一種磁鋼位移傳感器的制造方法
【專利摘要】一種磁鋼位移傳感器，它包括多個磁傳感器和輸出接口；還包括處理設(shè)備，處理設(shè)備上設(shè)置有多個傳感器插槽和接口插槽，用于安裝所述磁傳感器和輸出接口。采用上述結(jié)構(gòu)時，本發(fā)明能在與被檢測物不接觸的情況下很好的完成較弱磁場的檢測。
【專利說明】一種磁鋼位移傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電磁設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種磁鋼位移傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，位移傳感器主要分為接觸式和非接觸式兩種。接觸式位移傳感器主要為電位器簧片接觸式，接觸測量會對被測設(shè)備和測試設(shè)備造成損傷，降低傳感器的壽命。
[0003]非接觸式位移傳感器主要用到光、聲、磁等特性進行測量。用光的特性進行測量的設(shè)備具有受空間環(huán)境的光線影響大等缺點，用聲的特性進行測量的設(shè)備也由于聲波傳輸?shù)奶匦允軅鬏斀橘|(zhì)的影響誤差比較大。霍爾和舌簧管磁傳感器的靈敏度低，不能檢測較弱的磁場。而且當被測設(shè)備與測試設(shè)備在高度上相距過小時，如果遭遇被測設(shè)備偶然的上下震動，很容易與測試設(shè)備相撞，造成設(shè)備損傷，當相距過大時，則檢測不到磁場的變化，導(dǎo)致沒有輸出。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供的一種能檢測較弱磁場的非接觸式傳感器。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種磁鋼位移傳感器，它包括多個磁傳感器和輸出接口 ；還包括處理設(shè)備，處理設(shè)備上設(shè)置有多個傳感器插槽和接口插槽，用于安裝所述磁傳感器和輸出接口。
[0006]上述處理設(shè)備為單片機芯片及其外圍電路。
[0007]上述輸出接口為RS232、RS422、SP1、CAN等總線接口。
[0008]上述多個傳感器插槽呈一字形分布在處理設(shè)備上。
[0009]本發(fā)明取得了以下的技術(shù)效果:
采用上述結(jié)構(gòu)時，本發(fā)明能在與被檢測物不接觸的情況下很好的完成較弱磁場的檢測；
采用處理設(shè)備為單片機芯片及其外圍電路的結(jié)構(gòu)，能在降低裝置制造成本的基礎(chǔ)上很好的完成磁場的檢測功能；
采用輸出接口為RS232、RS422、SP1、CAN等總線接口的結(jié)構(gòu)，能滿足實際信號輸出時的需要;
采用多個傳感器插槽呈一字形分布在處理設(shè)備上的結(jié)構(gòu)，采用這種線性排列的方式，能擴大傳感器的感應(yīng)范圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0011]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012]如圖1所示一種磁鋼位移傳感器，它包括多個磁傳感器2和輸出接口 3 ;還包括處理設(shè)備1，處理設(shè)備I上設(shè)置有多個傳感器插槽和接口插槽，用于安裝所述磁傳感器2和輸出接口 3。
[0013]所述處理設(shè)備I為單片機芯片及其外圍電路。
[0014]所述輸出接口 3為RS232、RS422、SP1、CAN等總線接口。
[0015]所述多個傳感器插槽呈一字形分布在處理設(shè)備I上。
[0016]采用上述結(jié)構(gòu)時，當磁性物體在磁傳感器上方運動時，磁傳感器輸出開關(guān)信號，信號經(jīng)過處理設(shè)備進行信號處理后輸出相應(yīng)的模擬或數(shù)字信號，并由輸出接口輸出。
【權(quán)利要求】
1.一種磁鋼位移傳感器，其特征在于:它包括多個磁傳感器(2)和輸出接口(3)； 還包括處理設(shè)備(I )，處理設(shè)備(I)上設(shè)置有多個傳感器插槽和接口插槽，用于安裝所述磁傳感器(2)和輸出接口(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁鋼位移傳感器，其特征在于:所述處理設(shè)備(I)為單片機芯片及其外圍電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁鋼位移傳感器，其特征在于:所述輸出接口(3)為RS232、RS422、SP1、CAN 等總線接 口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁鋼位移傳感器，其特征在于:所述多個傳感器插槽呈一字形分布在處理設(shè)備(I)上。
【文檔編號】G01B7/02GK104330016SQ201310308079
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月22日
【發(fā)明者】于曉東 申請人:宜昌東方微磁科技有限責(zé)任公司