)。這一般將模式的數(shù)量增加了 N倍， 然而，并因此使測(cè)試變得昂貴?；贓MD的方法增加了可通過(guò)采用現(xiàn)有ATPG模式中未使用的比特來(lái)探測(cè)到(有時(shí)被稱為缺陷“覆蓋”)的不同缺陷的數(shù)量。與基于N-探測(cè)的方法不同，對(duì)于基于EMD的方法不需要額外的測(cè)試模式。不過(guò)，對(duì)這兩種技術(shù)只存在與實(shí)際缺陷的概率關(guān)系。因此，很難量化相對(duì)于常規(guī)技術(shù)由這些技術(shù)提供的額外的缺陷覆蓋，并預(yù)測(cè)對(duì)未來(lái)設(shè)計(jì)的由此得到的益處。雖然門極窮盡測(cè)試方法能夠覆蓋單元內(nèi)部缺陷，但該方法也往往生成非常大量的額外模式并導(dǎo)致高測(cè)試成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面涉及單元意識(shí)模式生成和錯(cuò)誤模型創(chuàng)建以，測(cè)試IC來(lái)找到在制造過(guò)程期間或之后出現(xiàn)的缺陷。在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，基于從庫(kù)單元的布局圖提取的晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)創(chuàng)建單元意識(shí)錯(cuò)誤模型。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可用于生成具有高缺陷覆蓋的測(cè)試多維立方體(cube)和模式。根據(jù)本發(fā)明的例子，測(cè)試模式可首先通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)ATPG過(guò)程來(lái)生成。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可接著被應(yīng)用來(lái)將額外的分配值(例如，額外的測(cè)試多維立方體) 嵌入所生成的測(cè)試模式中，從而允許缺陷覆蓋增加，而不增加測(cè)試模式的數(shù)量。


圖1示出可與本發(fā)明的各種實(shí)施例一起被利用的可編程計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的用于生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式的工具的例子。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建的過(guò)程。圖如示出標(biāo)準(zhǔn)模型ATPG的例子；圖4b示出單元意識(shí)ATPG的例子。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于生成單元意識(shí)測(cè)試多維立方體的過(guò)程。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的完整的單元意識(shí)ATPG過(guò)程。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的嵌入式單元意識(shí)ATPG過(guò)程。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的各種方面涉及，用于生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式，以測(cè)試IC來(lái)找到在制造過(guò)程期間或之后出現(xiàn)的缺陷的技術(shù)。在下面的描述中，為了解釋的目的闡述了很多細(xì)節(jié)。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可在不使用這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況下，沒有詳細(xì)描述公知的特征，從而避免混淆本發(fā)明?？梢杂么鎯?chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的軟件指令、在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的軟件指令或兩者的某種組合來(lái)實(shí)現(xiàn)本文描述的一些技術(shù)。一些所公開的技術(shù)例如可被實(shí)現(xiàn)為電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具的部分。這樣的方法可在單個(gè)計(jì)算機(jī)或聯(lián)網(wǎng)計(jì)算機(jī)上被執(zhí)行。雖然為了方便陳述，以特定的順序描述所公開的方法的操作，但應(yīng)理解，這種描述方式包括重新排列次序，除非下面所闡述的特定語(yǔ)言需要特定的排序。例如，順序地描述的操作在一些情況下可被重排或同時(shí)執(zhí)行。此外，詳細(xì)描述有時(shí)使用術(shù)語(yǔ)如“確定”和“生成” 來(lái)描述所公開的方法。這樣的術(shù)語(yǔ)是所執(zhí)行的實(shí)際操作的高級(jí)抽象。相應(yīng)于這些術(shù)語(yǔ)的實(shí)際操作將根據(jù)特定的實(shí)現(xiàn)而變化，并容易由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員辨別。操作環(huán)境通過(guò)計(jì)算設(shè)備例如可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行軟件指令，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各種實(shí)施例。此外，本發(fā)明的各種實(shí)施例可由執(zhí)行用于實(shí)施本發(fā)明的功能的各種軟件指令的計(jì)算機(jī)或由用于實(shí)施本發(fā)明的功能的存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的軟件指令來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，圖1示出計(jì)算設(shè)備1的例證性例子。如在該圖中看到的，計(jì)算設(shè)備101包括具有處理單元105和系統(tǒng)存儲(chǔ)器107的計(jì)算單元103。處理單元105可以是用于執(zhí)行軟件指令的任何類型的可編程電子設(shè)備，但將通常是微處理器。系統(tǒng)存儲(chǔ)器107可包括只讀存儲(chǔ)器(ROM) 109和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 111。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，只讀存儲(chǔ)器(ROM) 109和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 111都可存儲(chǔ)用于由處理單元105執(zhí)行的軟件指令。處理單元105和系統(tǒng)存儲(chǔ)器107通過(guò)總線113或可替換的通信結(jié)構(gòu)直接或間接地連接到一個(gè)或多個(gè)外圍設(shè)備。例如，處理單元105或系統(tǒng)存儲(chǔ)器107可直接或間接地連接到一個(gè)或多個(gè)額外的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存設(shè)備，例如“硬”磁盤驅(qū)動(dòng)器115、可移動(dòng)磁盤驅(qū)動(dòng)器117、 光盤驅(qū)動(dòng)器119或閃存卡121。處理單元105和系統(tǒng)存儲(chǔ)器107也可直接或間接地連接到一個(gè)或多個(gè)輸入設(shè)備123和一個(gè)或多個(gè)輸出設(shè)備125。輸入設(shè)備123可包括例如鍵盤、指示設(shè)備(例如，鼠標(biāo)、觸摸板、手寫筆、跟蹤器或操縱桿)、掃描儀、攝像機(jī)和麥克風(fēng)。輸出設(shè)
