半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法。半導(dǎo)體裝置包括電阻端、模仿拉升驅(qū)動(dòng)器、比較器以及檢測(cè)狀態(tài)器。電阻端用來(lái)連接外部電阻。模仿拉升驅(qū)動(dòng)器提供20級(jí)至2N+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，其中N為自然數(shù)。比較器反應(yīng)于測(cè)試電壓與參考電壓以輸出比較信號(hào)。測(cè)試電壓產(chǎn)生于電阻端與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的耦接之處。檢測(cè)狀態(tài)器控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，并且根據(jù)比較信號(hào)來(lái)產(chǎn)生及輸出檢測(cè)信號(hào)。檢測(cè)信號(hào)用來(lái)表示電阻端的電性連接狀態(tài)為連接工作電壓或浮置的狀態(tài)、連接外部電阻的狀態(tài)或是連接接地電壓的狀態(tài)。本發(fā)明可判別半導(dǎo)體裝置的電阻端是否存在外接電阻。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法，且特別涉及一種可檢測(cè)本身電阻端的電性連接狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]具有電阻端的半導(dǎo)體裝置(例如動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器裝置(dynamic memory device))需檢測(cè)電阻端是否有耦接外接電阻。一般半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)機(jī)制可判別外接電阻是否存在，但并未考慮到未接外接電阻的情況為如何。因此，在未接外接電阻的情況，電阻端是否有耦接工作電壓或接地電壓、或是浮置，目前并沒有這樣的檢測(cè)機(jī)制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體裝置及其檢測(cè)方法，藉以解決現(xiàn)有技術(shù)所述及的問題。
[0004]本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體裝置，其包括電阻端、模仿拉升驅(qū)動(dòng)器、比較器以及檢測(cè)狀態(tài)器。電阻端用以連接外部電阻。模仿拉升驅(qū)動(dòng)器耦接至工作電壓與電阻端，模仿拉升驅(qū)動(dòng)器提供2°級(jí)至2n+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，其中N為自然數(shù)。比較器反應(yīng)于測(cè)試電壓與參考電壓以輸出比較信號(hào)。測(cè)試電壓產(chǎn)生于電阻端與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的耦接之處。檢測(cè)狀態(tài)器耦接至比較器的輸出端與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器。檢測(cè)狀態(tài)器控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，并且根據(jù)比較信號(hào)來(lái)產(chǎn)生及輸出檢測(cè)信號(hào)。檢測(cè)信號(hào)可用來(lái)表示電阻端的電性連接狀態(tài)為連接工作電壓或浮置的狀態(tài)、連接外部電阻的狀態(tài)或是連接接地電壓的狀態(tài)。
[0005]本發(fā)明另提出一種半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，用以檢測(cè)半導(dǎo)體裝置的電阻端的電性連接狀態(tài)，檢測(cè)方法包括步驟:提供模仿拉升驅(qū)動(dòng)器、比較器與檢測(cè)狀態(tài)器，其中模仿拉升驅(qū)動(dòng)器提供2°級(jí)至2n+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，N為自然數(shù)，比較器反應(yīng)于測(cè)試電壓與參考電壓以輸出比較信號(hào)，其中測(cè)試電壓產(chǎn)生于電阻端與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的耦接之處；以及檢測(cè)狀態(tài)器控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，并且根據(jù)比較信號(hào)來(lái)產(chǎn)生及輸出檢測(cè)信號(hào)，其中檢測(cè)信號(hào)用以表示電性連接狀態(tài)為連接工作電壓或浮置的狀態(tài)、連接外部電阻的狀態(tài)或是連接接地電壓的狀態(tài)。
[0006]本發(fā)明的有益效果在于，基于上述，本發(fā)明可判別半導(dǎo)體裝置的電阻端是否存在外接電阻，而在未接外接電阻的情況還可判別電阻端的電性連接狀態(tài)是否為連接工作電壓或浮置的狀態(tài)、或是連接接地電壓的狀態(tài)。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。
[0009]圖2至圖4是依照本發(fā)明一實(shí)施例的電性連接狀態(tài)示意圖。[0010]圖5是圖1的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法的流程圖。
[0011]圖6是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。
[0012]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0013]10:電阻端
[0014]20、620:模仿拉升驅(qū)動(dòng)器
[0015]30:比較器
[0016]40、640:檢測(cè)狀態(tài)器
[0017]100、600:半導(dǎo)體裝置
[0018]110:外部電阻
[0019]200?205:驅(qū)動(dòng)單元
[0020]300 ?305:電阻
[0021]650:模式寄存器組
[0022]660:輸出驅(qū)動(dòng)器
[0023]670:輸入/輸出端
[0024]CMPOUT:比較信號(hào)
[0025]D0UT〈1:0>:檢測(cè)信號(hào)
[0026]Dl:耦接之處
[0027]GND:接地電壓
[0028]P<5: 0>、P<N:0>:控制信號(hào)
[0029]Pl:金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管
[0030]S501?S513:本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法的各步驟
[0031]VDD:工作電壓
[0032]VREF:參考電壓
[0033]VZQ:測(cè)試電壓
【具體實(shí)施方式】
