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      存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的搜索方法和裝置的制作方法

      文檔序號:6133936閱讀:172來源:國知局
      專利名稱:存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的搜索方法和裝置的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及分析、處理和觀測具有內部存儲器單元的大規(guī)模集成電路(LSI)。
      在存儲器大規(guī)模集成電路的生產過程中,為了弄清楚引起所制造的晶片表面的缺陷,至今一直用掃描電子顯微鏡精密觀測大規(guī)模集成電路的有缺陷部分,用聚焦離子束(FIB)切割大規(guī)模集成電路之后觀測大規(guī)模集成電路的剖面,以及用諸如電子束探測微量分析(EPMA)等方法對大規(guī)模集成電路進行綜合分析。
      為了對大規(guī)模集成電路的有缺陷部分進行觀測和綜合分析,必須用從晶片表面上固定的原點所算出的坐標表示要觀測的部位。作為把某一部分指定為所要觀測的有缺陷部分的判斷標準是以寬的方式把這部分的狀態(tài)劃分成兩類。第一類是利用光學可視檢驗裝置檢測的形狀異常的部分,第二類則是利用測試儀發(fā)現電氣功能有缺陷的部分。
      利用光學可視檢驗裝置把某一部分定為形狀異常例如是利用美國KLA有限公司的晶片可視檢驗裝置、即型號KLA21 xx系列而進行的。有了這種型號的裝置,通過將靠近晶片表面中心設置的大規(guī)模集成電路的一個角選為原點,移動晶片或裝有晶片的工作臺,計算從原點到形狀異常部分的距離,從而確定形狀異常的部分。
      用測試儀發(fā)現大規(guī)模集成電路中電氣功能低劣的部分是利用存儲器大規(guī)模集成電路中有規(guī)則排列的存儲單元而選定的。通常,利用邏輯地址和通過選定叫做I/O的數據輸入/輸出端子的號而進行存儲單元的選定,邏輯地址是不同于物理地址的電路圖的電路圖上的坐標,物理地址則表示晶片表面的相對布置。
      當用測試儀測試電氣功能低劣的部分的結果是用邏輯地址確定時,必須把來自邏輯地址的數據轉換成晶片表面的物理地址,再轉換成用以確定電氣功能低劣部分的實際陣列坐標,完成了這個步驟之后,就能首次進行綜合分析或各種觀測。
      利用加密功能進行從邏輯地址到物理地址的轉換。加密功能是通過利用邏輯地址或I/O號作為輸入的邏輯算符的任何一個或組合而構成的,這些算符諸如NOT(或INV,意思是倒相)、AND、OR、NAND、NOR、XOR、XNOR、BUFFER(意思是對輸入不加以處理),這種組合是根據所要組合的大規(guī)模集成電路的種類而不同的。由于物理地址表示存儲單元之間的相對位置坐標,所以通過把物理地址乘以存儲單元的尺寸,并加上要插在存儲單元之間的布線的尺寸、外部電路的尺寸以及從存儲器大規(guī)模集成電路上實際陣列的坐標原點到物理地址原點的距離就能清楚地表示有缺陷存儲單元的實際分布坐標。
      位映象顯示器用作通過把測試儀檢測出的電氣功能低劣的部分表示在參考晶片表面而制作的分布圖上而找出缺陷分布的裝置。在這種顯示器中,對應于存儲器中有缺陷存儲單元的物理地址表示為坐標上的點,一種情況是在紙上指明點,或者另一種情況是在諸如工作站等的屏幕上顯示點。
      在上述情況下,利用諸如上述測試儀等確定電氣功能缺陷的部分,利用加密功能把邏輯地址轉換成物理地址,以在晶片表面求出離開已知原點的位置,使晶片或裝有晶片的工作臺移動離開原點的所需距離,以進行分析或各種觀測。
      在上述現有技術中,利用光學可視檢驗裝置確定形狀異常的部分的技術指令晶片或裝有晶片的工作臺移動離開原點的所需距離,以進行分析或各種觀測。然而,當工作臺移動機構或距離測量機構的精度比指明有缺陷部分所需的精度差時,就會在不同于實際有缺陷部分的部分上進行分析或觀測,從而錯失了準確找到引起缺陷的真正原因。
