專利名稱：制造大規(guī)模集成電路的處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造LSI(大規(guī)模集成電路)的處理設(shè)備，預(yù)定氣體引入其處理室對襯底進(jìn)行預(yù)定處理。特別是，本發(fā)明涉及一種處理設(shè)備，該設(shè)備通過處理室的一個窗口從處理室外引入激光，以便觀察嚴(yán)重影響預(yù)定處理的細(xì)顆粒的發(fā)生情況，可以測量到懸浮于處理室中的細(xì)顆粒散射的光。
當(dāng)通過處理室的窗口引入激光，并測量處理室中細(xì)顆粒所散射(如灰塵或污物)的光時，由于各種原因發(fā)生雜散光而不是要測量的散射光。雜散光包括激光在窗口的正面和背面上的反射光；設(shè)備內(nèi)壁上的不規(guī)則反射光；激光擋板上的不規(guī)則反射光等等，它們通常強(qiáng)于要測量的弱散射光。因此，為了測量這種來自細(xì)顆粒的弱散射光，必需抑制反射光和不規(guī)則的反射光。實(shí)現(xiàn)這種效果的方法一般采用這樣一種方案，在激光將通過其引入的窗口上涂敷抗反射敷層(此后稱之為入射側(cè)窗)，以減少反射，或?qū)⒐馐鴵醢逯瞥珊谏?，以抑制不?guī)則的反射光。
其中，關(guān)于實(shí)現(xiàn)此目的方法的改進(jìn)的另一方案提出了一個發(fā)明，其中為減少由于入射側(cè)窗口造成的激光的多次反射光或由激光擋板產(chǎn)生的不規(guī)則反射光，一般可以采用一種稱為障板、雷利角等的光束阻尼器。關(guān)于此方法，New Technology Communication公司1984年的TadaoTsuruta“l(fā)ight pencil”第296-306頁有對此的概述。
盡管不可否認(rèn)上述方法是有效的，但例如在向處理室中供應(yīng)化學(xué)活性氣體(此后稱為活性氣體)，并通過化學(xué)反應(yīng)在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行膜形成工藝時，會產(chǎn)生兩個問題。
一個問題發(fā)生在激光入射側(cè)窗口。即，由于入射側(cè)窗口的處理室內(nèi)表面暴露于活性氣體，因活性氣體與窗口材料化學(xué)反應(yīng)造成了反應(yīng)產(chǎn)物沉積在窗口上。結(jié)果，由沉積產(chǎn)物產(chǎn)生了散射光，這妨礙了對要求必需測量的細(xì)顆粒導(dǎo)致的弱散射光的測量。除此之外，由于沉積產(chǎn)物導(dǎo)致的散射使得引入處理室的激光強(qiáng)度減弱，因而使細(xì)顆粒產(chǎn)生的弱散射光強(qiáng)更弱，所以更難進(jìn)行測量。在激光強(qiáng)度很強(qiáng)時，有時沉積產(chǎn)物發(fā)生散射，污染了處理室內(nèi)壁。
另一個問題發(fā)生在激光擋板上。在將激光引入處理室時，光束阻尼器設(shè)置于處理室內(nèi)壁上，與入射側(cè)窗口相對，作為激光擋板。理想的是該阻尼器由100％吸光的材料形成。然而由于材料的反射系數(shù)必然不會為零，所以利用上述參考文獻(xiàn)所述的雷利角或剃刀刀片束，通過多次反射可以實(shí)現(xiàn)反射系數(shù)接近零。這種情況下，由于表面積增大，產(chǎn)生與上述在入射側(cè)窗口的處理室內(nèi)表面上相同的問題。即，由于反應(yīng)產(chǎn)物的沉積造成了阻尼器表面上的散射光增多，或強(qiáng)激光使阻尼器表面上的沉積產(chǎn)物產(chǎn)生散射，這將污染處理室內(nèi)表面。
所以，在使用化學(xué)活性氣體的處理設(shè)備中，測量處理室中細(xì)顆粒的弱散射光時，只用常規(guī)彩的障板、雷利角或剃刀刀片束是不夠的。為了檢測處理設(shè)備的處理室中細(xì)顆粒的發(fā)生情況，重要的手段是穩(wěn)定襯底的處理?xiàng)l件。
本發(fā)明的目的是提供一種制造LSI的處理設(shè)備，可以防止由襯底處理所用氣體(處理中所用氣體)造成的反應(yīng)產(chǎn)物沉積在入射側(cè)窗口的室內(nèi)表面上和光束擋板表面上，所以處理室內(nèi)不會被污染，因而可以測量處理室內(nèi)懸浮或落下的細(xì)顆粒的弱散射光。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種制造LSI的處理設(shè)備，包括具有光導(dǎo)入窗的處理室；為所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及吹散氣體裝置，用于將對于所說光導(dǎo)入窗材料具有化學(xué)惰性的氣體吹散到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面。
根據(jù)本發(fā)明另一方案，提供一種制造LSI的處理設(shè)備，包括排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面附近的空間；或開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面的入口。