10備125可包括例如監(jiān)視顯示器、打印機(jī)和揚(yáng)聲器。在計(jì)算機(jī)101的各種例子中，外圍設(shè)備 115-125中的一個(gè)或多個(gè)可與計(jì)算單元103—起內(nèi)置?？商鎿Q地，外圍設(shè)備115-125中的一個(gè)或多個(gè)可以設(shè)置在計(jì)算單元103的殼體的外部，并通過(guò)例如通用串行總線(USB)連接來(lái)連接到總線113。在一些實(shí)施方式中，計(jì)算單元103可被直接或間接地連接到一個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)接口 127，用于與構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)的其它設(shè)備進(jìn)行通信。網(wǎng)絡(luò)接口 127根據(jù)一個(gè)或多個(gè)通信協(xié)議例如傳輸控制協(xié)議(TCP)和互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP)將數(shù)據(jù)和控制信號(hào)從計(jì)算單元103轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)消息。 此外，接口 127可利用用于連接到網(wǎng)絡(luò)的任何適當(dāng)?shù)倪B接代理(或代理的組合)，包括例如無(wú)線收發(fā)機(jī)、調(diào)制解調(diào)器或以太網(wǎng)連接。這樣的網(wǎng)絡(luò)接口和協(xié)議在本領(lǐng)域中是已知的，因此將不在這里更詳細(xì)地討論。應(yīng)認(rèn)識(shí)到，計(jì)算機(jī)101僅作為例子被示出，且它沒有被規(guī)定為限制性的。本發(fā)明的各種實(shí)施例可由使用包括圖1所示的計(jì)算機(jī)101的部件的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述計(jì)算設(shè)備只包括圖1所示的部件的子集，或包括部件的可替換的組合，包括圖1中未示出的部件。例如，本發(fā)明的各種實(shí)施例可使用多處理器計(jì)算機(jī)、布置到網(wǎng)絡(luò)中的多個(gè)單和/或多處理器計(jì)算機(jī)、或兩者的某個(gè)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式生成工具圖2示出根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的用于生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式的工具的例子。如在圖中看到的，工具具有兩個(gè)主要模塊單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200和單元意識(shí)模式生成模塊210。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200基于單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)和晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)創(chuàng)建庫(kù)的單元的錯(cuò)誤模型。單元意識(shí)模式生成模塊210接著使用所創(chuàng)建的錯(cuò)誤模型來(lái)生成測(cè)試模式，所述測(cè)試模式與使用常規(guī)錯(cuò)誤模型生成的測(cè)試模式相比具有大的缺陷覆蓋。所產(chǎn)生的單元意識(shí)測(cè)試模式可存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)215中。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200可如圖2所示包括四個(gè)子模塊(布局提取模塊 202、缺陷提取模塊204、模擬仿真模塊206和錯(cuò)誤模型合成模塊208)以及四個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)(布局?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)201、晶體管級(jí)網(wǎng)表數(shù)據(jù)庫(kù)203、所關(guān)注的缺陷的數(shù)據(jù)庫(kù)205和單元意識(shí)錯(cuò)誤模型數(shù)據(jù)庫(kù)209)。如將在下面更詳細(xì)地討論的，布局提取模塊202從布局?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)201接收單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)。布局?jǐn)?shù)據(jù)可以是例如GDS2格式。模塊202接著執(zhí)行提取過(guò)程以從布局?jǐn)?shù)據(jù)生成晶體管級(jí)網(wǎng)表。各種常規(guī)技術(shù)可用于執(zhí)行提取過(guò)程，例如使用從俄勒岡州的Wilsonville 的明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corporation)可獲得的CALIBRE 系列物理驗(yàn)證軟件工具提供的CALIBRE 布局對(duì)原理圖(LVQ工具。晶體管級(jí)網(wǎng)表可存儲(chǔ)在晶體管級(jí)網(wǎng)表數(shù)據(jù)庫(kù) 203中，用于隨后的操作。所提取的網(wǎng)表可以是例如SPICE格式。缺陷提取模塊204基于存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)201中的布局?jǐn)?shù)據(jù)和存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)203中的晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)確定單元的所關(guān)注的缺陷的列表。各種常規(guī)工具可用于提取過(guò)程，例如使用從俄勒岡州的Wilsonville的明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corporation)可獲得的 CALIBRE 系列物理驗(yàn)證軟件工具提供的CALIBRE xRC 寄生提取工具。如從下面的討論將認(rèn)識(shí)到的，單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200可為各種不同的缺陷生成錯(cuò)誤模型和相應(yīng)的測(cè)試模式。因此，在本發(fā)明的各種例子中，缺陷提取模塊204可配置成提取一個(gè)或多個(gè)特定的用戶所關(guān)注的任何期望缺陷。被提取的所關(guān)注的缺陷列表可存儲(chǔ)在所關(guān)注的缺陷的數(shù)據(jù)庫(kù)205中。模擬仿真模塊206加入從存儲(chǔ)在所關(guān)注的缺陷的數(shù)據(jù)庫(kù)205中的缺陷列表選擇的缺陷，并接著執(zhí)行模擬仿真來(lái)確定是否該缺陷是可探測(cè)到的。