      在利用測試儀指明有缺陷部分之后,對有缺陷部分進行分析或觀測時,同樣會發(fā)生上述問題。由于電氣測試的結果,可以從缺陷地址確定有缺陷的存儲單元,通過從設計信息了解存儲器大規(guī)模集成電路芯片的尺寸或存儲單元的尺寸,就可以計算出有缺陷的存儲單元離開原點的距離。然而,如果工作臺移動的精度較低,就不可能對有缺陷的存儲單元進行正確的分析和各類觀測。例如,16兆位的動態(tài)隨機存取存儲器(下文稱為DRAM)的存儲單元的尺寸小于1微米,而工作臺的移動精度大于1微米。隨著大規(guī)模集成電路變得越大,其集成度更高達諸如64兆位或256兆位,存儲單元的尺寸變得更加小于工作臺的移動精度。
      當通過集合存儲器大規(guī)模集成電路晶片上原點和有缺陷的存儲單元之間包含的存儲器大規(guī)模集成電路數量所獲得的值乘以存儲器大規(guī)模集成電路的尺寸或者乘以存儲單元的尺寸,計算出距離,包含在存儲單元或者存儲器大規(guī)模集成電路的尺寸中的誤差就被擴大了集成數。
      當利用位映射顯示器把對應于存儲器中有缺陷存儲單元的物理地址表示為坐標上的點時,甚至在引起缺陷的原因不是在存儲單元上,而是在驅動存儲單元的外部電路時,位映射顯示器也計算出對應于缺陷地址的存儲單元的位置。因此,存在不能通過對大規(guī)模集成電路的分析、處理和觀測弄清楚引起缺陷的原因是在存儲單元上還是在外部電路上的問題。
      當引起缺陷的原因是在驅動存儲單元的外部電路上時,在對有缺陷的存儲單元進行分析、處理和觀測之前,必須把位置和尺寸從有缺陷的存儲單元校正至驅動存儲單元的外部電路。在根據電氣測試的結果判斷缺陷的狀態(tài)之后,必須作這種校正。此外,由于對于各類存儲器大規(guī)模集成電路來說,要作校正的外部電路的位置信息是各不相同的,就會發(fā)生難以很好進行工作的問題,除非工程師十分精通電路設計信息和電路布圖(layout)設計信息,此外校正本身要化很多時間去完成。
      本發(fā)明就是鑒于現有技術的上述問題而開發(fā)的。本發(fā)明的第一個目的是提供能用于在對存儲器大規(guī)模集成電路中有電氣缺陷的存儲單元進行分析或各種觀測時搜索真正有缺陷的存儲單元,消除裝置的工作臺移動機構的精度差或數字計算誤差的的裝置和方法。
      本發(fā)明的第二個目的是提供甚至在存儲器大規(guī)模集成電路展現的缺陷地址的缺陷原因不是在存儲器大規(guī)模集成電路存儲單元側,而是在驅動存儲單元的外部電路側時,也能用于對引起缺陷的原因進行分析或各種觀測的裝置和方法。
      本發(fā)明的搜索存儲器大規(guī)模集成電路的特定存儲單元的方法是這樣一種方法,在包括多個重復配置的存儲單元的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試,參考對應于作為電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址為存儲器大規(guī)模集成電路進行分析、處理或觀測。其中參考包含所述存儲單元的陣列結構的端點、存儲單元、存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標,根據亮度或發(fā)光度的變化對存儲器大規(guī)模集成電路上現有的存儲單元數進行計數,所述計算值和所述物理地址值彼此一致的部分選擇為所述邏輯地址的部分。
      本發(fā)明另一個實施例的搜索存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的方法是這樣一種方法,在存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試,根據電氣測試的輸出結果確定特定部分,以及為存儲器大規(guī)模集成電路進行分析、處理和觀測,其中根據存儲器大規(guī)模集成電路的電氣測試結果從檢測的缺陷現象假定引起缺陷的原因,對應于假定的缺陷原因的有缺陷電路的位置和尺寸所指明的部分定為特定部分。