根據(jù)本發(fā)明再一方案，提供一種制造LSI的處理設(shè)備，包括處理室，具有減少導(dǎo)入所說處理室內(nèi)的激光的光束阻尼器；用于向所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及吹散氣體裝置，用于將對于所說光束阻尼器材料為化學(xué)惰性的氣體吹散到所說光束阻尼器上。
根據(jù)本發(fā)明又一方案，提供一種制造LSI的處理設(shè)備，包括排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)所說光束阻尼器附近的空間；或開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到所說光束阻尼器的入口。
根據(jù)本發(fā)明，利用吹散氣體結(jié)構(gòu)，將對于制造LIS處理設(shè)備所包括的處理室的光導(dǎo)入窗或光束阻尼器為化學(xué)惰性的氣體吹散到光導(dǎo)入窗的內(nèi)表面或光束阻尼器。因此，在對襯底進(jìn)行預(yù)定處理時，向處理室內(nèi)供應(yīng)化學(xué)活性氣體，活性氣體不與光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器接觸，所以可以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積。結(jié)果，在借助通過光導(dǎo)入窗向處理室導(dǎo)入氣體測量處理室內(nèi)懸浮的細(xì)顆粒的散射光時，由于不必要的不規(guī)則反射光不會到達(dá)光導(dǎo)入窗的內(nèi)表面或光束阻尼器，所以可以測量處理室內(nèi)細(xì)顆粒的弱散射光。除此之外，由于沒有反應(yīng)產(chǎn)物沉積在光導(dǎo)入窗的內(nèi)表面上或光束阻尼器上，所以不會因強(qiáng)激光造成的反應(yīng)產(chǎn)物散射而污染處理室內(nèi)部，即使激光強(qiáng)度增大也如此。
在安裝排氣系統(tǒng)，排放光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器附近空間中環(huán)境氣體的情況下，由于在光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器附近活性氣體的濃度減小，所以，活性氣體產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物沉積在光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器上的可能性較小。結(jié)果，在利用導(dǎo)入到處理室中的激光測量處理室內(nèi)懸浮的細(xì)顆粒的散射光時，由于沒有在光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器上產(chǎn)生不必要的散射反射光，所以可以測量處理室內(nèi)細(xì)顆粒的弱散射光。
因?yàn)榘惭b了開關(guān)化學(xué)活性氣體到光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器的入口的開關(guān)機(jī)構(gòu)，所以，可以只在為測量處理室內(nèi)細(xì)顆粒的散射光而將激光導(dǎo)入處理室時，打開到光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器的入口，而在不導(dǎo)入激光時關(guān)閉此氣體入口。因此，光導(dǎo)入窗內(nèi)表面或光束阻尼器不會在不必暴露于氣體時暴露于化學(xué)活性氣體中。
如上所述，本發(fā)明提供一種制造LSI的處理設(shè)備，包括通過其導(dǎo)入激光的窗口，及用作激光導(dǎo)入擋板的光束阻尼器，其中該設(shè)備還包括使供應(yīng)到處理室內(nèi)用于預(yù)定處理的化學(xué)活性氣體不到達(dá)所說窗口內(nèi)表面和光束阻尼器的機(jī)構(gòu)。用此機(jī)構(gòu)，可以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積在光導(dǎo)入窗內(nèi)表面和光束阻尼器上。因此，在光導(dǎo)入窗內(nèi)表面和光束阻尼器上不存在不必要的反射光，可以測量處理室內(nèi)發(fā)生的細(xì)顆粒的弱散射光。
圖1是展示本發(fā)明第一實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖；圖2是展示本發(fā)明第二實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖；圖3是展示本發(fā)明第三實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖；圖4是展示本發(fā)明第四實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖；圖5是展示本發(fā)明第五實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖；圖6是展示本發(fā)明第六實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。
