一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊，屬于電器【技術(shù)領(lǐng)域】。控制電池工作電路的第一MOS管的端口4連接第七電阻,第七電阻的另一端連接電源；第一電阻連接發(fā)射芯片的Reset端口，第二電阻連接發(fā)射芯片的init端口；第三電阻連接發(fā)射芯片的SI端口，第四電阻連接發(fā)射芯片的SO端口，第五電阻連接發(fā)射芯片的SCK端口，第六電阻連接發(fā)射芯片的CS端口；無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的ICSPDAT端口,ICSPCLK端口,MCLR端口為pic16f687仿真器的接口線端。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是模塊發(fā)射距離較遠(yuǎn)，工作時(shí)間較長(zhǎng)；體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電池供電，便于安裝，維護(hù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊，屬于電器【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]長(zhǎng)期以來(lái)，高壓設(shè)備的聯(lián)結(jié)點(diǎn)運(yùn)行溫度很難實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，由于這些部位都具有裸露高壓，還有的是密閉空間，通常的溫度測(cè)量方法因無(wú)法解決高壓絕緣問(wèn)題而無(wú)法使用。
[0003]目前市場(chǎng)上應(yīng)用較多的測(cè)溫方法大概有兩種:紅外測(cè)溫，光纖測(cè)溫。紅外測(cè)溫的缺點(diǎn)在于運(yùn)行一段時(shí)間后，紅外線取溫點(diǎn)會(huì)堆積很多塵土，影響了紅外測(cè)溫的精度；光纖測(cè)溫方式是成本較高，光纖容易折斷，維護(hù)成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種無(wú)線測(cè)溫測(cè)溫發(fā)射模塊。
[0005]一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊，控制電池工作電路的第一MOS管的端口 4連接第七電阻，第七電阻的另一端連接電源；
[0006]第一電阻連接發(fā)射芯片的Reset端口，第二電阻連接發(fā)射芯片的init端口 ；第三電阻連接發(fā)射芯片的SI端口，第四電阻連接發(fā)射芯片的SO端口，第五電阻連接發(fā)射芯片的SCK端口，第六電阻連接發(fā)射芯片的CS端口 ；
[0007]無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的ICSPDAT端口，ICSPCLK端口，MCLR端口為picl6f687仿真器的接口線端；無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SI端口與SI端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SO端口與SO端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SCK端口與SCK端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 CS端口與CS端口連接,構(gòu)成發(fā)射芯片與無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端之間的spi通信。
[0008]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是模塊發(fā)射距離較遠(yuǎn)，工作時(shí)間較長(zhǎng)；體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電池供電，便于安裝，維護(hù)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參照下面的詳細(xì)描述，能夠更完整更好地理解本實(shí)用新型以及容易得知其中許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)，但此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定，如圖其中:
[0010]圖1為本實(shí)用新型的整體電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型的電源控制MOS管示意圖。
[0012]圖3為本實(shí)用新型的無(wú)線發(fā)射芯片電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4為本實(shí)用新型的CPU外圍電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5為本實(shí)用新型的發(fā)射模塊的自開(kāi)模塑膠外殼。
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

【具體實(shí)施方式】
[0016]顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本實(shí)用新型的宗旨所做的許多修改和變化屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0017]實(shí)施例1:如圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，一種無(wú)線測(cè)溫測(cè)溫發(fā)射模塊，傳感器安裝在高壓設(shè)備上，
[0018]發(fā)射模塊內(nèi)部采用臺(tái)灣達(dá)盛的UZ2400D無(wú)線發(fā)射芯片，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊由qrf0600無(wú)線模塊(其主芯片為uz2400D，集成在qrf0600內(nèi)部)，picl6f687模塊(cpu)，dsl8B20模塊，MOS管，電池等五部分構(gòu)成；
[0019]qrf0600無(wú)線模塊為發(fā)射芯片U3, picl6f687模塊(cpu)為無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul(Picl6f687)；
[0020]控制電池工作電路的第一 MOS管U2的端口 4連接第七電阻R7，第七電阻R7的另一端連接電源；
[0021 ] 第一電阻Rl連接發(fā)射芯片U3的Reset端口，第二電阻R2連接發(fā)射芯片U3的init端口 ；第三電阻R3連接發(fā)射芯片U3的SI端口，第四電阻R4連接發(fā)射芯片U3的SO端口，第五電阻R5連接發(fā)射芯片U3的SCK端口，第六電阻R6連接發(fā)射芯片U3的CS端口；
