專利名稱：振蕩停止檢測電路、半導(dǎo)體裝置、鐘表以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對振蕩電路的振蕩停止進行檢測的振蕩停止檢測電路、以及具有該振蕩停止檢測電路的半導(dǎo)體裝置、鐘表、電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在鐘表等的內(nèi)置有振蕩電路的電子設(shè)備中，需要如下控制在振蕩電路正常振蕩時，降低從調(diào)節(jié)器供給到振蕩電路的電源電壓來實現(xiàn)低功耗，在振蕩電路的振蕩停止時，對系統(tǒng)進行復(fù)位以避免不穩(wěn)定的動作，并且，提高供給到振蕩電路的驅(qū)動電壓以便再次開始振蕩電路的振蕩。為了能夠進行這樣的控制，在這種電子設(shè)備中設(shè)有對振蕩電路的振蕩停止進行檢測的振蕩停止檢測電路。作為與該振蕩停止檢測電路有關(guān)的技術(shù)文獻，具有專利文獻I和2。專利文獻I所公開的振蕩停止檢測電路具有電容器；開關(guān)單元，其按照根據(jù)振蕩電路的輸出信號而生成的控制信號進行開關(guān)動作并向電容器傳送電荷；電阻，其用于釋放電容器的充電電荷；以及振蕩狀態(tài)判別單元，其根據(jù)電容器的充電電壓是否為基準電平以上，判別振蕩電路的振蕩狀態(tài)。這里，作為開關(guān)單元，使用MOSFET (MetalOxideSemiconductor Field Effect Transistor ;金屬氧化膜半導(dǎo)體構(gòu)造的場效應(yīng)晶體管，以下簡稱為晶體管)。在該結(jié)構(gòu)中，在振蕩電路正常振蕩的狀況下，對開關(guān)單元提供規(guī)定頻率的控制信號，所以，經(jīng)由開關(guān)單元對電容器供給超過放電用電阻的放電電流的充電電流。因此，電容器的充電電壓超過基準電平，從振蕩狀態(tài)判別單元得到表示振蕩電路振蕩的振蕩狀態(tài)判別信號。與此相對，在振蕩電路的振蕩停止的狀況下，不對開關(guān)單元提供規(guī)定頻率的控制信號，所以，針對電容器的充電電流的供給中斷，電容器的充電電壓低于基準電平，從振蕩狀態(tài)判別單元得到表示振蕩停止的振蕩狀態(tài)判別信號。在專利文獻2所公開的振蕩停止檢測電路中，使用晶體管作為用于釋放上述電容器的充電電荷的放電用元件。該晶體管的柵極被提供由產(chǎn)生針對振蕩電路的電源電壓的調(diào)節(jié)器輸出的基準電壓VREF，該晶體管作為恒流源發(fā)揮功能(參照專利文獻2的圖3)。專利文獻I日本特開2007-81514號專利文獻2日本專利第4459663號但是，為了使上述振蕩停止檢測電路正常地檢測振蕩電路的振蕩狀態(tài)，經(jīng)由未進行開關(guān)動作的開關(guān)單元流入電容器的截止電流、經(jīng)由進行開關(guān)動作的開關(guān)單元流入電容器的導(dǎo)通電流、從電容器經(jīng)由放電用元件流出的放電電流需要維持適當(dāng)?shù)钠胶?。但是，在上述專利文獻I和2所公開的技術(shù)中，由于晶體管或電阻的制造偏差或者產(chǎn)品的周圍溫度變化的影響，上述各電流的平衡容易破壞。因此，為了得到具有期望性能的振蕩停止檢測電路，需要進行嚴格的工藝控制來將晶體管或電阻的制造偏差抑制得較小，存在難以低成本地制造產(chǎn)品的問題
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上說明的情況而完成的，其目的在于，提供不需要較難的工藝控制且能夠低成本地制造的具有期望性能的產(chǎn)品的振蕩停止檢測電路、以及具有該振蕩停止檢測電路的半導(dǎo)體裝置、鐘表、電子設(shè)備。本發(fā)明提供一種振蕩停止檢測電路，其特征在于，該振蕩停止檢測電路具有開關(guān)用場效應(yīng)晶體管，其按照根據(jù)振蕩電路的輸出信號而生成的控制信號進行開關(guān)動作，由此傳送電荷；電容器，其被充入經(jīng)由所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管傳送的電荷；放電單元，其釋放所述電容器的充電電荷；以及振蕩狀態(tài)判別單元，其對所述電容器的充電電壓進行二值化，輸出振蕩狀態(tài)判別信號，該振蕩狀態(tài)判別信號表示所述振蕩電路是振蕩還是停止，所述放電單元具有放電用場效應(yīng)晶體管，其釋放蓄積在所述電容器中的電荷；鏡用場效應(yīng)晶體管，其與所述放電用場效應(yīng)晶體管一起構(gòu)成電流鏡；以及恒流源，其由如下這樣的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，該場效應(yīng)晶體管具有與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，向所述鏡用場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極的公共連接點供給漏極電流。在該振蕩停止檢測電路中，在放電用場效應(yīng)晶體管中流過與恒流源的輸出電流成比例的放電電流。這里，恒流源由與開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同導(dǎo)電類型的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。因此，在由于制造偏差或周圍溫度等使用條件的變更而使經(jīng)由截止?fàn)顟B(tài)的開關(guān)用場效應(yīng)晶體管供給到電容器的截止電流、或經(jīng)由導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)用場效應(yīng)晶體管供給到電容器的導(dǎo)通電流增加(減少)時，從電容器經(jīng)由放電用場效應(yīng)晶體管流過的放電電流也增加(減少)。這樣，在本發(fā)明的振蕩停止檢測電路中，經(jīng)由開關(guān)用場效應(yīng)晶體管流過的截止電流以及導(dǎo)通電流與放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流之間的平衡不易受到制造偏差或使用條件的變更的影響。因此，不需要較難的工藝條件的控制，能夠低成本地制造具有期望性能的振蕩停止檢測電路。在優(yōu)選方式中，所述恒流源由源極和柵極相互連接的耗盡型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。該方式具有如下優(yōu)點不需要設(shè)置用于對構(gòu)成恒流源的場效應(yīng)晶體管提供恒定的柵極源極間電壓的恒壓源，能夠僅利用耗盡型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成恒流源。在其他優(yōu)選方式中，所述耗盡型場效應(yīng)晶體管具有使該耗盡型場效應(yīng)晶體管的漏極電流的溫度系數(shù)的符號與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流的溫度系數(shù)的符號相同的范圍內(nèi)的閾值電壓。