專(zhuān)利名稱(chēng)：光導(dǎo)以及應(yīng)用該光導(dǎo)的pet探測(cè)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及正電子放射斷層掃描(PET，positron emission tomography)技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地，涉及一種光導(dǎo)以及應(yīng)用該光導(dǎo)的PET探測(cè)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在醫(yī)用物理學(xué)領(lǐng)域，PET探測(cè)器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。在PET應(yīng)用中，要求對(duì)正電子湮滅后產(chǎn)生的一對(duì)伽馬射線(xiàn)的能量，以及擊中探測(cè)器的位置進(jìn)行精確的測(cè)量，以確定放射性核位置和量化人體的生理學(xué)過(guò)程。目前最主要的PET探測(cè)器結(jié)構(gòu)為閃爍晶體陣列加上由光電倍增管 (Photomultiplier tube,PMT)構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換器件陣列，射線(xiàn)擊中閃爍晶體陣列后發(fā)出熒光，被光電轉(zhuǎn)換器件陣列吸收放大后，得到電信號(hào)。從PET探測(cè)器結(jié)構(gòu)角度來(lái)看，閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合的平面度越好，從閃爍晶體陣列發(fā)出的光能被光電轉(zhuǎn)換器件陣列捕獲的越多，PET探測(cè)器的探測(cè)的效率越高，測(cè)量誤差也越小。因此，閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的耦合度是影響PET探測(cè)系統(tǒng)探測(cè)效率的重要因素之一。目前PET探測(cè)器的主要設(shè)計(jì)方案有如下三種1、采用圓形的光電倍增管，并且閃爍晶體陣列和光電倍增管的邊緣偏移對(duì)齊，這樣一個(gè)8X8的閃爍晶體陣列需要4個(gè)光電倍增管的四個(gè)不同象限覆蓋，這種設(shè)計(jì)方案是目前PET探測(cè)器的主流設(shè)計(jì)方法。這種設(shè)計(jì)方案的好處是能大大減少整個(gè)系統(tǒng)所需光電倍增管的數(shù)目，降低系統(tǒng)成本，缺點(diǎn)是在邊緣上的未被閃爍晶體陣列覆蓋的光電倍增管的部分探測(cè)面積將被浪費(fèi)。2、采用方形的光電倍增管形成光電轉(zhuǎn)換器件陣列，光電轉(zhuǎn)換器件陣列和閃爍晶體陣列的對(duì)齊方式同樣大多采用邊緣偏移對(duì)齊。由于方形的光電轉(zhuǎn)換器件陣列可以完全由方形的閃爍晶體陣列覆蓋，因此本方案的好處是理論探測(cè)效率最高，但由于方形光電倍增管的加工比圓形光電倍增管的加工困難，導(dǎo)致本方案的系統(tǒng)成本很高。3、采用不同衰減時(shí)間的晶體材料組成混合晶體陣列?；旌戏绞娇梢允敲總€(gè)單根晶體都由不同的材料拼接而成，或者單根晶體由同種材料組成，但整個(gè)晶體陣列由不同的材料組成。這種方案的好處是通過(guò)對(duì)材料的仔細(xì)選擇，有可能使光子擊中晶體陣列的不同位置時(shí)的光產(chǎn)額(能量)差別很大，提高PET探測(cè)系統(tǒng)的分辨能力；但混合晶體陣列的組裝不方便，而且由于不同材料的物理特性(比如老化特性)不一致，時(shí)間長(zhǎng)了可能會(huì)由于系統(tǒng)老化等原因給探測(cè)結(jié)果帶來(lái)較大誤差。現(xiàn)有技術(shù)中也有利用光導(dǎo)連接閃爍晶體陣列和PMT陣列來(lái)提高PET探測(cè)系統(tǒng)的探測(cè)效率的方案，如公開(kāi)號(hào)為CN1186M6A和CN101182133A中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)，但在這公開(kāi)文本所披露的技術(shù)方案中，光導(dǎo)(器件)只是利用光線(xiàn)將閃爍晶體陣列上的光信號(hào)引導(dǎo)至光電倍增管，以避免信號(hào)的散射和外界信號(hào)的干擾，這種光導(dǎo)的應(yīng)用雖然能夠提高PET探測(cè)器的分辨率和靈敏度，但其成本過(guò)高，另一方面，這兩種方案都沒(méi)有探索光導(dǎo)潛在的定位和裝配功能，對(duì)閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間的機(jī)械耦合沒(méi)有幫助。