      本發(fā)明的存儲器大規(guī)模集成電路特定部分搜索裝置是這樣一種裝置,在包括多個重復配置在其上的存儲單元的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試,參考對應于作為電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址的部分為存儲器大規(guī)模集成電路進行分析、處理或觀測,這種裝置包括用以移動所述存儲器大規(guī)模集成電路的裝置;用以觀測所述存儲器大規(guī)模集成電路的圖形識別器;用以接收所述圖形識別器的觀測結果,計數亮度或發(fā)光度變化的數量的計數器;控制計算機,用以控制所述移動裝置移動所述存儲器大規(guī)模集成電路,把所述計數器的計數值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分定為所述邏輯地址的部分,使得所述圖形識別器參考包括所述存儲單元的陣列結構端部、存儲單元和存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標。
      根據本發(fā)明另一個實施例的存儲器大規(guī)模集成電路特定部分搜索裝置是這樣一種裝置,在包括多個重復配置在其上的存儲單元的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試,參考對應于作為電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址為存儲器大規(guī)模集成電路進行分析、處理或觀測,這種裝置還包括用以移動所述存儲器大規(guī)模集成電路的裝置;用以觀測所述存儲器大規(guī)模集成電路的圖形識別器;用以接收所述圖形識別器的觀測結果,計數亮度或發(fā)光度變化的數量的計數器;控制計算機,具有存儲對應于存儲器大規(guī)模集成電路的電氣測試結果所展現的缺陷現象的缺陷電路的位置和尺寸的數據庫,如果所述缺陷現象沒有存入所述數據庫,控制計算機控制所述移動裝置移動所述存儲器大規(guī)模集成電路,把所述計數器的計數值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分定為所述邏輯地址的部分,使得所述圖形識別器參考包括所述存儲單元的陣列結構端部、存儲單元和存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標;如果所述缺陷現象存入所述數據庫,控制計算機把對應于所述數據庫所存的缺陷電路的位置和尺寸所表示的部分定為所述特定部分。
      在上述結構的本發(fā)明的裝置或方法中,通過持續(xù)觀測存儲單元陣列和根據亮度或發(fā)光度的變化確定位置的方法或裝置,對存儲單元的每個移動都進行檢測,因此,每當檢測到誤差時,就消除每個移動所產生的誤差。
      采用這種裝置和方法,從展現的缺陷現象假定缺陷的原因,對應于假定的缺陷原因的有缺陷電路的位置和尺寸所表示的部分定為特定部分,有實際缺陷的部分定為特定部分,因此能精確地進行分析。
      從根據例示本發(fā)明的最佳實施例的實例的附圖所作的以下描述,本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點就會顯得很清楚。


      圖1是表示本發(fā)明的實施例的結構的方框圖。
      圖2是表示本發(fā)明的實施例的工作的流程圖。
      圖3是表示本發(fā)明的實施例的工作的流程圖。
      圖4(a)和4(b)是表示缺陷的一般類型、對應這些類型的缺陷以及ID號的一覽表。
      圖5是表示本發(fā)明的實施例的是工作的流程圖。
      圖6是表示本發(fā)明的實施例的是工作的流程圖。
      圖7是表示從物理地址轉換成絕對位置坐標的實例的簡圖。
      圖8(a)至8(c)表示缺陷的一般類型,諸如所要替換的缺陷內容、位置或尺寸的對應項目,以及ID號的實例。
      接著參照附圖描述本發(fā)明的第一實施例。
      圖1是表示本發(fā)明的第一實施例的結構的簡圖。圖2和圖3各是表示本發(fā)明的第一實施例的工作的流程圖。