[0034]現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，并在附圖中說(shuō)明所述實(shí)施例的實(shí)例。另外，在附圖及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件代表相同或類似部分。
[0035]應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為在另一元件“上”、“連接至”或“耦接至”另一元件時(shí)，其可直接在另一元件上、連接至或耦接至另一元件，或可存在介入元件。對(duì)比而言，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”、“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件時(shí)，不存在介入元件。
[0036]圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。請(qǐng)參閱圖1。半導(dǎo)體裝置100包括電阻端10、模仿拉升驅(qū)動(dòng)器(dummy pull up driver)20、比較器30以及檢測(cè)狀態(tài)器(detection state machine)40。模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20稱接至工作電壓VDD與電阻端10。檢測(cè)狀態(tài)器40耦接至比較器30的輸出端與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20。電阻端10可用來(lái)連接外部電阻110，而在電阻端10與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的耦接之處Dl可產(chǎn)生測(cè)試電壓VZQ。比較器30的正輸入端耦接測(cè)試電壓VZQ，比較器30的負(fù)輸入端耦接參考電壓VREF。參考電壓VREF的值可以為工作電壓VDD的一半。
[0037]模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20包括驅(qū)動(dòng)單元200?205，而每一驅(qū)動(dòng)單元包括金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及/或電阻。例如驅(qū)動(dòng)單元205之中，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Pl的第一端耦接工作電壓VDD，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Pl的控制端接收來(lái)自模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的控制信號(hào)P〈5:0>。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Pl的第二端還可耦接電阻303。請(qǐng)注意，驅(qū)動(dòng)單元205中的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Pl以P型MOS晶體管來(lái)實(shí)施，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，亦可以依實(shí)際設(shè)計(jì)需求將驅(qū)動(dòng)單元205中金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Pl改以N型MOS晶體管來(lái)實(shí)施。
[0038]在驅(qū)動(dòng)單元200、201、202、203、204與205中，可包括電阻300?305或者不包括電阻300?305，因此電阻300?305的存在關(guān)系可有可無(wú)。
[0039]值得一提的是，倘若以Ra表示驅(qū)動(dòng)單元200中從工作電壓VDD至端點(diǎn)Dl的內(nèi)阻值，類似地，可以將Rb、Re、RcURe及Rf分別表示驅(qū)動(dòng)單元201、202、203、204及205的內(nèi)阻值。此時(shí)，各內(nèi)阻值的相對(duì)關(guān)系為Ra蘭Rb蘭Re蘭Rd蘭Re蘭Rf。
[0040]此夕卜，電阻300?305可以是金屬導(dǎo)線本身的寄生電阻(parasiticalresistance)。
[0041]驅(qū)動(dòng)單元200、201、202、203、204 與 205 可分別提供 2° 級(jí)(X IX21 級(jí)(X2)、22 級(jí)(X 4)、23級(jí)(X 8)、24級(jí)(X 16)與25級(jí)(X 32)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作。亦即，模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20可提供2°級(jí)至2n+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，此處的N為5(自然數(shù))。請(qǐng)注意，本發(fā)明對(duì)于驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)量并不局限于此實(shí)施例。
[0042]半導(dǎo)體裝置100的電阻端10的電性連接狀態(tài)可能如圖1所示為連接外部電阻110的狀態(tài)，也可能如圖2所示為浮置的(foating)狀態(tài)，也可能如圖3所示為連接工作電壓VDD的狀態(tài)，也可能如圖4所示為連接接地電壓GND的狀態(tài)。關(guān)于檢測(cè)狀態(tài)器40的檢測(cè)機(jī)制將于下文詳述。
[0043]圖5是圖1的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法的流程圖。請(qǐng)合并參閱圖1和圖5。檢測(cè)狀態(tài)器40可輸出控制信號(hào)P〈5:0>來(lái)控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作。當(dāng)執(zhí)行模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作時(shí)，測(cè)試電壓VZQ將反應(yīng)出電阻端10與模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20之間的電壓變化及/或電壓比例。
[0044]如步驟S501所示，檢測(cè)狀態(tài)器40輸出控制信號(hào)(P〈5:0> = 111110)來(lái)控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，使得模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20進(jìn)行2°級(jí)(X I)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作。由于只有開啟2°級(jí)驅(qū)動(dòng)器，其他級(jí)驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉，故驅(qū)動(dòng)能力為最弱。
