專利名稱：一種陣列電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用電化學(xué)方法測(cè)試或分析材料的電極。
金屬/聚合物界面腐蝕電位的測(cè)量對(duì)于研究金屬/聚合物界面不均一性，了解金屬/聚合物復(fù)合材料的腐蝕破壞機(jī)理，評(píng)測(cè)有機(jī)聚合物涂覆層的耐蝕性能是非常重要的。由于金屬表面的聚合物具有高絕緣性，用傳統(tǒng)的電化學(xué)方法難以檢測(cè)金屬/聚合物界面的腐蝕行為。為此，目前已發(fā)展多種技術(shù)試圖測(cè)量金屬/聚合物界面不均一性，包括掃描交流阻抗技術(shù)、束絲電極及掃描Kelvin探針技術(shù)等，其中T.Y.Jun(Progress in OrganicCoatings，1991，1995)提出的束絲電極是將一束金屬絲相互絕緣后用環(huán)氧樹(shù)脂固封在一起，金屬絲呈隨機(jī)分布，截面磨平后涂覆有機(jī)涂層，爾后置于溶液中手動(dòng)測(cè)量逐根金屬絲的電阻，從而獲得有機(jī)涂層的不均一性。但是利用束絲電極法不能直接獲得金屬/聚合物界面三維空間的腐蝕電位分布。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種由一束相互絕緣的金屬絲組成的陣列電極。
本實(shí)用新型由一束金屬絲組成，每根金屬絲間相互絕緣，用環(huán)氧樹(shù)脂粘連。金屬絲按M×N陣列平行排列，金屬絲的一端封裝在絕緣材料套圈內(nèi)，端截面涂刷有機(jī)聚合物涂層。所說(shuō)的金屬絲可采用鐵絲，可采用M×M陣列平行排列。
將本實(shí)用新型配合多通道電子技術(shù)及微計(jì)算機(jī)控制技術(shù)，可直接原位測(cè)量金屬/聚合物界面腐蝕電位分布，由此可進(jìn)一步研究相關(guān)腐蝕物種在聚合物中的傳輸過(guò)程、聚合物涂層的不均一性及缺陷分布，以及金屬/聚合物界面腐蝕的發(fā)生與發(fā)展機(jī)制。


圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型(圖1)的仰視圖。
實(shí)施例如圖1，2所示，本實(shí)用新型由64根直徑為0.3mm的鐵絲(1)按8×8陣列平行排列，每根鐵絲相距約5μm，用環(huán)氧樹(shù)脂粘連，把陣列電極的一端(約20mm長(zhǎng))用環(huán)氧樹(shù)脂(2)封裝在圓柱形有機(jī)玻璃套圈(3)內(nèi)，固化后，在陣列電極的端截面涂刷所需的有機(jī)聚合物涂層。
實(shí)際測(cè)量時(shí)，陣列電極裝配上研究用電解池，置于參考電極，充入所需的各種溶液介質(zhì)，將陣列電極的引出端直接通過(guò)多通道電子開(kāi)關(guān)與測(cè)量系統(tǒng)連接，由計(jì)算機(jī)設(shè)置必要的實(shí)驗(yàn)參數(shù)(如測(cè)量次數(shù)、測(cè)量間隔時(shí)間、總實(shí)驗(yàn)時(shí)間等)。當(dāng)微機(jī)控制使得陣列電極的引出端全部短接在一起，即相當(dāng)于一片基底金屬表面覆有涂層，而當(dāng)微機(jī)控制使得陣列電極引出端相互斷開(kāi)，對(duì)64根電極進(jìn)行腐蝕電位逐個(gè)掃描測(cè)量。運(yùn)行程序即可自動(dòng)測(cè)量、繪制金屬/聚合物界面腐蝕電位分布圖象。
權(quán)利要求1.一種陣列電極，由一束金屬絲組成，每根金屬絲間相互絕緣，用環(huán)氧樹(shù)脂粘連，其特征在于金屬絲按M×N陣列平行排列，金屬絲的一端封裝在絕緣材料套圈內(nèi)，端截面涂刷有機(jī)聚合物涂層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種陣列電極，其特征在于金屬絲按M×M陣列平行排列。
3.如權(quán)利要求2所述的一種陣列電極，其特征在于金屬絲按8×8陣列平行排列。
4.如權(quán)利要求1所述的一種陣列電極，其特征在于金屬絲用鐵絲。
專利摘要一種用電化學(xué)方法測(cè)試或分析材料的陣列電極，由一束金屬絲組成，每根金屬絲間相互絕緣，用環(huán)氧樹(shù)脂粘連，金屬絲按M×N陣列平行排列，金屬絲的一端封裝在絕緣材料套圈內(nèi)，端截面涂刷有機(jī)聚合物涂層。如配合多通道電子技術(shù)及微機(jī)控制技術(shù)，可直接原位測(cè)量金屬/聚合物界面腐蝕電位分布，研究相關(guān)腐蝕物種在聚合物中的傳輸過(guò)程、聚合物涂層的不均一性及缺陷分布，以及金屬/聚合物界面腐蝕的發(fā)生與發(fā)展機(jī)制。
文檔編號(hào)G01N27/30GK2236653SQ9521595
公開(kāi)日1996年10月2日 申請(qǐng)日期1995年7月4日 優(yōu)先權(quán)日1995年7月4日
發(fā)明者林昌健, 卓向東, 田昭武, 陳紀(jì)東, 王輝, 譚建光 申請(qǐng)人:廈門(mén)大學(xué)