微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，包括透明活性基底以及支撐在所述透明活性基底上的微流通道結(jié)構(gòu)層，在所述微流通道結(jié)構(gòu)層內(nèi)設(shè)置若干檢測(cè)微流道，所述檢測(cè)微流道與微流通道結(jié)構(gòu)層上的入液口以及出液口相連通；透明活性基底與檢測(cè)微流道相對(duì)應(yīng)的區(qū)域表面上均設(shè)置有金屬納米森林結(jié)構(gòu)，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)位于入液口與出液口之間。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊，能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的一致性，縮短檢測(cè)時(shí)間，能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的信噪比，能實(shí)現(xiàn)對(duì)多種物質(zhì)的同時(shí)實(shí)時(shí)檢測(cè)，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。
【專利說明】微流控表面増強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，尤其是一種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體器件的【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]基于拉曼散射光譜的檢測(cè)技術(shù)是一種不需要對(duì)待檢測(cè)樣品進(jìn)行標(biāo)記的物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析手段，具有非破壞性、無需接觸等特點(diǎn)。隨著激光技術(shù)和弱信號(hào)探測(cè)接收技術(shù)的發(fā)展，作為一種可實(shí)現(xiàn)物質(zhì)結(jié)構(gòu)分子水平檢測(cè)的手段，拉曼散射光譜檢測(cè)技術(shù)有望在生物檢測(cè)、疾病診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)分析等領(lǐng)域獲得實(shí)際和廣泛的應(yīng)用。然而，由于拉曼散射截面小，拉曼散射光譜檢測(cè)的分析靈敏度低，很多分子或者基團(tuán)的拉曼光譜很難獲得。雖然通過提高激勵(lì)激光功率可以在一定程度上提高拉曼散射光譜的強(qiáng)度，但對(duì)于生物樣品，強(qiáng)度太大的激光會(huì)破壞樣品的生物活性，因此很多應(yīng)用轉(zhuǎn)而利用了表面增強(qiáng)拉曼散射效應(yīng)來提高樣品的拉曼散射光譜強(qiáng)度。
[0003]表面增強(qiáng)拉曼散射效應(yīng)是指粗糙的貴金屬表面在入射光激發(fā)的情況下增強(qiáng)吸附在其表面的物質(zhì)分子的拉曼散射光譜信號(hào)的一種現(xiàn)象。分子拉曼散射信號(hào)的增強(qiáng)來源于粗糙表面在光照射下所產(chǎn)生的表面電子振蕩，當(dāng)入射光的頻率與金屬自身的等離子體的頻率相匹配時(shí)，電子振蕩達(dá)到最大，于是在金屬表面產(chǎn)生一個(gè)與入射光頻率相同的附加局域電磁場(chǎng)，它所覆蓋的區(qū)域存在著入射光和表面等離子體被激發(fā)后疊加在一起的電磁場(chǎng)。由于分子的拉曼散射源于分子自身的極化與外界電場(chǎng)的相互作用，所以處在這個(gè)疊加電場(chǎng)中的分子除了受原入射電磁場(chǎng)的作用外還受這個(gè)局域增強(qiáng)電磁場(chǎng)的作用，因此激發(fā)出的拉曼散射信號(hào)也相應(yīng)地得到了加強(qiáng)。與普通拉曼散射光譜信號(hào)相比，表面增強(qiáng)拉曼散射信號(hào)的強(qiáng)度有多個(gè)量級(jí)的增強(qiáng)，甚至可以實(shí)現(xiàn)對(duì)單分子拉曼散射信號(hào)的探測(cè)。
[0004]截至目前，已經(jīng)報(bào)道了多種多樣的基于納米粗糙面或納米結(jié)構(gòu)的開放式表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底的制備方法，包括溶膠顆粒法、金屬電極的電化學(xué)氧化還原法、金屬納米小球排布法、氣液固化學(xué)生長(zhǎng)法及物理化學(xué)刻蝕法等等。在這些開放式活性基底上尤其是在納米粗糙面或納米結(jié)構(gòu)上分布待測(cè)試劑時(shí)，一般采用浸泡-蒸發(fā)法和滴定-蒸發(fā)法。當(dāng)采用浸泡-蒸發(fā)法時(shí)，可以在開放式活性基底的納米粗糙面或納米結(jié)構(gòu)上均勻吸附一層待分析物分子，但是這種方法所需要的試劑劑量大，同時(shí)浸泡耗費(fèi)的時(shí)間往往需要幾個(gè)小時(shí)甚至更長(zhǎng)。當(dāng)采用滴定-蒸發(fā)法分布待分析物時(shí)，所需的試劑劑量在水平方向上只需要覆蓋活性基底整個(gè)表面，但其高度可能達(dá)到毫米量級(jí)，因此試劑用量仍舊較大；且該方法也同樣需要耗費(fèi)較長(zhǎng)的溶劑蒸發(fā)時(shí)間；此外，采用該方法在開放式活性基底上分布分子時(shí)，由于咖啡環(huán)效應(yīng)等因素的影響，分子在活性基底上的分布不能達(dá)到很好的均勻性，從而影響所檢測(cè)到的拉曼散射信號(hào)的一致性；另外，從應(yīng)用角度上說，采用蒸發(fā)法分布待分析物分子不適用于對(duì)液體環(huán)境有特殊要求的生物分子的活體檢測(cè)。
