專利名稱：濾光器、使用該濾光器的分析設(shè)備以及光學(xué)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濾光器、使用其的分析設(shè)備以及光學(xué)設(shè)備等。
背景技術(shù)：
提出有可改變透射波長的干涉濾波器(專利文獻1)。如專利文獻1的圖1所示那樣，具有被相互平行地保持的一對基板、和被形成為在該一對基板上相互對置并且具有一定間隔的間隙的一對多層膜(反射膜)。入射到一對多層膜間的光由于與法布里-珀羅干涉儀相同的原理而被多重反射，特定波段以外的光受到干涉而被抵消，僅透過特定波段的光。換句話說，這種干涉濾光器作為帶通濾波器而發(fā)揮作用，被稱為標準具。在此，若通過外力使一對多層膜(反射膜)間的間隙的大小發(fā)生變化，則能夠選擇與間隙的大小相應(yīng)的波長并使之透過。因此，成為透射波長可變的透射波長可變干涉濾光
ο在專利文獻1中，如圖4所示那樣，在形成在一對基板上的一對多層膜(反射膜) 上還設(shè)有作為靜電致動器的一對靜電驅(qū)動電極。對一對靜電驅(qū)動電極施加電壓來使一對多層膜間的間隔的大小可變。專利文獻1 日本特開平11-142752號公報這樣的波長可變干涉濾光器的問題在于高精度地控制間隙。但是，在上述專利文獻中，對一對靜電驅(qū)動電極施加電壓來使一對多層膜間的間隙的大小可變，因此會由于噪聲等導(dǎo)致的驅(qū)動電壓的變動而不易進行準確的間隙控制。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的幾個方式中，提供了能夠更高精度地控制反射膜間的間隙的濾光器、 使用該濾光器的分析設(shè)備以及光學(xué)設(shè)備。(1)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置；第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板，第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板， 且與上述第1反射膜對置；第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1 電極和上述第1反射膜之間；第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第 1電極的周圍；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置；第4電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置；以及電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第2電極與上述第3電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置，上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置，上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1電極和上述第3電極抵接，并通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第2電極和上述第4電極抵接。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，包括如下情況電位差控制部通過使第1電極與第3電極之間產(chǎn)生電位差來使第1電極和第3電極抵接，并通過使第2電極與第4電極之間產(chǎn)生電位差來使第2電極和第4電極抵接。通過使第1電極和第3電極抵接，并使第2電極和第 4電極抵接，從而即使存在電壓變動等干擾，第1反射膜與第2反射膜之間的間隙也難以發(fā)生變動，因此能夠高精度地控制間隙。(2)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在使上述第1電極和上述第3電極抵接之后，使上述第2電極和上述第4電極抵接。由此，能夠確保對應(yīng)于第1電極和第3電極的抵接的反射膜間間隙、對應(yīng)于第2電極和第4電極的抵接的反射膜間間隙。(3)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差，來使上述第1電極和上述第3電極抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(4)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定為第2電位差之后，將第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差，來使上述第2電極和上述第4電極抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(5)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置；第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板；第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1反射膜對置；第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第 1反射膜的周圍；第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1電極與上述第1反射膜之間；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置；第4電極， 其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置；第1絕緣膜，其設(shè)置于上述第1電極；第2 絕緣膜，其設(shè)置于上述第2電極；電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第2電極與上述第3電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置，上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置，上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1絕緣膜和上述第3電極抵接，并通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，具有如下情況電位差控制部使第1電極與第3電極之間產(chǎn)生電位差來使第1絕緣膜和第3電極抵接，并通過使第2電極與第4電極之間產(chǎn)生電位來使第2絕緣膜和第4電極抵接。通過使第1絕緣膜和第3電極抵接，并使第2絕緣膜和第4電極抵接，即使存在電壓變動等干擾，第1反射膜與第2反射膜之間的間隙也難以發(fā)生變動，因此能夠高精度地控制反射膜間的間隙。(6)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在使上述第1絕緣膜和第3電極抵接之后，使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。由此，能夠確保對應(yīng)于第1絕緣膜和第3電極的抵接的反射膜間間隙、和對應(yīng)于第 2絕緣膜和第4電極的抵接的反射膜間間隙。(7)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差，來使上述第1絕緣膜和上述第3電極抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(8)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定為第2電位差之后，將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差，來使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(9)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置；第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板；第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1反射膜對置；第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第 1反射膜的周圍；第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1電極與上述第1反射膜之間；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置；第4電極， 其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置；第1絕緣膜，其設(shè)置于上述第1電極；第2 絕緣膜，其設(shè)置于上述第2電極；第3絕緣膜，其設(shè)置于上述第3電極，第4絕緣膜，其設(shè)置于上述第4電極；電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第 2電極與上述第3電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置，上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置，上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1絕緣膜和上述第3絕緣膜抵接，并通過使上述第2電極和上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第 2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，包括如下情況電位差控制部通過使第1電極與第3電極之間產(chǎn)生電位差來使第1絕緣膜和第3絕緣膜抵接，并通過使第2電極與第4電極之間產(chǎn)生電位差來使第2絕緣膜和第4絕緣膜抵接。通過使第1絕緣膜和第3絕緣膜抵接，并使第2絕緣膜和第4絕緣膜抵接，即使存在電壓變動等干擾，第1反射膜與第2反射膜之間的間隙也難以發(fā)生變動，因此能夠高精度地控制反射膜間的間隙。(10)在本發(fā)明的一個方式的濾光器中，上述電位差控制部在使上述第1絕緣膜和第3絕緣膜抵接之后，使上述第2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。