在該方式中，耗盡型場效應(yīng)晶體管的漏極電流的溫度系數(shù)的符號與開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流的溫度系數(shù)的符號相同，所以，能夠進一步提高開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流與放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流之間的平衡相對于周圍溫度變化的穩(wěn)定性。在其他優(yōu)選方式中，作為所述放電用場效應(yīng)晶體管，具有串聯(lián)連接的2級以上的放電用場效應(yīng)晶體管，作為所述鏡用場效應(yīng)晶體管，具有各自的柵極與漏極共同連接且彼此相互串聯(lián)連接的2級以上的鏡用場效應(yīng)晶體管，該2級以上的鏡用場效應(yīng)晶體管向所述2級以上的放電用場效應(yīng)晶體管的各柵極供給各自的柵極電壓。 當(dāng)振蕩停止檢測電路的電源電壓變高時，有時在放電用場效應(yīng)晶體管的漏極電流中出現(xiàn)溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響，從電容器流出的放電電流增大。但是，在該方式中，減小串聯(lián)連接的2級以上的放電用場效應(yīng)晶體管的各自的漏極源極間電壓，能夠使各放電用場效應(yīng)晶體管在不易出現(xiàn)溝道長度調(diào)制效應(yīng)的區(qū)域進行工作。因此，能夠防止經(jīng)由放電用場效應(yīng)晶體管的電容器的放電電流過度增大。
在其他優(yōu)選方式中，所述振蕩狀態(tài)判別單元是在高電位側(cè)電源線和低電位側(cè)電源線之間串聯(lián)插入第I場效應(yīng)晶體管和第2場效應(yīng)晶體管而構(gòu)成，從所述第I場效應(yīng)晶體管和第2場效應(yīng)晶體管的公共連接點輸出所述振蕩狀態(tài)判別信號，該第I場效應(yīng)晶體管具有與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，且柵極被提供所述電容器的充電電壓，該第2場效應(yīng)晶體管具有與所述放電用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，且柵極被提供針對所述放電用場效應(yīng)晶體管的柵極電壓。在該方式中，在由于制造偏差或周圍溫度等使用條件的變更而使開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的漏極電流增加(減少)時 ，從電容器經(jīng)由放電用場效應(yīng)晶體管流過的放電電流也增加(減少)，流過柵極電壓與其相同的第2場效應(yīng)晶體管的漏極電流也增加(減少)。另一方面，第I場效應(yīng)晶體管具有與開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，所以，制造偏差或周圍溫度等使用條件的變更的影響同等地出現(xiàn)在開關(guān)用場效應(yīng)晶體管和第I場效應(yīng)晶體管雙方中。因此，由第I場效應(yīng)晶體管和第2場效應(yīng)晶體管構(gòu)成的振蕩狀態(tài)判別單元的邏輯閾值成為相對于制造偏差或周圍溫度等使用條件的變更而穩(wěn)定的電壓值。本發(fā)明能夠作為構(gòu)成為形成有以上所述的振蕩停止檢測電路的半導(dǎo)體裝置來實施。并且，本發(fā)明能夠作為鐘表或其他電子設(shè)備來實施，該鐘表或其他電子設(shè)備的特征在于，該鐘表或其他電子設(shè)備具有振蕩電路；電源；上述的各振蕩停止檢測電路中的任意一個；以及控制單元，其響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路的振蕩停止的判別結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路進行復(fù)位，并且使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓上升，以便再次起動所述振蕩電路，所述控制單元響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路振蕩的判別結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路的復(fù)位進行解除，并且，使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓降低。根據(jù)這些鐘表或電子設(shè)備，振蕩停止檢測電路的電氣特性不易受到制造偏差或使用條件的變更的影響。因此，能夠以高成品率制造動作穩(wěn)定的鐘表或電子設(shè)備。


圖I是示出作為本發(fā)明的振蕩停止檢測電路應(yīng)用例的電子鐘表的鐘表電路的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是示出本發(fā)明的第I實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖3是示出該實施方式的振蕩狀態(tài)判別單元的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖4是示出該實施方式的動作的時序圖。圖5是說明該實施方式的耗盡型P溝道晶體管的閾值電壓的適當(dāng)范圍的圖。圖6是示出本發(fā)明的第2實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖7是說明在該實施方式中串聯(lián)連接多級產(chǎn)生基準電壓的N溝道晶體管和柵極被提供基準電壓的作為放電單元的N溝道晶體管的理由的圖。圖8是示出本發(fā)明的第3實施方式的振蕩停止檢測電路中的振蕩狀態(tài)判別單元的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖9是示出本發(fā)明的第4實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖10是示出本發(fā)明的第5實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖11是示出本發(fā)明的各實施方式的基準電壓產(chǎn)生電路的其他結(jié)構(gòu)例的電路圖。標(biāo)號說明