下面將參照各


本發(fā)明的實(shí)施例。
第一實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體將供應(yīng)到其中，該設(shè)備還包括吹散氣體的機(jī)構(gòu)，用于將凈化氣體吹散到激光導(dǎo)入窗內(nèi)表面上，以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積于激光導(dǎo)入窗內(nèi)表面上。
圖1是以最佳方式展示本發(fā)明第一實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。
如圖1所示，該實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備包括處理室12，用于預(yù)定處理的活性氣體將供應(yīng)到其中。處理室12的部分外壁形成從外壁延伸到空氣中的突起部件14。安裝入射側(cè)窗(由例如玻璃等透光部件構(gòu)成)13，以密封突起部件14的開口端，激光11通過該窗口導(dǎo)入。障板15設(shè)置在突起部件14的內(nèi)部，用于在激光導(dǎo)入窗口時，如果產(chǎn)生不規(guī)則反射光阻斷導(dǎo)入處理室的不必要的那部分光。在窗口13的空氣側(cè)表面上涂抗反射敷層，以防止窗13激光透過率下降。在突起部件14中形成作為吹散氣體機(jī)構(gòu)的凈化氣體入口17，用于沿窗13內(nèi)表面吹散凈化氣體。突起部件14具有大量進(jìn)入處理室12的不規(guī)則反射光16減少的作用。
在這種設(shè)備中，活性氣體以一定壓力存于處理室12中，活性氣體通過障板15的激光導(dǎo)入口引入到窗13內(nèi)。然而，由于如化學(xué)惰性的氦氣等凈化氣從凈化氣入口17沿窗13內(nèi)表面導(dǎo)入，所以凈化氣覆蓋了窗13的內(nèi)表面，并由處理室12的排氣系統(tǒng)(未示出)吸進(jìn)處理室12。為此，活性氣體很難到達(dá)窗13，防止了化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物沉積在窗13內(nèi)表面上。
上述的凈化氣可以是任何一種相對于窗材料為化學(xué)惰性的氣體，除氦氣外，例如作為第一類的氬等稀有氣體、氮?dú)獾冉钥梢杂?。凈化氣的流量可以根?jù)處理室的壓力、活性氣體的分壓等確定。
用這種機(jī)構(gòu)引入凈化氣，可以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積在入射側(cè)窗的內(nèi)表面上，所以可以抑制不必要的不規(guī)則反射光，因而可以測量處理室內(nèi)細(xì)顆粒的弱散射光。
第二實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體引入其中，該設(shè)備還包括用于防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積于裝在處理室上的激光導(dǎo)入窗的內(nèi)表面上。
圖2是以最佳方式展示本發(fā)明第二實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。該圖中，用相同的標(biāo)記表示與第一實(shí)施例相同的部件。
在該實(shí)施例的制造LSI的處理設(shè)備中，如圖2所示，在與第一實(shí)施例類似的有窗13的處理室12的突起部件14上設(shè)置有不同于處理室12的排氣系統(tǒng)(未示出)的另一排氣系統(tǒng)18。即，第二實(shí)施例除包括排氣系統(tǒng)18取代第一實(shí)施例的凈化氣體入口外，與第一實(shí)施例有相同的結(jié)構(gòu)。
這種設(shè)備中，由于因安裝于突起部件14上的障板15而使突起部件14的處理室側(cè)的開口變窄，所以在排氣系統(tǒng)18的負(fù)壓下突起部件14的真空度保持高于處理室12的真空度。即利用排氣系統(tǒng)18實(shí)現(xiàn)差動排氣。盡管活性氣體借助差動排氣系統(tǒng)從處理室12向突起部件14流動，但由于在達(dá)到窗13之前被排放，所以可以抑制活性氣體沉積在窗13的內(nèi)表面上。排氣系統(tǒng)18的排氣速率由處理室12內(nèi)的預(yù)定壓力和流到突起部件14的氣體流速確定。
由于提供這種排氣系統(tǒng)可以防止在入射側(cè)窗的內(nèi)表面上產(chǎn)生沉積，所以由于抑制了不必要的不規(guī)則反射光，因而可以測量處理室中細(xì)顆粒的弱散射光。
第三實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體引入其中，該設(shè)備還包括一個開關(guān)機(jī)構(gòu)，用以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積在裝在處理室上的激光導(dǎo)入窗的內(nèi)表面上。
