專利名稱：檢測晶圓表面粗糙度的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種檢測晶圓表面粗糙度的方法。
背景技術：
由于晶圓各層的表面粗糙度會影響最終產品的良率(Yield)，因此，在半導體制造領域中，及時、準確地發(fā)現(xiàn)表面粗糙度不合格的晶圓以及時改進工藝并避免不必要的后續(xù)流程所造成的浪費，對良率提升(Yield Enhancement ；YE)和節(jié)省成本十分重要。目前較為常見的檢測表面粗糙度的方法有比較法、光切法、印模法和觸針法等。 其中，觸針法因其有測量迅速方便、精度高的特點，成為應用最廣泛的測量表面粗糙度的方法。參考申請?zhí)枮?00420082240. 2的中國專利文件，其公布了一種“粗糙度輪廓儀”，
包括立柱、驅動箱、底座、工作臺、測量頭、升降套。立柱垂直置于底座的一端，升降套置于立柱上，驅動箱置于升降套的側面，可隨升降套在立柱上垂直移動，工作臺置于底座上，可水平左右移動，測量頭由觸針、電感式觸頭和光柵傳感器組成，置于驅動箱一側下端的測桿內，向著工作臺，可水平左右移動。其利用了觸針法的原理。當測量頭(觸針)在被測表面上輕輕劃過時，由于被測表面的上下起伏，測量頭也將上下移動并通過傳感器產生相應的信號，通過與計算機相連，可將被測量物的形狀及粗糙度測出，并能顯示、打印、儲存粗糙度的測量參數(shù)。然而，使用上述方法，需要將晶圓逐個放到粗糙度檢測儀器中測試，無法實現(xiàn)在線測量，增加了工序，耗時長，提高了生產成本。為實現(xiàn)在線測量，半導體制造工廠通常使用良率缺陷(YE Defect)檢測設備檢測晶圓表面粗糙度，其采用的方法隨機抽出待測晶圓，通過光學成像的方法，對比待測晶圓表面不同測試位置的圖像，如果圖像不符合周期性(即相鄰測試位置的圖像不同)，則說明存在缺陷，再通過掃描電鏡(SEM)等設備確認該缺陷的類型。然而，該方法的靈敏度不高，會出現(xiàn)漏檢現(xiàn)象。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種檢測晶圓表面粗糙度的方法，能夠及時檢測出表面粗糙度不合格的晶圓，并能提高靈敏度，降低漏檢率，降低生產成本。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種檢測晶圓表面粗糙度的方法，包括提供同一批次的多個晶圓；在所述同一批次的多個晶圓中挑選連續(xù)η片作為待測晶圓，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍；利用在線厚度測量設備，在每個所述待測晶圓表面上選擇h個測試位置，得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的實際反射光譜；根據(jù)所述實際反射光譜和預設的薄膜堆疊模型計算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度，并根據(jù)每個所述薄膜厚度和所述薄膜堆疊模型得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的理論反射光譜；計算每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的所述實際反射光譜與所述理論反射光譜的擬合度；設定最小擬合度；對比所述擬合度和所述最小擬合度，若所述擬合度小于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在對應測試位置上的的粗糙度不合格，若所述擬合度大于等于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在所述測試位置上的粗糙度合格?？蛇x地，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的1 2倍。可選地，在每個所述待測晶圓的表面上，每個所述測試位置至圓心的距離不同?？蛇x地，所述h大于等于9。 可選地，通過雙光束分光計光路系統(tǒng)計算所述理論反射光譜?？蛇x地，所述在線厚度測量設備是利用反射光譜擬合進行透明及半透明薄膜厚度測量的設備?？蛇x地，所述利用反射光譜擬合進行透明及半透明薄膜厚度測量的設備包括 N0VA2040測量機臺或NANO測量機臺。可選地，所述在線厚度測量設備是N0VA2040測量機臺。可選地，所述最小擬合度大于等于0. 9。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例提供的檢測晶圓表面粗糙度的方法具有以下優(yōu)占.