由此，能夠確保對應(yīng)于第1絕緣膜和第3絕緣膜的抵接的反射膜間間隙、對應(yīng)于第 2絕緣膜和第4絕緣膜的抵接的反射膜間間隙。(11)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差，來使上述第1絕緣膜和上述第3絕緣膜抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(12)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將第2電極與上述第4電極之間電位差設(shè)定為第2電位差之后，將第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差，來使上述第2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。由此，能夠在更多的階段確保反射膜間間隙。(13)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述第1距離是上述第1電極與上述第3電極之間的電位差為零時的距離，上述第2距離是上述第2電極與上述第4電極之間的電位差為零時的距離。(14)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，設(shè)上述第1電極的第2基板側(cè)的表面為第1表面，設(shè)上述第2電極的第2基板側(cè)的表面為第2表面，設(shè)上述第3電極的第1基板側(cè)的表面為第3表面，設(shè)上述第4電極的第2基板側(cè)的表面為第4表面，上述第1距離是上述第1表面的垂線方向的、從上述第1表面到上述第3表面的距離，上述第2距離是上述第2表面的垂線方向的、從上述第2表面到上述第4表面的距離。(15)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，在上述第1電極與上述第3電極之間的電位差為零時，并且在上述第2電極與上述第4電極之間的電位差為零時，第1反射膜和上述第2反射膜隔開第3距離地對置，上述第1距離比上述第2距離小，上述第2距離比上述第3距離小。(16)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，設(shè)上述第1反射膜的第2基板側(cè)的表面為第1反射膜表面，設(shè)上述第2反射膜的第1基板側(cè)的表面為第2反射膜表面，上述第3距離是上述第1反射膜表面的垂線方向的、從上述第1反射膜表面到上述第2反射膜表面的距離。(17)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述第1基板在上述第2基板側(cè)具有第1面、比上述第1面高的第2面和比上述第2面高的第3面，在上述第1面形成上述第 1反射膜，在上述第2面形成上述第2電極，在上述第3面形成上述第1電極。(18)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，上述第1基板在上述第2基板側(cè)具有第1面、與上述第1面具有相同高度的第2面和與上述第2面具有相同高度的第3面，在上述第1面形成上述第1反射膜，在上述第2面形成上述第2電極，在上述第3面形成上述第1電極，上述第1電極的膜厚與上述第2電極的膜厚不同。(19)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，還具有與上述第1電極連接的引出布線，上述第1電極俯視時具有第1環(huán)狀，上述第2電極俯視時具有具備狹縫的第2環(huán)狀， 上述第3電極俯視時具有第3環(huán)狀，上述第4電極俯視時具有具備狹縫的第4環(huán)狀，與上述第1電極連接的引出布線的一部分形成在上述第2環(huán)狀的上述狹縫所形成的區(qū)域，上述第 4環(huán)狀的狹縫形成上述第2環(huán)狀的狹縫的上方。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，與第1電極連接的引出布線的一部分形成在第2環(huán)狀的上述狹縫所形成的區(qū)域，第4環(huán)狀的狹縫形成在第2環(huán)狀的狹縫的上方。也就是說，在引出布線的一部分的上方?jīng)]有形成第4環(huán)狀。由此，即使對引出布線施加了電壓，也能夠抑制產(chǎn)生在引出布線和第4電極之間產(chǎn)生作用的不需要的靜電引力。(20)本發(fā)明的一個方式的濾光器，其特征在于，第1電極和上述第2電極分開形成，上述第3電極和上述第4電極經(jīng)由連結(jié)部而電連接。由此，使第3電極和第4電極為共用電極，能夠簡化形成于第2基板的布線(第3 電極、第4電極以及引出布線)的布局。(21)本發(fā)明的一個方式的分析設(shè)備，其特征在于，包括上述濾光器。(22)本發(fā)明的一個方式的光學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括上述濾光器。


圖1是表示作為本發(fā)明的一個實施方式的濾光器的電壓未施加狀態(tài)的剖視圖。
圖2是表示圖1所示的濾光器的電壓施加狀態(tài)的一個例子的剖視圖。圖3是表示圖1所示的濾光器的與圖2不同的電壓施加狀態(tài)的一個例子的剖視圖。圖4㈧是第1電極的俯視圖，圖4(B)是第2電極的俯視圖。圖5是表示形成在一對對置電極的表面的絕緣膜的剖視圖。圖6(A)、⑶是從第2基板側(cè)看第1、第2電極的重疊狀態(tài)而得到的俯視圖。圖7是從第2基板側(cè)透視第2基板來表示第1 第4引出布線的布線布局的俯視圖。圖8是濾光器的施加電壓控制系統(tǒng)的框圖。圖9是濾光器的其他施加電壓控制系統(tǒng)的框圖。圖10是表示電壓表數(shù)據(jù)的一個例子的特性圖。圖11是表示濾光器的第1、第2反射膜間間隙與透射峰值波長的關(guān)系的特性圖。圖12是表示電壓表數(shù)據(jù)的另外一個例子的特性圖。圖13是表示電壓表數(shù)據(jù)的又一個例子的特性圖。圖14是表示第1、第2電極間的電位差與靜電引力的關(guān)系的特性圖。圖15是表示靜電引力與電極間間隙的關(guān)系的特性圖。圖16是表示電壓表數(shù)據(jù)的又一個例子的特性圖。圖17是作為本發(fā)明的又一個實施方式的分析裝置的框圖。圖18是表示用圖17所示的裝置的分光測定動作的流程圖。圖19是作為本發(fā)明的又一個實施方式的光學(xué)設(shè)備的框圖。附圖標記說明10. · ·濾光器，20···第 1 基板，20A. · ·對置面，20A1...第 1 對置面，20A2...第 2
對置面，20A3...第3對置面，30...第2基板，30A...對置面，40...第1反射膜，50...第2 反射膜，60...下部電極，62...第1電極(第1段電極)，62A...第1環(huán)狀電極，62B...第 1引出布線，62C...第1狹縫，64...第2電極(第2段電極)，64A...第2環(huán)狀電極， 64B...第2引出布線，68...絕緣膜，70、70'...上部電極，72、72'...第3電極(第3段電極)，72A、72A'...第3環(huán)狀電極，74...第4電極(第4段電極)，74A...第4環(huán)狀電極， 76A...第3引出布線，76B...第4引出布線，78...絕緣膜，79...第2狹縫，80...第1對置電極，90...第2對置電極，101 104...第1 第4外部連接電極，110...電位差控制部， 111...下部電極驅(qū)動部，112...第1段驅(qū)動部，114...第2段驅(qū)動部，116...數(shù)字控制部， 120...電源，200...分析設(shè)備(測色器)，300...光學(xué)設(shè)備，Gl...第1距離(第1間隙)， G2...第2距離(第2間隙)，G3...第3距離(第3間隙)，L...中心線，AVsegl...外周側(cè)電位差，AVseg2...內(nèi)周側(cè)電位差，W1、W2...環(huán)寬度。
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。此外，以下說明的本實施方式不對權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容進行不合理的限定，而且本實施方式所說明的全部構(gòu)成作為本發(fā)明的解決方式并不一定是必須的。1.濾光器
1. 1.濾光器的濾光部1. 1. 1.濾光部的概要圖1是本實施方式的濾光器10的電壓未施加狀態(tài)(初始狀態(tài))的剖視圖，圖2以及圖3是電壓施加狀態(tài)(驅(qū)動狀態(tài))的剖視圖。圖1 圖3所示的濾光器10具有第1基板20和與第1基板20對置的第2基板30。在本實施方式中，雖然將第1基板20作為固定基板，將第2基板30作為活動基板或者隔板(Diaphragm)，但也可以任意一方或者兩方均是活動的。在本實施方式中，與第1基板20例如一體地形成有以可動的方式支承第2基板30 的支承部22。支承部22可以設(shè)置于第2基板30，或者也可以與第1、第2基板20、30獨立地形成。第1、第2基板20、30分別由例如鈉玻璃、結(jié)晶玻璃、石英玻璃、鉛玻璃、鉀玻璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃等各種玻璃、水晶等形成。其中，作為各基板20、30的構(gòu)成材料，例如優(yōu)選含有鈉(Na)、鉀(K)等堿金屬的玻璃，通過利用這樣的玻璃來形成各基板20、30，能夠提高后述的反射膜40、50、各電極60、70的密合性、基板彼此的接合強度。而且，上述2個基板 20、30通過例如使用了等離子體聚合膜的表面活性化接合等而接合，從而被一體化。第1、 第2基板20、30分別被形成為一邊例如為IOmm的正方形，作為隔板來發(fā)揮作用的部分的最大直徑例如為5mm。第1基板20是通過對形成厚度例如為500 μ m的玻璃基材進行蝕刻來加工而成的。在第1基板20中，在與第2基板30對置的對置面20A中的中央的第1對置面20A1上形成例如圓形的第1反射膜40。同樣地，第2基板30是通過對形成厚度例如為200 μ m的玻璃基材進行蝕刻來加工而成的。在第2基板30中，在與第1基板20對置的對置面30A 的中央位置形成有與第1反射膜40對置的例如圓形的第2反射膜50。此外，第1、第2反射膜40、50形成為例如直徑約為3mm的圓形。該第1、第2反射膜40、50是由單層AgC形成的反射膜，能夠通過濺射等方法形成于第1、第2基板20、30。單層AgC反射膜的膜厚尺寸例如形成為0. 03 μ m。在本實施方式中，示出了利用能夠?qū)梢姽馊ǘ芜M行分光的單層AgC的反射膜作為第1、第2反射膜40、50的例子，但并不局限于此，也可以使用層積了例如TiO2和SiO2W層疊膜而成的電介質(zhì)多層膜，該電介質(zhì)多層膜雖然能夠進行分光的波段窄，但與單層AgC反射膜相比分光后的光的透射率大、透射率的半值寬度窄且分解能力強。