[0005]微流控表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)器件可以實(shí)現(xiàn)液體環(huán)境中的分子在片檢測(cè)，具有測(cè)量一致性高，測(cè)試時(shí)間短等顯著優(yōu)點(diǎn)。但已報(bào)道的微流控SERS (Surface-enhanced Ramanscattering)檢測(cè)器件其制備流程復(fù)雜，所涉及的工藝步驟繁多，且其活性基底一般采用可見光不透明的材料制備得到，繼而在對(duì)較大尺寸物質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，激光從正面進(jìn)入器件，卻往往因?yàn)楸粶y(cè)物質(zhì)覆蓋納米森林結(jié)構(gòu)導(dǎo)致激光無法透過該物質(zhì)順利到達(dá)納米森林結(jié)構(gòu)，從而使器件的檢測(cè)失效。另外，已報(bào)道的微流控SERS檢測(cè)器件因?yàn)镾ERS活性基底以外用于鍵合的鍵合區(qū)域在整個(gè)流程中一直暴露于材料沉積、物理刻蝕等步驟中，導(dǎo)致該區(qū)域表面粗糙度大，難以實(shí)現(xiàn)有效鍵合。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，其結(jié)構(gòu)緊湊，能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的一致性，縮短檢測(cè)時(shí)間，能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的信噪比，能實(shí)現(xiàn)對(duì)多種物質(zhì)的同時(shí)實(shí)時(shí)檢測(cè)，還可實(shí)現(xiàn)對(duì)大分子、高分子以及結(jié)晶類物質(zhì)的實(shí)現(xiàn)檢測(cè)，具有適應(yīng)范圍廣，安全可靠的特點(diǎn)。
[0007]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，包括透明活性基底以及支撐在所述透明活性基底上的微流通道結(jié)構(gòu)層，在所述微流通道結(jié)構(gòu)層內(nèi)設(shè)置若干檢測(cè)微流道，所述檢測(cè)微流道與微流通道結(jié)構(gòu)層上的入液口以及出液口相連通；透明活性基底與檢測(cè)微流道相對(duì)應(yīng)的區(qū)域表面上均設(shè)置有金屬納米森林結(jié)構(gòu)，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)位于入液口與出液口之間。
[0008]所述透明活性基底和納米森林結(jié)構(gòu)為對(duì)用于產(chǎn)生拉曼光譜信號(hào)的激光可透過，透過率的范圍為20%-100%。
[0009]所述檢測(cè)微流道在同一個(gè)微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)中的數(shù)量為2-20 條。
[0010]所述金屬層的厚度為5~30nm，納米森林結(jié)構(gòu)中每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的直徑小于300nm，每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的高度為100nm~2 μπι。
[0011]一種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，所述拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟:
a、提供透明活性基底，在所述透明活性基底上通過間隙引入非均勻刻蝕的方法設(shè)置若干金屬納米森林結(jié)構(gòu)；
b、提供微通道基板，并利用所述微通道基板制備得到微流通道結(jié)構(gòu)層，所述微流通道結(jié)構(gòu)層內(nèi)具有與金屬納米森林結(jié)構(gòu)數(shù)量相一致的檢測(cè)微流道，檢測(cè)微流道與微流通道結(jié)構(gòu)層上的入液口與出液口相連通；
C、將上述透明活性基底與微流通道結(jié)構(gòu)層對(duì)準(zhǔn)鍵合，微流通道結(jié)構(gòu)層支撐在透明活性基底上，且所述檢測(cè)微流道位于金屬納米森林結(jié)構(gòu)的正上方。
[0012]所述入液口內(nèi)設(shè)有入液管，在出液口內(nèi)設(shè)有出液管。
[0013]所述步驟b中，微流通道結(jié)構(gòu)層的材料為聚二甲基硅氧烷時(shí)，微流通道結(jié)構(gòu)層通過如下步驟制備得到:
2_a、提供第一微通道基板，并在所述第一微通道基板表面涂覆光刻膠，且對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，以得到所需的光刻膠圖形；
2_b、利用第一微通道基板上的光刻膠圖形為掩膜，對(duì)所述第一微通道基板進(jìn)行各向異性刻蝕，去除第一微通道基板上的光刻膠圖形，以在所述第一微通道基板上得到微流通道模具；
2-c、以聚二甲基硅氧烷為材料的預(yù)聚體澆注在上述第一微通道基板上，使聚二甲基硅氧烷的預(yù)聚體交聯(lián)固化，以在第一微通道基板上得到聚合體；將上述聚合體從第一微通道基板上剝離，聚合體內(nèi)與微流通道模具相對(duì)應(yīng)的位置形成檢測(cè)微流道，在所述檢測(cè)微流道的兩端制備與所述檢測(cè)微流道相連通的聚合體開口。
[0014]所述步驟b中，微流通道結(jié)構(gòu)層的材料為硅或玻璃時(shí)，微流通道結(jié)構(gòu)層通過如下步驟制備得到:
2_a’、提供第二微通道基板，并在所述第二微通道基板的表面旋涂光刻膠，并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以在第二微通道基板上得到所需的光刻膠圖形；
2-b’、以上述第二微通道基板上的光刻膠圖形為掩膜，對(duì)第二微通道基板進(jìn)行各向異性刻蝕，在去除第二微通道基板上的光刻膠圖形后，得到所需的檢測(cè)微通道；
2-c’、在每個(gè)檢測(cè)微通道的兩端設(shè)置入液口以及出液口，以得到微通道結(jié)構(gòu)層。
[0015]所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)的寬度不大于所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)正上方的檢測(cè)微流道的寬度；金屬納米森林結(jié)構(gòu)的高度方向垂直于透明活性基底；
所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)包括納米森林結(jié)構(gòu)以及覆蓋在所述納米森林結(jié)構(gòu)上的金屬層，所述金屬層的材料為金、鉑或銀。
[0016]所述透明活性基底的材料包括玻璃，玻璃的厚度為200 μ m-2mm。