      本實施例結構成通過搜索包括端到端具有絕對地址的一組存儲單元(下文稱為存儲單元塊)的存儲器大規(guī)模集成電路中一個區(qū),然后通過計數存儲單元塊中存儲單元的數目而進一步搜索存儲單元塊,從而消除在分析、處理和觀測工作中可能產生的工作臺移動機構的數字計算誤差或精度不夠的影響。
      本實施例包括圖形識別器1、計數器2、工作臺移動機構4、工作臺移動距離測量裝置5、觀測單元7、存儲器測試儀8、以及構成移動裝置連同工作臺移動機構4的工作臺6,工作臺6的移動距離由控制計算機3控制,控制計算機3控制各組件和工作臺移動機構4。
      開始工作時,首先由存儲器測試儀8根據固定的程序對存儲器大規(guī)模集成電路進行電氣功能的測試,準備描述表示測試結果的邏輯地址的結果文件(步驟S1)。
      控制計算機3把在步驟S1中所準備的由邏輯地址所寫成的結果文件利用加密功能轉換成物理地址(地址S2)。然后,參考在步驟S2中轉換成物理地址的數據,控制計算機3根據缺陷類型通過將缺陷地址的各行編組而減少缺陷數據的數目,制作數據庫,其中每一組都附有表示其特征的分類號ID(步驟S3)。如圖4中所示,將缺陷類型編組是要用實驗方法把產品晶片的缺陷分布分類成若干種。然后,控制計算機3通過將物理地址乘以存儲單元的尺寸,加上要插在存儲單元之間的布線尺寸、外部電路的尺寸以及從絕對位置坐標的原點到存儲器大規(guī)模集成電路上物理地址的原點的距離,而計算出缺陷的絕對位置坐標(步驟S4)。
      接著,晶片和存儲器大規(guī)模集成電路芯片原點的位置數據從控制計算機3傳送到工作臺移動距離測量裝置5,用以設定原點和坐標軸(步驟S5)。在完成步驟S5之后,在步驟S4中所算出的絕對位置坐標傳送到各種分析、處理和觀測單元7,然后,通過選定存儲器測試儀8的邏輯地址可以用普通的絕對位置坐標表示晶片上的點。
      然后,把從控制計算機3送到圖形識別器1的數據與在圖形識別器1中所獲得的數據進行比較,通過這種程序,存儲單元塊端部和存儲單元形狀的圖象以及根據所要處理的存儲器大規(guī)模集成電路所固定的掩模設計數據傳送到圖形識別器1(步驟S6)。依次地,將圖形識別器1所獲得的存儲單元塊端和存儲單元形狀的圖象彼此進行比較(步驟7)。根據對應于圖象的位置坐標而發(fā)生的亮度或發(fā)光度的變化,從存儲單元塊和存儲單元的形狀,對應于存儲單元的數量獲得必需的移動距離。
      其后,有缺陷的存儲單元的物理地址傳送到計數器(步驟S8),缺陷的絕對地址坐標傳送到裝有晶片的工作臺移動機構4(步驟S9)。收到這個通知之后,工作臺6移向缺陷的絕對位置坐標(步驟S10)。由圖形識別器1所識別的存儲單元的數目用計數器2逐個計數(步驟S11),當計數器2的計數值與在步驟S7中所獲得的存儲單元或一致時,工作臺6的移動就停止了。
      上述步驟S8至S11的一系列操作以如下方式進行。控制計算機3將有缺陷的存儲單元的地址傳送到計數器2,同時將缺陷的絕對位置坐標傳送到工作臺移動機構4,以指示工作臺6的移動。在收到指令后,工作臺移動機構4把工作臺6移到有缺陷存儲單元的絕對位置坐標。另一方面,圖形識別器1把逐個識別的存儲單元的數目傳送到計數器2。計數器2把由圖形識別器1所識別的存儲單元號與從控制計算機所收到的地址進行比較,當兩者的值彼此一致時,計數器2就向工作臺移動機構4發(fā)送停止命令(S12)。
      于是,工作臺移動機構4使工作臺6停下來,以及通知控制計算機3工作臺6停止了(步驟S13)。收到這個通知后,控制計算機3認識到向缺陷位置的移動完成了,容許分析、處理和觀測單元7進行分析、處理和觀測工作(S14)。因此,在移動位置上進行各種分析、處理和觀測工作。
      接著,在步驟S14中在所需位置上進行的各類分析、處理和觀測工作的結果傳送到控制計算機3(步驟S15),存入數據庫,數據庫附有存儲器測試儀8的有關文件的ID(步驟S16)。
      當分析、處理和觀測單元7已經完成了所需位置的分析、處理和觀測工作,并且已經把所獲得的數據依次傳送到控制計算機3時,就實現各步驟S15和S16,在把與來自存儲器測試儀8的文件有關的文件ID附加在數據上之后,控制計算機3就把所獲得數據存入其自己的數據庫內。