而且，能夠在第1、第2基板20、30的與各對置面20A、30A相反一側(cè)的面上與第1、 第2反射膜40、50對應(yīng)的位置處形成未圖示的防反射膜(AR)。該防反射膜通過交替地層積低折射率膜以及高折射率膜而形成，用于降低第1、第2基板20、30的界面處的可見光的反射率，并增大透射率。這些第1、第2反射膜40、50在圖1所示的電壓未施加狀態(tài)下隔著第3間隙G3 (第 3距離)地對置配置。此外，在本實施方式中，將第1反射膜40作為固定鏡，將第2反射膜 50作為可動鏡，但根據(jù)上述第1、第2基板20、30的方式，能夠使第1、第2反射膜40、50中的任意一方或者雙方可動。俯視時在第1反射膜40周圍，在第1基板20的對置面20A上設(shè)有下部電極60。 同樣，在第2基板30的對置面30A上與下部電極60對置地設(shè)有上部電極70。在本實施方式中，在第1基板20的第1對置面20A1的周圍設(shè)有第2對置面20A2，在第2對置面20A2 的周圍設(shè)有第3對置面20A3。下部電極60不一定需要被被段化，但在本實施方式中被分為K(K是2以上的整數(shù))個段電極，作為K = 2的例子具有第1、第2電極62、64。第1電極(以下，稱為“第1 段電極”)62形成在第3對置面20Α3上，第2電極(以下稱為“第2段電極”)64形成在第 2對置面20Α2上。此外，如后述，K個段電極62、64可以設(shè)定成相同電壓，或者還可以設(shè)定成不同電壓。在本實施方式中，上部電極70是成為相同電位(例如接地電位)的共用電極。上部電極70不一定需要被段化，但在本實施方式中被分為Κ(Κ是2以上的整數(shù))個段電極， 作為K = 2的例子具有第3、第4電極72、74。第3電極(以下稱為“第3段電極”)72與第 1段電極62對置設(shè)置，第4電極(以下稱為“第4段電極”)74與第2段電極64對置設(shè)置。 此外在K ^ 3的情況下，關(guān)于第1、第2段電極62、64而在下面進行說明的關(guān)系能夠用于相鄰的任意兩個段電極。如圖1所示那樣，第1、第3段電極62、72構(gòu)成一對第1對置電極80。第2、第4段電極64、74構(gòu)成一對第2對置電極90。也就是說，下部、上部電極60、70具有一對第1對置電極80以及一對第2對置電極90。1. 1. 2第1間隙Gl和第2間隙G2的關(guān)系(Gl < G2)如圖1所示那樣，第1段電極62和第3段電極72隔開第1間隙(第1距離)Gl 而對置配置。第2段電極64和第4段電極74隔開第2間隙(第2距離)G2而對置配置。 而且，在本實施方式中，第1間隙Gl <第2間隙G2的關(guān)系成立。在此，第1間隙Gl <第2間隙G2的關(guān)系成立時是指，靜電引力未實質(zhì)上對第1、第 2對置電極80、90發(fā)揮作用時，也就是說下部、上部電極60、70間的電位差實際上為零時。 若將該狀態(tài)換個表達，是在下部、上部電極60、70中未實質(zhì)形成電場的狀態(tài)，或者是沒有對至少一方的電極施加電壓的電壓未施加狀態(tài)，且是與靜電引力發(fā)揮作用的驅(qū)動狀態(tài)對立的初始狀態(tài)。初始的間隙Gl、G2中與最初被驅(qū)動的例如第1、第3段電極62、72對應(yīng)的初始的第1間隙G1，因作用在該第1段電極62與第3電極72之間的靜電引力而變窄。此時，第2 間隙G2也同時變窄，第2間隙G2還小于初始間隙。因此，之后在驅(qū)動第2、4段電極64、74 時，第2間隙G2變得小于初始值。在此，與假設(shè)第2對置面20Α2和第3對置面20Α3在一個面內(nèi)且第1、第2間隙Gl、 G2的初始值相同的比較例進行對比。在比較例中，例如最初驅(qū)動第1、第3段電極62、64時的第1間隙Gl未必在之后會大于驅(qū)動第2、4段電極64、74時的第2間隙G2。在此，靜電引力F能夠表示為F = (1/2) ε (V/G)2S......(I)0式(1)中，ε 介電常數(shù)，V:施加電壓(電位差)，G 電極間間隙，S 電極對置面積。由式(1)可知，其與下部、上部電極60、70間的電位差V的平方成正比，且與下部、上部電極60、70間的間隙G(第1間隙Gl或者第2間隙G2)的平方成反比。因此，在比較例中為了使規(guī)定的靜電引力作用于較大間隙的電極間，而需要比圖1的實施方式大的驅(qū)動電壓 (電位差)。與此相對，在本實施方式中因為能夠縮小一對第1對置電極80的第1間隙G1， 所以能夠進行低電壓驅(qū)動。
此外，在圖1中使間隙Gl的初始值小于間隙G2的初始值，但是在最初驅(qū)動第2、4 段電極64、74的情況下，只要使間隙G2的初始值變得比間隙Gl的初始值小即可，總之只要第1、第2間隙Gl、G2不同即可。其中，優(yōu)選如本實施方式那樣，使外周側(cè)的一對第1對置電極80的第1間隙Gl比內(nèi)周側(cè)的一對第2對置電極90的第2間隙G2小。這是由于如后所述那樣先驅(qū)動了外周側(cè)的一對第1對置電極80的方法容易進行可變波長動作。對這樣構(gòu)造的濾光器10來說，在第1、第2基板20、30中均是形成反射膜(第1、 第2反射膜40、50)的區(qū)域、和形成電極(下部、上部電極60、70)的區(qū)域俯視時是不同的區(qū)域，沒有如專利文獻1那樣層積反射膜和電極。因此，即使使第1、第2基板20、30的至少一方(在本實施方式中為第2基板30)為可動基板，也能夠不層積反射膜和電極地確?？蓜踊宓膿锨菀锥?。并且，與專利文獻1不同，由于在下部、上部電極60、70上沒有形成反射膜，所以即使利用濾光器10作為透射型或者反射型波長可變干涉濾光器，也不會制約下部、上部電極60、70成為透明電極。1. 1. 3.第1間隙Gl和第3間隙G3的關(guān)系(Gl < G3)在本實施方式中，在如圖1所示一對第1對置電極80以第1間隙Gl對置并且一對第2對置電極90以第2間隙G2對置初始狀態(tài)下，第1以及第2反射膜40、50以第3間隙(第3距離)G3對置。此時的第1間隙Gl可以小于第3間隙G3 (Gl < G3)。這樣一來，能夠?qū)崿F(xiàn)圖2的驅(qū)動狀態(tài)。在圖2中，由于一對第1對置電極80被給予規(guī)定值以上的電位差，因此一對第1對置電極80抵接。如果圖1所示的第1間隙Gl和第 3間隙G3滿足Gl < G3的關(guān)系，則在圖2的驅(qū)動狀態(tài)下也確保了第1、第2反射膜40、50間的間隙G3'。并且，在圖2中一對第1對置電極80抵接，因此能夠起到即使存在電壓變動等干擾，第1、第2反射膜40、50間的間隙G3'也是穩(wěn)定的，不會產(chǎn)生變動這樣的效果。這有助于提高第1、第2反射膜40、50間的間隙精度。在此，在圖1中Gl < G2，所以在圖2的驅(qū)動狀態(tài)下也確保了一對第2對置電極90 的間隙G2'。因此，接下來在對一對第2對置電極90進行驅(qū)動時，只要繼續(xù)對一對第1對置電極80給予規(guī)定值以上的電位差，一對第1對置電極80就會維持抵接狀態(tài)。由此，一對第2對置電極90的驅(qū)動能夠自第1、第2反射膜40、50間以間隙G3'穩(wěn)定的狀態(tài)起重新開始。這也有助于提高第1、第2反射膜40、50間的間隙精度。此外，如果沒有實現(xiàn)圖2的驅(qū)動狀態(tài)，則圖1中的第1間隙Gl和第3間隙G3的關(guān)系也可以還設(shè)定成Gl = G3、G1 > G3或者Gl < G3中的任意一種。1. 1. 4.第2間隙G2和第3間隙G3的關(guān)系(G2 < G3)進而，在圖1中，能夠使第2間隙G2小于第3間隙G3 (G2 < G3)。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)圖3的驅(qū)動狀態(tài)。在圖3中，如果通過對一對第2對置電極90給予規(guī)定值以上的電位差來使一對第2對置電極90抵接，也滿足了 G2 < G3的關(guān)系，則確保了第1、第2反射膜40、50 間的間隙G3" (G3"<G3')。并且，當一對第2對置電極90抵接時，能夠起到即使存在電壓變動等干擾，第1、第2反射膜40、50間的間隙G3"也是穩(wěn)定的，不發(fā)生變動這樣的效果。這有助于提高第1、第2反射膜40、50間的間隙精度。此外，如果不實施圖3的驅(qū)動狀態(tài)，則圖1中的第2間隙G2和第3間隙G3的關(guān)系也可以設(shè)定成G2 = G3、G2 > G3或者G2 < G3中的任意一種。1. 1. 5.不同的電極間間隙G1、G2的形成方法
為了使圖1所示第1、第2間隙Gl、G2不同，可以考慮各種方法，其一為在第1、第 2基板20、30的對置面20A、30A的至少一方上形成臺階面。在圖1中，將第1基板20設(shè)定為固定基板，第2基板30設(shè)定為可動基板，在第1基板20上，在第1反射膜40以及下部電極60所形成的面20A上形成臺階面，來使第1間隙Gl小于第2間隙G2。由于第2基板30 為可動基板，所以若在對置面30A上設(shè)置臺階，則第2基板30有時會局部變厚，可能會對使第2基板30撓曲產(chǎn)生妨礙。因為第1基板20為固定基板，所以無需這樣的擔心。也可以取代在第1、第2基板20、30的對置面20A、30A的至少一方上形成臺階面， 而局部地改變下部、上部電極60、70的至少一方的膜厚。1.1.6.下部電極配置于第1基板20的下部電極60，能夠在第1基板20中的包括與形成于第2基板30的上部電極70 (第3、第4段電極72、74)對置的區(qū)域的區(qū)域形成為固體電極?；蛘?， 下部電極60也可以與圖4(B)所示的上部電極70同樣地構(gòu)成。在本實施方式中，是因為如后所述，能夠?qū)?gòu)成下部電極60的第1、第2段電極62、64施加相同電壓來進行驅(qū)動。除此之外，構(gòu)成下部電極60的K個段電極62、64能夠如圖4 (A)那樣，配置成相對于第1反射膜40的中心成同心環(huán)狀。也就是說，第1段電極62具有第1環(huán)狀電極部62A， 第2段電極64在環(huán)狀電極部62A的內(nèi)側(cè)具有第2環(huán)狀電極部64A，各環(huán)狀電極部62A、64A 形成相對于第1反射膜成同心環(huán)狀。此外，“環(huán)狀”并不局限于如第2環(huán)狀電極部64A那樣的無接縫環(huán)，也包含如第1環(huán)狀電極部62A那樣的不連續(xù)環(huán)狀，是不局限于圓形環(huán)而還包含矩形環(huán)或者多角形環(huán)等的詞匯。這樣一來，如圖1所示那樣，第1、第2段電極62、64相對于第1反射膜40的中心線L，分別線對稱地配置。由此，在施加電壓時作用于下部、上部電極60、70間的靜電引力相對于第1反射膜40的中心線L線對稱地作用，因此第1、第2反射膜40、50的平行度得以提