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本的能夠從機(jī)械結(jié)構(gòu)方面更好的耦合閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的光導(dǎo)?；谏鲜瞿康?，本發(fā)明提供一種用于PET探測(cè)系統(tǒng)的光導(dǎo)，該光導(dǎo)用于裝配在PET 探測(cè)系統(tǒng)的閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間以耦合所述閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間，該光導(dǎo)具有所述閃爍晶體陣列耦合面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面，其中，在所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽，每個(gè)所述圓形凹槽用于裝配所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。另一方面，本發(fā)明還提供一種PET探測(cè)系統(tǒng)，包括閃爍晶體陣列、光電轉(zhuǎn)換器件陣列以及耦合在所述閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間的光導(dǎo)，其中，在所述光導(dǎo)與所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合的一面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽， 每個(gè)所述圓形凹槽用于容納所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。上述根據(jù)本發(fā)明的光導(dǎo)及PET探測(cè)系統(tǒng)，能夠以光導(dǎo)本身的機(jī)械結(jié)構(gòu)保證閃爍晶體陣列的所有晶體在一個(gè)平面上，同時(shí)保證所有的光電轉(zhuǎn)換器件在一個(gè)平面上，并且使得閃爍晶體陣列平面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的平面平行。無(wú)需復(fù)雜的找平、對(duì)齊等設(shè)備及裝配工藝，僅僅使用一個(gè)低成本的光導(dǎo)器件就可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列元美華禹合。為了實(shí)現(xiàn)上述以及相關(guān)目的，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面包括后面將詳細(xì)說(shuō)明并在權(quán)利要求中特別指出的特征。下面的說(shuō)明以及附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的某些示例性方面。 然而，這些方面指示的僅僅是可使用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發(fā)明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。


通過(guò)參考以下結(jié)合附圖的說(shuō)明及權(quán)利要求書(shū)的內(nèi)容，并且隨著對(duì)本發(fā)明的更全面理解，本發(fā)明的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中圖1是本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)主視圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)中光導(dǎo)與閃爍晶體陣列裝配面的三視圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)中光導(dǎo)與光電轉(zhuǎn)換器件陣列裝配面的三視圖；圖4A、圖4B和圖4C是本發(fā)明實(shí)施例的反射膜以及在光導(dǎo)的光電倍增管裝配面增加反射膜前后的示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)中光導(dǎo)的主視圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)晶體陣列進(jìn)行擴(kuò)展后晶體陣列、光導(dǎo)和光電倍增管陣列的裝配效果圖。在所有附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