[0017]本發(fā)明由于采取以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、利用檢測(cè)微流道與金屬納米森林結(jié)構(gòu)配合實(shí)現(xiàn)被檢測(cè)試劑在表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底上的均勻分布，從而提高了表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的一致性，較浸泡-蒸發(fā)法和滴定-蒸發(fā)法的檢測(cè)時(shí)間顯著縮短；
2、采用檢測(cè)微流道在實(shí)現(xiàn)待分析物分子均勻分布的基礎(chǔ)上可有效減少甚至避免測(cè)試環(huán)境引入的噪聲，提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的信噪比，從而可有效保障器件檢測(cè)信號(hào)的一致性；
3、采用透明活性基底，激光可以從透明活性基底的背面入射到檢測(cè)器件中，進(jìn)而可以不受被測(cè)分子或物質(zhì)尺寸的影響，獲得良好的檢測(cè)結(jié)果。
[0018]4、可通過設(shè)計(jì)不同的檢測(cè)微流道，制作一對(duì)或多對(duì)入液口、出液口，可用于一種待分析物分子的測(cè)試或不同待分析物混合和反應(yīng)前后的信號(hào)檢測(cè)與對(duì)比。
[0019]5、可通過在透明第一基片上設(shè)計(jì)多組金屬納米森林結(jié)構(gòu)的圖形區(qū)域，并通過制作多個(gè)檢測(cè)微流道，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)多種物質(zhì)的同片實(shí)時(shí)檢測(cè)。
[0020]總之，本發(fā)明所制備的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件，可廣泛應(yīng)用于生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域檢測(cè)液體待分析物和/或膠體待分析物和/或氣體待分析物。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1~圖12為本發(fā)明實(shí)施例1的具體實(shí)施步驟剖視圖，其中圖1為本發(fā)明對(duì)第一基片清洗后的剖視圖。
[0022]圖2為本發(fā)明利用第二基片得到鏤空基片后的剖視圖。
[0023]圖3為本發(fā)明第一基片與鏤空基片粘貼后的剖視圖。
[0024]圖4為本發(fā)明進(jìn)行各向異性刻蝕的剖視圖。
[0025]圖5為本發(fā)明在第一基片上得到納米森林結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0026]圖6為本發(fā)明得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0027]圖7為本發(fā)明得到透明活性體后的剖視圖。
[0028]圖8為本發(fā)明對(duì)第一微流通道基板清洗后的剖視圖。
[0029]圖9為本發(fā)明得到微流通道模具后的剖視圖。
[0030]圖10為本發(fā)明澆注預(yù)聚體后的剖視圖。
[0031]圖11為本發(fā)明得到聚合體后的剖視圖。
[0032]圖12為本發(fā)明將第一微流通道結(jié)構(gòu)體與透明活性體鍵合后的剖視圖。
[0033]圖13~圖15為本發(fā)明實(shí)施例2的具體實(shí)施步驟剖視圖，其中圖13為本發(fā)明第二微流通道基板清洗后的剖視圖。
[0034]圖14為本發(fā)明形成第二微流通道結(jié)構(gòu)體后的剖視圖。
[0035]圖15為本發(fā)明將第二微流通道結(jié)構(gòu)體與透明活性體鍵合后的剖視圖。
[0036]圖16為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]附圖標(biāo)記說明:101-第一基片、201-第二基片、202-第一基片相似材料層、203-穿通結(jié)構(gòu)、301-粘貼膠帶、302-引入距離、401-刻蝕氣體等離子體、501-納米森林結(jié)構(gòu)、601-金屬納米森林結(jié)構(gòu)、602-基片金屬層、701-透明活性體、801-第一微流通道基板、901-微流通道模具、1001-預(yù)聚體、1101-聚合體、1102-聚合體開口、1201-檢測(cè)微流道、1202-第一微流通道結(jié)構(gòu)體、1301-第二微流通道基板、1401-第二微流通道結(jié)構(gòu)體、1601-入液口、1602-入液管、1603-出液口、1604-出液管、1605-透明活性基底以及1606-微流通道結(jié)構(gòu)層。

【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0039]如圖16所示:為了能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的一致性，縮短檢測(cè)時(shí)間，能提高表面增強(qiáng)拉曼散射檢測(cè)信號(hào)的信噪比，能實(shí)現(xiàn)對(duì)多種物質(zhì)的同時(shí)實(shí)時(shí)檢測(cè)，本發(fā)明包括透明活性基底1605以及支撐在所述透明活性基底1605上的微流通道結(jié)構(gòu)層1606，在所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606內(nèi)設(shè)置若干檢測(cè)微流道1201，所述檢測(cè)微流道1201與微流通道結(jié)構(gòu)層1606上的入液口 1601以及出液口 1603相連通；透明活性基底1605與檢測(cè)微流道1201相對(duì)應(yīng)的區(qū)域表面上均設(shè)置有金屬納米森林結(jié)構(gòu)601，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601位于入液口 1601與出液口 1603之間。
[0040]具體地，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的寬度不大于所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601正上方的檢測(cè)微流道1201的寬度；金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的高度方向垂直于透明活性基底1605。所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601包括納米森林結(jié)構(gòu)501以及覆蓋在所述納米森林結(jié)構(gòu)501上的金屬層，所述金屬層的材料為金、鉑或銀。所述金屬層的厚度為5~30nm，納米森林結(jié)構(gòu)501中每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的直徑小于300nm，每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的高度為100nm~2 μπι。