[0045]接著如步驟S503所示，若檢測(cè)狀態(tài)器40接收到的比較信號(hào)CMPOUT表示測(cè)試電壓VZQ大于參考電壓VREF為是時(shí)，進(jìn)入步驟S505，檢測(cè)狀態(tài)器40判別電性連接狀態(tài)為連接工作電壓VDD或浮置的狀態(tài)，輸出檢測(cè)信號(hào)(D0UT〈1>=1)。若否，進(jìn)入步驟S507。
[0046]如步驟S507所示，檢測(cè)狀態(tài)器40輸出控制信號(hào)(P〈5:0> = 000000)來(lái)控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器20的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，使得模仿拉升驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行2N+1-1級(jí)(X63)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作。由于各級(jí)驅(qū)動(dòng)器中的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管均導(dǎo)通，故驅(qū)動(dòng)能力為最強(qiáng)。
[0047]接著如步驟S509所示，若檢測(cè)狀態(tài)器40接收到的比較信號(hào)CMPOUT表示測(cè)試電壓VZQ大于參考電壓VREF為是時(shí)，進(jìn)入步驟S511，檢測(cè)狀態(tài)器40判別電性連接狀態(tài)為連接外部電阻110的狀態(tài)，輸出檢測(cè)信號(hào)(D0UT〈0>=1)。若否，進(jìn)入步驟S513，檢測(cè)狀態(tài)器40判別電性連接狀態(tài)為連接接地電壓GND的狀態(tài)，輸出檢測(cè)信號(hào)(D0UT〈0>=0)。
[0048]綜上步驟S501至步驟S513，檢測(cè)狀態(tài)器40在確定連接外部電阻的狀態(tài)之前需使用兩次循環(huán)程序。在第一循環(huán)程序中設(shè)定模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力為最弱，而在第二循環(huán)程序中設(shè)定模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力為最強(qiáng)。匯整后的檢測(cè)機(jī)制如表1所示。
[0049]表1
[0050]
設(shè)定模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)設(shè)定模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力為最弱__動(dòng)能力為最強(qiáng)第一次比較信號(hào)芽二次比較信號(hào)判別電性連接狀態(tài)
_CMPQUT__CMPQUT__
不在乎連接工作電壓VDD
H
__(don，t care)__或浮置的狀態(tài)
連接接地電壓GND
L L___的狀態(tài)_L__H__連接外部電阻的狀態(tài)
[0051]圖6是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。請(qǐng)參閱圖6。半導(dǎo)體裝置600類似于圖1的半導(dǎo)體裝置100。模仿拉升驅(qū)動(dòng)器620可以增加驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)量，其中圖示的虛線圓圈表示可使用電阻或者不使用電阻。如圖6所示為N個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，因此可提供2°級(jí)至2N+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，其中此處的N可以為大于3的自然數(shù)。相應(yīng)地，檢測(cè)狀態(tài)器640可輸出控制信號(hào)P〈N:0>來(lái)控制模仿拉升驅(qū)動(dòng)器620的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作。
[0052]半導(dǎo)體裝置600還可包括模式寄存器組(mode register set) 650、輸出驅(qū)動(dòng)器660 及輸入 / 輸出端(input/output terminal, I/O terminal) 670。模式寄存器組 650 率禹接檢測(cè)狀態(tài)器640，而輸出驅(qū)動(dòng)器660耦接于模式寄存器組650與輸入/輸出端670之間。檢測(cè)狀態(tài)器640可將檢測(cè)信號(hào)DOUT存儲(chǔ)至模式寄存器組650。另外，可通過(guò)輸出驅(qū)動(dòng)器660的驅(qū)動(dòng)能力將存儲(chǔ)在模式寄存器組650的檢測(cè)信號(hào)DOUT通過(guò)輸入/輸出端670輸出至外部。
[0053]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)兩次循環(huán)程序來(lái)設(shè)定模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，如此一來(lái)可以判別半導(dǎo)體裝置的電阻端是否存在外接電阻，而在未接外接電阻的情況還可判別電阻端的電性連接狀態(tài)是否為連接工作電壓或浮置的狀態(tài)、或是連接接地電壓的狀態(tài)。
[0054]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 一電阻端，用以連接一外部電阻； 一模仿拉升驅(qū)動(dòng)器，耦接至一工作電壓與所述電阻端，所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器提供2°級(jí)至2N+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，其中N為自然數(shù)； 一比較器，反應(yīng)于一測(cè)試電壓與一參考電壓以輸出一比較信號(hào)，其中所述測(cè)試電壓產(chǎn)生于所述電阻端與所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的耦接之處；以及 一檢測(cè)狀態(tài)器，耦接至所述比較器的輸出端與所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器，其中所述檢測(cè)狀態(tài)器控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，并且根據(jù)所述比較信號(hào)來(lái)產(chǎn)生及輸出一檢測(cè)信號(hào)，所述檢測(cè)信號(hào)用以表示所述電阻端的一電性連接狀態(tài)為連接所述工作電壓或浮置的狀態(tài)、連接所述外部電阻的狀態(tài)或是連接一接地電壓的狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，每一所述驅(qū)動(dòng)單元包括: 