如果它確定該缺陷是可探測(cè)到的，則模擬仿真模塊206進(jìn)一步確定用于探測(cè)缺陷的探測(cè)條件。該探測(cè)條件可接著由錯(cuò)誤模型合成模塊208使用來(lái)產(chǎn)生單元意識(shí)錯(cuò)誤模型，其被存儲(chǔ)在單元意識(shí)錯(cuò)誤模型數(shù)據(jù)庫(kù) 209 中。如前面提到的，本發(fā)明的各種實(shí)施例可由計(jì)算系統(tǒng)，例如圖1所示的計(jì)算系統(tǒng)，來(lái)實(shí)施。因此，單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200的每個(gè)子模塊(模塊202、204、206和208)和單元意識(shí)模式生成模塊210的一個(gè)或多個(gè)部件可使用計(jì)算系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)處理器來(lái)實(shí)現(xiàn)。應(yīng)認(rèn)識(shí)到，雖然布局提取模塊202、缺陷提取模塊204、模擬仿真模塊206、錯(cuò)誤模型合成模塊208和單元意識(shí)模式生成模塊210在圖2中被示為單獨(dú)的單元，但是可使用單個(gè)計(jì)算機(jī)(或計(jì)算系統(tǒng)中的單個(gè)過(guò)程)在不同的時(shí)間實(shí)現(xiàn)這些模塊中的兩個(gè)或多個(gè)模塊。同樣， 本發(fā)明的各種例子可由存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的軟件可執(zhí)行指令來(lái)實(shí)施，所述指令用于指示計(jì)算系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)布局提取模塊202、缺陷提取模塊204、模擬仿真模塊206、錯(cuò)誤模型合成模塊208以及單元意識(shí)模式生成模塊210中的每個(gè)模塊的一個(gè)或多個(gè)部件。此外，雖然布局?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)201、晶體管級(jí)網(wǎng)表數(shù)據(jù)庫(kù)203、所關(guān)注的缺陷的數(shù)據(jù)庫(kù)205和單元意識(shí)錯(cuò)誤模型數(shù)據(jù)庫(kù)209在圖2中被示為單獨(dú)的單元，但是可使用單個(gè)計(jì)算機(jī)在不同的時(shí)間實(shí)現(xiàn)這些數(shù)據(jù)庫(kù)中的兩個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)。應(yīng)認(rèn)識(shí)到，雖然單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建模塊200在圖2中包括四個(gè)子模塊(布局提取模塊202、缺陷提取模塊204、模擬仿真模塊206、錯(cuò)誤模型合成模塊208)，它可只包括這些子模塊的子集。例如，如果晶體管級(jí)網(wǎng)表和錯(cuò)誤信息可從其它來(lái)源得到，則布局提取模塊可被移除。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型創(chuàng)建現(xiàn)在，關(guān)于圖3所示的流程圖，將討論根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的錯(cuò)誤模型創(chuàng)建和測(cè)試模式生成的各種方法。雖然將參考圖2所示的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式生成工具來(lái)描述圖3所示的操作，但應(yīng)認(rèn)識(shí)到，圖3所示的操作可被根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型和測(cè)試模式生成工具的其它實(shí)施方式使用。同樣，應(yīng)認(rèn)識(shí)到，圖2所示的單元意識(shí)錯(cuò)誤和測(cè)試模式生成工具可使用圖3所示的操作之外的用于創(chuàng)建錯(cuò)誤模型或生成測(cè)試模式的技術(shù)。圖3所示的流程以布局提取操作320開始，后面是探測(cè)提取操作340，然后是模擬錯(cuò)誤仿真操作360，且最后是合成操作380，以創(chuàng)建單元意識(shí)錯(cuò)誤模型。下面將更詳細(xì)地討論這些操作。在布局提取操作320中，布局提取模塊202從庫(kù)單元的布局設(shè)計(jì)(或布局?jǐn)?shù)據(jù)) 提取晶體管級(jí)網(wǎng)表。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，布局設(shè)計(jì)代表使用幾何元素的電路的特征。幾何元素又相應(yīng)于在光刻工藝期間將在襯底上形成以產(chǎn)生電路的物理結(jié)構(gòu)。 布局設(shè)計(jì)可以是任何期望的數(shù)據(jù)格式?？商峁┮院芏嗖煌母袷降挠糜贗C布局描述的數(shù)據(jù)。圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)II(GDSII)格式是用于傳遞和存檔2D圖形IC布局?jǐn)?shù)據(jù)的普遍格式。除了其它特征以外，它還包含結(jié)構(gòu)的層級(jí)，每個(gè)結(jié)構(gòu)布局元素(例如，多邊形、路徑或多段線、 圓和文本框)。元素位于層上。其它格式包括被稱為開放存取的開放源格式、新思科技公司(Synopsys, Inc.)的 Milkyway、明導(dǎo)公司(Mentor Graphics, Inc.)的 EDDM 以及最近的由國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料(SEMI)提出的開放式系統(tǒng)交互標(biāo)準(zhǔn)(OASIS)。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員還將認(rèn)識(shí)到的，晶體管級(jí)網(wǎng)表是在電路及其附件中所關(guān)注的重要部件的列表(例如，基于文本的列表)。例如，網(wǎng)表可以列出晶體管、電容器、電阻器、二極管及其連接。網(wǎng)表也可以是任何期望的數(shù)據(jù)格式，例如，SPICE數(shù)據(jù)格式。在本發(fā)明的各種例子中，布局提取模塊202可使用能用于從電路的布局設(shè)計(jì)提取晶體管級(jí)網(wǎng)表的任何適當(dāng)?shù)碾娮釉O(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)布局提取工具(或可替換地，由電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)布局提取工具實(shí)現(xiàn))。例如，本發(fā)明的一些實(shí)施方式可使用在從俄勒網(wǎng)州的Wilsonville的明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corporation)可獲得的CALIBRE 系列電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化物理驗(yàn)證軟件工具中包括的CALIBRE 布局對(duì)示意圖(LVQ工具。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，通過(guò)從布局設(shè)計(jì)提取晶體管級(jí)網(wǎng)表，這種類型的布局提取工具可使布局設(shè)計(jì)中的幾何元素與晶體管級(jí)網(wǎng)表中的部件關(guān)聯(lián)。