[0041]所述檢測(cè)微流道1201的寬度為1mm，深度為10-50 μπι，優(yōu)選20 μπι或50 μπι。透明活性基底1605與微流通道結(jié)構(gòu)層1606共同構(gòu)成器件結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度為10mm，一般地，微流通道結(jié)構(gòu)層1606內(nèi)設(shè)置2~20條檢測(cè)微流道1201。所述器件結(jié)構(gòu)的寬度由所設(shè)置的檢測(cè)微流通道1201的數(shù)量決定，隨著數(shù)量的增大，所述器件的寬度可相應(yīng)增寬。在檢測(cè)時(shí)，激光能從透明活性基底1605下表面入射，為了提高檢測(cè)效果，即所述透明活性基底1605和納米森林結(jié)構(gòu)501為對(duì)用于產(chǎn)生拉曼光譜信號(hào)的激光可透過，透過率的范圍為20%-100%。
[0042]在檢測(cè)時(shí)，在入液口 1601內(nèi)放置入液管1602，在出液口 1603內(nèi)置入出液管1604，以通過入液管1602向檢測(cè)微流道1201內(nèi)注入被測(cè)試劑，且能通過出液管1604流出。
[0043]具體檢測(cè)時(shí)，將被測(cè)試劑通過注射器從插置于入液口 1601內(nèi)的入液管1602壓入檢測(cè)微流道1201內(nèi)，被測(cè)試劑會(huì)從入液口 1601向出液口 1603的方向流動(dòng)；被測(cè)試劑中所含的物質(zhì)或分子隨著流體的流動(dòng)在檢測(cè)微流道1201內(nèi)會(huì)實(shí)現(xiàn)均勻分布，因?yàn)闄z測(cè)微流道1201的底部為金屬納米森林結(jié)構(gòu)601，所以被測(cè)試劑所含的物質(zhì)或分子在靜置幾分鐘之后會(huì)沉降到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的表面。
[0044]由于被測(cè)試劑中所含物質(zhì)或分子有可能存在較大的尺寸，當(dāng)其覆蓋金屬納米森林結(jié)構(gòu)601后，從正面入射的激光無法穿透該物質(zhì)或分子到達(dá)金屬納米森林結(jié)構(gòu)601表面，因此，無法產(chǎn)生表面等離子體振蕩效應(yīng)。本發(fā)明實(shí)施例中，為了能夠?qū)崿F(xiàn)檢測(cè)，可以從透明活性基底1605的底面入射激光，所述透明活性基底1605的底面即為與微流通道結(jié)構(gòu)層1606相連的另一面，透明活性基底1605的透明材質(zhì)能保證入射的激光穿透透明活性基底1605到達(dá)金屬納米森林結(jié)構(gòu)601。
[0045]具體過程為:將器件的透明活性基底1605面朝上放置于拉曼散射光譜激光光路路徑內(nèi)，激光穿透透明活性基1605到達(dá)金屬納米森林結(jié)構(gòu)601，產(chǎn)生表面等離子體振蕩效應(yīng)。由于被測(cè)物質(zhì)或分子被吸附于金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的表面，因此表面等離子體振蕩效應(yīng)對(duì)其有效，繼而可測(cè)試得到SERS譜線，由譜線中的峰所在位置對(duì)應(yīng)的波數(shù)獲得被測(cè)試劑中所含物質(zhì)或分子的成分，由峰的強(qiáng)度得到物質(zhì)或分子的濃度。
[0046]上述的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，可以通過下述實(shí)施例1以及實(shí)施例2的具體工藝步驟得到，下述實(shí)施例中所述實(shí)驗(yàn)方法，如無特殊說明，均為常規(guī)方法；所述試劑和材料，如無特殊說明，均可從商業(yè)途徑獲得。
[0047]實(shí)施例1
第一基片101采用玻璃材料，第二基片201為玻璃片；第一微流通道基板801采用單晶硅片；所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606材料為聚二甲基硅氧烷。其中，第一基片101用于最終在其表面得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601 ;第二基片201用于實(shí)現(xiàn)鏤空結(jié)構(gòu)；第一微流通道基板801用于制作微流通道模具901。具體步驟為:
步驟1、在第一基片101上制備基于金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底，即制備得到透明活性基底1605，透明活性基底1605上至少設(shè)置一個(gè)金屬納米森林結(jié)構(gòu)601。
[0048]其具體步驟為:
Ι-a、準(zhǔn)備并清洗第一基片101、第二基片201和第一微流通道基板801 ；
在結(jié)構(gòu)加工之前，準(zhǔn)備第一基片101、第二基片201和第一微流通道基板801，并進(jìn)行清洗。如圖1所示為準(zhǔn)備的第一基片101，圖8所示為準(zhǔn)備的第一微流通道基板801，并對(duì)其進(jìn)行清洗后的結(jié)果。
[0049]Ι-b、在所述第二基片201上設(shè)置穿通結(jié)構(gòu)203，并在第二基片201下表面設(shè)置第一基片相似材料層202，以形成鏤空基片； 如圖2所示，通過激光打孔的方法在第二基片201上形成穿通結(jié)構(gòu)203，穿通結(jié)構(gòu)203為貫通第二基片201的通孔，穿通結(jié)構(gòu)203的寬度為60 μm~500 μm，優(yōu)選120 μπι。隨后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)在第二基片201的上表面淀積一層非晶硅作為第一基片相似材料層202，所述非晶硅層的厚度為0.5ym~3ym?因穿通結(jié)構(gòu)203開口較大，所以PECVD的非晶硅不會(huì)填堵開口使之閉合。PECVD方法制備非晶硅的條件為:壓強(qiáng)為2300mTorr，氣體流量為硅烷30sccm，工作頻率為13MHz，功率為15W。
