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      電場(chǎng)增強(qiáng)元件以及拉曼光譜裝置的制作方法

      文檔序號(hào):39621372發(fā)布日期:2024-10-11 13:40閱讀:14來(lái)源:國(guó)知局
      電場(chǎng)增強(qiáng)元件以及拉曼光譜裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及電場(chǎng)增強(qiáng)元件以及拉曼光譜裝置。


      背景技術(shù):

      1、近年來(lái),作為檢測(cè)低濃度的試樣分子的光譜技術(shù)之一,已知有利用了局域型表面等離子體共振(localize?surface?plasmon?resonance:lspr)的拉曼光譜裝置。在這樣的拉曼光譜裝置中,由具有納米級(jí)的凹凸結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)增強(qiáng)元件形成增強(qiáng)電場(chǎng),產(chǎn)生拉曼散射光被增強(qiáng)的表面增強(qiáng)拉曼散射(surface?enhanced?raman?scattering:sers)。

      2、例如專利文獻(xiàn)1中記載了一種光器件,其具有基板、形成于基板的表面的由多個(gè)金屬粒子構(gòu)成的金屬細(xì)微結(jié)構(gòu)、和形成在金屬細(xì)微結(jié)構(gòu)上的有機(jī)分子膜。

      3、專利文獻(xiàn)1:日本特開2013-96939號(hào)公報(bào)

      4、在上述那樣的光器件中,期望提高檢測(cè)靈敏度。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的電場(chǎng)增強(qiáng)元件的一個(gè)方式具有:基板;多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體,它們?cè)O(shè)置于所述基板,具有導(dǎo)電性;以及透明層,其覆蓋所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體和所述基板,由所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的增強(qiáng)電場(chǎng)在所述基板的垂線方向上,在所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體的與所述基板相反的一側(cè)且與所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體分離的位置處具有極大值。

      2、本發(fā)明的拉曼光譜裝置的一個(gè)方式具有:所述電場(chǎng)增強(qiáng)元件的一個(gè)方式;光源,其向所述電場(chǎng)增強(qiáng)元件照射光;以及檢測(cè)器,其檢測(cè)來(lái)自所述電場(chǎng)增強(qiáng)元件的光。



      技術(shù)特征:

      1.一種電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,該電場(chǎng)增強(qiáng)元件具有:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)增強(qiáng)元件,其中,

      8.一種拉曼光譜裝置,其中,該拉曼光譜裝置具有:


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供電場(chǎng)增強(qiáng)元件以及拉曼光譜裝置,能夠提高檢測(cè)靈敏度。電場(chǎng)增強(qiáng)元件具有:基板;多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體,它們?cè)O(shè)置于所述基板,具有導(dǎo)電性;以及透明層,其覆蓋所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體和所述基板,由所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的增強(qiáng)電場(chǎng)在所述基板的垂線方向上,在所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體的與所述基板相反的一側(cè)且與所述多個(gè)細(xì)微結(jié)構(gòu)體分離的位置處具有極大值。

      技術(shù)研發(fā)人員:松木隼人,山田文香,伊藤嘉高
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:精工愛普生株式會(huì)社
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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