在缺陷提取操作340中，缺陷提取模塊204從布局設(shè)計(jì)提取所關(guān)注的缺陷。所關(guān)注的缺陷可以例如是內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)之間的橋接、電力線或地線(即，Vdd/Vss)的橋接、丟失接觸 (即，斷開)、或不同缺陷的某個(gè)組合。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，存在可由本發(fā)明的各種實(shí)施例使用來(lái)從布局設(shè)計(jì)提取所關(guān)注的缺陷的各種電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具。例如， 本發(fā)明的一些實(shí)施方式可使用寄生提取工具，例如在從俄勒岡州的Wilsonville的明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corporation)可獲得的CALIBRE 系列電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化物理驗(yàn)證軟件工具中包括的一個(gè)或多個(gè)CALIBRE xRC 寄生提取工具。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，寄生提取工具(如CALIBRE xRC 工具)分析布局設(shè)計(jì)中的幾何元素，以識(shí)別將在從布局設(shè)計(jì)制造的電路中產(chǎn)生的寄生特征，例如電容和電感特征。如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，這些工具可提供作為與布局設(shè)計(jì)中的幾何元素的集合或幾何元素的位置數(shù)據(jù)相關(guān)的寄生特征的所關(guān)注的缺陷。而且，因?yàn)椴季痔崛〔僮?20產(chǎn)生晶體管級(jí)網(wǎng)表，使得網(wǎng)表中的幾何元素可與布局設(shè)計(jì)中的幾何元素關(guān)聯(lián)，網(wǎng)表也可與所關(guān)注的缺陷包括的幾何元素關(guān)聯(lián)。以這種方式，可確定所關(guān)注的缺陷相對(duì)于晶體管級(jí)網(wǎng)表中的部件的位置，且缺陷可隨后被包括在晶體管級(jí)網(wǎng)表中。接著，模擬仿真模塊206對(duì)包括所關(guān)注的缺陷的被提取的網(wǎng)表執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真操作360。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，模擬仿真模塊206將對(duì)每個(gè)庫(kù)單元執(zhí)行很多模擬仿真。當(dāng)只有一個(gè)循環(huán)測(cè)試模式(非連續(xù))被分析時(shí)，必須執(zhí)行的模擬仿真的總數(shù)可以是η = 2m · (d+1)，其中m和d分別表示庫(kù)單元的輸入的數(shù)量和所考慮的缺陷的數(shù)量，并且操作數(shù) “+1”與無(wú)錯(cuò)誤仿真相關(guān)。庫(kù)單元輸入的數(shù)量一般在1到8的范圍內(nèi)，而缺陷的數(shù)量可以是幾百。使用現(xiàn)今的模擬仿真器和計(jì)算機(jī)硬件，可對(duì)完整的單元庫(kù)在幾天的運(yùn)行時(shí)間內(nèi)完成這些仿真。在本發(fā)明的各種實(shí)施方式中，模擬仿真模塊206可使用從俄勒R州的Wilsonville 的Mentor Graphics Corporation可獲導(dǎo)的ELDO 系列仿真工具(或由ELDO 系列仿真工具實(shí)現(xiàn))。在連續(xù)模式的模擬錯(cuò)誤仿真的情況下，例如為了分析斷開是否被探測(cè)到，可不同地處理魯棒和非魯棒錯(cuò)誤仿真。對(duì)于魯棒仿真，只允許一個(gè)單元輸入將其狀態(tài)從一個(gè)循環(huán)改變到另一循環(huán)。對(duì)于非魯棒仿真，多個(gè)輸入可將其狀態(tài)從一個(gè)循環(huán)改變到下一循環(huán)。對(duì)于魯棒的連續(xù)測(cè)試，對(duì)具有3次循環(huán)(S卩，最初和最后的循環(huán))的連續(xù)分析的模擬仿真的總數(shù)是N2(魯棒)=2m · m · (d+Ι)。對(duì)于非魯棒的連續(xù)測(cè)試，對(duì)具有3次循環(huán)(S卩，最初和最后的循環(huán))的連續(xù)分析的模擬仿真的總數(shù)是N2(非魯棒)=2m · (2m-l) · (d+1)。通過(guò)修改晶體管級(jí)網(wǎng)表或網(wǎng)表對(duì)象值(例如，電阻器值)，可引入缺陷。例如，如果橋接是候選缺陷，則電阻器插在相應(yīng)的兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)之間。對(duì)于開路錯(cuò)誤，相應(yīng)的電氣對(duì)象 (例如，晶體管柵極、電阻器、電容器或電線)在模擬仿真期間被斷開(或包括有非常高的電阻)。在特定的缺陷被引入之后，完備的一組(或在魯棒連續(xù)測(cè)試的情況下是減少的一組)數(shù)字輸入模式可根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例在修改的網(wǎng)表上被仿真。此外，每個(gè)單元可在沒有缺陷的情況下被仿真，以便對(duì)每個(gè)單元輸入組合確定在單元輸出處的金電壓(即， 預(yù)期電壓)。仿真是模擬DC分析仿真，其可確定單元輸出的穩(wěn)態(tài)電壓。對(duì)于連續(xù)的模式，執(zhí)行瞬時(shí)分析。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如果至少對(duì)于一個(gè)輸入組合(或分配)，單元的輸出端口中的一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生作為金電壓的倒數(shù)的電壓，且所產(chǎn)生的有缺陷電壓必須在電源電壓的80 % -100 %的范圍內(nèi)，或產(chǎn)生金電壓的僅僅0 %到20 %的電壓，則模擬仿真模塊206可考慮可探測(cè)到的缺陷。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施方式中，偏差閾值也可由用戶指定。 仿真可由現(xiàn)有技術(shù)的模擬仿真器周圍的一組腳本自動(dòng)化。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，模擬錯(cuò)誤仿真操作340的輸出可以是探測(cè)矩陣。探測(cè)矩陣的行和列分別指輸入組合和缺陷。在單元意識(shí)合成操作380中，錯(cuò)誤模型合成模塊208合成單元意識(shí)庫(kù)視圖(或單元意識(shí)庫(kù)模型)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，這個(gè)合成操作將提取對(duì)每個(gè)錯(cuò)誤的一組必要的輸入分配，以緩和未來(lái)的模式生成過(guò)程。下面是可用于實(shí)現(xiàn)單元意識(shí)合成操作380的算法的例子從真值表產(chǎn)生F:
權(quán)利要求