^ \\\ ·首先，利用在晶圓生產線上普遍存在的在線厚度測量設備得到每個待測晶圓在每個所述待測位置上的所述實際反射光譜，不需要專門添加設備，節(jié)省成本，同時，利用在線厚度測量設備中的光路系統(tǒng)，計算得到每個待測晶圓在每個所述待測位置上的理論反射光譜并與其實際反射光譜的擬合度，從而判斷晶圓表面粗糙度是否合格，精度高、誤差小。其次，通過對同一批次的連續(xù)η片晶圓進行檢測，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍，避免漏檢現(xiàn)象。最后，由于在線厚度測量設備一般可以被設置于晶圓生產工藝流程的各個階段中，利用在線厚度測量設備能夠及時檢測出表面粗糙度不合格的晶圓。


圖1是本發(fā)明的一個實施例的檢測晶圓表面粗糙度的方法的流程示意圖；圖2是本發(fā)明的一個實施例的一個待測晶圓的剖面結構示意圖；圖3是本發(fā)明的一個實施例的晶圓序列排列圖；圖4是本發(fā)明的一個實施例的晶圓表面測試位置分布圖；圖5(a)是本發(fā)明的一個實施例的反射光譜擬合圖；圖5(b)是本發(fā)明的另一個實施例的反射光譜擬合圖。
具體實施例方式由背景技術可知，現(xiàn)有的檢測晶圓表面粗糙度的方法是，利用YE Defect檢測設備隨機抽出待測晶圓，對比待測晶圓表面各重復單元的圖像，從而檢測出表面粗糙度不合格的晶圓。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用上述方法檢測晶圓表面粗糙度，靈敏度低，漏檢率高。在半導體制造工廠中，一般只有少數(shù)幾臺YE Defect檢測設備負責檢測整個工廠生產的所有晶圓，因此，YE Defect檢測設備只能采用隨機抽檢的方式。現(xiàn)今的半導體工藝機臺一般都有多個 (3個或4個)腔室，在對同一批次(lot)的晶圓進行操作時，機臺會按照某一特定的順序將這些晶圓分別送入不同的腔室，使這些腔室能夠同時運作，提高生產效率。例如，同一批次的晶圓被分別送入A、B和C三個腔室中進行沉積、刻蝕、拋光等工藝，一般在同一腔室加工的晶圓會有相同或類似的粗糙度。然而，現(xiàn)有的利用YE Defect檢測設備檢測晶圓粗糙度的方法，采用隨機抽檢的方式，很有可能漏檢了在某一腔室中加工的晶圓，如，抽到的晶圓都來自于A和B腔室而漏掉了來自于C腔室的晶圓。如果增大YE Defect檢測設備抽樣率，則會造成生產成本的上升，生產效率的降低。而且，由于待測晶圓來自于不同的生產線，其規(guī)格、要求都不相同，因此，YE Defect檢測設備采取的是在被抽中的待測晶圓表面任意選擇相鄰的k個測試位置，對比這 k個測試位置上的圖像，如果其中某個測試位置上的圖像與其他測試位置上的圖像不符，則判定該位置存在缺陷，再利用SEM(掃描電鏡)等設備確認該缺陷的種類。然而，晶圓表面上相鄰測試位置極有可能具有相同或類似的粗糙度問題。也就是說，這k個測試位置的粗糙度很可能都不符合要求，但這k個位置上的圖像卻很有可能完全相同或相近，從而該晶圓會被YE Defect檢測設備錯誤地判定為合格。因此，采用現(xiàn)有方法檢測晶圓表面粗糙度， 靈敏度低，漏檢率高。為及時檢測出表面粗糙度不合格的晶圓，并降低漏檢率，提高靈敏度，降低生產成本，本發(fā)明的實施例提供了一種檢測晶圓表面粗糙度的方法，請參考圖1，包括步驟Si 提供同一批次的多個晶圓；步驟S2 在所述同一批次的多個晶圓中挑選連續(xù)η片作為待測晶圓，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍；步驟S3 利用在線厚度測量設備，在每個所述待測晶圓表面上選擇h個測試位置，得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的實際反射光譜；步驟S4 根據(jù)所述實際反射光譜和預設的薄膜堆疊模型計算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度，并根據(jù)每個所述薄膜厚度和所述薄膜堆疊模型得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的理論反射光譜；步驟S5 計算每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的所述實際反射光譜與所述理論反射光譜的擬合度；步驟S6 設定最小擬合度；以及步驟S7 對比所述擬合度和所述最小擬合度，若所述擬合度小于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在對應測試位置上的粗糙度不合格，若所述擬合度大于等于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在所述測試位置上的粗糙度合格。