I :振蕩電路；2 :聞頻分頻電路；3 :中低頻分頻電路；4 :控制彳目號生成電路；5 :電動機驅(qū)動電路；6 :恒壓產(chǎn)生電路；7 :振蕩停止檢測電路；8 :復(fù)位信號生成電路；10、10B、IOC :電荷傳送電路；11、12 :P溝道晶體管(開關(guān)用場效應(yīng)晶體管)；11B、12B、16 :N溝道晶體管(開關(guān)用場效應(yīng)晶體管)；21、21A、21B :基準電壓廣生電路；22 :耗盡型P溝道晶體管；23,24 :N溝道晶體管(鏡用場效應(yīng)晶體管)；20 :電容器；26、27 :N溝道晶體管(放電用場效應(yīng)晶體管)；30 :反相器(振蕩狀態(tài)判別單元)；30’ 非反相緩沖器(振蕩狀態(tài)判別單元)；31 :P溝道晶體管；32 :N溝道晶體管。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。<本發(fā)明的實施方式的應(yīng)用例>圖I是示出作為本發(fā)明的振蕩停止檢測電路應(yīng)用例的電子鐘表的鐘表電路的結(jié)構(gòu)的框圖。在圖I中，振蕩電路I是使石英等振子振動而進行振蕩并輸出規(guī)定頻率的信號的電路。高頻分頻電路2和中低頻分頻電路3是依次對振蕩電路I的輸出信號進行分頻并輸出各種頻率的分頻信號的電路?？刂菩盘柹呻娐?是根據(jù)從高頻分頻電路2和中低頻分頻電路3得到的各種分頻信號生成用于對鐘表電路內(nèi)的各部進行控制的各種控制信號的電路。電動機驅(qū)動電路5是根據(jù)從控制信號生成電路4輸出的規(guī)定的控制信號對用于走針驅(qū)動等的電動機進行驅(qū)動的電路。恒壓產(chǎn)生電路6是根據(jù)從未圖示的電池提供的電源電壓向振蕩電路I和鐘表電路內(nèi)的其他電路輸出驅(qū)動電壓的電路。該恒壓產(chǎn)生電路6構(gòu)成為能夠?qū)σ敵龅尿?qū)動電壓的大小進行控制。本發(fā)明的實施方式的振蕩停止檢測電路7是如下的電路根據(jù)由控制信號生成電路4基于來自高頻分頻電路2的分頻信號而生成的控制信號SA和SB，生成表示振蕩電路I是振蕩還是停止的振蕩狀態(tài)判別信號DET。復(fù)位信號生成電路8是如下的電路在表示振蕩電路I的振蕩停止的振蕩狀態(tài)判別信號DET被輸出時，使復(fù)位信號RES成為有效電平,在表不振蕩電路I振蕩的振蕩狀態(tài)判別信號被輸出時，使復(fù)位信號RES成為無效電平。在以上的結(jié)構(gòu)中，在復(fù)位信號RES為無效電平的情況下(即振蕩電路I振蕩的情況下)，恒壓產(chǎn)生電路6降低對振蕩電路I和高頻分頻電路2供給的驅(qū)動電壓，以抑制功耗，在復(fù)位信號RES為有效電平的情況下(即振蕩電路I的振蕩停止的情況下)，恒壓產(chǎn)生電路6將對振蕩電路I和高頻分頻電路2供給的驅(qū)動電壓切換為高電壓，以便再次開始振蕩電路I的振蕩。中低頻分頻電路3、控制信號生成電路4和電動機驅(qū)動電路5在復(fù)位信號RES為無效電平的情況下進行通常的動作，但是，在復(fù)位信號RES為有效電平的情況下成為復(fù)位狀態(tài)。這是因為，在輸出了表示振蕩電路I的振蕩停止的振蕩狀態(tài)判別信號DET而復(fù)位信號RES為有效電平的狀況下，振蕩電路I的輸出信號的頻率不穩(wěn)定，所以，當(dāng)繼續(xù)進行中低頻分頻電路3、控制信號生成電路4和電動機驅(qū)動電路5的動作時，鐘表電路整體的動作不穩(wěn)定。但是，控制信號生成電路4內(nèi)的生成控制信號SA和SB的電路部構(gòu)成為不會成為復(fù)位狀態(tài)。因此，在振蕩停止?fàn)顟B(tài)下，除了生成控制信號SA和SB的電路部以外，控制信號生成電路4成為復(fù)位狀態(tài)，在再次開始振蕩時，該電路部也在進行動作，能夠生成控制信號SA和SB。
<第I實施方式>圖2是示出本發(fā)明的第I實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖2中，電荷傳送電路10由作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12和電容器13構(gòu)成。這里，P溝道晶體管11的源極經(jīng)由高電位側(cè)電源線與電源VDD連接，P溝道晶體管12的源極與P溝道晶體管11的漏極連接。并且，分別對P溝道晶體管11、12的各柵極供給控制信號SA和SB。這些控制信號SA和SB是由所述圖I的控制信號生成電路4根據(jù)來自高頻分頻電路2或中低頻分頻電路3的分頻信號而生成的信號，是在一方為高電平的期間另一方為低電平、在一方為低電平的期間另一方為高電平的互補對稱信號。電容器13安插在P溝道晶體管12的源極和P溝道晶體管11的漏極的連接點、與作為低電位側(cè)電源線的接地線(接地電位VSS)之間。在該電荷傳送電路10中，P溝道晶體管11、12作為用于對電荷的移動/遮斷進行控制的開關(guān)單元發(fā)揮作用。更詳細地講，在控制信號SA為低電平、控制信號SB為高電平的期間，P溝道晶體管11成為導(dǎo)通狀態(tài)，P溝道晶體管12成為截止?fàn)顟B(tài)，電荷從電源VDD經(jīng)由P溝道晶體管11向電容器13移動，另一方面，從電容器13向P溝道晶體管12的漏極側(cè)的電荷移動被遮斷。與此相對，在控制信號SA為高電平、控制信號SB為低電平的期間，P溝道晶體管11成為截止?fàn)顟B(tài)，P溝道晶體管12成為導(dǎo)通狀態(tài)，從電源VDD向電容器13的經(jīng)由P溝道晶體管11的電荷移動被遮斷，另一方面，進行從電容器13向P溝道晶體管12的漏極側(cè)的電荷移動。電容器20的一個電極與電荷傳送電路10的P溝道晶體管12的漏極連接，另一個電極接地。該電容器20被充入經(jīng)由電荷傳送電路10傳送的電荷。反相器30例如是將圖3所示的P溝道晶體管31和N溝道晶體管32串聯(lián)連接在電源VDD與接地VSS之間而構(gòu)成的CMOS (ComplementMOS ;互補對稱型M0S)結(jié)構(gòu)的反相器。該反相器30是通過對電容器20的充電電壓VC進行二值化而輸出振蕩狀態(tài)判別信號DET的振蕩狀態(tài)判別單元。即，在充電電壓VC高于邏輯閾值的情況下，反相器30輸出表示振蕩電路I振蕩的低電平的振蕩狀態(tài)判別信號DET，在充電電壓VC低于邏輯閾值的情況下，反相器30輸出表示振蕩電路I停止的高電平的振蕩狀態(tài)判別信號DET。在本實施方式中，釋放電容器20的充電電荷的放電單元由基準電壓產(chǎn)生電路21和N溝道晶體管26構(gòu)成，該N溝道晶體管26的漏極及源極分別與電容器20的兩個電極連接，作為放電用場效應(yīng)晶體管發(fā)揮功能?；鶞孰妷寒a(chǎn)生電路21是對N溝道晶體管26的柵極輸出基準電壓Vref的電路，由耗盡型P溝道晶體管22和作為鏡用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管23構(gòu)成。這里，耗盡型P溝道晶體管22的源極及柵極與電源VDD連接。并且，N溝道晶體管23的漏極及柵極與耗盡型P溝道晶體管22的漏極連接，源極接地。而且，在耗盡型P溝道晶體管22的漏極與N溝道晶體管23的漏極及柵極的公共連接點產(chǎn)生的電壓作為基準電壓Vref被供給到N溝道晶體管26的柵極。在以上的結(jié)構(gòu)中，對耗盡型P溝道晶體管22提供OV的柵極源極間電壓。因此，在耗盡型P溝道晶體管22中流過與其閾值電壓的平方成比例的恒流，該恒流流入N溝道晶體管23。該N溝道晶體管23和N溝道晶體管26構(gòu)成電流鏡。因此,N溝道晶體管26作為與耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓的平方成比例的電流值的恒流源發(fā)揮功能。圖4是示出本實施方式的振蕩停止檢測電路的各部的波形的時序圖。