1.一種單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的方法，包括基于單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)和所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷； 對(duì)所述晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真，以確定來(lái)自所關(guān)注的缺陷的可探測(cè)的缺陷和所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所述探測(cè)條件來(lái)生成所述可探測(cè)的缺陷的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型；以及將所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型存儲(chǔ)在處理器可讀介質(zhì)中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表從所述單元的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)提取。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中確定所述單元的所關(guān)注的缺陷包括 從一個(gè)或多個(gè)用戶接收關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息；以及基于所述單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)、所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表和從一個(gè)或多個(gè)用戶接收的關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可探測(cè)的缺陷是在被單獨(dú)地加到所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表之后的缺陷，使所述單元產(chǎn)生對(duì)于所述單元的輸入組合滿足所述單元的輸出端口上的條件的電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真包括 從所關(guān)注的缺陷中選擇缺陷；根據(jù)所述缺陷修改所述晶體管級(jí)網(wǎng)表，以生成經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表；以及對(duì)所述經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬仿真，以確定所述缺陷是否是可探測(cè)的，以及如果所述缺陷是可探測(cè)的，確定所述缺陷的探測(cè)條件。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真還包括 確定所有所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所有所述可探測(cè)的缺陷的所述探測(cè)條件生成探測(cè)矩陣；以及存儲(chǔ)所述探測(cè)矩陣。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型包括通過(guò)基于探測(cè)信息確定必要的輸入組合來(lái)生成素?cái)?shù)多維立方體，所述必要的輸入組合是探測(cè)沒有不關(guān)心的缺陷所需的輸入組合；以及將所述素?cái)?shù)多維立方體與相應(yīng)的輸出組合合并。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型還包括壓縮相同的素?cái)?shù)多維立方體以生成一組經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體和一組缺陷列表，每個(gè)缺陷列表表示能夠由經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體探測(cè)的缺陷。
9.一種單元意識(shí)模式生成的方法，包括 選擇用于電路中的單元的缺陷；基于與所述缺陷相關(guān)的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將所述缺陷加在所述單元的的一個(gè)或多個(gè)輸出端口上；為所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型所提供的缺陷，從一組必要的輸入組合中選擇一個(gè)必要的輸入組合；將該個(gè)必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上；以及傳播所述缺陷并調(diào)整該個(gè)必要的輸入組合。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括如果對(duì)于該組必要的輸入組合中的每一個(gè)的所述傳播操作失敗或所述調(diào)整操作失敗， 則表示所述缺陷是不可探測(cè)的。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括如果所述傳播操作成功但所述調(diào)整操作失敗，則從該組必要的輸入組合中選擇另一必要的輸入組合；將所述另一必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上； 調(diào)整所述另一必要的輸入組合；重復(fù)上面的三個(gè)操作，直到一個(gè)必要的輸入組合能夠被成功地調(diào)整；以及基于成功的調(diào)整操作來(lái)生成測(cè)試多維立方體。
12.—種單元意識(shí)模式生成的方法，包括 接收一組缺陷；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)生成缺陷的測(cè)試多維立方體，所述缺陷從該組缺陷中選擇；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組缺陷中的其它缺陷嵌入該測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于該嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
13.—種單元意識(shí)模式生成的方法，其中所述單元意識(shí)模式生成由計(jì)算機(jī)的至少一個(gè)處理器執(zhí)行，包括接收一組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷和一組單元意識(shí)缺陷，該組單元意識(shí)缺陷只使用單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可探測(cè)；通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)生成標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷的測(cè)試多維立方體，所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷從該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中選擇；通過(guò)使用所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中的其它標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷嵌入該測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得所嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組單元意識(shí)缺陷中的單元意識(shí)缺陷嵌入該測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的單元意識(shí)缺陷列表；通過(guò)將所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表與所述單元意識(shí)缺陷列表合并來(lái)編譯由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體可探測(cè)的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷包括固定缺陷，并且所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型包括固定錯(cuò)誤模型。
