中心波長3800nm的火焰探測濾光片的制作方法
【專利摘要】本實用新型所設(shè)計的一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，提高火焰探測精度的中心波長3800nm的火焰探測濾光片，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該中心波長3800nm的火焰探測濾光片，其中心波長3800±40nm，其在火焰探測過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80％、帶寬=180±20nm，400～11000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。
【專利說明】中心波長3800nm的火焰探測濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及火焰探測濾光片領(lǐng)域，尤其是一種中心波長3800nm的火焰探測濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]在自然界，任何物體在絕對零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。濾光片過濾、截止可見光同時允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。濾光片的質(zhì)量直接影響探測的精度和靈敏度。由于任何物體都在發(fā)出紅外線，溫度越高，輻射的紅外線越強。在用于火焰探測中紅外濾光片可以通過指定的紅外線，因此對濾光片檢測的要求精度要高。就目前用于火焰探測中的濾光片，檢測精度不高、透過率和信噪比低，精度差，有時候出現(xiàn)誤測的現(xiàn)象，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，提高火焰探測精度的中心波長3800nm的火焰探測濾光片。[0004]為了達到上述目的，本實用新型所設(shè)計的中心波長3800nm的火焰探測濾光片，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:68nm厚度的Ge層、23Inm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層、138nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、344nm厚度的SiO層、82nm厚度的Ge層、166nm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、21 Inm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、363nm厚度的SiO層、122nm厚度的Ge層、42Inm厚度的SiO層、118nm厚度的Ge層、439nm厚度的SiO層、87nm厚度的Ge層、474nm厚度的SiO層、117nm厚度的Ge層、477nm厚度的SiO層、19nm厚度的Ge層和122nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:239nm厚度的Ge層、2127nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、912nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層和357nm厚度的SiO層。
[0005]上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0006]本實用新型所得到的中心波長3800nm的火焰探測濾光片，其中心波長3800 土 40nm，其在火焰探測過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片的峰值透過率 Tp≤ 80%、帶寬=180±20nm，400 ~IlOOOnm (除通帶外)，Tavg<0.5%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；[0008]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0009]下面通過實施例結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。
[0010]實施例1:
[0011]如圖1、圖2所示，本實施例描述的中心波長3800nm的火焰探測濾光片，包括以紅外石英為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:68nm厚度的Ge層、23Inm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層、138nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、344nm厚度的SiO層、82nm厚度的Ge層、166nm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、21 Inm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、363nm厚度的SiO層、122nm厚度的Ge層、42Inm厚度的SiO層、118nm厚度的Ge層、439nm厚度的SiO層、87nm厚度的Ge層、474nm厚度的SiO層、117nm厚度的Ge層、477nm厚度的SiO層、19nm厚度的Ge層和122nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:239nm厚度的Ge層、2127nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、912nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層和357nm厚度的SiO層。
【權(quán)利要求】
1.一種中心波長3800nm的火焰探測濾光片，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:68nm厚度的Ge層、231nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層、138nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、344nm厚度的SiO層、82nm厚度的Ge層、166nm厚度的SiO層、99nm厚度的Ge層、21 Inm厚度的SiO層、140nm厚度的Ge層、363nm厚度的SiO層、122nm厚度的Ge層、421nm厚度的SiO層、118nm厚度的Ge層、439nm厚度的SiO層、87nm厚度的Ge層、474nm厚度的SiO層、117nm厚度的Ge層、477nm厚度的SiO層、19nm厚度的Ge層和122nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:239nm厚度的Ge層、2127nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、228nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、912nm厚度的Ge層、532nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層和357nm厚度的SiO層。
【文檔編號】G01J5/08GK203551826SQ201320777872
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】呂晶, 王繼平, 劉晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司