[0050]1-c、將上述鏤空基片以第一基片相似材料層202面朝下粘貼到所述第一基片101上，通過粘貼膠帶301使第一基片101上表面和鏤空基片下表面之間引入一定的距離；
如圖3所示，將以上得到的鏤空基片以第一基片相似材料層202面朝下粘貼到第一基片101上，粘貼過程中，使第一基片101與第二基片201的對(duì)準(zhǔn)邊相互對(duì)準(zhǔn)，基片邊緣亦相互對(duì)準(zhǔn)；用粘貼膠帶301粘貼兩層基片時(shí)在兩表面之間引進(jìn)一定的距離，即在第二基片201與第一基片101之間形成一段距離，即引入距離302，此引入距離302將改變刻蝕氣體等離子體在通孔內(nèi)不同位置的濃度。
[0051]Ι-d、采用各向異性刻蝕技術(shù)穿過所述鏤空基片上的穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)所述第一基片101上表面進(jìn)行刻蝕，在第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成納米森林結(jié)構(gòu)501 ；
如圖4和圖5所示，采用各向異性RIE技術(shù)穿過所述鏤空基片上的穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)第一基片101表面進(jìn)行刻蝕，得到玻璃材料的納米森林結(jié)構(gòu)501。所得到的玻璃材料的納米森林結(jié)構(gòu)501高度為200nm-2 μ m，優(yōu)選I μ m。RIE第一基片101時(shí)采用的氣體為Ar/CF4/CHFJg合氣體，流量為300/15/35sccm，RF功率為450W，腔體壓力設(shè)為250mTorr，刻蝕時(shí)間為 30-180s，優(yōu)選 60s。
[0052]Ι-e、在所述粘貼了鏤空基片的第一基片101上濺射金屬材料；
如圖6所示，在所述粘貼了鏤空基片的第一基片101上濺射金屬材料，所述金屬層為Ag，厚度為5-30nm，優(yōu)選10nm。由于鏤空基片的存在，相當(dāng)于在第一基片101上設(shè)置了掩模層，使得僅在納米森林結(jié)構(gòu)501的表面上覆蓋金屬層，形成金屬納米森林結(jié)構(gòu)601，而在第一基片101上表面的其余位置不覆蓋金屬材料，也即形成了金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的圖形化。在第二基片201上形成基片金屬層602。
[0053]Ι-f、將所述鏤空基片從濺射金屬層后的所述第一基片101上表面揭除，在第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601。
[0054]如圖7所示，將所述鏤空基片從實(shí)現(xiàn)了圖形化金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的所述第一基片101上表面揭除，在所述第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的圖形，繼而得到表面增強(qiáng)拉曼散射透明基底，即得到透明活性體701，利用透明活性體701能形成后續(xù)的透明活性基底1605。
[0055]步驟2、制備含有至少一個(gè)檢測(cè)微流通道1201的微流通道結(jié)構(gòu)層1606 ;其中，所述每個(gè)檢測(cè)微流通道1201的寬度不小于所述步驟I所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601在所述透明活性基底1605上占據(jù)的寬度；
制備微流通道結(jié)構(gòu)層1606包括如下步驟:
2-a、在第一微流通道基板801表面旋涂一層光刻膠后，對(duì)所得光刻膠層進(jìn)行前烘處理，然后在所述光刻膠層上曝光，顯影后得到與所述步驟l_b所述穿通結(jié)構(gòu)203相對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形；
2_b、以所述步驟2-a所得光刻膠圖形為掩模，對(duì)所述第一微流通道基板801進(jìn)行各向異性刻蝕，然后除去所述第一微流通道基板801上的光刻膠圖形，得到微流通道模具901 ;
如圖9所示，在第一微流通道基板801的單晶硅片上表面旋涂一層光刻膠后，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行前烘處理，然后在所述光刻膠層上曝光，顯影后得到與所述步驟ι-b所述穿通結(jié)構(gòu)203相對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形；此后，以所述光刻膠圖形為掩模，對(duì)所述第一微流通道基板801進(jìn)行各向異性刻蝕；利用氧等離子體干法去膠與硫酸/雙氧水濕法去膠相結(jié)合的方法去除第一微流通道基板801表面的光刻膠，得到微流通道模具901。本發(fā)明實(shí)施例中，前烘的主要目的是將膠烘干，用于曝光，前烘的具體工藝條件為本【技術(shù)領(lǐng)域】人員所熟知，此處不再贅述。
[0056]2-c、以聚二甲基硅氧烷材料的預(yù)聚體1001澆注所述步驟2-b所得微流通道模具901，使聚二甲基硅氧烷交聯(lián)固化，得到聚二甲基硅氧烷的聚合體1101，然后將聚二甲基硅氧烷的聚合體1101從所述微流通道模具901上剝離，并在每個(gè)微流通道相應(yīng)位置制作至少一對(duì)聚合體開口 1102，得到所述含有至少一個(gè)檢測(cè)微流通道1201的微流通道結(jié)構(gòu)層1606 ；
如圖10和圖11所示，將所述帶有微流通道模具901的第一微流通道基板801置于預(yù)定體積的容器中，將充分混合并已去除氣泡的聚二甲基硅氧烷的預(yù)聚體1001倒在該模具上，在60°C的烘箱中烘焙60分鐘使聚二甲基硅氧烷交聯(lián)固化，得到聚二甲基硅氧烷的聚合體1101，再將帶有檢測(cè)微流通道1201的聚二甲基硅氧烷聚合體1101從第一微流通道基板801上剝離，并在每個(gè)微流通道相應(yīng)位置通過機(jī)械打孔的方式制作至少一對(duì)聚合體開口 1102，得到所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606。本發(fā)明實(shí)施例中，聚合體1101與微流通道模具901相對(duì)應(yīng)的位置能形成檢測(cè)微流通道1201，聚合體開口 1102包括入液口 1601以及出液口 1603，入液口 1601、出液口 1603分別位于形成檢測(cè)微流通道1201的兩端，并與所述檢測(cè)微流通道1201相連通。此時(shí)，聚合體1101形成第一微流通道結(jié)構(gòu)體1202，通過第一微流通道結(jié)構(gòu)體1202能形成微流通道結(jié)構(gòu)層1606。