15.一種用于單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的系統(tǒng)，包括 布局提取模塊，其從單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)提取晶體管級(jí)網(wǎng)表；缺陷提取模塊，其基于所述布局?jǐn)?shù)據(jù)和所述晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)確定所關(guān)注的缺陷； 模擬仿真模塊，其對(duì)所述晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真以確定來(lái)自所關(guān)注的缺陷的可探測(cè)的缺陷和所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；以及錯(cuò)誤模型合成模塊，其基于所述探測(cè)條件來(lái)生成所述可探測(cè)的缺陷的所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型。
16.一種存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的處理器可讀介質(zhì)，所述處理器可執(zhí)行指令用于使一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的方法，所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的方法包括基于單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)和所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷； 對(duì)所述晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真以確定來(lái)自所關(guān)注的缺陷的可探測(cè)的缺陷和所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所述探測(cè)條件來(lái)生成所述可探測(cè)的缺陷的所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型；以及將所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型存儲(chǔ)在所述處理器可讀介質(zhì)中。
17.如權(quán)利要求16所述的處理器可讀介質(zhì)，其中所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表從所述單元的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)提取。
18.如權(quán)利要求16所述的處理器可讀介質(zhì)，其中確定所述單元的所關(guān)注的缺陷包括 從一個(gè)或多個(gè)用戶接收關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息；以及基于所述單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)、所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表和從一個(gè)或多個(gè)用戶接收的關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷。
19.如權(quán)利要求16所述的處理器可讀介質(zhì)，其中所述可探測(cè)的缺陷是在被單獨(dú)地加到所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表之后的缺陷，使所述單元產(chǎn)生對(duì)所述單元的輸入組合滿足所述單元的輸出端口上的條件的電壓。
20.如權(quán)利要求16所述的處理器可讀介質(zhì)，其中執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真包括 從所關(guān)注的缺陷中選擇缺陷；根據(jù)所述缺陷修改所述晶體管級(jí)網(wǎng)表以生成經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表；以及對(duì)所述經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬仿真，以確定所述缺陷是否是可探測(cè)的，以及如果所述缺陷是可探測(cè)的，確定所述缺陷的探測(cè)條件。
21.如權(quán)利要求20所述的處理器可讀介質(zhì)，其中執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真包括 確定所有所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所有所述可探測(cè)的缺陷的所述探測(cè)條件來(lái)生成探測(cè)矩陣；以及存儲(chǔ)所述探測(cè)矩陣。
22.如權(quán)利要求16所述的處理器可讀介質(zhì)，其中生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型包括通過(guò)基于探測(cè)信息確定必要的輸入組合來(lái)生成素?cái)?shù)多維立方體，所述必要的輸入組合是探測(cè)沒有不關(guān)心的缺陷所需的輸入組合；以及將所述素?cái)?shù)多維立方體與相應(yīng)的輸出組合合并。
23.如權(quán)利要求22所述的處理器可讀介質(zhì)，其中生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型還包括壓縮相同的素?cái)?shù)多維立方體，以生成一組經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體和一組缺陷列表，每個(gè)所述缺陷列表表示能夠由經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體探測(cè)的缺陷。
24.一種存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的處理器可讀介質(zhì)，所述處理器可執(zhí)行指令用于使一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括選擇用于電路中的單元的缺陷；基于與所述缺陷相關(guān)的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將所述缺陷加在所述單元的的一個(gè)或多個(gè)輸出端口上；為所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型所提供的缺陷，從一組必要的輸入組合中選擇一個(gè)必要的輸入組合；將該個(gè)必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上；以及傳播所述缺陷并調(diào)整該個(gè)必要的輸入組合。