在該圖中，例示了從振蕩電路I的振蕩停止的狀態(tài)轉(zhuǎn)移到振蕩電路I振蕩的狀態(tài)、然后再次轉(zhuǎn)移到振蕩電路I的振蕩停止的狀態(tài)時的各部的波形。在振蕩電路I的振蕩停止的狀態(tài)下，控制信號SA和SB沒有變化，在圖示的例子中，控制信號SA成為低電平，控制信號SB成為高電平。因此，在電荷傳送電路10中，P溝道晶體管11或12中的一方(在圖示的例子中為P溝道晶體管11)維持導(dǎo)通狀態(tài)，另一方(在圖示的例子中為P溝道晶體管12)維持截止?fàn)顟B(tài)。在該狀態(tài)下，不進行經(jīng)由電荷傳送電路10的朝向電容器20的電荷傳送，所以，電容器20的充電電壓VC成為0V。因此，反相器30輸出表示振蕩電路的振蕩停止的高電平的振蕩狀態(tài)判別信號DET。當(dāng)振蕩電路I的振蕩開始后，產(chǎn)生交替成為低電平的周期性的控制信號SA和SB。在控制信號SA為高電平、控制信號SB為低電平的期間，在電荷傳送電路10中，P溝道晶體管11成為截止?fàn)顟B(tài)，P溝道晶體管12成為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電容器13被充入的電荷經(jīng)由P溝道晶體管12傳送到電容器20，進行電容器20的充電。在該期間內(nèi)，經(jīng)由電荷傳送電路10提供給電容器20的充電電流大于經(jīng)由N溝道晶體管26流過的電容器20的放電電流，電容器20的充電電壓VC上升。并且，在控制信號SA為低電平、控制信號SB為高電平的期間，在電荷傳送電路10中，P溝道晶體管11成為導(dǎo)通狀態(tài)，P溝道晶體管12成為截止?fàn)顟B(tài)，不進行經(jīng)由P溝道晶體管12向電容器20的電荷傳送。因此，在該期間內(nèi)，經(jīng)由N溝道晶體管26的電容器20的充電電荷的放電起支配性作用，電容器20的充電電壓VC降低。在本實施方式中，以經(jīng)由電荷傳送電路10供給到電容器20的充電電流的在控制 信號SA和SB的一個周期內(nèi)的平均值大于經(jīng)由N溝道晶體管26流過的放電電流的方式，決定P溝道晶體管11、12和N溝道晶體管26的晶體管尺寸(size)。因此，電容器20的充電電壓VC以大致與前者即充電電流的平均值和后者即放電電流的差分成比例的梯度上升。然后，當(dāng)電容器20的充電電壓VC超過反相器30的邏輯閾值Vth30時，反相器30輸出表示振蕩電路振蕩的低電平的振蕩狀態(tài)判別信號DET。然后，在控制信號SA和SB進行切換的期間內(nèi)，通過P溝道晶體管11、12的開關(guān)動作，大于經(jīng)由N溝道晶體管26的放電電流的充電電流被供給到電容器20。在該期間內(nèi)，電容器20的充電電壓VC維持反相器30的邏輯閾值Vth30以上的電壓值，所以，振蕩狀態(tài)判別信號DET維持低電平。然后，當(dāng)振蕩電路I的振蕩停止、不再進行控制信號SA和SB的切換時，P溝道晶體管11、12的開關(guān)動作停止。其結(jié)果，P溝道晶體管11或12的微小的截止電流被供給到電容器20，另一方面，大于該截止電流的放電電流從電容器20經(jīng)由N溝道晶體管26流出。因此，電容器20的充電電壓VC以與經(jīng)由N溝道晶體管26的放電電流和P溝道晶體管11或12的截止電流的差分成比例的梯度衰減。然后，當(dāng)電容器20的充電電壓VC低于反相器30的邏輯閾值Vth30時，反相器30輸出表示振蕩電路I的振蕩停止的高電平的振蕩狀態(tài)判別信號DET。以上是本實施方式的振蕩停止檢測電路的動作。接著，與現(xiàn)有技術(shù)進行對比并說明本實施方式的效果。最初，對用于使振蕩停止檢測電路的動作適當(dāng)?shù)臈l件進行說明。首先，需要使作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12的截止電流小于作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26的放電電流(第I條件)。假設(shè)當(dāng)經(jīng)由未進行開關(guān)動作的狀態(tài)的P溝道晶體管11、12流入電容器20的截止電流大于N溝道晶體管26的放電電流時，即使在振蕩電路I的振蕩停止而控制信號SA和SB停止的狀態(tài)下，大于放電電流的截止電流也會流入電容器20。因此，始終處于電容器20的充電電壓VC高于反相器30的邏輯閾值Vth30的狀態(tài)，產(chǎn)生即使振蕩電路I的振蕩停止也不會輸出表示振蕩停止的振蕩狀態(tài)判別信號DET的問題。為 了不產(chǎn)生這種問題，需要使開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流小于放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流。接著，作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12的截止電流不能極端地小于作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26的放電電流(第2條件)。換言之，該條件是指放電電流不能極端地大于截止電流。當(dāng)控制信號SA和SB的切換停止時，電容器20的充電電壓VC以與放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流和開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流的差分成比例的梯度降低。因此，當(dāng)不滿足第2條件時，例如由于鐘表落下等原因而在電池的輸出電壓中產(chǎn)生跳躍(chattering)、使控制信號SA和SB短時間中斷的情況下，在該短時間內(nèi)，電容器20的充電電壓VC低于反相器30的邏輯閾值。該情況下，產(chǎn)生如下問題雖然振蕩電路的振蕩沒有真正停止，但是，從反相器30輸出表示振蕩停止的振蕩狀態(tài)判別信號DET，對系統(tǒng)進行復(fù)位。為了不產(chǎn)生這種問題，開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流不能極端地小于放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流。進而，經(jīng)由進行開關(guān)動作的開關(guān)用場效應(yīng)晶體管供給到電容器20的充電電流必須充分大于放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流(第3條件)。當(dāng)控制信號SA和SB的切換開始后，電容器20的充電電壓VC以與從開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電流的時間平均減去放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流而得到的電流成比例的梯度上升。因此，當(dāng)不滿足第3條件時，產(chǎn)生如下的不良情況即使振蕩電路I的振蕩開始，電容器20的充電電壓VC也不會上升，而不輸出表示振蕩電路I振蕩的振蕩狀態(tài)判別信號DET ;或者電容器20的充電電壓VC上升需要時間，輸出表示振蕩電路I振蕩的振蕩狀態(tài)判別信號DET需要時間。