[0057]步驟3、將所述步驟I所得透明活性基底1605與所述步驟2所得微流通道結(jié)構(gòu)層1606對(duì)準(zhǔn)鍵合，所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606內(nèi)的檢測(cè)微流道1201位于透明活性基底1605上金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的正上方，即得到所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件。
[0058]將如圖12所示，帶有聚合體開口 1102的聚二甲基硅氧烷的聚合體1101結(jié)構(gòu)面朝上放入功率為250 W，氧氣流速為30 sccm的氧等離子體轟擊腔體中，對(duì)聚二甲基硅氧烷的聚合體1101的表面進(jìn)行10 s的轟擊，并迅速將聚二甲基硅氧烷的聚合體1101的結(jié)構(gòu)面與如圖7所示的透明活性基底上表面對(duì)準(zhǔn)貼合，使之在化學(xué)鍵的作用下實(shí)現(xiàn)鍵合(如圖12所示)，得到所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件。
[0059]實(shí)施例2
第一基片101采用玻璃片；第二基片201為單晶硅片；第二微流通道基板1301采用玻璃片；所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606材料為玻璃。其中，第一基片101用于最終在其表面得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601 ;第二基片201用于實(shí)現(xiàn)鏤空結(jié)構(gòu)；第二微流通道基板1301用于制作微流通道結(jié)構(gòu)層1606。
[0060]步驟1、在第一基片101上制備基于金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底，即制備得到透明活性基底1605，透明活性基底1605上至少設(shè)置一個(gè)金屬納米森林結(jié)構(gòu)601。
[0061]其具體步驟為:
Ι-a、準(zhǔn)備并清洗第一基片101、第二基片201和第二微流通道基板1301 ；
在結(jié)構(gòu)加工之前，準(zhǔn)備第一基片101、第二基片201和第二微流通道基板1301，并對(duì)基片進(jìn)行清洗。如圖1所示為準(zhǔn)備的第一基片101，圖13所示為準(zhǔn)備的第二微流通道基板1301，并對(duì)其進(jìn)行清洗后的結(jié)果。
[0062]Ι-b、在所述第二基片201上設(shè)置穿通結(jié)構(gòu)203，并在第二基片201下表面設(shè)置第一基片相似材料層202，形成鏤空基片；
如圖2所示，通過在第二基片201的表面利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)技術(shù)在硅襯底表面生長(zhǎng)一層500nm-3 μπι的二氧化硅作為刻蝕掩模層，隨后在刻蝕掩模層上表面旋涂光刻膠，并通過光刻工藝在光刻膠層上形成條形開口，隨后利用RIESi02的方法將光刻膠上條形開口的圖形轉(zhuǎn)移到刻蝕掩模層上，形成位于刻蝕掩模層上的條形開口圖形，即形成襯底刻蝕窗口 ；利用氧等離子體干法去膠與硫酸/雙氧水濕法去膠相結(jié)合的方法去除刻蝕掩模層表面的光刻膠；采用DRIE技術(shù)各向異性刻蝕第二基片201，將刻蝕掩模層上的條形開口圖形轉(zhuǎn)移到第二基片201上，形成第二基片201上的條形穿通結(jié)構(gòu)203，其寬度為60^111-500 ^111，優(yōu)選120^111。殘留的刻蝕掩模層同時(shí)形成第一基片相似材料層202。RIE硅襯底時(shí)采用的刻蝕氣體為C4F8和SF 6交替的氣體，其流量分別為550和1000 sccm, RF功率為2000 W，腔體壓力為150 HiTorr0
[0063]1-c、將所述鏤空基片以第一基片相似材料層202面朝下粘貼到所述第一基片101上，通過粘貼膠帶301使第一基片101上表面和鏤空基片下表面之間引入一定的距離；
如圖3所示，將以上得到的鏤空基片以第一基片相似材料層202面朝下粘貼到第一基片101上，粘貼過程中，使第一基片101與第二基片201的對(duì)準(zhǔn)邊相互對(duì)準(zhǔn)，基片邊緣亦相互對(duì)準(zhǔn)；用粘貼膠帶301粘貼兩層基片時(shí)在兩表面之間引進(jìn)一定的距離，即在第二基片201與第一基片101之間形成一段距離，即引入距離302，此引入距離302將改變刻蝕氣體等離子體在通孔內(nèi)不同位置的濃度。
[0064]Ι-d、采用各向異性刻蝕技術(shù)穿過所述鏤空基片上的穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)所述第一基片101上表面進(jìn)行刻蝕，在第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成納米森林結(jié)構(gòu)501 ；
如圖4和圖5所示，采用各向異性RIE技術(shù)穿過所述鏤空基片上的穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)第一基片101表面進(jìn)行刻蝕，得到玻璃材料納米森林結(jié)構(gòu)501。所得到的玻璃材料納米森林結(jié)構(gòu)501高度為200nm-2 μ m，優(yōu)選I μ m。RIE第一基片101時(shí)采用的氣體為Ar/CF4/CHF^g合氣體，流量為300/15/35sccm，RF功率為450W，腔體壓力設(shè)為250mTorr，刻蝕時(shí)間為30_180s，優(yōu)選60s。
[0065]Ι-e、在所述粘貼了鏤空基片的第一基片101上濺射金屬材料；
如圖6所示，在所述粘貼了鏤空基片的第一基片101上濺射金屬材料，所述金屬層為Ag，厚度為5-100nm，優(yōu)選50nm。由于鏤空基片的存在，相當(dāng)于在第一基片101上設(shè)置了掩模層，使得僅在納米森林結(jié)構(gòu)501的表面上覆蓋金屬層，形成金屬納米森林結(jié)構(gòu)601，而在第一基片101上表面的其余位置不覆蓋金屬層，也即形成了金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的圖形化。
[0066]1-f、將所述鏤空基片從濺射金屬層后的所述第一基片101上表面揭除，在第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601。
