變頻器的調(diào)試方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┳冾l器的調(diào)試方法，所述方法包括：控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)；控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)；控制所述中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)；檢測(cè)處于使能狀態(tài)的所述中斷是否滿足使能條件；當(dāng)所述中斷滿足使能條件時(shí)，執(zhí)行所述中斷。
【專利說明】變頻器的調(diào)試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及空調(diào)控制技術(shù)，尤其是涉及變頻器的調(diào)試方法。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的調(diào)試過程通過在程序中設(shè)置斷點(diǎn)，可以讓微控制單元(Micro ControlUnit,MCU)在中斷處停下來，然后再觀察各個(gè)變量，如觀察邏輯變量的值、單步運(yùn)行、查看程序的走向等等，甚至借助示波器觀察輸入/輸出端口的電平狀態(tài)，從而很方便的觀察電路輸入/輸出信號(hào)的波形。
[0003]但是，若采用上述調(diào)試方法，存在如下問題:在變頻器的調(diào)試過程中，由于變頻器的硬件電路中包括絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transisitor, IGBT),通常包括六只上下互補(bǔ)的IGBT。首先，不管是上橋臂中的任一只IGBT，還是下橋臂中的任一只IGBT，其導(dǎo)通時(shí)間都有嚴(yán)格的限制，因此，就不能簡單的在程序運(yùn)行過程中讓MCU停下來進(jìn)行調(diào)試，否則，會(huì)造成IGBT燒壞。另外，上下互補(bǔ)的兩只IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，需要在其中實(shí)時(shí)插入死區(qū)，其也需要嚴(yán)格的控制，同樣，若簡單的在程序運(yùn)行過程中讓MCU停下來進(jìn)行調(diào)試，就會(huì)造成上下橋臂短路，進(jìn)而燒壞上下橋臂中的IGBT。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中直接利用斷點(diǎn)對(duì)變頻器進(jìn)行調(diào)試，會(huì)燒壞 IGBT。
[0005]為克服上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┳冾l器的調(diào)試方法，所述方法包括:
[0006]控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)；
[0007]控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)；
[0008]控制所述中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)；
[0009]檢測(cè)處于使能狀態(tài)的所述中斷是否滿足使能條件；
[0010]當(dāng)所述中斷滿足使能條件時(shí)，執(zhí)行所述中斷。
[0011]進(jìn)一步的，所述控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，具體為:
[0012]通過切斷用于控制電路中的IGBT的P麗波，以控制IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
[0013]進(jìn)一步的，在執(zhí)行所述中斷之后，還包括:
[0014]在預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)后，控制電路中的IGBT由關(guān)斷狀態(tài)調(diào)整為導(dǎo)通狀態(tài)。
[0015]進(jìn)一步的，所述預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間為3分鐘。
[0016]進(jìn)一步的，當(dāng)電路中包括三組IGBT，且每組IGBT包括上下互補(bǔ)的兩只IGBT時(shí)，所述控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，具體為:
[0017]控制所述三組IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
[0018]進(jìn)一步的，所述電路中的IGBT包括控制功率因數(shù)的IGBT。
[0019]本發(fā)明的有益效果是:通過先將電路中的IGBT關(guān)斷，再利用中斷進(jìn)行調(diào)試，避免了直接利用中斷調(diào)試而造成IGBT燒壞的情況，使得調(diào)試過程更安全可靠。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明變頻器的調(diào)試方法的工作流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021 ] 下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]在本申請(qǐng)中，變頻器的調(diào)試方法，所述方法包括:控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)；控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)；控制所述中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)；檢測(cè)處于使能狀態(tài)的所述中斷是否滿足使能條件；當(dāng)所述中斷滿足使能條件時(shí)，執(zhí)行所述中斷。
[0023]通過先將電路中的IGBT關(guān)斷，再利用中斷進(jìn)行調(diào)試，避免了直接利用中斷調(diào)試而造成IGBT燒壞的情況，使得調(diào)試過程更安全可靠。
[0024]在本申請(qǐng)中，變頻器的調(diào)試方法，如圖1所示，包括:
[0025]步驟101:控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)；
[0026]步驟102:控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
[0027]在具體實(shí)施過程中，當(dāng)進(jìn)入調(diào)試過程，首先控制調(diào)試過程中的所有中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)，以確保在控制IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)之前，中斷不會(huì)得到執(zhí)行。接著，在控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)之后，控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，通過對(duì)電路中的IGBT關(guān)斷，避免了調(diào)試過程中燒壞IGBT。優(yōu)選的，所述電路中的IGBT包括控制功率因數(shù)(Power FactorCorrect1n, PFC)的IGBT，在本申請(qǐng)中，甚至關(guān)斷控制PFC的IGBT，從而避免控制PFC的IGBT也被燒壞。具體的，
[0028]具體的，當(dāng)電路中的IGBT是利用PWM波進(jìn)行控制的，通過切斷用于控制電路中的IGBT的PWM波，以控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
[0029]進(jìn)一步的，通常，變頻器的硬件電路包括三組IGBT，其中，每組IGBT包括上下互補(bǔ)的兩只IGBT，共六只IGBT。因此，步驟102可以具體為:控制所述三組IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的電路情況，對(duì)電路中的IGBT進(jìn)行關(guān)斷，如實(shí)際電路中包含兩組IGBT，則關(guān)斷的可為電路中的兩組IGBT。
[0030]在本申請(qǐng)中，在完成步驟102之后，執(zhí)行:
[0031]步驟103:控制所述中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)；
[0032]步驟104:檢測(cè)處于使能狀態(tài)的所述中斷是否滿足使能條件；
[0033]步驟105:當(dāng)所述中斷滿足使能條件時(shí)，執(zhí)行所述中斷。
[0034]在具體實(shí)施過程中，在關(guān)斷IGBT后，恢復(fù)中斷的使能，將中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)，從而，當(dāng)中斷滿足使能條件時(shí)，能夠得到執(zhí)行。關(guān)斷IGBT之后，能夠進(jìn)行調(diào)試，如觀察邏輯變量的值、單步運(yùn)行、查看程序的走向等等。
[0035]進(jìn)一步的，在本申請(qǐng)中，在步驟105之后，還可以包括步驟:
[0036]在預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)后，控制電路中的IGBT由關(guān)斷狀態(tài)調(diào)整為導(dǎo)通狀態(tài)。
[0037]為確保IGBT不受執(zhí)行的中斷的影響而導(dǎo)通，在預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)后，再控制電路中的IGBT由關(guān)斷狀態(tài)調(diào)整為導(dǎo)通狀態(tài)。優(yōu)選的，經(jīng)過3分鐘后，再控制IGBT導(dǎo)通。
【權(quán)利要求】
1.變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，所述方法包括: 控制中斷處于禁止?fàn)顟B(tài)； 控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)； 控制所述中斷由禁止?fàn)顟B(tài)調(diào)整為使能狀態(tài)； 檢測(cè)處于使能狀態(tài)的所述中斷是否滿足使能條件； 當(dāng)所述中斷滿足使能條件時(shí)，執(zhí)行所述中斷。
2.如權(quán)利要求1所述的變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，所述控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，具體為: 通過切斷用于控制電路中的IGBT的PWM波，以控制IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，在執(zhí)行所述中斷之后，還包括: 在預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)后，控制電路中的IGBT由關(guān)斷狀態(tài)調(diào)整為導(dǎo)通狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求3所述的變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)時(shí)間為3分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，當(dāng)電路中包括三組IGBT，且每組IGBT包括上下互補(bǔ)的兩只IGBT時(shí)，所述控制電路中的IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，具體為: 控制所述三組IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的變頻器的調(diào)試方法，其特征在于，所述電路中的IGBT包括控制功率因數(shù)的IGBT。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK104237691SQ201410484443
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】陳躍, 涂小平, 劉啟武, 王聲綱 申請(qǐng)人:四川長虹電器股份有限公司