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      一種WO3-FeVO4氣敏材料的制備方法及其應(yīng)用與流程

      文檔序號:39979749發(fā)布日期:2024-11-15 14:28閱讀:30來源:國知局
      一種WO3-FeVO4氣敏材料的制備方法及其應(yīng)用與流程

      本發(fā)明屬于氣敏材料,具體涉及一種wo3-fevo4氣敏材料制備方法及其應(yīng)用。


      背景技術(shù):

      1、no2是一種具有強(qiáng)烈刺激性氣味的氣體,不僅能形成酸雨造成環(huán)境破壞,還能對人和動(dòng)物的呼吸系統(tǒng)造成潛在危害。因此,開發(fā)高靈敏度、低成本、免維護(hù)的no2監(jiān)測技術(shù)十分必要。目前氣體傳感器是檢測這些氣體的最便捷方法,為了探索氣體傳感器,必須要開發(fā)高性能的氣敏材料。

      2、在氣體傳感領(lǐng)域,wo3作為n型半導(dǎo)體傳感器具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性和靈敏度,可以低成本檢測環(huán)境中有毒的氧化性和還原性氣體;但是在應(yīng)用中,氣體傳感器需要具備靈敏度高和操作溫度低的特性,單一的金屬氧化物半導(dǎo)體很難滿足上述要求;公開號為cn202310319394的中國專利文獻(xiàn),公開了一種wo3/sno2氣敏材料檢測三甲胺氣體方法,該發(fā)明使用兩步水熱法制得wo3/sno2復(fù)合敏感材料,利用wo3和sno2之間所形成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)提高對三甲胺氣體的檢測能力,當(dāng)工作溫度為250℃條件下,濃度為10ppm三甲胺氣體的靈敏度達(dá)到14.4,雖然獲得了相對較高的靈敏度,但是工作溫度相對較高,很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的目的是提供一種wo3-fevo4氣敏材料,通過制備n-n異質(zhì)結(jié),可以增強(qiáng)氣敏材料的電子傳輸效率和表面的反應(yīng)活性位點(diǎn),增強(qiáng)氣體分子在氣敏材料表面的反應(yīng),從而提高氣敏材料的整體性能。

      2、為了解決上述問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

      3、本發(fā)明提供一種wo3-fevo4氣敏材料,包括納米棒狀的wo3以及附著于其上的納米顆粒狀的fevo4;所述納米顆粒狀的fevo4和納米棒狀的wo3呈n-n異質(zhì)結(jié)構(gòu);所述納米顆粒狀的fevo4與納米棒狀的wo3的摩爾比為1:5~16。

      4、優(yōu)選地,納米顆粒狀的fevo4與納米棒狀的wo3的摩爾比為1:11。

      5、本發(fā)明提供了上述wo3-fevo4氣敏材料的制備方法,包括如下步驟:

      6、s1.將na2wo4·2h2o和nacl溶于去離子水中,加入濃鹽酸調(diào)節(jié)其ph,連續(xù)攪拌,進(jìn)行水熱反應(yīng),將沉淀物離心、干燥,得到納米棒狀的wo3氣敏材料;

      7、s2.將納米棒狀的wo3氣敏材料溶于去離子水中,得到溶液a;將nh4vo3和fe(no3)3·9h2o溶解在去離子水中,得到溶液b;將溶液b慢慢倒入溶液a中,進(jìn)行水熱反應(yīng),將沉淀物離心、干燥、煅燒,得到wo3-fevo4氣敏材料。

      8、優(yōu)選地,步驟s1中,na2wo4·2h2o和nacl的摩爾比為1:4~6;調(diào)節(jié)ph值為1~2;連續(xù)攪拌時(shí)間為3~5h;水熱溫度為160~180℃,水熱時(shí)間為20~24h;干燥溫度為60~80℃,時(shí)間為8~12h。

      9、優(yōu)選地,步驟s2中,nh4vo3、fe(no3)3·9h2o和納米棒狀的wo3氣敏材料的摩爾比為1:1:5~16;水熱溫度為160~200℃,水熱時(shí)間為4~6h;干燥溫度為60~80℃,時(shí)間為8~12h;煅燒溫度為400~600℃,煅燒時(shí)間為2~4h。

      10、本發(fā)明還提供了一種將wo3-fevo4氣敏材料用于no2氣體檢測的技術(shù)方案。

      11、有益效果

      12、相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的技術(shù)方案具有如下有益效果:

      13、(1)本發(fā)明提供的wo3-fevo4氣敏材料,納米棒狀的wo3具有良好的導(dǎo)電性以及較大的比表面積,增強(qiáng)了wo3-fevo4氣敏材料的導(dǎo)電性能,為no2氣體分子吸附在材料表面,提供了更多的活性位點(diǎn);納米顆粒狀的fevo4具有的獨(dú)特電子結(jié)構(gòu),可以促進(jìn)電子轉(zhuǎn)移來增強(qiáng)wo3-fevo4氣敏材料表面的氣體反應(yīng),從而提高了wo3-fevo4氣敏材料對no2氣體的響應(yīng)能力。

      14、(2)本發(fā)明提供的wo3-fevo4氣敏材料,納米棒狀的wo3和納米顆粒狀的fevo4合成的n-n異質(zhì)結(jié),可以促進(jìn)兩種材料接觸面上的載流子流動(dòng),提高空穴和電子的分離能力,增強(qiáng)電子傳輸效率,從而降低了wo3-fevo4氣敏材料對no2氣體檢測的工作溫度。

      15、(3)本發(fā)明提供的wo3-fevo4氣敏材料,納米顆粒狀的fevo4對no2氣體較強(qiáng)的吸附能力以及納米棒狀的wo3和納米顆粒狀的fevo4合成的n-n異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)了電子傳輸能力,從而促進(jìn)了wo3-fevo4氣敏材料的表面no2氣體反應(yīng),增強(qiáng)了wo3-fevo4氣敏材料的選擇性能,使得wo3-fevo4氣敏材料對no2氣體的響應(yīng)要遠(yuǎn)大于對其他氣體的響應(yīng)。

      16、(4)本發(fā)明提供的wo3-fevo4氣敏材料制備方法,采用水熱法一步合成納米棒狀的wo3和wo3-fevo4氣敏材料,制備方法簡單、綠色環(huán)保,易于工業(yè)化生產(chǎn)。

      17、(5)本發(fā)明提供的wo3-fevo4氣敏材料,在117℃下對5ppmno2氣體響應(yīng)可達(dá)38.7,并且選擇性能優(yōu)異,抗干擾能力強(qiáng),具有較大的市場發(fā)展前景。



      技術(shù)特征:

      1.一種wo3-fevo4氣敏材料,其特征在于:包括納米棒狀的wo3以及附著于其上的納米顆粒狀的fevo4;所述納米顆粒狀的fevo4和納米棒狀的wo3呈n-n異質(zhì)結(jié)構(gòu);所述納米顆粒狀的fevo4與納米棒狀的wo3的摩爾比為1:5~16。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的wo3-fevo4氣敏材料,其特征在于:納米顆粒狀的fevo4與納米棒狀的wo3的摩爾比為1:11。

      3.一種如權(quán)利要求1所述wo3-fevo4氣敏材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述wo3-fevo4氣敏材料的制備方法,其特征在于,所述步驟s1中,na2wo4·2h2o和nacl的摩爾比為1:4~6;調(diào)節(jié)ph值為1~2;連續(xù)攪拌時(shí)間為3~5h;水熱反應(yīng)溫度為160~180℃,時(shí)間為20~24h;干燥溫度為60~80℃,時(shí)間為8~12h。

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述wo3-fevo4氣敏材料的制備方法,其特征在于,所述步驟s2中,nh4vo3、fe(no3)3·9h2o和納米棒狀的wo3的摩爾比為1:1:5~16,水熱反應(yīng)溫度為160~200℃,時(shí)間為4~6h;干燥溫度為60~80℃,時(shí)間為8~12h;煅燒溫度為400~600℃,時(shí)間為2~4h。

      6.一種如權(quán)利要求1所述wo3-fevo4氣敏材料的應(yīng)用,其特征在于,將所述的wo3-fevo4氣敏材料應(yīng)用于no2氣體檢測。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供了一種WO<subgt;3</subgt;?FeVO<subgt;4</subgt;氣敏材料的制備方法及其應(yīng)用,屬于氣敏材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的WO<subgt;3</subgt;?FeVO<subgt;4</subgt;氣敏材料,包括納米顆粒狀的FeVO<subgt;4</subgt;和納米棒狀的WO<subgt;3</subgt;,所述納米顆粒狀的FeVO<subgt;4</subgt;附著在納米棒狀的WO<subgt;3</subgt;上面,n?n異質(zhì)結(jié)改善了材料的導(dǎo)電性能,并且可以提供更多的活性位點(diǎn)來促進(jìn)材料表面的反應(yīng),從而增強(qiáng)氣體傳感性能。本發(fā)明制備方法簡單、綠色環(huán)保,制備的氣敏材料對NO<subgt;2</subgt;氣體檢測性能優(yōu)異,具有較大的市場發(fā)展前景。

      技術(shù)研發(fā)人員:徐智,張樂鑒,李熠豪,石林,耿德敏,王怡,王鵬越
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:山東?;瘓F(tuán)有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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