[0067]如圖7所示，將所述鏤空基片從實(shí)現(xiàn)了圖形化金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的所述第一基片101上表面揭除，在所述第一基片101上表面與所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)得到金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的圖形，繼而得到基于表面增強(qiáng)拉曼散射透明基底，即得到透明活性體701，利用透明活性體701形成后續(xù)的透明活性基底1605。
[0068]步驟2、制備含有至少一個(gè)檢測(cè)微流通道1201的微流通道結(jié)構(gòu)層1606 ;其中，所述每個(gè)檢測(cè)微流通道1201的寬度不小于所述步驟I所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601在所述透明活性基底1605上占據(jù)的寬度；
包括如下步驟:
2-a、在第二微流通道基板1301表面旋涂一層光刻膠后，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行前烘處理，然后在所述光刻膠層上曝光，顯影后得到與所述步驟l_b中所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)相反的光刻膠圖形；
2_b、以所述步驟2-a中所得光刻膠圖形為掩模，對(duì)所述第二微流通道基板1301進(jìn)行各向異性刻蝕，然后除去所述第二微流通道基板1301上的光刻膠圖形；
2-c、在每個(gè)微流通道相應(yīng)位置制作至少一對(duì)入液口 1601、出液口 1603，得到所述含有至少一個(gè)檢測(cè)微流通道1201的微流通道結(jié)構(gòu)層1606 ;
圖14所示，在用作第二微流通道基板1301的玻璃片上表面旋涂一層光刻膠后，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行前烘處理，然后在所述光刻膠層上曝光，顯影后得到與所述步驟ι-b所述穿通結(jié)構(gòu)203對(duì)應(yīng)相反的光刻膠圖形；此后，以所述光刻膠圖形為掩模，對(duì)所述第二微流通道基板1301進(jìn)行各向異性刻蝕；利用氧等離子體干法去膠與硫酸/雙氧水濕法去膠相結(jié)合的方法去除第二微流通道基板1301表面的光刻膠，得到微流通道結(jié)構(gòu)1401。RIE第二微流通道基板1301玻璃材料時(shí)采用的氣體為八17^?4/(:冊(cè)3混合氣體，流量為300/15/35SCCm，RF功率為450W，腔體壓力設(shè)為250mTorr。
[0069]在每個(gè)微流通道相應(yīng)位置通過激光打孔的方式制作至少一對(duì)入液口 1601、出液口1603，即得到含有至少一個(gè)檢測(cè)微流通道1201的微流通道結(jié)構(gòu)層1606。
[0070]步驟3、將所述步驟I所得透明活性基底1605與所述步驟2所得微流通道結(jié)構(gòu)層1606對(duì)準(zhǔn)鍵合，所述檢測(cè)微流通道1201與所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)601之間形成微流通道體，所述微流通道結(jié)構(gòu)層1606內(nèi)的檢測(cè)微流道1201位于透明活性基底1605上金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的正上方，即得到所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件。
[0071]如圖15所示，采用靜電鍵合的方式將微流通道結(jié)構(gòu)層1606與透明活性基底1605套準(zhǔn)后鍵合在一起，得到所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件。
[0072]本發(fā)明由透明活性基底1605以及支撐在所述透明活性基底1605上的微流通道結(jié)構(gòu)層1606形成微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，微流通道結(jié)構(gòu)層1606內(nèi)的檢測(cè)微流道1201位于透明活性基底1605上的金屬納米森林結(jié)構(gòu)601的正上方，透明活性基底1605能允許可見光透過，微流通道結(jié)構(gòu)層1606可以采用可見光透光材料或可見光不可透光材料。該器件結(jié)構(gòu)及其制備方法成品率高、成本低廉、檢測(cè)一致性好、無噪聲干擾、可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件，可用于大體積、晶體類待分析物的檢測(cè)。
【權(quán)利要求】
1.一種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，其特征是:包括透明活性基底(1605)以及支撐在所述透明活性基底(1605)上的微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)，在所述微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)內(nèi)設(shè)置若干檢測(cè)微流道(1201)，所述檢測(cè)微流道(1201)與微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)上的入液口( 1601)以及出液口( 1603)相連通；透明活性基底(1605)與檢測(cè)微流道(1201)相對(duì)應(yīng)的區(qū)域表面上均設(shè)置有金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601 )，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)位于入液口(1601)與出液口(1603)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，其特征是:所述透明活性基底(1605)和納米森林結(jié)構(gòu)(501)為對(duì)用于產(chǎn)生拉曼光譜信號(hào)的激光可透過，透過率的范圍為20%-100%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，其特征是:所述檢測(cè)微流道(1201)在同一個(gè)微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)中的數(shù)量為2-20條。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)，其特征是:所述金屬層的厚度為5~30nm，納米森林結(jié)構(gòu)(501)中每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的直徑小于300nm，每個(gè)納米結(jié)構(gòu)的高度為100nm~2 μπι。