      上述步驟S1至S16的一系列操作是重復進行的,控制計算機3指令重復下一個缺陷的分析、處理和觀測操作(步驟S17)。
      當在最后缺陷上所進行的分析、處理和觀測的結果存入控制計算機3的數據庫時,操作就完成了(步驟S18)。
      下面描述本發(fā)明的第二實施例。這個實施例的結構是與圖1中所示的第一實施例的結構相同的,只是其操作是不同的。圖5和圖6各是表示本實施例的工作的流程圖。
      本實施例的結構成當缺陷的原因不是在存儲單元側,而是在驅動存儲單元的外部電路側時,在進行分析、處理和觀測操作之前,通過從有缺陷存儲單元側移動到驅動有缺陷存儲單元的外部電路側而校正位置和尺寸,就能進行外部電路的缺陷原因的分析、處理和觀測。
      在圖5和圖6的流程圖所示的操作中,步驟S1至步驟S5是與圖2中所示的第一實施例的步驟S1至步驟S5相似的。在步驟S5后所要進行的步驟S19中,確認缺陷的原因是否在外部電路中,如果確認缺陷的原因不是在外部電路中,其后所要進行的操作是與在圖2和圖3所示的步驟S6和后面的步驟中的操作相同的。
      通過從步驟S1至S5的操作,對工作臺移動距離測量裝置5設定工作臺6的原點和坐標軸。如果在上述步驟S19確認缺陷的原因不是在存儲單元側,而是在驅動存儲單元的外部電路側,操作就移到步驟S20。
      在步驟S20,進行校正,用驅動缺陷地址的的存儲單元的外部電路的位置和尺寸代替對應于缺陷地址的存儲單元的位置和尺寸,然后,把所述外部電路的坐標數據傳送到工作臺移動機構4。
      接著,計算機3把校正數據傳送到工作臺移動機構4,工作臺移動機構4把工作臺6移到外部電路的位置坐標。因此裝有晶片的工作臺6根據在步驟S20中所傳送的數據而移位(步驟S21)。
      然后,測量工作臺6的移動距離(步驟S22),把所需的移動距離與實際移動距離進行比較,當兩個移動距離彼此一致時,就使工作臺停止。再把工作臺6的這種停止情況通知控制計算機3(步驟S23)。
      上述步驟S22、S23的一系列操作以下列方式進行。
      工作臺移動距離測量裝置5測量工作臺6的移動距離,并把測定的移動距離傳送到工作臺移動機構4。工作臺移動機構4把從工作臺移動距離測量裝置5所收到的位置坐標與從控制計算機3所收到的位置坐標進行比較,當兩種坐標彼此一致時,工作臺移動機構4使工作臺6停止,并通知控制計算機3工作臺6已經停止。
      其后,以與第一實施例同樣的方式,步驟轉到S14,其中控制計算機3容許分析、處理和觀測單元7進行分析、處理和觀測操作。
      第一實施例下面參照圖1至圖3描述實現上述第一實施例的具體實例。
      市場上的存儲器測試儀就能滿足存儲器測試儀8的要求,對于其機械和功能的種類沒有如何限制。存儲器測試儀8根據測試程序測試存儲器大規(guī)模集成電路,把不同于期望值的輸出值的地址表以及測試時所載有的電流連同文件ID寫入結果文件。此外,除了上述數據,還容許歷史ID寫入所述結果文件,上述歷史描述了不同于期望值的輸出值是如何產生的。這種操作對應于步驟S1。
      控制計算機3是工程工作站或個人計算機,具有包含數據庫的存儲媒體和通信電路,以及控制本實施例的整個裝置。上述數據庫包括下列數據和轉換方法,作為各類存儲器大規(guī)模集成電路進行數據轉換所必需的數據和轉換方法。
      控制計算機3觀測存儲器測試儀8,當它檢測到所述結果文件完成時就獲得所述結果文件,根據輸入所述文件的這類ID準備這類所述存儲器大規(guī)模集成電路的加密功能,利用所述加密功能把缺陷邏輯地址轉換成物理地址。這種操作對應于步驟S2。
      接著,控制計算機3按圖4(a)和圖4(b)中所示的缺陷類型和測試歷史把各行缺陷地址逐個編組,把表示這組特性的類別ID附加到每一組上,再把從所述結果文件所能聯想到的所述結果文件ID或文件ID附加到每一組上,并且把它們存入其自己的數據庫。這種操作對應于步驟S3。