尚ο此外，如圖4 (A)所示，第1段電極62的環(huán)寬度Wl可以寬于第2段電極64的環(huán)寬度W2(W1 > W2)。靜電引力與電極面積成正比，所以在由第1段電極62產(chǎn)生的靜電引力被求出為大于由第2段電極64產(chǎn)生的靜電引力時是有利的。更詳細地說，外側(cè)的第1段電極 62被設(shè)定成比第2段電極64更靠近作為鉸接部發(fā)揮作用的基板支承部22。因此，第1段電極62需要產(chǎn)生對抗鉸接部40處的阻力的較大靜電引力。外側(cè)的第1段電極62與內(nèi)側(cè)的第2段電極64相比直徑較大，即使是寬度Wl =寬度W2，第1段電極62的面積也較大。 由此，可以設(shè)為寬度Wl =寬度W2，但通過使環(huán)寬度Wl進一步變寬來進一步增大面積，從而能夠產(chǎn)生較大的靜電引力。在此，第1段電極62連接著第1引出布線62B，第2段電極64連接著第2引出電極64B。這些第1、第2引出電極62B、64B例如從第1反射膜40的中心向放射方向延伸形成。設(shè)置有使第1段電極62的第1環(huán)狀電極部62A不連續(xù)的第1狹縫62C。從內(nèi)側(cè)的第2 段電極64延伸的第2引出布線64B經(jīng)由形成在外側(cè)的第1段電極62的第1狹縫62C，引出到第1段電極62的外側(cè)。這樣，使第1、第2段電極62、64分別為環(huán)狀電極部62A、64A的情況下，通過在外側(cè)的第1段電極62中形成的第1狹縫62C，能夠容易確保內(nèi)側(cè)的第2段電極64的第2引出布線64B的取出路線。
1.1.7.上部電極配置于第2基板30的上部電極70，在第2基板30中的與包含形成在第1基板20 上的下部電極60(第1、第2段電極62、64)對置的區(qū)域的區(qū)域形成為固體電極。這是因為上部電極70是被設(shè)定成相同電壓的共用電極。除此之外，如本實施方式那樣，在相對于第1基板20位移的第2基板30上配置的上部電極70與下部電極60同樣地能夠設(shè)為K個段電極。該K個段電極也能夠配置成相對于第2反射膜50的中心成同心環(huán)狀。這樣一來，在可動的第2基板30上形成的電極的面積縮小到所需的最小限度，因此第2基板30的剛性變低，能夠確保容易撓曲。構(gòu)成上部電極70的K個段電極如圖1以及圖4(B)所示，可以具有第3段電極72 以及第4段電極74。第3段電極72具有第3環(huán)狀電極部72A，第4段電極74在第3環(huán)狀電極部62A的內(nèi)側(cè)具有第4環(huán)狀電極部74A，各環(huán)狀電極部72A，74A形成相對于第2反射膜50成同心環(huán)狀?！巴沫h(huán)狀”的含義與對下部電極60的含義相同。第3段電極72與第 1段電極62對置，第4段電極74與第2段電極64對置。由此，在本實施方式中第3段電極 72的環(huán)寬度(與第1段電極62的環(huán)寬度Wl相同)寬于第4段電極74的環(huán)寬度(與第2 段電極64的環(huán)寬度W2相同)。而且，第3、第4段電極72、74彼此電連接，被設(shè)定成相同的電位。因此，例如第3、 第4引出電極76A、76B從例如第2反射膜50的中心向放射方向延伸形成。第3、第4引出電極76A、76B分別與內(nèi)側(cè)的第3段電極72和外側(cè)的第4段電極74這二者電連接。此外， 作為共用電極的第3、第4段電極72、74可以用1根引出電極連接，但通過采用多根引出電極能夠減少布線容量并且提高共用電極的充放電速度。此外，因為還能夠?qū)?gòu)成下部電極60的第1、第2段電極62、64施加相同電壓來進行驅(qū)動，所以也可以將圖4⑶的構(gòu)造用于下部電極60。1. 1.8.防止一對對置電極粘合的對策在本實施方式中，在實現(xiàn)圖2或圖3的驅(qū)動狀態(tài)時，一對第1對置電極80或一對第2對置電極90抵接。此時，必須防止電極間因抵接而直流短路的情況。為此，如圖5所示，在第1段電極62或第2段電極64的表面形成第1絕緣膜68，在第3段電極72或第3 段電極74的表面形成第2絕緣膜78即可。此外，可以是在4個電極62、64、72、74中相對置的電極62，72的一方以及相對置的電極64、74的一方中形成絕緣膜的結(jié)構(gòu)。或者，也可以是在相對置的電極62、72雙方以及相對置的電極64、74雙方中形成絕緣膜的結(jié)構(gòu)。而且，為了防止在解除了電位差后一對第1對置電極80或者一對第2對置電極90 發(fā)生粘合而難以分開，也可以用相同材料(例如SiO2等)形成相互接觸的第1、第2絕緣膜68、78。與其不同，在不同種類材料的絕緣膜位于表面的情況下，由于反復(fù)進行抵接脫離會產(chǎn)生接觸帶電。若接觸帶電變大，則在未施加電壓的狀態(tài)下，也會在對置電極間產(chǎn)生電位差，因此導(dǎo)致電極間的距離發(fā)生變化。因此，第1、第2反射膜40、50間的間隙也會發(fā)生變化，而無法確保較高的間隙精度。而且，若接觸帶電變大，則也會存在對置電極彼此粘合的情況。如圖5的構(gòu)造那樣，若對置的電極62、72(64、74)的對置表面使用同種材料的絕緣膜 68、78，則能夠抑制接觸帶電的產(chǎn)生，因此能夠消除上述弊病。1. 1.9.下部、上部電極的重合區(qū)域圖6㈧表示從第2基板30側(cè)看圖4㈧所示的下部電極60和圖4(B)所示的上部電極70而得到的俯視時的重疊狀態(tài)。在圖6(A)中，由于第1、第2段電極62、64與上部電極70的第3、第4段電極72、74對置，因此位于下側(cè)的下部電極60不會出現(xiàn)在從第2基板30側(cè)看到的俯視圖中。位于下側(cè)的下部電極60如用陰影線所示那樣，僅第1、第2引出布線62B、64B出現(xiàn)在從第2基板30側(cè)看所得到俯視圖中。對于第2引出布線64B，由于上部電極70的第3環(huán)狀電極部72A在周方向連續(xù)，所以中間區(qū)域64B1與第3環(huán)狀電極部72A 的對置區(qū)域72A1對置。在本實施方式中，如圖4㈧所示，下部電極60中外側(cè)的第1段電極62具有第1 狹縫62C，所以在該狹縫62C的區(qū)域，基于施加到第1段電極62的電壓的靜電引力沒有發(fā)揮作用。另一方面，如圖4(A)所示，在該第1狹縫62C內(nèi)配置有第2引出布線64B，所以能夠在第1狹縫62C內(nèi)產(chǎn)生作用于與內(nèi)側(cè)的第2段電極64同電位的第2引出布線64B和外側(cè)的第3段電極72間的靜電引力。作為其優(yōu)點，在例如用實際上相同電壓來驅(qū)動第1、第2 段電極62、64的情況下，在外側(cè)的第3段電極72的幾乎整周上(包括與第1狹縫62C的對置區(qū)域72A1)能夠產(chǎn)生均有均勻的靜電引力。圖6(B)表示作為變形例的從第2基板30側(cè)看的下部、上部電極60、70'而得到的俯視時的重疊狀態(tài)。圖6(B)的上部電極70'與圖6(A)的上部電極70不同之處在于， 第3段電極72'在與下部電極60的第1狹縫62C對置的位置處還具有使第3環(huán)狀電極部 72A'不連續(xù)的第2狹縫79。其余的方面，圖6(B)的上部電極70'與圖6(A)的上部電極 70相同。這樣一來，不存在與第2引出布線64B對置的電極。因此，例如在驅(qū)動內(nèi)側(cè)的第2 段電極64時，能夠阻止在第1狹縫62C內(nèi)產(chǎn)生作用于與內(nèi)側(cè)的第2段電極64同電位的第 2引出布線64B與外側(cè)的第3段電極72'間的不需要的靜電引力。1.1. 10.引出布線圖7是從第2基板30側(cè)透視第2基板30的俯視圖，表示第1 第4引出布線62B、 64B、76A、76B的布線布局。在圖7中，第1、第2基板20、30中的至少一方形成為具有第1 以及第2對角線的矩形基板。在本實施方式中，第1、第2基板20、30分別形成為一邊為例如IOmm的正方形。在第2引出布線64B以沿第1對角線自第2段電極64延伸的方向為第 1方向Dl時，第1引出布線62B沿在第1對角線上成為與第1方向Dl相反方向的第2方向 D2延伸。第3引出布線76A向沿著第2對角線的第3方向D3延伸。第4引出布線76B向在第2對角線上成為與第3方向D3相反方向的第4方向D4延伸。并且，俯視時矩形基板 20,30的四個角的位置設(shè)有連接第1 第4引出布線62B、64B、76A、76B的第1 第4連接電極部101 104。這樣一來，首先，形成于第1基板20的第1、第2引出布線62B、64B和形成于第2 基板30的第3、第4引出布線76A、76B在俯視時不相互重疊，不構(gòu)成平行電極。因此，第1、 第2引出布線62B、64B與第3、第4引出布線76A、76B之間不產(chǎn)生無益的靜電引力。而且， 分別到達第1 第4連接電極部101 104的第1 第4引出布線62B、64B、76A、76B的布線長達到最短。由此，第1 第4引出布線62B、64B、76A、76B的布線長以及基于寄生電容的布線電容以及布線電阻變小，能夠高速地對第1 第4段電極62、64、72、74進行充放電。此外，第1 第4外部連接電極部101 104可以在第1、第2基板20、30中的任意一方或者雙方上設(shè)置各一部分。在僅在第1、第2基板20、30中的任意一方上設(shè)置第1 第4外部連接電極部101 104的情況下，配置在第1、第2基板20、30的另一方上的引出布線能夠與通過導(dǎo)電性糊等形成在一個基板的外部連接電極部連接。此外，第1 第4外部連接電極部101 104經(jīng)由導(dǎo)線或引線結(jié)合等連接部，與外部連接。而且，第1 第4引出布線62B、64B、76A、76B也可以與接合第1、第2基板20、30 的例如等離子體聚合膜交叉?；蛘?，也可以經(jīng)由設(shè)置于第1、第2基板20、30的接合面的一方上的槽部，使第1 第4引出布線62B、64B、76A、76B超出接合面而引出到外部。1.2.濾光器的電壓控制系統(tǒng)1. 2. 1施加電壓控制系統(tǒng)模塊的概要圖8是具有圖4㈧所示的下部電極60和圖4(B)所示的上部電極70的濾光器10 的施加電壓控制系統(tǒng)的框圖。如圖8所示，濾光器10具有控制下部電極60和上部電極70 之間的電位差的電位差控制部110。在本實施方式中，作為共用電極的上部電極70(第3、 第4段電極72、74)被固定成一定的共用電壓例如接地電壓(OV)，所以電位差控制部110使施加給構(gòu)成下部電極60的K個段電極即第1、第2段電極62、64的電壓發(fā)生變化，來分別控制第1、第2段電極62、64各自與上部電極70之間的外周側(cè)電位差A(yù)Vsegl以及內(nèi)周側(cè)電位差A(yù)Vseg2。此外，上部電極70可以施加除了接地電壓以外的共用電壓，此時，電位差控制部110也可以控制對上部電極70施加/不施加共用電壓。在圖8中，電位差控制部110具有與第1段電極62連接的第1段電極驅(qū)動部例如第1數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DACl) 112、與第2段電極64連接的第2段電極驅(qū)動部例如第2 數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC2)114以及對它們進行控制例如進行數(shù)字控制的數(shù)字控制部116。 