5.—種微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟: (a)、提供透明活性基底(1605)，在所述透明活性基底(1605)上通過間隙引入非均勻刻蝕的方法設(shè)置若干金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)； (b)、提供微通道基板，并利用所述微通道基板制備得到微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)，所述微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)內(nèi)具有與金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)數(shù)量相一致的檢測(cè)微流道(1201 )，檢測(cè)微流道(1201)與微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)上的入液口( 1601)與出液口( 1603)相連通； (C)、將上述透明活性基底(1605)與微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)對(duì)準(zhǔn)鍵合，微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)支撐在透明活性基底(1605)上，且所述檢測(cè)微流道(1201)位于金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)的正上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述入液口(1601)內(nèi)設(shè)有入液管(1602)，在出液口(1603)內(nèi)設(shè)有出液管(1604)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述步驟(b)中，微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)的材料為聚二甲基硅氧烷時(shí)，微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)通過如下步驟制備得到: (2-a)、提供第一微通道基板(801)，并在所述第一微通道基板(801)表面涂覆光刻膠，且對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，以得到所需的光刻膠圖形； (2-b)、利用第一微通道基板(801)上的光刻膠圖形為掩膜，對(duì)所述第一微通道基板(801)進(jìn)行各向異性刻蝕，去除第一微通道基板(801)上的光刻膠圖形，以在所述第一微通道基板(801)上得到微流通道模具(901); (2-c)、以聚二甲基硅氧烷為材料的預(yù)聚體(1001)澆注在上述第一微通道基板(801)上，使聚二甲基硅氧烷的預(yù)聚體(1001)交聯(lián)固化，以在第一微通道基板(801)上得到聚合體(1101);將上述聚合體(1101)從第一微通道基板(801)上剝離，聚合體(1101)內(nèi)與微流通道模具(901)相對(duì)應(yīng)的位置形成檢測(cè)微流道(1201 )，在所述檢測(cè)微流道(1201)的兩端制備與所述檢測(cè)微流道(1201)相連通的聚合體開口( 1102)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述步驟(b)中，微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)的材料為硅或玻璃時(shí)，微流通道結(jié)構(gòu)層(1606)通過如下步驟制備得到: (2-a’)、提供第二微通道基板(1301)，并在所述第二微通道基板(1301)的表面旋涂光刻膠，并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以在第二微通道基板(1301)上得到所需的光刻膠圖形； (2-b’)、以上述第二微通道基板(1301)上的光刻膠圖形為掩膜，對(duì)第二微通道基板(1301)進(jìn)行各向異性刻蝕，在去除第二微通道基板(1301)上的光刻膠圖形后，得到所需的檢測(cè)微通道(1201); (2-c’)、在每個(gè)檢測(cè)微通道(1201)的兩端設(shè)置入液口(1601)以及出液口(1603)，以得到微通道結(jié)構(gòu)層(1606)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)的寬度不大于所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)正上方的檢測(cè)微流道(1201)的寬度；金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)的高度方向垂直于透明活性基底(1605)； 所述金屬納米森林結(jié)構(gòu)(601)包括納米森林結(jié)構(gòu)(501)以及覆蓋在所述納米森林結(jié)構(gòu)(501)上的金屬層，所述金屬層的材料為金、鉑或銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述微流控表面增強(qiáng)拉曼散射透明器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述透明活性基底(1605)的材料包括玻璃，玻璃的厚度為200 μπι-2πιπι。
【文檔編號(hào)】G01N21/65GK104515765SQ201410831060
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月26日
【發(fā)明者】毛海央, 吳文剛, 歐文 申請(qǐng)人:江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心, 南京瑟斯檢測(cè)科技有限公司