[0022]無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul (Picl6f687)的 ICSPDAT 端口，ICSPCLK 端口，MCLR 端口為Picl6f687仿真器的接口線；無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul的SI端口與SI端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul的SO端口與SO端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul的SCK端口與SCK端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul的CS端口與CS端口連接，構(gòu)成qrf0600發(fā)射芯片U3與無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端Ul之間的spi通信。
[0023]實(shí)施例2:如圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，一種無(wú)線測(cè)溫測(cè)溫發(fā)射模塊，傳感器安裝在高壓設(shè)備上，與接收設(shè)備之間無(wú)電氣聯(lián)系，且相對(duì)成本較低，安裝方便，傳輸速度較快，因此從根本上解決了高壓設(shè)備接點(diǎn)運(yùn)行溫度不易實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)的難題。
[0024]發(fā)射芯片以及電源的低功耗的設(shè)計(jì)是本實(shí)用新型的關(guān)鍵技術(shù)。發(fā)射模塊的選擇是重中之重，綜合電力柜運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)的要求，最后選擇2.4GHz的發(fā)射頻率為模塊的工作頻率，以減少對(duì)現(xiàn)場(chǎng)其他電設(shè)備的干擾。
[0025]發(fā)射模塊的使用是無(wú)線測(cè)溫裝置的核心，為了保證穩(wěn)定可靠地工作，選用了技術(shù)比較成熟的模塊廠家，其內(nèi)部采用臺(tái)灣達(dá)盛的UZ2400D無(wú)線發(fā)射芯片，能自動(dòng)完成各種數(shù)據(jù)指標(biāo)的采集以及數(shù)據(jù)發(fā)送，數(shù)據(jù)冗余的處理等功能。
[0026]無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊由qrf0600無(wú)線模塊(其主芯片為uz2400D，集成在qrf0600內(nèi)部)，picl6f687 (cpu)，dsl8B20, MOS管，電池等五部分構(gòu)成，各部分連接關(guān)系見(jiàn)圖1。
[0027]圖2為控制電池工作電路:第一 MOS管U2為低功耗的器件，通過(guò)控制電池供電的通斷，從而從宏觀上達(dá)到省電的目的，。第一 MOS管U2的端口 4連接第七電阻R7，第七電阻R7的另一端連接電源。圖中VDD連接的是電池，VCC是經(jīng)過(guò)MOS管控制以后的電源。
[0028]本實(shí)用新型采用的電池為以色列生產(chǎn)的高溫系列電池,容量大,耐高溫。
[0029]本發(fā)射模塊采用dsl8b20采集溫度，溫度以數(shù)字形式發(fā)送給單片機(jī)，單片機(jī)和無(wú)線發(fā)射模塊以spi方式連接，把溫度數(shù)據(jù)以無(wú)線射頻的方式發(fā)送到空中，等待接收機(jī)的接收和數(shù)據(jù)處理。Dsl8b20的電路比較成熟，網(wǎng)站上隨處可查，不再贅述。
[0030]圖3為無(wú)線發(fā)射芯片的外圍電路圖。U3為qrf0600發(fā)射芯片，電阻Rl，R2為芯片Reset，init 口的上拉電阻；R3，R4，R5，R6為spi接線的上拉電阻，分別上拉spi的SI, SO, SCK, CS 等 4 根口線。
[0031]圖4為Picl6f687的外圍電路圖。本產(chǎn)品采用美國(guó)微芯公司的picl6f687。Picl6f687現(xiàn)場(chǎng)抗干擾能力強(qiáng)，而且有非常優(yōu)異的低功耗品質(zhì)，通過(guò)各項(xiàng)功能的設(shè)置，可是使睡眠電流達(dá)到2個(gè)ua左右，并且工作穩(wěn)定，耐用，是無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的理想選擇。其與發(fā)射模塊之間通過(guò)spi方式通訊；
[0032]圖中ICSPDAT, ICSPCLK, MCLR 為 picl6f687 仿真器的接口線。SI, SO, SCK, CS 等 4根線與圖3中的相同名稱(chēng)的4根線直接相連，構(gòu)成無(wú)線芯片與picl6f687之間的spi通信。
[0033]圖5發(fā)射模塊的外殼。因?yàn)榘l(fā)射模塊工作的環(huán)境比較惡劣，溫度高，且空間小，所以發(fā)射模塊的安裝也是必須考慮的問(wèn)題，塑膠腕帶式表殼阻燃性好，易于固定，安裝方便，極大的節(jié)省了工作時(shí)間和安裝難度。
[0034]如上所述，對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)地說(shuō)明，但是只要實(shí)質(zhì)上沒(méi)有脫離本實(shí)用新型的發(fā)明點(diǎn)及效果可以有很多的變形，這對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。因此，這樣的變形例也全部包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種無(wú)線測(cè)溫發(fā)射模塊，其特征在于控制電池工作電路的第一 MOS管的端口 4連接第七電阻，第七電阻的另一端連接電源；第一電阻連接發(fā)射芯片的Reset端口，第二電阻連接發(fā)射芯片的init端口 ；第三電阻連接發(fā)射芯片的SI端口，第四電阻連接發(fā)射芯片的SO端口，第五電阻連接發(fā)射芯片的SCK端口，第六電阻連接發(fā)射芯片的CS端口 ；無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的ICSPDAT端口，ICSPCLK端口，MCLR端口為picl6f687仿真器的接口線端；無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SI端口與SI端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SO端口與SO端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 SCK端口與SCK端口連接，無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端的第一 CS端口與CS端口連接，構(gòu)成發(fā)射芯片與無(wú)線測(cè)溫發(fā)射端之間的spi通信。
【文檔編號(hào)】G01K1/02GK204115883SQ201420587439
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】馬健 申請(qǐng)人:保定市安科電氣有限公司