25.如權(quán)利要求M所述的處理器可讀介質(zhì)，其中所述單元意識(shí)模式生成的方法還包括如果對(duì)于該組必要的輸入組合中的每一個(gè)的所述傳播操作失敗或所述調(diào)整操作失敗， 則表示所述缺陷是不可探測(cè)的。
26.如權(quán)利要求M所述的處理器可讀介質(zhì)，其中所述單元意識(shí)模式生成的方法還包括如果所述傳播操作成功但所述調(diào)整操作失敗，則從該組必要的輸入組合選擇另一必要的輸入組合；將所述另一必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上； 調(diào)整所述另一必要的輸入組合；重復(fù)上面的三個(gè)操作，直到一個(gè)必要的輸入組合能夠被成功地調(diào)整；以及基于成功的所述調(diào)整操作來(lái)生成測(cè)試多維立方體。
27.一種存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的處理器可讀介質(zhì)，所述處理器可執(zhí)行指令用于使一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括接收一組缺陷；通過(guò)使用單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)生成缺陷的測(cè)試多維立方體，所述缺陷從該組缺陷中選擇；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組缺陷中的其它缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于該嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
28.一種存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的處理器可讀介質(zhì)，所述處理器可執(zhí)行指令用于使一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括接收一組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷和一組單元意識(shí)缺陷，該組單元意識(shí)缺陷只使用單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可探測(cè)；通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)生成標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷的測(cè)試多維立方體，所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷從該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中選擇；通過(guò)使用所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中的其它標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組單元意識(shí)缺陷中的所述單元意識(shí)缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的單元意識(shí)缺陷列表；通過(guò)將所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表與所述單元意識(shí)缺陷列表合并來(lái)編譯由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體可探測(cè)的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
29.如權(quán)利要求洲所述的處理器可讀介質(zhì)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷包括固定缺陷，并且所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型包括固定錯(cuò)誤模型。
30.一種包括一個(gè)或多個(gè)處理器的系統(tǒng)，所述一個(gè)或多個(gè)處理器被編程來(lái)執(zhí)行單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的方法，所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型生成的方法包括基于單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)和所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷； 對(duì)所述晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真以確定來(lái)自所關(guān)注的缺陷的可探測(cè)的缺陷和所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所述探測(cè)條件來(lái)生成所述可探測(cè)的缺陷的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型；以及將所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型存儲(chǔ)在處理器可讀介質(zhì)中。
31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表從所述單元的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)提取。
32.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中確定單元的所關(guān)注的缺陷包括 從一個(gè)或多個(gè)用戶接收關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息；以及基于所述單元的布局?jǐn)?shù)據(jù)、所述單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表和從一個(gè)或多個(gè)用戶接收的關(guān)于所關(guān)注的缺陷的信息來(lái)確定所述單元的所關(guān)注的缺陷。
33.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中所述可探測(cè)的缺陷是在被單獨(dú)地加到所述單元的所述晶體管級(jí)網(wǎng)表之后的缺陷，使所述單元產(chǎn)生對(duì)所述單元的輸入組合滿足所述單元的輸出端口上的條件的電壓。
34.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中所述執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真包括 從所關(guān)注的缺陷中選擇缺陷；根據(jù)所述缺陷修改所述晶體管級(jí)網(wǎng)表以生成經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表；以及對(duì)所述經(jīng)修改的晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬仿真，以確定所述缺陷是否是可探測(cè)的，以及如果所述缺陷是可探測(cè)的，確定所述缺陷的探測(cè)條件。