圖3是以最佳方式展示本發(fā)明第三實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。該圖中，用相同的標(biāo)記表示與第一實(shí)施例相同的部件。
在該實(shí)施例的制造LSI的處理設(shè)備中，如圖3所示，在提供有與第一實(shí)施例類似的窗的處理室12的突起部件14中的光路徑上設(shè)置關(guān)閉激光導(dǎo)入口的開關(guān)19，該開關(guān)形成于障板15上，作為氣體入口。開關(guān)19裝于線性運(yùn)動導(dǎo)向件20上，該導(dǎo)向件延伸到突起部件14之外，可以圖中的上下方向運(yùn)動。以這種方式，該實(shí)施例包括開關(guān)19和線性運(yùn)動導(dǎo)向件20，以取代第一例的凈化氣體入口。
這種設(shè)備中，線性運(yùn)動導(dǎo)向件20只在檢測細(xì)顆粒的發(fā)生情況時才工作，且關(guān)閉障板15的激光導(dǎo)入口的開關(guān)19打開。相反，在不檢測發(fā)生情況時開關(guān)19關(guān)閉。如果障板15的激光導(dǎo)入口被開關(guān)19關(guān)閉，則活性氣體不能進(jìn)入障板15內(nèi)。如果開關(guān)19以這種方式打開或關(guān)閉，由在不必要的情況下，反應(yīng)產(chǎn)物不會沉積在窗13的內(nèi)表面上。
激光11為連續(xù)光或可以被當(dāng)作重復(fù)頻率為幾千Hz的贗連續(xù)光時，關(guān)開19在激光11輻射的過程中保持打開狀態(tài)。在幾Hz頻率光的情況下，開關(guān)19與激光振蕩時序同步開或關(guān)。
盡管該實(shí)施例中線性運(yùn)動導(dǎo)向件20用于使開關(guān)19象圖中所示的那樣作垂直運(yùn)動，但可以用旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向件取而代之，其中開關(guān)旋轉(zhuǎn)，以繞作為中心的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向件的端部打開或關(guān)閉。另外，可以采用沿周邊依次有多個狹縫的盤在電機(jī)的驅(qū)動下繞其中心旋轉(zhuǎn)的方式，電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)到與激光的重復(fù)頻率同步。
設(shè)置這種開關(guān)機(jī)構(gòu)，可以減少入射側(cè)窗內(nèi)表面上沉積的發(fā)生，所以可以抑制不必要的不規(guī)則反射光，因而可以測量處理室中細(xì)顆粒的弱散射光。
盡管上述第一至第三實(shí)施例中，用分別采用了凈化氣、局部排氣系統(tǒng)和開關(guān)的設(shè)備作實(shí)例，但如果這些設(shè)備的特征任意結(jié)合，可以更有效地防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積于入射側(cè)窗的處理室內(nèi)表面上。第四實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體引入其中，該設(shè)備還包括用于將凈化氣吹到作為導(dǎo)入處理室的激光的擋板的阻尼器上的吹散氣體機(jī)構(gòu)，用以防上反應(yīng)產(chǎn)物沉積于阻尼器的表面上。
圖4是以最佳方式展示本發(fā)明第四實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。
如圖4所示，該實(shí)施例的制造LSI的處理設(shè)備包括處理室，向此處理室供應(yīng)活性氣體以進(jìn)行要求的處理。突起部件24延伸到空氣中，該部件由處理室22的外壁在與設(shè)置入射側(cè)窗的位置相對的處理室外壁位置形成，激光21通過入射側(cè)窗導(dǎo)入。阻尼器31為設(shè)置于突起部件24的底部的激光21的擋板。阻尼器31由黑金屬片束構(gòu)成，每片為剃刀刀片形，激光21在刀片間重復(fù)多次反射，多半激光被吸收。入射激光到達(dá)阻尼器31上的部分作為不規(guī)則反射光26返回到處理室22。為了抑制這種現(xiàn)象，在突起部件24中設(shè)置障板25。用于將凈化氣導(dǎo)入阻尼器31的凈化氣入口27形成于突起部件24中。突起部件24具有使返回處理室22中的不規(guī)則反光26的量減少的作用。
這種處理設(shè)備中，處理室22內(nèi)殘留活性氣體(例如氧氣和氫氣)，活性氣體通過障板25的激光導(dǎo)入口進(jìn)入突起部件24的底側(cè)，這里設(shè)置有阻尼器31。然而，如化學(xué)惰性的氦等凈化氣體通過凈化氣體導(dǎo)入口27導(dǎo)入阻尼器31，凈化氣體累積，充滿設(shè)置阻尼器31的空間內(nèi)，然后被處理室22的排氣系統(tǒng)(未示出)吸到處理室22中。因此，活性氣體很難到達(dá)阻尼器31，所以可以防止化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物沉積于阻尼器31上，凈化氣體可以是任何不與阻尼器反應(yīng)的氣體，除He外，可以用如Ar作為第一類的稀有氣體或N2。凈化氣體的流速只需根據(jù)處理室的壓力、活性氣體的分壓等確定。