      如圖7中所示的那樣,控制計算機3通過把物理地址乘以存儲單元尺寸,加上要插在存儲單元之間的布線的尺寸,再加外部電路的尺寸以及從絕對位置坐標的原點到存儲器大規(guī)模集成電路的物理地址的原點的距離,從而計算出有缺陷存儲器大規(guī)模集成電路芯片上的絕對位置坐標,在把從所述結果文件所能聯想到的所述結果文件ID或文件ID附加到計算結果上之后,把這樣獲得的計算結果存入其自己的數據庫。這種操作對應于步驟S4。
      控制計算機3參照工作臺移動距離測量裝置5整理晶片本身所固有的特性,表達利用諸如取向平面(下文稱為OF)或缺口等表示的晶片取向、晶片的尺寸、晶片上的原點和芯片坐標軸、存儲器大規(guī)模集成電路芯片的尺寸、以及芯片上的原點和位置坐標軸。這種操作對應于步驟S5。
      控制計算機3把對應于目標存儲器大規(guī)模集成電路的種類和掩模設計數據所獲得的塊端和存儲單元形狀的圖象傳送到圖形識別器1。這個步驟對應于步驟S6。
      圖形識別器1利用固態(tài)圖象光學檢測裝置,以及測量對應于離開存儲單元塊端部的距離的亮度信號或發(fā)光度信號所產生的變化。圖形識別器1參照這些數據和存儲單元塊端部或存儲單元的圖象或掩模設計數據之間的位置坐標,比較亮度變化和發(fā)光度變化的相似性。然后通過比較一組多個存儲單元的檢測到的尺寸以及尺寸離差(dispersion)和一組掩模設計數據的存儲單元尺寸,圖形識別器1消除在存儲單元上有外來物質或者圖形毀壞已經發(fā)生的情況下可能產生的異常數據,用對應于異常數據的存儲單元號代替異常數據。此外,通過參考掩模設計數據,了解要用作虛擬或用于替換的存儲單元的位置和號,就可以根據存儲單元的號除去虛擬存儲單元和替換存儲單元,清楚地識別存儲單元塊端部和存儲單元的形狀。
      圖形識別器1把通過它自己的運行所獲得的存儲單元塊端部附近或存儲單元區(qū)的圖象與從控制計算機3所獲得的圖象作比較,參考亮度和發(fā)光度的變化,這種變化是對應于各圖象所位置而產生的,因此能識別存儲單元塊端部和存儲單元的形狀。這種操作對應于步驟S7。
      控制計算機3把有缺陷的存儲單元的地址傳送到計數器2,這種操作對應于步驟S8。
      計數器2參考由圖形識別器1和通信電路所識別的存儲單元號而具有執(zhí)行加、減和清除運算的功能。通過加或減圖形識別器1的存儲單元識別頻率,計數器2計算出與缺陷地址相一致的識別頻率,因此計數器2能搜索有缺陷的目標存儲單元。
      控制計算機3向工作臺移動機構4給出工作臺移動命令。這種操作對應于步驟S9。
      工作臺移動機構4把工作臺6移到所述有缺陷存儲單元的絕對位置坐標。裝置操作對應于步驟S10。
      圖形識別器1參考通過它自己的運行所獲得的存儲單元塊端部或存儲單元區(qū)附近的圖象和從控制計算機3所獲得的圖象,比較對應于圖象的位置坐標所產生的亮度或發(fā)光度的變化,從而識別存儲單元塊端部和存儲單元的形狀。圖形識別器1還把多個存儲單元的尺及其離差和設計數據的存儲單元的尺寸作比較,以除去在存儲單元上有外來物質或已經發(fā)生圖象毀壞的情況下可能出現的異常值(存儲單元尺寸平均值的n倍或1/n的值,其中n是整數),用對應于異常值的存儲單元號代替異常值。
      圖形識別器1還參考掩模設計數據,求出不包含在實際存儲單元中用于替換的虛擬存儲單元和冗余存儲單元。通過從識別的存儲單元號中除去虛擬存儲單元和冗余存儲單元的號,圖形識別器1就能防止在計數地址時可能引起的誤差。圖形識別器1把所述識別的存儲單元的號送到計數器2。這種操作對應于步驟S11。
      計數器2把從圖形識別器1所收到的被識別的存儲單元的號與從控制計算機3所獲得的地址進行比較,當上述數據彼此一致時,就向工作臺移動機構4發(fā)送停止命令。這種操作對應于步驟S12。
      工作臺移動機構4使工作臺6停下來,通知控制計算機3工作臺6已經停止。這種操作對應于步驟S13。
      如上所述,參照所需要的部分進行各種觀測、分析和處理操作。
      此外,本實施例的圖形識別器1可以結構成利用電子顯微鏡或激光顯微鏡代替固態(tài)圖象光學檢測裝置,以及利用對應于離開存儲單元塊端部的距離所產生的電子束或激光束的強度的變化進行圖形識別活動。換言之,分析、處理和觀測單元7可以用作圖形識別器1。
