專利名稱：檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對要被定性分析的極微量物質(zhì)進行定量分析的檢測裝置等。
背景技術(shù)：
近年來，作為檢測低濃度樣本分子的一種高靈敏度光譜技術(shù)，利用SPR(SurfacePlasmon Resonance :表面等離子體共振)、尤其利用 LSPR(Localized Surface PlasmonResonance :局域表面等離子體共振)的 SERS (Surface Enhanced Raman Scattering :表面增強拉曼散射)光譜(專利文獻1、2)受到人們的關(guān)注。所謂SERS是在具有納米級凹凸結(jié) 構(gòu)的金屬表面上拉曼散射光被增強至IO2 IO14倍的現(xiàn)象。將激光等的單波長的激發(fā)光照射到樣本分子上。光譜檢測出從激發(fā)光的波長只偏離樣本分子的分子振動能量的散射波長(拉曼散射光)，從而獲得樣本分子的指紋光譜。根據(jù)其指紋光譜的形狀，可識別樣本分子。盡管表面增強拉曼散射(SERS)通過局域表面等離子體共振(LSPR)的電場增強效果，可在極微量濃度的氣體分子中定性檢測，但是卻不能實現(xiàn)定量分析。其原因之一是由局域表面等離子體共振(LSPR)產(chǎn)生的增強電場強度從最大增強電場呈指數(shù)函數(shù)地衰減。根據(jù)非專利文獻1，試驗性地計算出通過增強電場產(chǎn)生的SERS強度I和與增強電場表面的距離r具有以下的關(guān)系。(式I)
權(quán)利要求
1.一種檢測裝置，其特征在于，具有 流體樣本的流路； 吸引部，向所述流路吸引所述流體樣本； 光學(xué)器件，配置在所述流路內(nèi)； 光源，向所述光學(xué)器件照射光； 光檢測部，檢測從所述光學(xué)器件射出的光； 微天平傳感器芯片，配置在所述流路內(nèi)，并具有形成有振蕩電極的壓電基板；以及 定量分析部，基于來自所述光檢測部及所述微天平傳感器芯片的輸出，對所述流體樣本進行定量分析， 其中，所述光學(xué)器件具備具有Inm IOOOnm的凸部的金屬納米結(jié)構(gòu),并且射出反映出吸附在所述金屬納米結(jié)構(gòu)上的所述流體樣本的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測裝置，其特征在于， 所述光學(xué)器件和所述微天平傳感器芯片在俯視圖中被并列設(shè)置在所述流路內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測裝置，其特征在于， 所述光學(xué)器件和所述微天平傳感器芯片被層壓在所述流路內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測裝置，其特征在于， 所述光學(xué)器件的所述金屬納米結(jié)構(gòu)形成在所述微天平傳感器芯片的所述振蕩電極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的檢測裝置，其特征在于，所述壓電基板是水晶。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的檢測裝置，其特征在于，所述微天平傳感器芯片是SAW (表面彈性波)振蕩器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項所述的檢測裝置，其特征在于， 所述定量分析部在來自所述光檢測部的輸出強度變動和來自所述微天平傳感器芯片的輸出變動示出相同增減舉動時，基于來自所述光檢測部的輸出強度進行定量分析。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測裝置，其特征在于， 所述定量分析部在來自所述光檢測部的輸出強度變動和來自所述微天平傳感器芯片的輸出變動示出相反舉動的情況下以及沒有來自所述微天平傳感器芯片的輸出變動的情況下，禁止定量分析。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測裝置，包括流體樣本的流路；吸引部，向流路吸引流體樣本；光學(xué)器件，配置在流路內(nèi)；光源，向光學(xué)器件照射光；光檢測部，檢測從光學(xué)器件射出的光；微天平傳感器芯片，被配置在流路內(nèi)，并在壓電基板上形成振蕩電極；以及定量分析部，基于來自光檢測部及微天平傳感器芯片的輸出，對所述樣本進行定量分析。光學(xué)器件具備具有1nm～1000nm的凸部的金屬納米結(jié)構(gòu)，射出反映出吸附在金屬納米結(jié)構(gòu)上的流體樣本的光。
文檔編號G01N5/02GK102735563SQ20121010422
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月12日
發(fā)明者山田耕平, 橋元伸晃 申請人:精工愛普生株式會社