用這種導(dǎo)入凈化氣的機(jī)構(gòu)，可以防止在阻尼器上產(chǎn)生沉積，所以抑制了不必要的反射光，因而可以測量處理室內(nèi)細(xì)顆粒的弱散射光。
第五實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體引入其中，該設(shè)備還包括排氣系統(tǒng)，以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積于作為導(dǎo)入到處理室的激光的擋板的阻尼器上。
圖5是以最佳方式展示本發(fā)明第二實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。該圖中，用相同的標(biāo)記表示與第四實(shí)施例相同的部件。
如圖5所示，該實(shí)施例的制造LSI的處理設(shè)備中，在與第四實(shí)施例類似的有阻尼器31的處理室22的突起部件24上設(shè)置不同于處理室22的排氣系統(tǒng)(未示出)的排氣系統(tǒng)28。即，除設(shè)置排氣系統(tǒng)28取代第四實(shí)施例的凈化氣導(dǎo)入口外，該實(shí)施例與第四實(shí)施例有相同的結(jié)構(gòu)。
這種設(shè)備中，由于因安裝于突起部件24上的障板25而使突起部件24的處理室側(cè)的開口變窄，所以由排氣系統(tǒng)28產(chǎn)生的突起部件24的真空度保持高于處理室22的真空度。利用排氣系統(tǒng)28可以實(shí)現(xiàn)差動排氣功能。由于這種差動排氣，盡管活性氣體從處理室22流到突起部件24，但在其到達(dá)阻尼器31之前便被吸掉，所以可以防止活性氣體沉積在阻尼器31上。排氣系統(tǒng)28的排氣速率由處理室22內(nèi)的預(yù)定壓力和流到突起部件24的氣體流速確定。
由于提供這種排氣系統(tǒng)，可以防止在阻尼器上產(chǎn)生沉積，所以抑制了不必要的不規(guī)則反射光，因而可以測量處理室中細(xì)顆粒的弱散射光。
第六實(shí)施例下面說明制造LSI的處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，用于預(yù)定處理的活性氣體引入其中，該設(shè)備還包括一個開關(guān)機(jī)構(gòu)，用以防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積在作為導(dǎo)入到處理室的激光的擋板的阻尼器上。
圖6是以最佳方式展示本發(fā)明第六實(shí)施例的制造LSI處理設(shè)備的局部剖面圖。該圖中，用相同的標(biāo)記表示與第四實(shí)施例相同的部件。
在該實(shí)施例的制造LSI的處理設(shè)備中，如圖6所示，在提供有與第四實(shí)施例類似的阻尼器31的處理室22的突起部件24中的光路徑上，設(shè)置關(guān)閉激光導(dǎo)入口的開關(guān)29，該開關(guān)形成于障板25上，作為氣體入口。開關(guān)29安裝于線性運(yùn)動導(dǎo)向件30上，該導(dǎo)向件延伸到突起部件24之外，可以按圖中的上下方向運(yùn)動。以這種方式，該實(shí)施例包括開關(guān)29和線性運(yùn)動導(dǎo)向件30，以取代第四例的凈化氣體入口。
這種設(shè)備中，線性運(yùn)動導(dǎo)向件30只在檢測細(xì)顆粒的發(fā)生情況時才工作，且關(guān)閉障板25的激光導(dǎo)入口的開關(guān)29打開。相反，在不檢測發(fā)生情況時開關(guān)29關(guān)閉。如果障板25的激光導(dǎo)入口被開關(guān)29關(guān)閉，則活性氣體不能進(jìn)入障板25內(nèi)。如果開關(guān)29以這種方式的打開或關(guān)閉，由在不必要的情況下，反應(yīng)產(chǎn)物才不會沉積在窗13的內(nèi)表面上。
在激光21為連續(xù)光或可以被當(dāng)作重復(fù)頻率為幾千Hz的贗連續(xù)光時，關(guān)開29在激光21輻射的過程中保持打開狀態(tài)。在幾Hz頻率光的情況下，開關(guān)29與激光振蕩時序同步開或關(guān)。
盡管該實(shí)施例中線性運(yùn)動導(dǎo)向件30用于使開關(guān)29象圖中所示的那樣作垂直運(yùn)動，但可以用旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向件取而代之，其中開關(guān)旋轉(zhuǎn)，以繞作為中心的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向件的端部打開或關(guān)閉。另外，可以采用沿周邊依次有多個狹縫的盤在電機(jī)的驅(qū)動下繞其中心旋轉(zhuǎn)的方式，電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)到與激光的重復(fù)頻率同步。
設(shè)置這種開關(guān)機(jī)構(gòu)，可以減少入射側(cè)窗內(nèi)表面上沉積的發(fā)生，所以可以抑制不必要的不規(guī)則反射光，因而可以測量處理室中細(xì)顆粒的弱散射光。