      第二實施例下面參照圖1、圖5和圖6描述為實現第二實施例的具體例子。
      控制計算機3根據電流的類型或缺陷地址的分類結果,分析引起存儲器測試儀8的測試結果中所顯示的缺陷現象的缺陷原因是在存儲單元側還是在驅動存儲單元的外部電路側。這種分析是根據圖8(a)至8(c)中所示的分類內容進行的,當引起缺陷的原因是在驅動存儲單元的外部電路側時,就將位置和尺寸校正到外部電路的位置和尺寸。通過在DRAM生產過程中所獲得的技術知識的積累已經發(fā)展和形成了這類技術。這種操作對應于步驟S19。
      當引起缺陷的原因是在驅動存儲單元的外部電路側時,控制計算機3把所述外部電路的坐標數據傳送到工作臺移動機構4。這種操作對應于步驟S20。
      工作臺移動機構4具有通信功能和移動工作臺6的驅動單元。
      工作臺移動機構4把工作臺6移到所述外部電路的位置坐標。這種操作對應于步驟S21。
      工作臺移動機構4把所述位置坐標和從工作臺移動距離測量裝置5所收到的位置坐標作比較,當兩種數據一致時就使工作臺6停下來,并通知控制計算機3工作臺6已經停止。這種操作對應于步驟S22。
      工作臺移動距離測量裝置5具有通信功能和用以測量工作臺6的移動距離的測量裝置?,F在用工作臺移動機構4移動工作臺6。工作臺6耦合工作臺,一個是粗略移動的粗移動工作臺,另一個是在很小范圍內移動的微移動工作臺。工作臺6還可以耦合反射鏡、透鏡或管子,管子引導由進行圖形識別的裝置或進行分析、處理和觀測操作的裝置所產生的電磁波或帶電粒子。
      控制計算機3容許分析、處理和觀測單元7進行分析、處理和觀測操作。這種操作對應于步驟S14。
      分析、處理和觀測單元7是一個包括通信功能和分析、處理和觀測功能的裝置,分析、處理和觀測功能采用了利用電磁波(激光,它是包括可見光、紅外線、紫外線、X射線、無線電波和相位的電磁波)或帶電粒子(電子、離子、等離子體)的裝置之一或選擇組合。
      分析、處理和觀測單元7在所述坐標上進行分析、處理和觀測操作,在完成了這種操作之后,它把結果數據傳送到控制計算機3。這種操作對應于步驟S15。
      當收到結果數據時,控制計算機3把結果數據存入其自己的附加了文件ID的數據庫,文件ID是根據從存儲器測試儀8所要獲得的結果文件所能聯想到的。這種操作對應于步驟S16。
      當對一個缺陷的分析操作完成時,控制計算機3重復對下一個缺陷的分析、處理和觀測操作。這種操作對應于步驟S17。
      在完成了把對最后的缺陷所作的分析、處理和觀測結果存入控制計算機3的數據庫的操作之后,工作就完成了。這個操作對應于步驟S18。
      如上所述,參考所需要的部分可以進行各種觀測、分析和處理操作。
      由于本發(fā)明是如上所述那樣構成的,它具有下述效果。
      采用本發(fā)明的系統(tǒng)和裝置,能獲得良好的定位精度,不會受到移動裝置移動精度差的嚴重影響,因此,本發(fā)明具有能在短時間內高精度定位的基礎上進行分析、處理和觀測操作的效果。
      由于實際有缺陷的部分是特定的,就能避免在不正確位置上的分析、處理和觀測操作,這樣就容許對真正有缺陷的部分迅速進行分析、處理和觀測操作,也容易掌握引起缺陷的原因的分布的正確狀態(tài)。
      然而,要理解的是雖然在以上說明書中對本發(fā)明的特性和優(yōu)點作了敘述,但是這些公開內容只是例示性的,在所附權利要求書的范圍內在各部分的布置方面是可以作各種變化的。
      權利要求
      1.一種存儲器大規(guī)模集成電路的特定存儲單元的搜索方法,所述方法用于參考對應于作為在多個存儲單元重復配置的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址的一部分進行分析、處理或觀測操作,其中參考包含所述存儲單元的陣列結構的端點、存儲單元、存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標,根據亮度或發(fā)光度的變化對存儲器大規(guī)模集成電路上現有的存儲單元或進行計數,所述計算值和所述物理地址所表示的值彼此一致的部分選擇為所述邏輯地址的部分。