采用本發(fā)明實施例提供的方法，通過測量得出每個所述待測晶圓在每個所述待測位置上的實際反射光譜，推算出薄膜厚度并由此得到每個所述待測位置上的理論反射光譜，將所述理論反射光譜與所述實際反射光譜對比，進而判斷粗糙度是否合格，提高了檢測的靈敏度高；通過挑選連續(xù)η片晶圓進行檢測，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍，降低了漏檢率；通過利用所述在線厚度測量設備進行晶圓表面粗糙度的檢測，能夠及時發(fā)現(xiàn)粗糙度不合格的晶圓；通過利用半導體生產流程中本就具有的所述在線厚度測量設備進行晶圓表面粗糙度的檢測，不需要添加其他設備，簡化工藝，降低了生產成本。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細的說明。下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其他方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。參考圖1和圖2，執(zhí)行步驟Si，提供同一批次的多個晶圓1。所述晶圓1的表面11是粗糙的，具有高低起伏。參考圖1和圖3，執(zhí)行步驟S2，在所述同一批次的多個晶圓中挑選連續(xù)η片作為待測晶圓。如上所述，現(xiàn)今的半導體生產流程中，工藝機臺會把同一批次的晶圓分別送入不同的腔室中進行沉積、刻蝕、拋光等工藝，以同時對多個晶圓進行加工，節(jié)省時間。一般在同一腔室加工的晶圓會有相同或類似的粗糙度，而在不同腔室加工的晶圓可能會有不同的粗糙度，因此，現(xiàn)有的隨機抽樣的檢測方法很有可能會漏檢在某幾個腔室中加工的晶圓。然而，對所有晶圓進行粗糙度檢測會增加耗時，提高成本。因此，需要提供一種檢測方法，能降低漏檢率，又不至于使所述待測晶圓數(shù)η過高。在本發(fā)明的一個實施例中，在所述同一批次的多個晶圓中挑選連續(xù)η片作為待測晶圓，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍。可選地，為了防止漏檢同時不增加工藝循環(huán)時間，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的1 2倍。為了使所述腔室的利用率達到最大化，所述工藝機臺總是會將所述晶圓按照某一特定的排布規(guī)律依次送入所述腔室中。以同一批次具有25片晶圓，被分別送入Α、B、C三個腔室中進行加工為例。所述工藝機臺會將前三片所述晶圓依次分別送入三個腔室中，如， 將1號晶圓送入A腔室，將2號晶圓送入B腔室，將3號晶圓送入C腔室，待這三片晶圓分別在腔室中完成操作后，所述機臺會分別將這三片晶圓從腔室中送出，并按照晶圓的編號順序排列。然后，所述機臺會按照同樣的規(guī)律將后續(xù)的晶圓依次送入腔室中進行操作，并在完成操作后將晶圓依次送出并排列。因此，所述同一批次的多個晶圓所分別進入的腔室的情況滿足ABC循環(huán)的排列。如圖3所示，所述25片晶圓共有6種排列的方式。挑選連續(xù)η 片晶圓作為待測晶圓，當所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍時，所述η個待測晶圓至少包括了一個在任意一個腔室中加工的晶圓。因此，通過采用本發(fā)明的實施例提供的方法檢測晶圓表面的粗糙度，即能降低漏檢率， 又能減少耗時，降低成本。參考圖1和圖4，執(zhí)行步驟S3，利用在線厚度測量設備，在每個所述待測晶圓表面上選擇h個測試位置2，得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置2上的實際反射光譜。在半導體制造工廠中，隨時需要測量晶圓的厚度，特別是在化學機械拋光 (Chemical Mechanical Polishing ；CMP)工藝中。因此，所述在線厚度測量設備被普遍地設置于晶圓生產流程的各個階段中，如N0VA2040測量機臺、或者NANO測量機臺等。所述在線厚度測量設備中包含光路系統(tǒng)，如雙光束分光計(Dual-Beam Spectrometer ；DB S)光路系統(tǒng)，SWE (Single Wavelength Ellipsometry)光路系統(tǒng)，SE (Spectroscopic Ellipsometry) 光路系統(tǒng)等。所述在線厚度測量設備一般是用于測量晶圓的厚度，其工作原理是利用反射光譜擬合進行透明及半透明薄膜厚度的測量，而晶圓上堆疊的薄膜通常是透明或半透明的薄膜。所述在線厚度測量設備通過其內置的所述光路系統(tǒng)，收集晶圓的反射光，測量晶圓對不同波長光線的反光度，得出反光度對應于波長分布的曲線圖，即所述實際反射光譜，然后再通過所述實際反射光譜推算出晶圓的厚度。因此，利用所述在線厚度測量設備，能夠很方便地得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置2上的實際反射光譜，不需要另外添加設備，節(jié)省了成本。