本發(fā)明中所提供的用于耦合閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的光導(dǎo)，從其本身的物理特性出發(fā)充分探索光導(dǎo)潛在的定位和裝配功能，利用光導(dǎo)可以開(kāi)模制造因而幾何特性(平整度、厚度的均勻性、鉆孔、開(kāi)槽等)容易控制的特點(diǎn)，用光導(dǎo)來(lái)對(duì)齊晶體陣列和光電倍增管陣列；同時(shí)也利用光導(dǎo)來(lái)裝配擴(kuò)展晶體陣列的最邊上的晶體排，并且通過(guò)在光導(dǎo)的光電倍增管裝配面的指定位置貼高反射率的反射膜達(dá)到提高系統(tǒng)探測(cè)效率的目的。由于本發(fā)明中所提供的光導(dǎo)是與閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合才能實(shí)現(xiàn)對(duì)齊作用、達(dá)到提高PET探測(cè)系統(tǒng)的探測(cè)效率的目的，因此，為了更清楚的對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明，下面以具體的PET探測(cè)系統(tǒng)整體的角度對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)主視圖，圖2和圖3為光導(dǎo)分別與閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列裝配面的三視圖。如圖1、圖2和圖3所示，本發(fā)明提供的PET探測(cè)系統(tǒng)包括閃爍晶體陣列10、光電轉(zhuǎn)換器件陣列30以及耦合在閃爍晶體陣列10和光電轉(zhuǎn)換器件陣列30之間的光導(dǎo)20，其中， 在光導(dǎo)20與光電轉(zhuǎn)換器件陣列30耦合的一面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽22，每個(gè)圓形凹槽22用于裝配光電轉(zhuǎn)換器件陣列30中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。光電轉(zhuǎn)換器件通過(guò)特定的不能吸光的膠水粘合固定在圓形凹槽上。由于最終形成的PET探測(cè)器產(chǎn)品為由多個(gè)閃爍晶體陣列、光導(dǎo)和光電轉(zhuǎn)換器件陣列組合構(gòu)成的環(huán)形探測(cè)結(jié)構(gòu)，環(huán)形的中央即為被探測(cè)的對(duì)象。因此光導(dǎo)的側(cè)面是如圖1、圖 2和圖3所示的斜面，圓形凹槽的截面從一個(gè)角度看是梯形的。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式
中，光導(dǎo)側(cè)面的傾斜角度是20度，最終18個(gè)光導(dǎo)拼成一個(gè)環(huán)形。其中閃爍晶體陣列10用于檢測(cè)伽瑪射線(xiàn)，可以根據(jù)產(chǎn)品需求采用任何合適的閃爍晶體，例如硅酸镥(LSO)、硅酸釔镥(LYSO)、鍺酸鉍(BGO)或其他具有相近光產(chǎn)額的晶體。 閃爍晶體的表面可以是粗糙面，也可以是拋光面。另外，為了保持探測(cè)系統(tǒng)中組成閃爍晶體陣列的各閃爍晶體模塊的發(fā)光一致性，在進(jìn)行探測(cè)系統(tǒng)的組裝前，最好對(duì)閃爍晶體的發(fā)光產(chǎn)額進(jìn)行逐個(gè)測(cè)試，以便在組裝探測(cè)系統(tǒng)的時(shí)候，選擇光產(chǎn)額接近的晶體進(jìn)行組裝，從而保證探測(cè)系統(tǒng)中的閃爍晶體陣列所有晶體的一致性。光電轉(zhuǎn)換器件陣列30用于進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換并對(duì)電信號(hào)進(jìn)行放大，最通常使用的是光電倍增管，也可以是其他半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換器件，光電轉(zhuǎn)換器件排成陣列，陣列的空間投影外沿應(yīng)能覆蓋晶體陣列的空間投影外沿，以保證閃爍晶體陣列發(fā)出的光線(xiàn)能夠全部被光電轉(zhuǎn)換器件陣列收集。光導(dǎo)20用于耦合上述閃爍晶體陣列10和光電轉(zhuǎn)換器件陣列30。本發(fā)明中所采用的光導(dǎo)可以是任何具有良好透光性的光學(xué)材料，例如光學(xué)玻璃和光學(xué)有機(jī)玻璃。