并且，當(dāng)不滿足第2條件時，在振蕩電路I振蕩的狀態(tài)下，電容器20的充電電壓VC不會維持與作為振蕩狀態(tài)判別單元的反相器30的邏輯閾值Vth30相差很大的電壓，所以，振蕩狀態(tài)判別信號DET不穩(wěn)定。并且，當(dāng)電容器20的充電電壓VC接近振蕩狀態(tài)判別單元的邏輯閾值Vth30時，在振蕩狀態(tài)判別單元由圖3所示的CMOS反相器構(gòu)成的情況下，流過CMOS反相器的直通電流(貫通電流)增加，功耗增大。為了不產(chǎn)生這樣的問題，經(jīng)由開關(guān)用場效應(yīng)晶體管供給到電容器20的充電電流必須充分大于放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流。在上述專利文獻I和2所公開的技術(shù)中，為了得到滿足這些第I 第3條件的振蕩停止檢測電路，需要進行嚴格的工藝控制。下面敘述其理由。首先，在專利文獻I的振蕩停止檢測電路中，使用電阻作為用于釋放電容器20的充電電荷的放電用元件。這里，為了將振蕩停止檢測電路的功耗抑制為較低，需要充分提高放電用電阻的電阻值。例如，當(dāng)利用擴散電阻(拡散抵抗)來實現(xiàn)這種電阻值高的放電用電阻時，芯片內(nèi)的放電用電阻的占有面積增大，存在安裝振蕩停止檢測電路的芯片昂貴的問題。該情況下，還可以利用多晶硅等電阻較大的本征半導(dǎo)體來實現(xiàn)放電用電阻，但是，存在基于本征半導(dǎo)體的電阻的制造偏差大的問題。并且，在專利文獻1的振蕩停止檢測電路中，用于形成場效應(yīng)晶體管的制造工序和用于形成放電用電阻(擴散電阻或基于本征半導(dǎo)體的電阻)的制造工序不同。因此，即使位于同一芯片內(nèi)，場效應(yīng)晶體管的電氣特性與放電用電阻的電氣特性之間也不相關(guān)，即使開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流、導(dǎo)通電流在增大的方向上出現(xiàn)偏差，放電用電阻的放電電流也不一定同樣在增大的方向上出現(xiàn)偏差。因此，可能由于制造偏差而使振蕩停止檢測電路不滿足上述第I 第3條件。在專利文獻2的振蕩停止檢測電路中，使用場效應(yīng)晶體管作為放電用元件。但是，在該專利文獻2的振蕩停止檢測電路中，使用N溝道晶體管作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管，使用P溝道晶體管作為放電用場效應(yīng)晶體管(參照專利文獻2的圖3的N溝道晶體管13、P溝道晶體管15)。這里，用于形成N溝道晶體管的制造工序和用于形成P溝道晶體管的制造工序不同，所以，即使作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管的截止電流、導(dǎo)通電流在增加的方向上出現(xiàn)偏差，經(jīng)由作為放電用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管流過的放電電流也不一定在增加的方向上出現(xiàn)偏差。并且，在專利文獻2所公開的技術(shù)中，調(diào)節(jié)器根據(jù)內(nèi)置電阻的壓降，生成對作為放電用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管的柵極供給的基準電壓。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置的電阻是通過與振蕩停止檢測電路的N溝道晶體管或P溝道晶體管不同的制造工序來制造的。因此，在專利文獻2所公開的技術(shù)中，經(jīng)由P溝道晶體管流過的放電電流的大小不僅受到P溝道晶體管自身的電氣特性的制造偏差的影響，還受到調(diào)節(jié)器內(nèi)的電阻的制造偏差的影響，而且，該調(diào)節(jié)器內(nèi)的電阻的電氣特性與P溝道晶體管的電氣特性之間不相關(guān)。因此，在專利文獻2所公開的技術(shù)中，與專利文獻I所公開的技術(shù)相比，更難滿足上述第I 第3條件。并且，在專利文獻2所公開的裝置中，放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流依賴于為了驅(qū)動振蕩電路而由調(diào)節(jié)器輸出的基準電壓。這里，在多數(shù)情況下，用于使振蕩電路以極低的功耗進行動作的最佳基準電壓與能夠使振蕩停止檢測電路的放電電流達到最佳的基準電壓不同，難以通過共同的基準電壓對振蕩電路和振蕩停止檢測電路雙方的特性進行優(yōu)化。與此相對，在本實施方式中，作為基準電壓產(chǎn)生電路21的恒流源，使用具有與作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12相同導(dǎo)電類型的耗盡型P溝道晶體管22。而且，該耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流流入的鏡用場效應(yīng)晶體管即N溝道晶體管23和放電用場效應(yīng)晶體管即N溝道晶體管26構(gòu)成電流鏡。因此，在由于制造偏差或周圍溫度等使用條件的變更而使經(jīng)由開關(guān)用場效應(yīng)晶體管供給到電容器20的截止電流和導(dǎo)通電流增加(減少)時，從電容器20經(jīng)由放電用場效應(yīng)晶體管流過的放電電流也增加(減少)。因此，在理想的制造條件和使用條件下，如果以使開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流和導(dǎo)通電流以及放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流滿足上述第I 第3條件的方式，決定構(gòu)成振蕩停止檢測電路的各晶體管的閾值電壓或晶體管尺寸，則即使在產(chǎn)生制造偏差或者使用條件變化的情況下，也能夠滿足上述第I 第3條件，使振蕩停止檢測電路正常動作。并且，根據(jù)本實施方式，對作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26的柵極供給的基準電壓Vref不是由對振蕩電路I供給驅(qū)動電壓的恒壓產(chǎn)生電路6產(chǎn)生的，而是由振蕩停止檢測電路內(nèi)的基準電壓產(chǎn)生電路21產(chǎn)生的。因此，能夠與振蕩電路I的驅(qū)動電壓的優(yōu)化獨立地對放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流進行優(yōu)化。但是，在周圍溫度變化的狀況下使用本實施方式的振蕩停止檢測電路的情況下，優(yōu)選的是，作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管 的P溝道晶體管11、12的截止電流的溫度系數(shù)的符號與用于決定放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流的耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流的溫度系數(shù)的符號相同。