向第1、第2數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器112、114提供來自電源120的電壓。第1、第2數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器112、114接受來自電源120的電壓的供給，并且輸出與來自數(shù)字控制部116的數(shù)字值相應(yīng)的模擬電壓。電源120能夠利用裝配在安裝有濾光器10的分析設(shè)備或者光學(xué)設(shè)備的電源，也可以使用濾光器10專用的電源。圖9是同時具有圖4(B)所示的構(gòu)造的下部、上部電極60、70的濾光器10的施加電壓控制系統(tǒng)框圖。在這種情況下，電位差控制部Iio'包括與下部電極60的第1、第2段電極62、64連接的一個數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC) 111、控制其的數(shù)字控制部116。電位差控制部110'將第1、第3段電極62、72電極間的電位差、第2、第4段電極64、74間的電位差可變地設(shè)定成都相等的電位差A(yù)Vseg。1. 2. 2.濾光器的驅(qū)動方法圖10是表示用圖8所示的數(shù)字控制部116控制的原始數(shù)據(jù)即電壓表數(shù)據(jù)的一個例子的特性圖。該電壓表數(shù)據(jù)既可以設(shè)置于數(shù)字控制部116本身中，或者也可以設(shè)置于安裝有濾光器10的分析設(shè)備或光學(xué)設(shè)備中。圖10是一對第1、第2對置電極80、90中的下部電極60如圖4㈧所示包括相互絕緣的第1、第2段電極62、64時的驅(qū)動方法的一個例子。在這種情況下，電位差控制部110 相對于第1、第2段電極62、64分別獨立地設(shè)定并控制電壓，將一對第1、第2對置電極80、 90中的上部電極70(第3、第4段電極72、74)設(shè)定控制成共用電壓(例如接地電壓)。換而言之，圖10中作為用于通過對K個段電極62、64分別依次施加電壓來在共計N個階段改變第1、第2反射膜40、50間的間隙的電壓表數(shù)據(jù)，示出了 N = 3的例子。電位差控制部110根據(jù)圖10所示的電壓表數(shù)據(jù)，將按各K個段電極(第1、第2段電極62、64)設(shè)定的電壓值分別施加到各個K個段電極(第1、第2段電極62、64)。如圖10所示，在表編號1中，未對第1、第2段電極62、64施加電壓(電壓為0)， 下部、上部電極60、70間的電位差為0，所以成為圖1所示的初始狀態(tài)。在圖10的表編號2中，對第1段電極62施加電壓V0，未對第2段電極64施加電壓(電壓為0)。此時，在外側(cè)的第1、第3段電極62、72之間生成電位差V0，如圖2所示一對第1對置電極80抵接。該驅(qū)動前的第1、第3段電極62、72之間的第1間隙Gl比較小， 所以根據(jù)上述的式(1)，驅(qū)動電壓VO用比較低的電壓即可。在圖10的表編號3中，對第1段電極62繼續(xù)施加電壓V0，另一方面對第2段電極 64施加電壓VI。此時，如圖3所示，在外側(cè)的第1、第3段電極62、72之間生成電位差VO來維持一對第1對置電極80的抵接，并且在內(nèi)側(cè)的第2、第4段電極64、74間生成電位差VI 而一對第2對置電極90抵接。在圖1所示的初始狀態(tài)下第1、第3段電極62、72之間的第 2間隙G2大于第1間隙G1，然后如圖2所示第2間隙G2'能夠縮小到與第1間隙Gl幾乎相等。因此，根據(jù)上述的式(1)，驅(qū)動電壓VI也用比較低的電壓即可。在該驅(qū)動方法中，能夠?qū)⑻峁┙o濾光器10的最大電壓Vmax分別分配為驅(qū)動電壓 VO以及驅(qū)動電壓VI (例如Vmax = VO = VI)。并且，能夠?qū)⒁峁┙o濾光器10的最大電壓 Vmax設(shè)定為低電壓。通過這樣的電壓控制，在濾光器10中，能夠?qū)崿F(xiàn)圖11所示的波長透射特性。圖11 表示使第1、第2反射膜40、50間的第3間隙G3的大小按例如g0 g2變化時的波長透射特性。在濾光器10中，當?shù)?、第2反射膜40、50間的第3間隙G3的大小以例如g0 g2 (g0 >gl> g2)可變時，根據(jù)該第3間隙G3的大小來決定透射峰值波長，即，透過濾光器10的光的波長λ是其半波長(λ/2)的整數(shù)(η)倍與圖1 圖3的第3間隙G3、G3'、G3〃 一致的光(例如nX =2G3)，半波長(λ/2)的整數(shù)(η)倍與第3間隙G3不一致的光在由于第1、第2反射膜40、50而被重疊反射的過程中相互干涉而被衰減，從而無法透過。由此，如圖11所示，通過使第1、第2反射膜40、50間的第3間隙G3的大小以按 go、gl、g2變窄的方式發(fā)生變化，來使透過濾光器10的光即透射峰值波長變化成按入0、 入1、入2(入0> λ 1 > λ 2)依次縮短。在此，當根據(jù)圖10的電壓表數(shù)據(jù)進行驅(qū)動時，首先根據(jù)濾光器10的初始狀態(tài)來唯一決定圖1的第3間隙G3( = go)，接著通過外側(cè)的一對第1對置電極80的抵接來唯一地決定圖2的第3間隙G3' ( = gl)，最后通過內(nèi)側(cè)的一對第2對置電極90的抵接來唯一決定圖3的第3間隙G3" ( = g2)。這樣，即使對于電壓變動等干擾噪聲也能夠?qū)崿F(xiàn)提高間隙精度的波長可變驅(qū)動。1. 2. 3.濾光器的其他驅(qū)動方法圖12是表示用圖9所示的數(shù)字控制部116控制的原始數(shù)據(jù)即電壓表數(shù)據(jù)的一個例子的特性圖。圖12表示電位差控制部110將一對第1、第2對置電極80、90中的下部電極60設(shè)定控制為第1電壓，并將一對第1、第2對置電極80、90中的上部電極70設(shè)定控制成與第1電壓不同的第2電壓的驅(qū)動方法。換而言之，圖12是用于通過對K個段電極62、 64依次電壓施加共用電壓來在N = 3的階段改變第1、第2反射膜40、50間的間隙的電壓表數(shù)據(jù)。電位差控制部110根據(jù)圖12所示的電壓表數(shù)據(jù)，將被共用地設(shè)定到K個段電極(第1、第2段電極62、64)的電壓值同時施加到K個段電極(第1、第2段電極62、64)。如圖12所示，在表編號1中，未對第1、第2段電極62、64施加電壓(電壓為0)， 下部，上部電極60、70間的電位差為0，因此成為圖1所示的初始狀態(tài)。在表編號2中，對第 1、第2段電極62、64施加電壓V0。此時，由于在外側(cè)的第1、第3段電極62、72之間生成的電位差VO導(dǎo)致的靜電引力，第2基板30移動了圖1所示的比較小的第1間隙Gl的量，如圖2所示一對第1對置電極80抵接。由于該驅(qū)動前的第1、第3段電極62、72間的第1間隙Gl比較小，所以根據(jù)上述的式(1)，驅(qū)動電壓VO用比較低的電壓即可，該方面與圖10相同。在圖12的表編號3中，對第1、第2段電極62、64施加電壓VI (VI > V0)。此時， 如圖3所示，在外側(cè)的第1、第3段電極62、72之間生成比電位差VO大的電位差VI來維持一對第1對置電極80的抵接，并且在內(nèi)側(cè)的第2、第4段電極64、74之間也生成比電位差 VO大的電位差VI，一對第2對置電極90抵接。在圖1所示的初始狀態(tài)下第1、第3段電極 62,72之間的第2間隙G2比第1間隙Gl大，但其后如圖2所示第2間隙G2'縮小到與第 1間隔G幾乎相同。由此，可以說根據(jù)上述的式(1)，驅(qū)動電壓VI大于驅(qū)動電壓V0，以比較低的電壓即可。通過這樣的電壓控制，由濾光器10能夠?qū)崿F(xiàn)圖11所示的波長透射特性。1. 2. 4.濾光器的又一驅(qū)動方法圖13表示用于通過對K個段電極62、64分別依次施加電壓來在N = 9階段下改變第1、第2反射膜40、50間的間隙的電壓表數(shù)據(jù)。此外，在圖13中，第1、第2段電極62、 64雙方與上部電極70之間的各電位差都為OV時，這不包括在N個階段的間隙可變范圍中。 也可以包含電位差為0的初始狀態(tài)作為N = 10階段的驅(qū)動。如圖13所示，對第1段電極62施加L = 4種類的電壓(VII VI4 =VIl < VI2
<VI3 < VI4)，對第2段電極64施加M = 5種類的電壓(V01 V05 =VOl < V02 < V03
<V04 < V05)，使第1、第2反射膜40、50之間的第3間隙G3以g0 g8這9 (N = L+M = 9)個階段可變。此外，也可以在L以及M的個數(shù)中對施加電壓0(電位差0)進行計數(shù)。在此，L、M、N的值能夠任意地變更，但優(yōu)選為L彡3、M彡3、N彡6的整數(shù)。若 L彡3、M彡3、N彡6，則將如圖8所示的外周側(cè)電位差A(yù)Vsegl以及內(nèi)周側(cè)電位差A(yù)Vseg2 分別從第1電位差Δν ，切換到大于第1電位差八Vl的第2電位差A(yù)V2、大于第2電位差 AV2的第3電位差A(yù)V3，該第1電位差Δ VI、第2電位差A(yù)V2以及第3電位差A(yù)V3是按第1、第2段電極62、64來進行設(shè)定的。由此，如專利文獻3那樣，如果與以2值進行電壓驅(qū)動的情況進行比較，能夠不增加段電極數(shù)地使透射波長多階段地變化。在圖13中，因為在從例如透射峰值波長的最大波長λ 0 = 700nm到最小波長λ 8 =380nm這9個階段改變透射峰值波長，所以第1、第2反射膜40、50間的第1間隙Gl能夠在從例如最大間隙g0 = 300nm到最小間隙g8 = 140nm這9個階段改變。并且，在圖13 中，通過將從最大間隙g0到最小間隙g8這9個階段的間隔g0 g8設(shè)定為等間隔(= 40nm)，也能夠使從最大波長λ 0到最小波長λ 8這9個階段的波長λ 0 λ 8為等間隔 (=40nm)。這樣，通過使第1、第2反射膜間的第1間隙Gl的大小以每隔一定量依次變窄的方式發(fā)生變化，透射峰值波長也每隔一定值就縮短。如圖13所示那樣，電位差控制部110首先對外側(cè)的第1段電極62依次施加電壓 VOl 電壓V05。由于上部電極70為0V，所以上部電極70與第1段電極62之間的電位差能夠按第1電位差VOl、第2電位差V02、第3電位差V03、第4電位差V04、第5電位差V05 來依次最大外周側(cè)電位差Vsegl。由此，第1、第2反射膜40、50間的第3間隙G3的大小按 go — gl — g2 — g3 — g4依次變小。其結(jié)果為透過濾光器10的光，即透射峰值波長以按 λ0 — λ — λ2 — λ3 — λ4依次縮短的方式變化。在此，在圖13所示的表編號1 編號4中，一對第1對置電極80的第1間隙Gl 的大小依次變小，若在表編號5對第1段電極62施加最大電壓V05，則如圖2所示一對第1 對置電極80抵接。