其中光導(dǎo)主體平面21要參與從閃爍晶體陣列到光電轉(zhuǎn)換器件陣列所傳輸?shù)墓獾姆峙?，因此光?dǎo)主體平面21的厚度應(yīng)該在機(jī)械強(qiáng)度允許的情況下盡量薄，以減少光的損失和散射。光導(dǎo)的表面可以是粗糙面，也可以是拋光面。光導(dǎo)可以開(kāi)模制造以滿(mǎn)足特定的幾何外形、強(qiáng)度和精度的要求。相比較于現(xiàn)有技術(shù)中具有復(fù)雜光纖結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)，本發(fā)明的這種光導(dǎo)極大地降低了 PET探測(cè)系統(tǒng)的整體生產(chǎn)成本。在光導(dǎo)20耦合光電轉(zhuǎn)換器件陣列30的一面上開(kāi)設(shè)的用于容納光電轉(zhuǎn)換器件陣列的規(guī)則排布的圓形凹槽22是本發(fā)明中對(duì)齊閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的關(guān)鍵，由于圓形凹槽22是為了耦合光電轉(zhuǎn)換器件陣列30所開(kāi)設(shè)的，因此，也可以將光導(dǎo)20上所有的圓形凹槽視為一個(gè)圓形凹槽陣列，相鄰圓形凹槽之間的距離做到盡量小，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，將相鄰圓形凹槽之間的間距控制在1mm，槽的直徑依賴(lài)于光電倍增管的直徑。每個(gè)凹槽容納一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件，凹槽的截面大小以恰好容納一個(gè)光學(xué)轉(zhuǎn)換器件為宜，凹槽的深度可以根據(jù)探測(cè)器系統(tǒng)的實(shí)際產(chǎn)品需求靈活設(shè)定，以能夠限制所容納的光電轉(zhuǎn)換器件不發(fā)生傾斜、偏移為好。為了提高探測(cè)器系統(tǒng)的光能探測(cè)效率，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，還在圓形凹槽之間部分的表面貼覆有高反射率(大于等于95%)的反射膜，也就是說(shuō)，在光導(dǎo)與光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合的一面除了圓形凹槽之外的部分的表面貼覆上具有高反射率、低吸收率的反射膜，以使得投射到凹槽壁上的光線(xiàn)不會(huì)從凹槽表面泄露，而會(huì)被反射膜反射回去重新進(jìn)行分配，并經(jīng)過(guò)多次反射后被各臨近的光電轉(zhuǎn)換器件所吸收。在應(yīng)用過(guò)程中，如果伽瑪射線(xiàn)擊中的閃爍晶體的位置在光電轉(zhuǎn)換器件的垂直投影面積內(nèi)，那么由此產(chǎn)生的光能量能大部分被光電轉(zhuǎn)換器件捕獲并探測(cè)，如果伽瑪射線(xiàn)擊中的晶體的位置不在光電轉(zhuǎn)換器件的垂直投影面積內(nèi)，由于這些位置被高反射率的反射材料覆蓋，光子會(huì)被反射回去進(jìn)行重新分配，并經(jīng)過(guò)多次反射后被各臨近的光電轉(zhuǎn)換器件所吸收，因此這部分光能不會(huì)損失掉。圖4A、圖4B、圖4C示出了本發(fā)明實(shí)施例的在光導(dǎo)的光電倍增管裝配面增加反射膜的示意圖，反射膜40的形狀如圖4A所示，圖4B為未貼覆反射膜的光導(dǎo)，圖4C為貼覆好反射膜的光導(dǎo)。這種高反射率的反射膜可以采用任何在閃爍熒光光譜范圍內(nèi)具有高反射率、低吸收率的反射材料，如頻譜增強(qiáng)型反射膜(Enhanced Spectral Reflector，ESR)、特氟龍 (Teflon)薄膜或者氧化鈦粉末等。在生產(chǎn)工藝流程方面，可以在對(duì)光導(dǎo)進(jìn)行開(kāi)模機(jī)械加工、形成耦合光電轉(zhuǎn)換器件陣列的圓形凹槽之后再貼覆反射膜，也可以在光導(dǎo)開(kāi)模機(jī)械加工之前先行在需要開(kāi)設(shè)圓形凹槽的一面貼覆整體的反射膜，然后再進(jìn)行開(kāi)模機(jī)械加工，這樣就不需要考慮反射膜的形狀以及對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題，從而降低貼膜的難度，簡(jiǎn)化工藝流程。反射膜的貼覆工藝也可以根據(jù)生產(chǎn)工藝的需要采用涂覆反射涂層的方式來(lái)替代，以克服反射膜與貼覆(涂覆)表面的形狀、 對(duì)齊等問(wèn)題。光導(dǎo)與閃爍晶體陣列耦合的一面可以是平面的，也可以是凹陷的，即在光導(dǎo)耦合閃爍晶體陣列的一面開(kāi)設(shè)用于容納閃爍晶體陣列的凹槽。