      2.一種存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的搜索裝置,所述裝置用于參考對應于作為在多個存儲單元重復配置的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址的一部分進行分析、處理或觀測操作,所述裝置包括用以移動所述存儲器大規(guī)模集成電路的裝置;用以觀測所述存儲器大規(guī)模集成電路的圖形識別器;用以接收所述圖形識別器的觀測結果,計數在結果數據中所測得的亮度或發(fā)光度變化的數量的計數器;控制計算機,用以通過所述移動裝置移動所述存儲器大規(guī)模集成電路,使得所述圖形識別器參考包括所述存儲單元的陣列結構端部、存儲單元和存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測坐標,用以通過選擇所述計數器的計數值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分確定所述邏輯地址的部分,
      3.一種存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的搜索方法,所述方法用于參考根據在存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試的結果所確定的特定部分進行分析、處理和觀測操作,其中根據存儲器大規(guī)模集成電路的電氣測試結果從檢測的缺陷現象假定引起缺陷的原因,對應于假定的缺陷原因的缺陷電路的位置和尺寸所表示的部分定為特定部分。
      4.一種存儲器大規(guī)模集成電路特定部分的搜索裝置,所述裝置用于參考對應于作為在多個存儲單元重復配置的陣列結構的存儲器大規(guī)模集成電路上進行電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址的一部分進行分析、處理或觀測操作,所述裝置包括用以移動所述存儲器大規(guī)模集成電路的裝置;用以觀測所述存儲器大規(guī)模集成電路的圖形識別器;用以接收所述圖形識別器的觀測結果,計數在結果數據中所測得的亮度或發(fā)光度變化的數量的計數器;控制計算機,具有存儲對應于存儲器大規(guī)模集成電路的電氣測試結果所展現的缺陷現象的缺陷電路的位置和尺寸的數據庫,如果所述缺陷現象沒有存入所述數據庫,所述控制計算機控制所述移動裝置移動存儲器大規(guī)模集成電路,使得所述圖形識別器參考包括所述存儲單元的陣列結構端部、存儲單元和存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標,通過檢測所述計數器的計數值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分而確定所述邏輯地址的部分;如果所述缺陷現象存入所述數據庫,所述控制計算機把對應于所述數據庫所存的缺陷電路的位置和尺寸所表示的部分定為所述特定部分。
      全文摘要
      搜索存儲器大規(guī)模集成電路的特定存儲單元的方法,用于參考對應于對多個重復配置的存儲單元的陣列結構的集成電路上進行電氣測試的結果輸出的邏輯地址的物理地址部分操作為存儲器大規(guī)模集成電路進行分析、處理或觀測。此外,參考包含存儲單元的陣列結構的端點、存儲單元、存儲單元之間部分的區(qū)域持續(xù)觀測位置坐標,根據亮度或發(fā)光度的變化對現有存儲單元號進行計數,計算值和物理地址值彼此一致的部分選為所述邏輯地址的部分。
      文檔編號G01N21/956GK1179623SQ97118628
      公開日1998年4月22日 申請日期1997年9月11日 優(yōu)先權日1996年9月11日
      發(fā)明者杉本正明 申請人:日本電氣株式會社
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