一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其第一端耦接所述工作電壓，其控制端接收來(lái)自所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的一控制信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，每一所述驅(qū)動(dòng)單元還包括耦接所述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的第二端的一電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述檢測(cè)狀態(tài)器在檢測(cè)所述電性連接狀態(tài)時(shí)，控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行2°級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，若所述檢測(cè)狀態(tài)器接收到的所述比較信號(hào)表示所述測(cè)試電壓大于所述參考電壓時(shí)，所述檢測(cè)狀態(tài)器判別所述電性連接狀態(tài)為連接所述工作電壓或浮置的狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述檢測(cè)狀態(tài)器在控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器為20級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作而得知所述測(cè)試電壓小于所述參考電壓之后，所述檢測(cè)狀態(tài)器控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器改為進(jìn)行2N+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，所述檢測(cè)狀態(tài)器根據(jù)隨后接收到的所述比較信號(hào)，若隨后的所述比較信號(hào)表示所述測(cè)試電壓大于所述參考電壓時(shí)，所述檢測(cè)狀態(tài)器判別所述電性連接狀態(tài)為連接所述外部電阻的狀態(tài)，否則為連接所述接地電壓的狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還包括一模式寄存器組，耦接所述檢測(cè)狀態(tài)器，所述模式寄存器組用以存儲(chǔ)所述檢測(cè)信號(hào)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 一輸出驅(qū)動(dòng)器，耦接所述模式寄存器組；以及 一輸入/輸出端，耦接所述輸出驅(qū)動(dòng)器，其中通過(guò)所述輸出驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力將存儲(chǔ)在所述模式寄存器組的所述檢測(cè)信號(hào)通過(guò)所述輸入/輸出端輸出至外部。
8.一種半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，用以檢測(cè)所述半導(dǎo)體裝置的一電阻端的一電性連接狀態(tài)，其特征在于，所述檢測(cè)方法包括步驟: 提供一模仿拉升驅(qū)動(dòng)器、一比較器與一檢測(cè)狀態(tài)器，其中所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器提供2°級(jí)至2N+1-1級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，N為自然數(shù)，所述比較器反應(yīng)于一測(cè)試電壓與一參考電壓以輸出一比較信號(hào)，其中所述測(cè)試電壓產(chǎn)生于所述電阻端與所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的耦接之處；以及 所述檢測(cè)狀態(tài)器控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，并且根據(jù)所述比較信號(hào)來(lái)產(chǎn)生及輸出一檢測(cè)信號(hào)，其中所述檢測(cè)信號(hào)用以表示所述電性連接狀態(tài)為連接一工作電壓或浮置的狀態(tài)、連接一外部電阻的狀態(tài)或是連接一接地電壓的狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)狀態(tài)器控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作的步驟包括:控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行2°級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，若所述檢測(cè)狀態(tài)器接收到的所述比較信號(hào)表示所述測(cè)試電壓大于所述參考電壓時(shí)，判別所述電性連接狀態(tài)為連接所述工作電壓或浮置的狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)狀態(tài)器在控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器為2°級(jí)的驅(qū)動(dòng)動(dòng)作而得知所述測(cè)試電壓小于所述參考電壓之后，還包括所述檢測(cè)狀態(tài)器控制所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器改為進(jìn)行2N+1-1級(jí)之驅(qū)動(dòng)動(dòng)作，所述檢測(cè)狀態(tài)器根據(jù)隨后接收到的所述比較信號(hào)，若隨后的所述比較信號(hào)表示所述測(cè)試電壓大于所述參考電壓時(shí)，判別所述電性連接狀態(tài)為連接所述外部電阻的狀態(tài)，否則為連接所述接地電壓的狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述模仿拉升驅(qū)動(dòng)器耦接至一工作電壓。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)方法還包括將所述檢測(cè)信號(hào)存儲(chǔ)至一模式寄存器組。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還包括:一輸出驅(qū)動(dòng)器與一輸入/輸出端，通過(guò)所述輸出驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力將存儲(chǔ)在所述模式寄存器組的所述檢測(cè)信號(hào)通`過(guò)所述輸入/輸出端輸出至外部。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103675633SQ201210334880
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月11日
【發(fā)明者】張智翔 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司