在裝配過(guò)程中，可以直接將閃爍晶體陣列粘合在光導(dǎo)與閃爍晶體陣列耦合的平面上，或者將閃爍晶體陣列粘合在光導(dǎo)與閃爍晶體陣列耦合一面的凹槽內(nèi)。此外，為了防止光線(xiàn)從最外圈的閃爍晶體泄露，還可以在用于容納閃爍晶體陣列的凹槽的側(cè)壁上貼覆高反射率的反射膜，同樣，這種反射膜可以采用頻譜增強(qiáng)型反射膜(Enhanced Spectral RefleCtor，ESR)、特氟龍(Teflon)薄膜或者氧化鈦粉末等任何在閃爍熒光光譜范圍內(nèi)具有高反射率、低吸收率的反射材料。另外，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式
中，還在光導(dǎo)20的兩端開(kāi)設(shè)有用于固定光導(dǎo)、便于PET系統(tǒng)的裝配的固定孔，在圖2、圖3和圖4B、圖4C所示的實(shí)施例中均示出了這種固定孔。圖5是本發(fā)明實(shí)施例的PET探測(cè)系統(tǒng)中光導(dǎo)的主視圖。在圖5所示的實(shí)施例中， 光導(dǎo)20與閃爍晶體陣列耦合的一面開(kāi)設(shè)有方形凹槽23，用于容納閃爍晶體陣列；在與光電轉(zhuǎn)換器件陣列的一面開(kāi)設(shè)有用于容納光電轉(zhuǎn)換器件的圓形凹槽22。另外，為了適應(yīng)某些擴(kuò)展的閃爍晶體單元的裝配，在圖5所示的實(shí)施方式中，在光導(dǎo)20的閃爍晶體陣列裝配面還在方形凹槽23的外圍開(kāi)設(shè)有擴(kuò)展槽M，用來(lái)裝配擴(kuò)展的晶體以增加探測(cè)器的有效探測(cè)面積。這種擴(kuò)展槽可以根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)需要開(kāi)設(shè)單排或者多排。圖6是本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)晶體陣列進(jìn)行擴(kuò)展后晶體陣列、光導(dǎo)和光電倍增管陣列的裝配效果圖。如圖6所示，閃爍晶體陣列10經(jīng)擴(kuò)展晶體11擴(kuò)展后，就增加了原有閃爍晶體陣列的有效探測(cè)面積，光導(dǎo)20耦合閃爍晶體陣列的一面在方形凹槽23外圍還開(kāi)設(shè)有擴(kuò)展槽M，以容納擴(kuò)展晶體11，光電轉(zhuǎn)換器件陣列30裝配在光導(dǎo)20下方的圓形凹槽內(nèi)，通過(guò)光導(dǎo)20與閃爍晶體陣列10耦合。采用本發(fā)明提供的這種光導(dǎo)裝置的PET探測(cè)器，通過(guò)開(kāi)模的機(jī)械加工，以光導(dǎo)本身的機(jī)械結(jié)構(gòu)保證閃爍晶體陣列的所有晶體在一個(gè)平面上，同時(shí)保證所有的光電轉(zhuǎn)換器件在一個(gè)平面上，并且使得閃爍晶體陣列平面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的平面平行。這樣，無(wú)需復(fù)雜的找平、對(duì)齊等設(shè)備及裝配工藝，僅僅使用一個(gè)低成本的光導(dǎo)器件就可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列完美耦合。如上參照附圖以示例的方式描述根據(jù)本發(fā)明的PET探測(cè)系統(tǒng)。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于上述本發(fā)明所提出的PET探測(cè)系統(tǒng)，還可以在不脫離本發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上做出各種改進(jìn)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書(shū)的內(nèi)容確定。
權(quán)利要求
1.一種用于PET探測(cè)系統(tǒng)的光導(dǎo)，該光導(dǎo)用于裝配在PET探測(cè)系統(tǒng)的閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間以耦合所述閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列，該光導(dǎo)具有所述閃爍晶體陣列耦合面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面，其特征在于在所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽，每個(gè)所述圓形凹槽用于裝配所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。