因此，優(yōu)選在適當(dāng)范圍內(nèi)選擇耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓VTP的目標(biāo)值。圖5是說明耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓VTP的適當(dāng)范圍的圖。在圖5中，橫軸是耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓VTP，縱軸是如圖2所示使用耗盡型P溝道晶體管22構(gòu)成基準電壓產(chǎn)生電路21的情況下、周圍溫度為75°C時的漏極電流ID相對于周圍溫度為25°C時的耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流ID的變化率。這里，當(dāng)周圍溫度上升時，場效應(yīng)晶體管的閾值電壓降低，另一方面，載流子遷移率降低，電流放大率β降低。而且，關(guān)于作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12的截止電流，前者的閾值的變化起支配性作用，隨著周圍溫度上升而增大。即，P溝道晶體管11、12的截止電流的溫度系數(shù)為正。另一方面，關(guān)于耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流ID，周圍溫度上升導(dǎo)致的閾值電壓的降低以及周圍溫度上升導(dǎo)致的載流子遷移率的降低這雙方起支配性作用，哪一個要因起主要作用取決于耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓VTP。如圖5所示，在閾值電壓VTP高的區(qū)域中，在耗盡型P溝道晶體管22中，周圍溫度上升導(dǎo)致的載流子遷移率的降低與漏極電流ID密切相關(guān)，漏極電流ID的溫度系數(shù)為負。但是，當(dāng)閾值電壓VTP低于某個閾值電壓VTPO時，閾值電壓VTP的降低與漏極電流ID密切相關(guān)，漏極電流ID的溫度系數(shù)從負變?yōu)檎?。因此，在本實施方式中，將振蕩停止檢測電路的制造時的耗盡型P溝道晶體管22的閾值電壓VTP的目標(biāo)值設(shè)為比使得該漏極電流ID的溫度系數(shù)從負變?yōu)檎拈撝惦妷篤TPO低的區(qū)域(漏極電流ID的溫度特性的傾斜度為正的區(qū)域)內(nèi)的閾值電壓。這樣，在系統(tǒng)動作保證溫度范圍內(nèi)，能夠?qū)⒆鳛殚_關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管11、12的截止電流與用于決定放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流的耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流之間的關(guān)系保持為相同，能夠使振蕩停止檢測電路穩(wěn)定地動作。〈第2實施方式>圖6是示出本發(fā)明的第2實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。在將二次電池作為電源的電子設(shè)備等電源電壓變動的電子設(shè)備中安裝振蕩停止檢測電路的情況下，如以下說明的那樣，有時放電用場效應(yīng)晶體管的放電電流由于電源電壓的上升而過度增大。圖7是例示上述第I實施方式(圖2)的放電用場效應(yīng)晶體管的漏極電流特性的圖。在該圖中，橫軸是作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26的漏極源極間電壓VDS (即電容器20的充電電壓VC)，縱軸是N溝道晶體管26的漏極電流ID。
在理想的情況下，在使漏極源極間電壓VDS逐漸增加時，N溝道晶體管26的漏極電流ID如虛線所示那樣飽和。但是，當(dāng)漏極源極間電壓VDS增大時，在N溝道晶體管26的漏極與P型半導(dǎo)體襯底的邊界形成的耗盡層的厚度增大，產(chǎn)生N溝道晶體管26的實效溝道長度縮短的溝道長度調(diào)制效應(yīng)。因此，在飽和區(qū)域中，對N溝道晶體管26的漏極源極間電壓VDS為電壓VDS_A時的漏極電流ID_A與漏極源極間電壓VDS為比電壓VDS_A大的電壓VDS_B時的漏極電流ID_B進行比較時，后者的漏極電流ID_B比前者的漏極電流ID_A大某個量AID。
這里，在振蕩電路I振蕩時，電容器20被充電到電源電壓VDD附近的電平。因此，當(dāng)振蕩停止檢測電路在電源電壓VDD高的狀態(tài)下動作時，N溝道晶體管26的漏極源極間電壓VDS變高，在N溝道晶體管26中流過過度的電流。這樣，當(dāng)經(jīng)由N溝道晶體管26流過的放電電流增大時，有可能不滿足上述第2或第3條件。本實施方式對上述第I實施方式施加了改良，以使得在電源電壓VDD較高的狀況下，在放電用場效應(yīng)晶體管中不會流過這種過度的放電電流。在本實施方式的振蕩停止檢測電路(圖6)中，作為放電用場效應(yīng)晶體管，串聯(lián)連接的2級的N溝道晶體管26、27與電容器20并聯(lián)連接。并且，作為鏡用場效應(yīng)晶體管，基準電壓產(chǎn)生電路21A具有各自的柵極和漏極共同連接且彼此相互串聯(lián)連接的2級的N溝道晶體管23和24。而且，這些N溝道晶體管23和24對作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26和27的各柵極供給各自的柵極電壓。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使N溝道晶體管23的漏極源極間電壓以及N溝道晶體管24的漏極源極間電壓這雙方成為溝道長度調(diào)制效應(yīng)較少的共同的電壓VDS_A。而且，N溝道晶體管24的柵極電壓VDS_A被供給到N溝道晶體管27的柵極，N溝道晶體管23的柵極電壓2VDS_A被供給到N溝道晶體管26的柵極。因此，例如在電容器20的充電電壓VC為電壓2VDS_A時，N溝道晶體管26的漏極源極間電壓VDS_B1以及N溝道晶體管27的漏極源極間電壓VDS_B2這雙方成為電壓VDS_A。在電容器20的充電電壓VC為電壓2VDS_A以上的區(qū)域中，N溝道晶體管26的漏極源極間電壓VDS_B1以及N溝道晶體管27的漏極源極間電壓VDS_B2也成為大致相同的電壓。這樣，作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26、27的漏極和源極間電壓不會過度增大，在溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響較小的區(qū)域進行動作，所以，不會流過過度的放電電流。另外，在圖6中，設(shè)鏡用場效應(yīng)晶體管和放電用場效應(yīng)晶體管的級數(shù)為2級，但是，在電源電壓VDD變高的情況下，根據(jù)電源電壓VDD的增加，也可以將級數(shù)增加到3級以上。〈第3實施方式>圖8是示出本發(fā)明的第3實施方式的振蕩停止檢測電路中的振蕩狀態(tài)判別單元的結(jié)構(gòu)的電路圖。