35.如權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，其中執(zhí)行模擬錯(cuò)誤仿真包括 確定所有所述可探測(cè)的缺陷的探測(cè)條件；基于所有所述可探測(cè)的缺陷的所述探測(cè)條件來(lái)生成探測(cè)矩陣；以及存儲(chǔ)所述探測(cè)矩陣。
36.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型包括通過(guò)基于探測(cè)信息確定必要的輸入組合來(lái)生成素?cái)?shù)多維立方體，所述必要的輸入組合是探測(cè)沒有不關(guān)心的缺陷所需的輸入組合；以及將所述素?cái)?shù)多維立方體與相應(yīng)的輸出組合合并。
37.如權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中生成單元意識(shí)錯(cuò)誤模型還包括壓縮相同的素?cái)?shù)多維立方體以生成一組經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體和一組缺陷列表，每個(gè)缺陷列表表示能夠由經(jīng)壓縮的素?cái)?shù)多維立方體探測(cè)的缺陷。
38.一種包括一個(gè)或多個(gè)處理器的系統(tǒng)，所述一個(gè)或多個(gè)處理器被編程來(lái)執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括選擇用于電路中的單元的缺陷；基于與所述缺陷相關(guān)的單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將所述缺陷加在所述單元的的一個(gè)或多個(gè)輸出端口上；對(duì)所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型所提供的缺陷從一組必要的輸入組合中選擇一個(gè)必要的輸入組合；將該個(gè)必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上；以及傳播所述缺陷并調(diào)整所述必要的輸入組合。
39.如權(quán)利要求38所述的系統(tǒng)，其中單元意識(shí)模式生成的方法還包括如果對(duì)于該組必要的輸入組合的所述傳播操作失敗或所述調(diào)整操作失敗，則表示所述缺陷是不可探測(cè)的。
40.如權(quán)利要求38所述的系統(tǒng)，其中所述單元意識(shí)模式生成的方法還包括如果所述傳播操作成功但所述調(diào)整操作失敗，則從該組必要的輸入組合選擇另一必要的輸入組合；將所述另一必要的輸入組合加在所述單元的輸入端口上； 調(diào)整所述另一必要的輸入組合；重復(fù)上面的三個(gè)操作，直到一個(gè)必要的輸入組合能夠被成功地調(diào)整；以及基于成功的所述調(diào)整操作來(lái)生成測(cè)試多維立方體。
41.一種包括一個(gè)或多個(gè)處理器的系統(tǒng)，所述一個(gè)或多個(gè)處理器被編程來(lái)執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括接收一組缺陷；通過(guò)使用單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)生成缺陷的測(cè)試多維立方體，所述缺陷從該組缺陷中選擇；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組缺陷中的其它缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于該嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
42.一種包括一個(gè)或多個(gè)處理器的系統(tǒng)，所述一個(gè)或多個(gè)處理器被編程來(lái)執(zhí)行單元意識(shí)模式生成的方法，所述單元意識(shí)模式生成的方法包括接收一組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷和一組單元意識(shí)缺陷，該組單元意識(shí)缺陷只使用單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可探測(cè)；通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)生成標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷的測(cè)試多維立方體，所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷從該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中選擇；通過(guò)使用所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷中的其它標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表；通過(guò)使用所述單元意識(shí)錯(cuò)誤模型來(lái)將該組單元意識(shí)缺陷中的單元意識(shí)缺陷嵌入測(cè)試多維立方體探測(cè)中，以獲得進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體和能夠由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體探測(cè)到的單元意識(shí)缺陷列表；通過(guò)將所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷列表與所述單元意識(shí)缺陷列表合并來(lái)編譯由所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體可探測(cè)的缺陷列表；將補(bǔ)白應(yīng)用于所述進(jìn)一步嵌入的測(cè)試多維立方體以生成測(cè)試模式； 對(duì)所述測(cè)試模式進(jìn)行錯(cuò)誤仿真以更新所述缺陷列表；以及將所述測(cè)試模式和所述缺陷列表存儲(chǔ)在有形處理器可讀介質(zhì)中。
43.如權(quán)利要求42所述的系統(tǒng)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)模型缺陷包括固定缺陷，并且所述標(biāo)準(zhǔn)錯(cuò)誤模型包括固定錯(cuò)誤模型。
全文摘要
單元意識(shí)錯(cuò)誤模型直接處理基于布局的單元內(nèi)部缺陷。它們通過(guò)對(duì)庫(kù)單元的晶體管級(jí)網(wǎng)表執(zhí)行模擬仿真并接著通過(guò)庫(kù)視圖合成來(lái)創(chuàng)建。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型可用于生成單元意識(shí)測(cè)試模式，其通常具有比常規(guī)ATPG技術(shù)所產(chǎn)生的缺陷覆蓋更高的缺陷覆蓋。單元意識(shí)錯(cuò)誤模型還可以用于提高常規(guī)ATPG技術(shù)所產(chǎn)生的一組測(cè)試模式的缺陷覆蓋。
文檔編號(hào)G01R31/3183GK102439469SQ201080019820
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日
發(fā)明者于爾根·施洛埃菲爾, W.·許霍爾邁爾 克里斯多夫·, 安德里亞斯·格洛沃茨, 弗里德里?！す湛? 彼得·維塞爾洛, 邁克爾·威特基, 雷內(nèi)·克倫茲-巴斯, ·卡薩布 馬克·A. 申請(qǐng)人:明導(dǎo)公司