一種局部區(qū)域軟x射線輻射流定量測量裝置與測量方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于軟X射線輻射流定量測量領域,具體涉及一種局部區(qū)域軟X射線輻射 流定量測量裝置與測量方法。
【背景技術】
[0002] 在慣性約束聚變領域,黑腔物理、輻射輸運、輻射燒蝕、輻射不透明度以及內爆動 力學,都需要進行軟X射線輻射流的定量測量。目前,常用的0. 1keV-5.0keV能量范圍的 軟X射線輻射流量定量測量,一般采用X射線二極管陣列組成的多通道軟X光能譜儀、復合 濾片配合金陰極X射線二極管的平響應XRD探測器兩種裝置與方法。上述裝置中使用的X 射線二極管、濾片、平面鏡,要在在同步輻射束線上完成標定。盡管這些方法與裝置在X射 線輻射流測量中可實現(xiàn)高精度的定量測量,能滿足研究需要,但是存在以下缺點:(1)無法 測量不同區(qū)域的輻射流。傳統(tǒng)的軟X射線輻射流測量方法與裝置觀測的是整個靶區(qū)域,測 量的是總體的輻射流,無法測量1mm量級的X射線輻射區(qū)域內的細致區(qū)別,無法測量激光光 斑區(qū)與非光斑區(qū)的輻射流差異。(2)避免縮孔影響困難。激光打靶時,激光注入孔和診斷孔 會出現(xiàn)縮孔,導致注入孔和診斷孔面積發(fā)生變化;依賴于激光注入孔或者診斷孔面積的傳 統(tǒng)測量方法與裝置就會出現(xiàn)偏差。偏差可以依據(jù)針孔相機測量結果進行修正,但增加了測 量難度。
【發(fā)明內容】
[0003] 本發(fā)明針對上述軟X射線輻射流定量測量中存在的無法測量不同區(qū)域的輻射流、 避免縮孔影像困難的問題,提出了一種測量局部區(qū)域輻射流、能避免縮孔影響的局部區(qū)域X 射線輻射流定量測量方法與裝置,以實現(xiàn)慣性約束聚變領域,黑腔物理、輻射輸運、輻射燒 蝕、輻射不透明度以及內爆動力學的軟X射線輻射流定量測量。
[0004] 本發(fā)明涉及一種局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置,包括針孔、X射線成像 板、平響應X射線探測器、示波器,所述針孔位于最前端,所述X射線成像板位于針孔與平響 應X射線探測器之間,所述X射線成像板上有孔,孔的面積不大于平響應X射線探測器陰 極,所述平響應X射線探測器陰極對準X射線成像板上的孔,所述示波器通過電纜與平響應 X射線探測器連接。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,針孔中心、X射線成像板孔中心、平響應X射線探測器 中心位于一條直線上。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,X射線成像板后設置光闌,光闌與X射線成像板間距為 0〇
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,X射線成像板上的孔與限孔均為直徑為2mm的圓孔。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,平響應XRD探測器測量能區(qū)為0. leV~5KeV。
[0009] 同時本發(fā)明的技術方案還公開了局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量方法,包括以 下步驟: 1) 放置并調節(jié)局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置,使靶點、針孔、成像板孔、限孔、 平響應XRD探測器中心位于一條直線上; 2) 靶點發(fā)射的X射線經過針孔成像在X射線成像板上; 3) 根據(jù)X射線成像板成像與成像板孔的位置關系,孔所對應的區(qū)域就是平響應X射線 探測器的測量區(qū)域; 4) X射線二極管信號通過電纜傳輸至示波器,獲得電壓信號; 5) 根據(jù)公式其中?為輻射流,M為信號衰減倍數(shù),積為示波器阻抗,_ 為平響應X射線探測器響應函數(shù),為X射線成像板的孔對應的立體角,計算得到區(qū)域輻射 流隨時間變化結果。
[0010] 6)移動X射線成像板,使成像板孔的孔選定X射線成像的不同位置,重復步驟2、 3、4、5測量不同區(qū)域的X射線輻射流。