2.如權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)，其特征在于，在所述光導(dǎo)的光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面中的除了所述圓形凹槽之外的表面貼覆有反射率大于等于95%的反射膜。
3.如權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)，其特征在于，在所述光導(dǎo)的所述閃爍晶體陣列耦合面上開(kāi)設(shè)有用于容納所述閃爍晶體陣列的凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的光導(dǎo)，其中，在所述光導(dǎo)用于容納閃爍晶體陣列的凹槽的內(nèi)側(cè)壁上貼覆有反射膜。
5.如權(quán)利要求2或4所述的光導(dǎo)，其中，所述反射膜為頻譜增強(qiáng)型反射膜、特氟龍薄膜或者氧化鈦粉末所構(gòu)成的反射膜。
6.如權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)，其中，所述光導(dǎo)采用光學(xué)有機(jī)玻璃或者光學(xué)無(wú)機(jī)玻璃制成。
7.—種PET探測(cè)系統(tǒng)，包括閃爍晶體陣列、光電轉(zhuǎn)換器件陣列以及耦合在所述閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間的光導(dǎo)，其中，在所述光導(dǎo)與所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合的一面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽，每個(gè)所述圓形凹槽用于裝配所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。
8.如權(quán)利要求7所述的PET探測(cè)系統(tǒng)，其中，在所述光導(dǎo)的與光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合的一面中除了所述圓形凹槽之外的表面貼覆有反射率大于等于95%的反射膜，所述反射膜為頻譜增強(qiáng)型反射膜、特氟龍薄膜或者氧化鈦粉末所構(gòu)成的反射膜。
9.如權(quán)利要求7所述的PET探測(cè)系統(tǒng)，其中，在所述光導(dǎo)與所述閃爍晶體陣列耦合的一面上開(kāi)設(shè)有用于容納所述閃爍晶體陣列的凹槽。
10.如權(quán)利要求所述的PET探測(cè)系統(tǒng)，其中，在所述用于容納閃爍晶體陣列的凹槽的內(nèi)側(cè)壁上貼覆有反射膜，所述反射膜為頻譜增強(qiáng)型反射膜、特氟龍薄膜或者氧化鈦粉末所構(gòu)成的反射膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光導(dǎo)及應(yīng)用該光導(dǎo)的PET探測(cè)系統(tǒng)，該光導(dǎo)用于裝配在PET探測(cè)系統(tǒng)的閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列之間以耦合所述閃爍晶體陣列和光電轉(zhuǎn)換器件陣列，該光導(dǎo)具有所述閃爍晶體陣列耦合面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面，其中，在光電轉(zhuǎn)換器件陣列耦合面上開(kāi)設(shè)有規(guī)則排布的圓形凹槽，每個(gè)所述圓形凹槽用于裝配所述光電轉(zhuǎn)換器件陣列中的一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件。本發(fā)明的PET探測(cè)系統(tǒng)，能夠以光導(dǎo)本身的機(jī)械結(jié)構(gòu)保證閃爍晶體陣列的所有晶體在一個(gè)平面上，同時(shí)保證所有的光電轉(zhuǎn)換器件在一個(gè)平面上，并且使得閃爍晶體陣列平面和光電轉(zhuǎn)換器件陣列的平面平行。同時(shí)，通過(guò)在光導(dǎo)的適當(dāng)位置增加反射膜，可以減小能量的損失，提高系統(tǒng)的能量探測(cè)效率。
文檔編號(hào)G01T1/202GK102288980SQ20111012181
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者劉繼國(guó) 申請(qǐng)人:劉繼國(guó)