在上述第I實施方式中，設(shè)振蕩狀態(tài)判別單元為由P溝道晶體管31和N溝道晶體管32構(gòu)成的CMOS結(jié)構(gòu)的反相器30，對該反相器30提供電容器20的充電電壓VC。這里，P溝道晶體管31和N溝道晶體管32在不同的制造工序中形成，所以，P溝道晶體管31的特性偏差與N溝道晶體管32的特性偏差之間不相關(guān)。因此，反相器30的邏輯閾值可能由于P溝道晶體管31的特性偏差和N溝道晶體管32的特性偏差的影響而變動。這樣，當(dāng)反相器30的邏輯閾值變動時，由于其影響，例如，可能產(chǎn)生從振蕩電路開始振蕩到振蕩狀態(tài)判別信號反轉(zhuǎn)為止的時間變長、或者在控制信號SA和SB瞬間中斷時振蕩狀態(tài)判別信號容易反轉(zhuǎn)的不良情況。本實施方式對這點進行了改善。在本實施方式的振蕩狀態(tài)判別單元中，如圖8所示，僅對P溝道晶體管31的柵極提供電容器20的充電電壓VC，對N溝道晶體管32的柵極提供由基準電壓產(chǎn)生電路21的N溝道晶體管23 (參照圖2)產(chǎn)生的基準電壓Vref。而且，從P溝道晶體管31和N溝道晶體管32的漏極彼此的連接點輸出振蕩狀態(tài)判別信號DET。在該方式中，在由于制造偏差或使用條件的變更而產(chǎn)生使P溝道晶體管31的漏極電流增加(減少)的要因時，與耗盡型P溝道晶體管22的漏極電流成比例的電流即N溝道晶體管32的漏極電流也增加(減少)。因此，本實施方式的振蕩狀態(tài)判別單元的邏輯閾值相對于制造偏差或使用條件的變更是穩(wěn)定的，不會產(chǎn)生上述不良情況?！吹?實施方式〉圖9是示出本發(fā)明的第4實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。在上述第I實施方式(圖2)的電荷傳送電路10中，使用P溝道晶體管11和12作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管。與此相對，本實施方式的電荷傳送電路IOB使用N溝道晶體管IlB和12B作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管。并且，在上述第I實施方式中，使用N溝道晶體管26作為放電用場效應(yīng)晶體管。與此相對，在本實施方式中，作為放電用場效應(yīng)晶體管，P溝道晶體管28與電容器20并聯(lián)連接。并且，在上述第I實施方式中，由耗盡型P溝道晶體管22和N溝道晶體管23構(gòu)成基準電壓產(chǎn)生電路21，N溝道晶體管23與作為放電用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管26 —起構(gòu)成電流鏡。與此相對，在本實施方式中，由耗盡型N溝道晶體管23B和P溝道晶體管22B構(gòu)成基準電壓產(chǎn)生電路21B，P溝道晶體管22B與作為放電用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管28 —起構(gòu)成電流鏡。并且，在本實施方式中，作為振蕩狀態(tài)判別單元，例如使用連接了 2級CMOS反相器而構(gòu)成的非反相緩沖器30’。在本實施方式中，在作為放電用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管28中流過與耗盡型N溝道晶體管23B的漏極電流成比例的電流。因此，在作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管IlB和12B的漏極電流增加(減少)時，流過P溝道晶體管28的放電電流也增加(減少)。因此，在本實施方式中，也可得到與上述第I實施方式相同的效果。〈第5實施方式>圖10是示出本發(fā)明的第5實施方式的振蕩停止檢測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。本實施方式的振蕩停止檢測電路構(gòu)成為，將上述第4實施方式的電荷傳送電路IOB置換為電荷傳送電路IOC。在該電荷傳送電路IOC中，反相器14對控制信號SC進行電平反轉(zhuǎn)并輸出。該控制信號SC與上述第I實施方式的控制信號SA、SB同樣，是根據(jù)振蕩電路的輸出信號生成的信號。反相器15對反相器14的輸出信號進行電平反轉(zhuǎn)并輸出。N溝道晶體管16是承擔(dān)作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的作用的晶體管，源極與反相器15的輸出端子連接，柵極被提供反相器14的輸出信號，漏極連接在電容器20的一個電極和P溝道晶體管28的漏極的公共連接點。在該結(jié)構(gòu)中，在控制信號SC為低電平的情況下，反相器14的輸出信號成為高電平，所以，N溝道晶體管16成為導(dǎo)通狀態(tài)，反相器15的輸出信號成為低電平。因此，通過N溝道晶體管16的漏極電流對電容器20進行充電。然后，當(dāng)控制信號SC成為高電平時，反相器14的輸出信號成為低電平，所以，N溝道晶體管16成為截止?fàn)顟B(tài)。這樣，根據(jù)控制信號SC對作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管16的導(dǎo)通/截止進行切換，經(jīng)由該N溝道晶體管16對電容器20傳送電荷。由基準電壓產(chǎn)生電路21B、電容器20、P溝道晶體管28和非反相緩沖器30’構(gòu)成的部分的電路結(jié)構(gòu)與上述第4實施方式相同。在本實施方式中，也可得到與上述第4實施方式相同的效果。<其他實施方式>以上，說明了本發(fā)明的第I 第5實施方式，但是，除此之外，本發(fā)明還考慮了各種實施方式。例如，如下所述。(I)在第I實施方式中，將振蕩停止檢測電路應(yīng)用于鐘表。但是，本發(fā)明的振蕩停止檢測電路的應(yīng)用范圍不限于此，可以應(yīng)用于便攜電話、PDA (PersonalDigitalAssistant,個人數(shù)字助理)等安裝有振蕩電路的鐘表以外的多種電子設(shè)備。(2)在上述各實施方式中，作為對鏡用場效應(yīng)晶體管供給輸出電流的恒流源，使用了柵極和源極相互連接的耗盡型晶體管。但是，該恒流源不限于這種結(jié)構(gòu)。例如在開關(guān)用場效應(yīng)晶體管是P溝道晶體管的情況下，也可以設(shè)置使用了相同導(dǎo)電類型的P溝道晶體管的恒流源，對鏡用場效應(yīng)晶體管供給該恒流源的輸出電流，將該鏡用場效應(yīng)晶體管的柵極電壓作為基準電壓Vref供給到放電用場效應(yīng)晶體管的柵極。圖11是示出包含這種恒流源的基準電壓產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)例的電路圖。在圖11中，P溝道晶體管41和43各自的源極與電源VDD連接，各自的柵極與P溝道晶體管41的漏極連接。在該P溝道晶體管41的漏極與接地線之間安插有電阻42。另一方面，P溝道晶體管43的漏極與作為鏡用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管44的柵極以及漏極連接，該N溝道晶體管44的源極接地。在該基準電壓產(chǎn)生電路中，由P溝道晶體管41、43和電阻42構(gòu)成的電路構(gòu)成了恒流源，該恒流源的輸出電流被供給到作為鏡用場效應(yīng)晶體管的N溝道晶體管44。