也就是說，電位差控制部110能夠在將一對第1對置電極80設(shè)定控制為比第1間隙Gl窄的第1電位差(V01 V04中的任意一個)之后，將其設(shè)定控制成比第1電位差大的第2電位差(V05)，來使一對第1對置電極80抵接。這樣一來，通過使一對第1對置電極 80在第1間隙Gl以外的非接觸狀態(tài)、接觸狀態(tài)之間切換，能夠以比圖10以及圖12的驅(qū)動方法多的階段下改變第1、第2反射膜40、50間的距離。而且，在圖13的驅(qū)動方法中，電位差控制部110能夠在使一對第2對置電極90產(chǎn)生電位差之前，使一對第1對置電極80抵接。換而言之，電位差控制部110能夠在對內(nèi)側(cè)的第2段電極64施加電壓前，使一對第1對置電極80抵接，來唯一地設(shè)定第1、第2反射膜 40,50間的距離。由此，在其以后能夠通過使一對第1對置電極80抵接來設(shè)定對內(nèi)側(cè)的第 2段電極64施加電壓來進行驅(qū)動時的基準位置。因此，能夠提高第1、第2反射膜40、50間的第3間隙G3變化的過程中的間隙精度。接下來電位差控制部110如圖13所示，保持維持對第1段電極62施加最大施加電壓V05的狀態(tài)，電位差控制部110對內(nèi)側(cè)的第2段電極64依次施加電壓VIl 電壓VI4。 由于上部電極70為0V，所以上部電極70和第2段電極64之間的電位差能夠按第1電位差 VII、第2電位差VI2、第3電位差VI3、第4電位差VI04來依次增大內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2。 由此，第1、第2反射膜40、50間的第3間隙G3的大小按g5 — g6 — g7 — g8依次變小。其結(jié)果為使透過濾光器10的光、即透射峰值波長以按λ 5 — λ 6 — λ 7 — λ 8依次縮短的方式變化。在此，在圖13所示的表編號5 編號8中，一對第2對置電極90的第2間隙G2 的大小依次變小，在表編號9中若對第2段電極64施加最大電壓VI4，則能夠如圖3所示使一對第2對置電極90抵接。也就是說，電位差控制部110能夠在維持一對第1對置電極 80的抵接來將一對第2對置電極90設(shè)定控制為第3電位差(VII VI3中的任意一個)之后，設(shè)定控制成比第3電位差大的第4電位差(VI4)，來使一對第2對置電極90抵接。這樣一來，使一對第2對置電極90在第2間隙G2以外的非接觸狀態(tài)、接觸狀態(tài)下切換，能夠在比圖10以及圖12的驅(qū)動方法多的階段下改變第1、第2反射膜40、50間的距離。而且，若使一對第2對置電極90抵接，則能夠唯一地設(shè)定第1、第2反射膜40、50間的距離，能夠提高間隙精度。但是，在表編號9中即使對第2段電極64施加最大電壓VI4， 也不必使一對第2對置電極90抵接。這樣，電位差控制部110對于外周側(cè)電位差Vsegl至少從第1電位差VOl切換到大于第1電位差VOl的第2電位差V02，進而到大于第2電位差V02的第3電位差V03，對于內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2至少從第1電位差VIl切換到大于第1電位差VIl的第2電位差VI2， 進而切換到大于第2電位差VI2的第3電位差VI3，因此能夠抑制可動側(cè)的第2基板30的衰減自由振動，能夠?qū)嵤┭杆俚牟ㄩL可變動作。并且，電位差控制部110對第1、第2段電極 62,64分別施加作為3值以上的電壓(也可以包含電壓0)，即對第1段電極62至少施加第 1段電壓V01、第2段電壓V02以及第3段電壓V03，對第2段電極64至少施加第1段電壓 VII、第2段電壓VI2以及第3段電壓VI3。由此，僅驅(qū)動第1、第2段電極62、64的各一個， 就能夠分別改變3個階段以上的間隙，無需如圖10的驅(qū)動例那樣增加下部電極60的段電極數(shù)。在此，將施加電壓的最大值設(shè)為Vmax，將間隙設(shè)為在N個階段可變。假定下部電極60沒有被分為多個的比較例，在該比較例中需要將最大電壓Vmax分為N個來分配施加電壓。此時，將不同的施加電壓間的電壓變化量的最小值設(shè)為AVlmin。另一方面，在本實施方式中，對K個段電極分別施加的施加電壓能夠分別將最大電壓Vmax用作滿量程。此時，對于K個段電極分別將施加到相同段電極的不同施加電壓間的電壓變化量的最小值設(shè)為 AVkmin。此時，AVlmin < AVkmin 明顯成立。這樣，如果能夠較大地確保電壓最小變化量AVkmin，則即使由于取決于電源變動、環(huán)境等的噪聲而導(dǎo)致施加到K個段電極62、64的電壓多少發(fā)生一些變動，間隙變動也較小。換句話說，相對于噪聲的靈敏度小，換而言之電壓靈敏度變小。由此，能夠進行高精度的間隙控制，無需如專利文獻1那樣一定要反饋控制間隙。而且，即使反饋控制了間隙，也會因為相對于噪聲的靈敏度小而能夠早期地穩(wěn)定下來。而且，俯視時具有僅在第1、第2反射膜40、50的周圍配置的獨立的多個(K個)一對第1、第2對置電極80、90，由此能夠產(chǎn)生保持第1、第2反射膜40、50的平行度并且使其之間的間隙細微地變化的控制力。與其不同，這是因為若在中央位置的第1、第2反射膜設(shè)置電極，則只要不將中央電極面積確保為相當大，就難以維持第1、第2反射膜的平行度。在本實施方式中，通過使中央側(cè)的第1、第2反射膜40、50的區(qū)域作為非驅(qū)動區(qū)域，使其周圍為驅(qū)動區(qū)域，來維持第1、第2反射膜40、50的平行度。第1、第2反射膜40、50的平行度對于在第1、第2反射膜40、50間進行多重反射而通過干涉使無需的波長的光衰減的法布里-珀羅型干涉濾光器來說，是很重要的技術(shù)要素。1. 2. 4. 1.電壓變化量(第1電位差與第2電位差之差的絕對值等)電位差控制部110針對外周側(cè)電位差Vsegl以及內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2，能夠分別使第2電位差與第3電位差之差的絕對值小于第1電位差與第2電位差之差的絕對值。在本實施方式中上部電極70是共用電壓0V，是不變的，所以例如作為外周側(cè)電位差Vsegl的第 1電位差與第2電位差之差的絕對值，如圖13所示，與施加到第1段電極62的第1段電壓 VOl以及第2段電壓V02間的電壓變化量Δ VOl等價。外周側(cè)電位差Vsegl的電壓變化量是按AVOl > AV02 > AV03 > AV04依次變小的關(guān)系，內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2的電壓變化量也按AVIl > AVI2 > AVI3處于依次變小的關(guān)系。成為這樣的關(guān)系的理由如下所述。根據(jù)上述的式(1)，靜電引力F與下部、上部電極60、70間的電位差(在本實施方式中施加到下部電極60的電壓V)的平方成正比。圖14 是與電位差V的平方成正比的靜電引力F的特性圖(F = V2的圖)。如圖14所示，在電位差 V變大的方向，按第1電位差、第2電位差、第3電位差切換時，在第1電位差與第2電位差之差的絕對值Δ Vl與第2電位差和第3電位差的絕對值之差Δ V2相同的情況下(在圖14 為Δ Vl = AV2)，靜電引力的增加量AF從AFl急劇增大到AF2，成為過沖(overshoot)的原因。因此，第2電位差與第3電位差之差的絕對值M2小于第1電位差與第2電位差之差的絕對值ΔΥ2。由此，能夠抑制間隙變窄時的電引力的急劇增大，能夠進一步抑制在圖 13的表編號1-4以及編號6-8中的過沖，能夠?qū)崿F(xiàn)更迅速的波長可變動作。另一方面，在圖13的表編號5或者編號9中，不如容許間隙變窄時的靜電引力的急劇增大來積極地利用一對第1、第2對置電極80、90的抵接。靜電引力F如式(1)那樣與下部、上部電極60、70間的間隙G(第1、第2間隙G1、 G2)的平方成反比。靜電引力F的變化量AF和下部、上部電極60、70間的間隙G的變化量 AG的關(guān)系如圖15所示。在圖15中，示出電極間間隙G小的區(qū)域中的間隙變化量AGl和電極間間隙G大的區(qū)域中的間隙變化量AG2(= AG1)。在電極間間隙G小的區(qū)域，間隙僅變化了間隙變化量AGl的量，靜電引力F以AFl較大變化。與此相對，在電極間間隙G大的區(qū)域，即使變化了與間隙變化量AGl相同的間隙變化量AG2，靜電引力F的變化量也是比較小的AF2。這樣，在電極間間隙G較狹的區(qū)域，間隙G僅稍微變化，靜電引力F就急劇地變化， 用于得到規(guī)定的靜電引力F的間隙控制極其困難。由此，在圖13的表編號5或者編號9中， 不如允許間隙變窄時的靜電引力急劇地增大，使一對第1、第2對置電極80、90抵接。1.2.4.2.電壓施加期間電位差控制部110對于外周側(cè)電位差Vsegl以及內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2，設(shè)定成第2 電位差的期間可以長于設(shè)定成第1電位差的期間，設(shè)定成第3電位差的期間可以長于設(shè)定為第2電位差的期間。在本實施方式中，如圖13所示，對于外周側(cè)電位差Vsegl，第2電位差VOl的期間T02長于第1電位差VOl的期間T01，第3電位差V03的期間T03長于第2電位差V02的期間T02，處于按TOl < T02 < T03 < T04依次變長的關(guān)系。同樣，如圖13所示，對于內(nèi)周側(cè)電位差Vseg2，第2電位差VIl的期間TI2長于第1電位差VIl的期間TI1， 第3電位差VI3的期間TI3長于第2電位差VI2的期間TI2，處于按TIl <TI2<TI3依次變長的關(guān)系。在處于大于第1電位差的第2電位差時，或者處于大于第2電位差的第3電位差時，第2基板30的回復(fù)力也增大。因此，到第2基板30靜止為止的時間變長。S卩，第1、第2 反射膜40、50間的第3間隙G3到穩(wěn)定于一定位置為止的時間變長。與此相對，如本實施方式那樣，使設(shè)定為第2電位差的期間設(shè)定得長于設(shè)定為第1電位差的期間，使設(shè)定為第3電位差的期間設(shè)定得長于設(shè)定為第2電位差的期間，由此能夠使第3間隙G3穩(wěn)定為規(guī)定值。但是，對于一對第1對置電極80抵接的驅(qū)動期間Τ05和一對第2對置電極90抵接的驅(qū)動期間ΤΙ4，由于第2基板30瞬時地穩(wěn)定在抵接位置，所以能夠短于各期間TOl Τ04 以及 TIl ΤΙ3。1. 2. 5.濾光器的又一驅(qū)動方法圖16表示用于通過K個段電極62、64施加共用電壓來在N = 9個階段改變第1、 第2反射膜40、50間的間隙的電壓表數(shù)據(jù)。換句話說，圖10和圖12的關(guān)系與圖15和圖16 的關(guān)系等價。在圖16中也是，在表編號1 編號4中，一對第1對置電極80的第1間隙Gl的大小依次變小，在表編號5中若對第1、第2段電極62、64施加共用電壓V05，則如圖2所示一對第1對置電極80抵接。