所述在線厚度測量設備在每個所述待測晶圓上選擇h個所述測試位置2，并得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置2上的所述實際反射光譜。本領域的技術人員知道，在每個所述待測晶圓上，一般至晶圓圓心距離相同位置上的粗糙度會相同或相近，在至晶圓圓心距離不同位置上粗糙度會不同。在本發(fā)明的一個實施例中，每個所述測試位置2 至圓心的距離都不同?？蛇x地，所述h大于等于9。在本發(fā)明的一個實施例中，采用包含所述DBS光路系統(tǒng)的N0VA2040測量機臺作為所述在線厚度測量設備。所述N0VA2040測量機臺是以色列半導體測量設備生產商Nova Measuring Instruments公司生產的型號為N0VA2040的產品，可以集成在晶圓生產流水線的主機臺上。參考圖1，執(zhí)行步驟S4，根據(jù)所得的所述實際反射光譜和預設的薄膜堆疊 (filmstack)模型計算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度，并根據(jù)每個所述薄膜厚度和所述薄膜堆疊模型得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的理論反射光譜。本領域的技術人員知道，不同材料、不同厚度的物質，對不同波長的色光的反射率、吸收率和折射率是不同的。晶圓上堆疊有多層薄膜，薄膜的層數(shù)以及每層薄膜的厚度、 材料等因素都會影響該晶圓對不同波長光線的反光度。因此，將薄膜層數(shù)、厚度、材料對應不同波長光線的消光系數(shù)以及折射率等參數(shù)輸入所述光路系統(tǒng)，通過其中包含的軟件系統(tǒng)可以建立一個薄膜堆疊(filmstack)模型，反應上述各因素與反光度的對應關系。同一批次的晶圓的設計規(guī)格相同，工藝標準相同，因此，只需預設一個所述薄膜堆疊模型。根據(jù)在步驟S3中得到的所述實際反射光譜，結合所述薄膜堆疊模型，所述光路系統(tǒng)能夠推算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度。由于所述待測晶圓的表面具有一定的粗糙度，所述薄膜厚度是通過軟件擬合的值，反應的是待測晶圓在待測位置上的薄膜厚度的平均值。然后，所述光路系統(tǒng)根據(jù)每個所述薄膜厚度和所述薄膜堆疊模型計算得出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的理論反射光譜。該理論反射光譜反應的是待測晶圓在某個待測位置上的薄膜厚度均勻，即該待測位置是完全平坦時對不同波長光線進行反射的情況。參考圖1和圖5 (a)及圖5 (b)，執(zhí)行步驟S5，計算每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的所述實際反射光譜與所述理論反射光譜的擬合度。如步驟S4中所述，所述薄膜厚度是根據(jù)所述實際反射光譜和所述薄膜堆疊模型， 通過所述光路系統(tǒng)推算而成的，對應的是某個所述待測晶圓在某個所述待測位置上的薄膜厚度的平均值。然后，所述光路系統(tǒng)假設該待測位置上的所述待測晶圓是完全平坦的，其薄膜厚度就是該平均值，從而得出該待測位置上的理論反射光譜。因此，若該理論反射光譜與該實際反射光譜越接近，擬合度越大，就說明該待測位置上的所述待測晶圓越平坦，其薄膜厚度越接近與該平均值，粗糙度越小。反之，說明該待測位置上的所述待測晶圓的粗糙度越
7大。圖5(a)顯示了本發(fā)明的一個實施例中，當所述待測晶圓在某個所述待測位置上的粗糙度較小時，所述實際反射光譜I與所述理論反射光譜II較接近，即所述擬合度較大的情況。圖5(b)顯示了本發(fā)明的有一個實施例中，當所述待測晶圓在某個所述待測位置上的粗糙度較大時，所述實際反射光譜III與所述理論反射光譜IV差別較大，即所述擬合度較小的情況。參考圖1，執(zhí)行步驟S6，設定最小擬合度。根據(jù)不同的工藝要求，設定可以接受的最大粗糙度所對應的最小擬合度。在本發(fā)明的一個實施例中，所述最小擬合度大于等于0. 9。參考圖1，執(zhí)行步驟S7，對比所述擬合度和所述最小擬合度，若所述擬合度小于所述最小擬合度時，說明該擬合度對應的所述測試位置上的所述待測晶圓的粗糙度不合格， 若所述擬合度大于所述最小擬合度時，說明該擬合度對應的所述測試位置上的所述待測晶圓的粗糙度合格。當所述擬合度小于所述最小擬合度時，所述待測晶圓的粗糙度是不合格的，所述在線厚度測量設備發(fā)出警報，能夠及時提醒生產工藝出現(xiàn)異常，避免后續(xù)不必要工藝的進行，避免浪費，降低了生產成本。而且，每個所述待測晶圓在每個所述測試位置2上處對應了不同的所述擬合度，因此，可以推知具體哪個所述待測晶圓在具體哪個所述待測位置上的表面粗糙度不合格，從而及時、準確地改進工藝。