在該方式中，在放電用場效應(yīng)晶體管中流過與P溝道晶體管43的漏極電流成比例的放電電流。因此，在作為開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的P溝道晶體管的漏極電流增加(減少)時，放電電流也增加(減少)。因此，可得到與上述各實施方式相同的效果。并且，上述實施方式和變形例的振蕩停止檢測電路也可以形成為IC等半導(dǎo)體裝置的一部分或全部。
權(quán)利要求
1.一種振蕩停止檢測電路，其特征在于，該振蕩停止檢測電路具有 開關(guān)用場效應(yīng)晶體管，其按照根據(jù)振蕩電路的輸出信號而生成的控制信號進行開關(guān)動作，由此傳送電荷； 電容器，其被充入經(jīng)由所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管傳送的電荷； 放電單元，其釋放所述電容器的充電電荷；以及 振蕩狀態(tài)判別單元，其對所述電容器的充電電壓進行二值化，輸出振蕩狀態(tài)判別信號，該振蕩狀態(tài)判別信號表示所述振蕩電路是振蕩還是停止， 所述放電單元具有 放電用場效應(yīng)晶體管，其釋放蓄積在所述電容器中的電荷； 鏡用場效應(yīng)晶體管，其與所述放電用場效應(yīng)晶體管一起構(gòu)成電流鏡；以及恒流源，其由如下這樣的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，該場效應(yīng)晶體管具有與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，向所述鏡用場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極的公共連接點供給漏極電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的振蕩停止檢測電路,其特征在于， 所述恒流源由源極和柵極相互連接的耗盡型場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩停止檢測電路，其特征在于， 所述耗盡型場效應(yīng)晶體管具有使該耗盡型場效應(yīng)晶體管的漏極電流的溫度系數(shù)的符號與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管的截止電流的溫度系數(shù)的符號相同的范圍內(nèi)的閾值電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的任意一項所述的振蕩停止檢測電路，其特征在于， 作為所述放電用場效應(yīng)晶體管，具有串聯(lián)連接的2級以上的放電用場效應(yīng)晶體管，作為所述鏡用場效應(yīng)晶體管，具有各自的柵極與漏極共同連接且彼此相互串聯(lián)連接的2級以上的鏡用場效應(yīng)晶體管，該2級以上的鏡用場效應(yīng)晶體管向所述2級以上的放電用場效應(yīng)晶體管的各柵極供給各自的柵極電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中的任意一項所述的振蕩停止檢測電路，其特征在于， 所述振蕩狀態(tài)判別單元是在高電位側(cè)電源線和低電位側(cè)電源線之間串聯(lián)插入第I場效應(yīng)晶體管和第2場效應(yīng)晶體管而構(gòu)成，從所述第I場效應(yīng)晶體管和第2場效應(yīng)晶體管的公共連接點輸出所述振蕩狀態(tài)判別信號，該第I場效應(yīng)晶體管具有與所述開關(guān)用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，且柵極被提供所述電容器的充電電壓，該第2場效應(yīng)晶體管具有與所述放電用場效應(yīng)晶體管相同的導(dǎo)電類型，且柵極被提供針對所述放電用場效應(yīng)晶體管的柵極電壓。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該半導(dǎo)體裝置構(gòu)成為形成有權(quán)利要求I 5中的任意一項所述的振蕩停止檢測電路。
7.—種鐘表,其特征在于,該鐘表具有 振蕩電路； 電源； 權(quán)利要求I至5中的任意一項所述的振蕩停止檢測電路；以及控制單元，其響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路的振蕩停止的判別結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路進行復(fù)位，并且使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓上升，以便再次起動所述振蕩電路，所述控制單元響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路振蕩的判別結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路的復(fù)位進行解除，并且，使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓降低。
8.—種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具有 振蕩電路； 電源； 權(quán)利要求I至5中的任意一項所述的振蕩停止檢測電路；以及控制單元，其響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路的振蕩停止的判另IJ結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路進行復(fù)位，并且使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓上升，以便再次起動所述振蕩電路，所述控制單元響應(yīng)于從所述振蕩停止檢測電路得到表示所述振蕩電路振蕩的判別結(jié)果的情況，進行如下控制對利用所述振蕩電路的輸出信號的電路的復(fù)位進行解除，并且，使從所述電源提供給所述振蕩電路的電壓降低。
全文摘要
本發(fā)明提供振蕩停止檢測電路、半導(dǎo)體裝置、鐘表以及電子設(shè)備。不需要較難的工藝條件的控制且能夠低成本地制造。反相器(30)輸出振蕩狀態(tài)判別信號。N溝道晶體管(26)是使電容器(20)放電的晶體管。基準電壓產(chǎn)生電路(21)是串聯(lián)連接?xùn)艠O與源極相互連接的耗盡型P溝道晶體管(22)以及柵極與漏極相互連接的N溝道晶體管(23)而構(gòu)成的，N溝道晶體管(23)和N溝道晶體管(26)構(gòu)成電流鏡。
文檔編號G01R31/28GK102621368SQ20121001560
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者中宮信二 申請人:精工愛普生株式會社