盡管上述第四至第六實(shí)施例中，用分別采用了凈化氣、局部排氣系統(tǒng)和開關(guān)的設(shè)備作實(shí)例，但如果這些設(shè)備的特征任意結(jié)合，便能更有效地防止反應(yīng)產(chǎn)物沉積于入射側(cè)窗的處理室內(nèi)表面上。
關(guān)于上述第一至第六實(shí)施例的處理設(shè)備所用的化學(xué)活性氣體(處理氣體)，可以是氫化物、鹵化物、有機(jī)金屬化合物等等。
權(quán)利要求
1.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括具有光導(dǎo)入窗的處理室；為所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及吹散氣體裝置，用于將對于所說光導(dǎo)入窗材料為化學(xué)惰性的氣體吹散到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面。
2.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括具有光導(dǎo)入窗的處理室；為所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面附近的空間。
3.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括具有光導(dǎo)入窗的處理室；為所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面的入口。
4.如權(quán)利要求1的制造LSI的處理設(shè)備，還包括排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面附近的空間。
5.如權(quán)利要求1的制造LSI的處理設(shè)備，還包括開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面的入口。
6.如權(quán)利要求2的制造LSI的處理設(shè)備，還包括開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到作為所說處理室內(nèi)表面的光導(dǎo)入窗內(nèi)表面的入口。
7.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括處理室，具有減少導(dǎo)入到所說處理室內(nèi)的激光的光束阻尼器；用于向所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及吹散氣體裝置，用于將對于所說光束阻尼器材料為化學(xué)惰性的氣體吹散到所說光束阻尼器上。
8.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括處理室，具有減少導(dǎo)入到所說處理室內(nèi)的激光的光束阻尼器；用于向所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)所說光束阻尼器附近的空間。
9.一種制造LSI的處理設(shè)備，包括處理室，具有減少導(dǎo)入到所說處理室內(nèi)的激光的光束阻尼器；用于向所說處理室供應(yīng)化學(xué)活性氣體的裝置；及開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到所說光束阻尼器的入口。
10.如權(quán)利要求7的制造LSI的處理設(shè)備，還包括排氣裝置，用于將所說化學(xué)活性氣體排出，以便所說氣體不會到達(dá)所說光束阻尼器附近的空間。
11.如權(quán)利要求7的制造LSI的處理設(shè)備，還包括開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到所說光束阻尼器的入口。
12.如權(quán)利要求8的制造LSI的處理設(shè)備，還包括開關(guān)裝置，用于開關(guān)所說化學(xué)活性氣體到所說光束阻尼器的入口。
全文摘要
處理室中有用于預(yù)定處理的活性氣體,處理室的部分外壁構(gòu)成從此外壁延伸到空氣中的突起部件。入射側(cè)窗安裝于突起部件上,通過該窗導(dǎo)入激光。障板設(shè)置于突起部件內(nèi),用于在將激光導(dǎo)入此窗時,如果產(chǎn)生不規(guī)則反射光,阻止導(dǎo)入到室中的光的不必要部分。在窗的空氣側(cè)表面上涂抗反射層。在突起部件上形成凈化氣體入口,用于將凈化氣體沿窗的內(nèi)表面吹散。因此,可以防止處理氣體沉積在入射側(cè)窗的處理室內(nèi)表面上和光束擋板的表面上,所以處理室內(nèi)部不會被污染,因而以測量處理室內(nèi)懸浮或落下的細(xì)顆粒的弱散射光。
文檔編號G01N15/00GK1198589SQ98101758
公開日1998年11月11日 申請日期1998年5月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年5月1日
發(fā)明者上杉文彥, 伊藤奈津子 申請人:日本電氣株式會社