而且，在表編號5 編號8中，一對第2對置電極90的第2間隙G2的大小依次變小，在表編號9中若對第1、第2段電極62、64施加最大的共用電壓VI4， 則如圖3所示能夠使一對第2對置電極90抵接。由此，用圖16的驅(qū)動方法也能夠起到與圖13的驅(qū)動方法相同的效果，由于V05 < VII，所以根據(jù)將最大電壓Vmax分為N = 9來設(shè)定各施加電壓，對于這方面，噪聲靈敏度比在圖13的驅(qū)動方法中大。2.分析設(shè)備圖17是表示作為本發(fā)明的一個實施方式的分析設(shè)備的一個例子的測色器的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在圖17中，測色器200具有光源裝置202、分光測定裝置203和測色控制裝置204。 該測色器200從光源裝置202向檢查對象A射出例如白色光，使作為被檢查對象A反射的光的檢查對象光入射至分光測定裝置203。然后，通過分光測定裝置203對檢查對象光進行分光，實施對分光后的各波長的光的光量進行測定的分光特性測定。換而言之，使作為被檢查對象A反射出的光的檢查對象光入射至濾光器(標準具)10，實施對從標準具10透過的透射光的光量進行測定的分光特性測定。然后，測色控制裝置204基于所得到的分光特性， 進行檢查對象A的測色處理，即，對哪個波長的顏色包含多大的程度進行分析。光源裝置202具有光源210、多個透鏡212(在圖1中僅記載一個)，用于對檢查對象A射出白色光。而且，在多個透鏡212中包含有準直透鏡，光源裝置202將從光源210射出的白色光通過準直透鏡變?yōu)槠叫泄?，從未圖示的投射透鏡向檢查對象A射出。分光測定裝置203如圖17所示，具有標準具(etalon) 10、作為受光元件的受光部 220、驅(qū)動電路230和控制電路部M0。而且，分光測定裝置203在與標準具10對置的位置具有將被檢查對象A反射出的反射光(測定對象光)導(dǎo)向內(nèi)部的未圖示的入射光學(xué)透鏡。受光部220由多個光電交換元件(受光元件)構(gòu)成，生成與受光量相應(yīng)的電信號。 而且，受光部220與控制電路部240連接，將所生成的電信號作為受光信號向控制電路部 240輸出。驅(qū)動電路230與標準具10的下部電極60、上部電極70以及控制電路部240連接。 該驅(qū)動電路230基于從控制電路部240輸入的驅(qū)動控制信號，向下部電極60以及上部電極 70間施加驅(qū)動電壓，使第2基板30移動到規(guī)定的位移位置。作為驅(qū)動電壓，只要施加到在下部電極60與上部電極70之間產(chǎn)生想要的電位差產(chǎn)生即可，例如，也可以向下部電極60 施加規(guī)定的電壓，使上部電極70為接地電位。作為驅(qū)動電壓，優(yōu)選使用直流電壓?？刂齐娐凡?40控制分光測定裝置203的整體動作。該控制電路部240如圖17所示，例如由CPU250、存儲部260等構(gòu)成。而且，CPU250基于存儲部260所存儲的各種程序、 各種數(shù)據(jù)，來實施分光測定處理。存儲部260具有例如存儲器、硬盤等記錄介質(zhì)而構(gòu)成，能夠適當?shù)刈x出并各種程序、各種數(shù)據(jù)等。在此，在存儲部260中作為程序存儲有電壓調(diào)整部沈1、間隙測定部沈2、光量識別部沈3以及測定部沈4。此外，間隙測定部262如上所述也可以省略。另外，在存儲部260中存儲有圖10、圖12、圖13或圖16中的任一個圖所示的電壓表數(shù)據(jù)沈5，該電壓表數(shù)據(jù)265將為了調(diào)整第3間隙G3的間隔而施加到靜電致動器80、90 上的電壓值以及施加該電壓值的時間建立關(guān)聯(lián)。測色控制裝置204與分光測定裝置203以及光源裝置202連接，實施光源裝置202的控制、基于由分光測定裝置203取得的分光特性的測色處理。作為該測色控制裝置204， 能夠利用例如通用個人計算機、便攜式信息終端以及其它的測色專用計算機等。而且，測色控制裝置204如圖17所示，具有光源控制部272、分光特性取得部270 以及測色處理部271等而構(gòu)成。光源控制部272與光源裝置202連接。而且，光源控制部272基于例如利用者的設(shè)定輸入，向光源裝置202輸出規(guī)定的控制信號，從光源裝置202射出規(guī)定亮度的白色光。分光特性取得部270與分光測定裝置203連接，取得從分光測定裝置203輸入的分光特性。測色處理部271基于分光特性，實施對檢查對象A的色度進行測定的測色處理。例如，測色處理部271實施將從分光測定裝置203得到的分光特性圖表化，并將其輸出到未圖示的打印機、顯示器等輸出裝置等的處理。圖18是表示分光測定裝置203的分光測定動作的流程圖。首先，控制電路部240 的CPU250啟動電壓調(diào)整部沈1、光量識別部沈3以及測定部沈4。而且，CPU250對測定次數(shù)變量η進行初始化(設(shè)定成η = 0)，作為初始狀態(tài)(步驟Si)。此外，測定次變量η取0 以上的整數(shù)值。此后，測定部264在初始狀態(tài)、即未向靜電致動器80、90施加電壓的狀態(tài)下，測定透過了標準具10的光的光量(步驟S2)。此外，該初始狀態(tài)下的第3間隙G3的大小也可以在例如制造分光測定裝置時預(yù)先測定，并存儲到存儲部沈0。然后，將在此所得到的初始狀態(tài)的透射光的光量以及第3間隙G3的大小輸出到測色控制裝置204。接下來，電壓調(diào)整部261讀取存儲部260所存儲的電壓表數(shù)據(jù)沈5 (步驟。而且，電壓調(diào)整部261對測定次變量η進行加“1”(步驟S4)運算。此后，電壓調(diào)整部261從電壓表數(shù)據(jù)沈5中取得與測定次數(shù)變量η對應(yīng)的第1、第 2段電極62、64的電壓數(shù)據(jù)以及電壓施加期間數(shù)據(jù)(步驟S5)。然后，電壓調(diào)整部向驅(qū)動電路230輸出驅(qū)動控制信號，根據(jù)電壓表數(shù)據(jù)沈5的數(shù)據(jù)來實施驅(qū)動靜電致動器80、90 的處理(步驟S6)。而且，測定部264在經(jīng)過了施加時間的定時，實施分光測定處理(步驟S7)。S卩，測定部264通過光量識別部263來測定透射光的光量。而且，測定部264進行將使測定到的透射光的光量與透射光的波長相關(guān)聯(lián)后的分光測定結(jié)果輸出到測色控制裝置204的控制。 此外，光量的測定也可以在使多次或者全部次數(shù)的光量的數(shù)據(jù)存儲在存儲部260中并在取得多次中的每次的光量的數(shù)據(jù)或者全部的光量的數(shù)據(jù)后，集中測定各自的光量。此后，CPU250判斷測定次數(shù)變量η是否達到了最大值Ν(步驟S8)，若判斷為測定次變量η是N，則結(jié)束一系列的分光測定動作。另一方面，在步驟S8中，當測定次數(shù)變量η 不到N時，返回步驟S4，實施對測定次變量η進行加“ 1 ”的處理，反復(fù)步驟S5 步驟S8的處理。3.光學(xué)設(shè)備圖19是表示作為本發(fā)明的一個實施方式的光學(xué)設(shè)備的一個例子的波分復(fù)用通信系統(tǒng)的送信機的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在波分復(fù)用(WDM Wave length Division Multiplexing) 通信中，利用波長不同的信號不相互干涉這樣的特性，如果將波長不同的多個光信號在一根光纖內(nèi)復(fù)用，則不增設(shè)光纖線路就能夠提高數(shù)據(jù)的傳輸量。
在圖19中，波分復(fù)用送信機300具有使來自光源301的光入射的濾光器10，多個波長λ 0、λ 1、λ 2、...的光從濾光器10透過。按各波長來設(shè)置送信器311、312、313。來自送信器311、312，313的多個信道量的光脈沖信號通過波分復(fù)用裝置321合為一個而送到一根光纖傳輸路331。本發(fā)明也能夠同樣應(yīng)用于光碼分復(fù)用(OCDM =Optical Code Division Multiplexing)送信機。OCDM通過被編碼了的光脈沖信號的圖案匹配來識別信道，這是由于構(gòu)成光脈沖信號的光脈沖包含不同波長的光成分。以上，對幾個實施方式進行了說明，但能夠進行本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新增內(nèi)容以及效果的多個變形，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易理解的。因此，這樣的變形例全部包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在說明書或者附圖中，至少一次與更廣義或者同義的不同用語一同記載的用語在說明書或者附圖的任意位置都能置換為該不同的用語。
權(quán)利要求
1.一種濾光器，其特征在于， 具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置； 第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板；第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1反射膜對置； 第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1反射膜的周圍； 第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1電極與上述第1反射膜之間；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置； 第4電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置；以及電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第2電極與上述第4電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置， 上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置， 上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1 電極和上述第3電極抵接，并通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第2電極和上述第4電極抵接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在使上述第1電極和上述第3電極抵接之后，使上述第2電極和上述第4電極抵接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差，來使上述第1電極和上述第3電極抵接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定為第2電位差之后，將第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差，來使上述第2電極和上述第4電極抵接。