綜上，本發(fā)明的實施例具有以下優(yōu)點首先，首先，利用在晶圓生產線上普遍存在的在線厚度測量設備得到每個待測晶圓在每個所述待測位置上的所述實際反射光譜，不需要專門添加設備，節(jié)省成本，同時，利用在線厚度測量設備中的光路系統(tǒng)，計算得到每個待測晶圓在每個所述待測位置上的理論反射光譜并與其實際反射光譜的擬合度，從而判斷晶圓表面粗糙度是否合格，精度高、誤差其次，通過對同一批次的連續(xù)η片晶圓進行檢測，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍，避免漏檢現(xiàn)象。最后，由于在線厚度測量設備一般可以被設置于晶圓生產工藝流程的各個階段中，利用在線厚度測量設備能夠及時檢測出表面粗糙度不合格的晶圓。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種檢測晶圓表面粗糙度的方法，包括提供同一批次的多個晶圓；在所述同一批次的多個晶圓中挑選連續(xù)η片作為待測晶圓，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍；利用在線厚度測量設備，在每個所述待測晶圓表面上選擇h個測試位置，得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的實際反射光譜；根據(jù)所述實際反射光譜和預設的薄膜堆疊模型計算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度，并根據(jù)每個所述薄膜厚度和所述薄膜堆疊模型得到每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的理論反射光譜；計算每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的所述實際反射光譜與所述理論反射光譜的擬合度；設定最小擬合度；對比所述擬合度和所述最小擬合度，若所述擬合度小于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在對應測試位置上的粗糙度不合格，若所述擬合度大于等于所述最小擬合度時，該擬合度對應的待測晶圓在所述測試位置上的粗糙度合格。
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述η是所述同一批次的多個晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的1 2倍。
3.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，在每個所述待測晶圓的表面上，每個所述測試位置至圓心的距離不同。
4.根據(jù)權利要求3所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述h大于等于9。
5.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，通過雙光束分光計光路系統(tǒng)計算所述理論反射光譜。
6.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述在線厚度測量設備是利用反射光譜擬合進行透明及半透明薄膜厚度測量的設備。
7.根據(jù)權利要求6所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述利用反射光譜擬合進行透明及半透明薄膜厚度測量的設備包括N0VA2040測量機臺或NANO測量機臺。
8.根據(jù)權利要求7所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述在線厚度測量設備是N0VA2040測量機臺。
9.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓表面粗糙度的方法，其特征在于，所述最小擬合度大于等于0.9。
全文摘要
一種檢測晶圓表面粗糙度的方法，包括提供同一批次的多個晶圓；挑選連續(xù)n片作為待測晶圓，n是晶圓所分別進入的前一道工藝機臺的腔室個數(shù)的自然數(shù)倍；利用在線厚度測量設備，在每個所述待測晶圓表面上選擇h個測試位置，得到實際反射光譜；根據(jù)實際反射光譜和預設的薄膜堆疊模型計算出每個所述待測晶圓在每個所述測試位置上的薄膜厚度，并根據(jù)薄膜厚度和薄膜堆疊模型得到理論反射光譜；計算實際反射光譜與理論反射光譜的擬合度；設定最小擬合度；對比擬合度和最小擬合度，判斷粗糙度是否合格。通過本發(fā)明實施例提供的方法檢測晶圓表面粗糙度，能及時發(fā)現(xiàn)表面粗糙度不合格的晶圓，靈敏度高，漏檢率低，節(jié)省成本。
文檔編號G01B11/30GK102506773SQ20111030023
公開日2012年6月20日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權日2011年9月28日
發(fā)明者李儒興, 李志國, 石強 申請人:上海宏力半導體制造有限公司