5.一種濾光器，其特征在于， 具有第1反射膜，其使光發(fā)生反射并可透過特定波長的光；第2反射膜，其與上述第1反射膜隔著間隙地對置配置，使光發(fā)生反射并可透過特定波長的光；第1電極，其設(shè)置于上述第1反射膜的周圍； 第2電極，其設(shè)置于上述第1電極與上述第1反射膜之間； 第3電極，其與上述第1電極對置配置； 第4電極，其與上述第2電極對置地配置；以及電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間電位差、上述第2電極與上述第4電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置， 上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置， 上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差縮短上述第1 距離來使上述第1電極和上述第3電極抵接，并通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差縮短上述第2距離來使上述第2電極和上述第4電極抵接。
6.一種濾光器，其特征在于， 具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置； 第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板；第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1反射膜對置； 第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1反射膜的周圍； 第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1電極和上述第1反射膜之間；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置； 第4電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置； 第1絕緣膜，其設(shè)置于上述第1電極； 第2絕緣膜，其設(shè)置于上述第2電極；以及電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第2電極與上述第4電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置， 上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置， 上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1 絕緣膜和上述第3電極抵接，并通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在使上述第1絕緣膜和第3電極抵接之后，使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將上述第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差， 并使上述第1絕緣膜和上述第3電極抵接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定為第2電位差之后，將上述第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差， 并使上述第2絕緣膜和上述第4電極抵接。
10.一種濾光器，其特征在于， 具有第1基板；第2基板，其與上述第1基板對置； 第1反射膜，其設(shè)置于上述第1基板；第2反射膜，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1反射膜對置； 第1電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1反射膜的周圍； 第2電極，其設(shè)置于上述第1基板，并且俯視時設(shè)置于上述第1電極與上述第1反射膜之間；第3電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第1電極對置； 第4電極，其設(shè)置于上述第2基板，且與上述第2電極對置； 第1絕緣膜，其設(shè)置于上述第1電極； 第2絕緣膜，其設(shè)置于上述第2電極； 第3絕緣膜，其設(shè)置于上述第3電極； 第4絕緣膜，其設(shè)置于上述第4電極；以及電位差控制部，其對上述第1電極與上述第3電極之間的電位差、上述第2電極與上述第4電極之間的電位差進行控制，上述第1電極和上述第3電極隔開第1距離地對置， 上述第2電極和上述第4電極隔開與上述第1距離不同的第2距離地對置， 上述電位差控制部通過使上述第1電極與上述第3電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第1 絕緣膜和上述第3絕緣膜抵接，通過使上述第2電極與上述第4電極之間產(chǎn)生電位差來使上述第2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所示的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在使上述第1絕緣膜和第3絕緣膜抵接之后，使上述第2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定為第1電位差之后，將第1電極與上述第3電極之間的電位差設(shè)定成比上述第1電位差大的電位差，來使上述第1絕緣膜和上述第3絕緣膜抵接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的濾光器，其特征在于，上述電位差控制部在將第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定為第2電位差之后，將第2電極與上述第4電極之間的電位差設(shè)定成比上述第2電位差大的電位差，來使上述第2絕緣膜和上述第4絕緣膜抵接。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 13中的任一項所述的濾光器，其特征在于， 上述第1距離是上述第1電極與上述第3電極之間的電位差為零時的距離， 上述第2距離是上述第2電極與上述第4電極之間的電位差為零時的距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求1 13中的任一項所述的濾光器，其特征在于， 設(shè)上述第1電極的第2基板側(cè)的表面為第1表面，設(shè)上述第2電極的第2基板側(cè)的表面為第2表面， 設(shè)上述第3電極的第1基板側(cè)的表面為第3表面， 設(shè)上述第4電極的第2基板側(cè)的表面為第4表面，上述第1距離是上述第1表面的垂線方向的、從上述第1表面到上述第3表面的距離， 上述第2距離是上述第2表面的垂線方向的、從上述第2表面到上述第4表面的距離。
16.根據(jù)權(quán)利要求1 15中的任一項所述的濾光器，其特征在于，在上述第1電極與上述第3電極之間的電位差為零時，并且在上述第2電極與上述第 4電極之間的電位差為零時，第1反射膜和上述第2反射膜隔開第3距離地對置， 上述第1距離比上述第2距離小， 上述第2距離比上述第3距離小。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的濾光器，其特征在于，設(shè)上述第1反射膜的第2基板側(cè)的表面為第1反射膜表面， 設(shè)上述第2反射膜的第1基板側(cè)的表面為第2反射膜表面，上述第3距離是上述第1反射膜表面的垂線方向的、從上述第1反射膜表面到上述第 2反射膜表面的距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求1 17中的任一項所述的濾光器，其特征在于，上述第1基板在上述第2基板側(cè)具有第1面、比上述第1面高的第2面和比上述第2 面高的第3面，在上述第1面形成上述第1反射膜， 在上述第2面形成上述第2電極， 在上述第3面形成有上述第1電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求1 17中的任一項所述的濾光器，其特征在于，上述第1基板在上述第2基板側(cè)具有第1面、與上述第1面具有相同高度的第2面和與上述第2面具有相同高度的第3面， 在上述第1面形成上述第1反射膜， 在上述第2面形成上述第2電極， 在上述第3面形成上述第1電極， 上述第1電極的膜厚與上述第2電極的膜厚不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求1 9中的任一項所述的濾光器，其特征在于， 還具有與上述第1電極連接的引出布線，上述第1電極俯視時具有第1環(huán)狀，上述第2電極俯視時具有具備狹縫的第2環(huán)狀，上述第3電極俯視時具有第3環(huán)狀，上述第4電極俯視時具有具備狹縫的第4環(huán)狀，與上述第1電極連接的引出布線形成在上述第2環(huán)狀的上述狹縫所形成的區(qū)域， 上述第4環(huán)狀的狹縫形成在上述第2環(huán)狀的狹縫的上方。
21.根據(jù)權(quán)利要求1 20中的任一項所述的濾光器，其特征在于， 第1電極和上述第2電極分開形成，上述第3電極和上述第4電極經(jīng)由連結(jié)部電連接。
22.—種分析設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1 21中的任一項所述的濾光器。
23.一種光學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1 21中的任一項所述的濾光器。
全文摘要
本發(fā)明涉及濾光器、使用該濾光器的分析設(shè)備以及光學(xué)設(shè)備。該濾光器具有對置的第1反射膜和第2反射膜、第1電極、第2電極、第3電極、第4電極、電位差控制部，第1電極和第3電極隔開第1距離地對置，第2電極和第4電極隔開與第1距離不同的第2距離地對置，通過電位差控制部使第1電極和第3電極之間產(chǎn)生電位差來使第1電極和第3電極抵接，使第2電極和第4電極之間產(chǎn)生電位差來使第2電極和上述第4電極抵接，從而能夠高精度地控制第1反射膜和第2反射膜之間的間隙。
文檔編號G01N21/31GK102193186SQ20111006493
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月16日
發(fā)明者松下友紀 申請人:精工愛普生株式會社