[0011] 本發(fā)明的技術效果是:(1)針對黑腔靶,局部區(qū)域輻射流診斷裝置具有小視場且 可對X光成像,瞄準光斑區(qū)與非光斑區(qū),可測量兩個區(qū)域的輻射流,得到光斑區(qū)與光斑區(qū)輻 射流對比結果;(2)應用局部區(qū)域輻射流診斷方法,對于激光注入孔縮孔現(xiàn)象,可以調節(jié)視 場范圍來避免觀測該區(qū)域,不需要利用針孔相機測量結果進一步修正,可以得到更準確的 輻射流測量結果。
[0012] 下面通過附圖和實施例,對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明實施例所述的局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置的結構示意 圖; 圖中:1.針孔 2.X射線成像板 3.平響應X射線探測器 4.示波器。
【具體實施方式】
[0014] 以下結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明,應當理解,此處所描述的優(yōu)選實 施例僅用于說明和解釋本發(fā)明,并不用于規(guī)定本發(fā)明。
[0015] 如圖1所示,一種局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置,包括針孔1、X射線成像 板2、平響應X射線探測器3、示波器4,針孔1位于最前端,X射線成像板2位于針孔1后 方,X射線成像板2中心有直徑為2mm的圓孔,測量能區(qū)0.leV~5KeV的平響應X射線探測 器3位于X射線成像板2后方,電纜連接平響應X射線探測器3信號輸出端與示波器4。
[0016] 以激光聚變間接驅動黑腔靶光斑區(qū)與非光斑區(qū)輻射流診斷實驗為例,局部區(qū)域軟 X射線福射流定量測量包括以下步驟: 1) 放置并調節(jié)局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置,使裝置中心軸線通過黑腔靶注 入孔、針孔、X射線成像板孔、平響應X射線探測器中心,靶到針孔的距離與針孔到成像板的 距離比值為1:10 ; 2) 激光打靶發(fā)射的X光經過針孔在X射線成像板上成放大10倍的像; 3) 根據(jù)成像板X光圖像與X射線成像板圓孔位置關系,圓孔對應的區(qū)域就是平響應X 射線二極管的測量區(qū)域; 4) 調節(jié)X射線成像板直徑2mm圓孔位置,使圓孔對應的區(qū)域完全落入非光斑區(qū); 5) 激光打靶發(fā)射的X射線經過針孔在成像板上成放大10倍的像,通過成像板圓孔的 X射線,照射至平響應X射線探測器產生電信號,信號經過電纜傳輸至示波器,獲得電壓信 號; 6) 根據(jù)公式~~,其中:為輻射流,滅為衰減倍數(shù),沒為示波器阻抗屬為平 響應探測器響應函數(shù),:〇為光闌對應的立體角,計算得到非光斑區(qū)域輻射流隨時間變化結 果; 7) 移動X射線成像板,使圓孔選定光斑位置,重復步驟5、6、可測量光斑區(qū)域的X射線 輻射流隨時間變化結果。
[0017] 最后說明的是:以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,對于本領域的技術人而言,其依然可以對 前述實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分特征等同替換,所做的任何修改、 等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種局部區(qū)域軟X射線福射流定量測量裝置,其特征在于,包括針孔、X射線成像板、 平響應X射線探測器、示波器,所述針孔位于最前端,所述X射線成像板位于針孔與平響應X 射線探測器之間,所述X射線成像板上有孔,孔的面積不大于平響應X射線探測器陰極,所 述平響應X射線探測器陰極對準X射線成像板上的孔,所述示波器通過電纜與平響應X射 線探測器連接。2. 根據(jù)權利要求1所述的局部區(qū)域軟X射線福射流定量測量裝置,其特征在于,所述針 孔中屯、、X射線成像板孔中屯、、平響應X射線探測器中屯、位于一條直線上。3. 局部區(qū)域軟X射線福射流定量測量方法,其特征在于,包括W下步驟: 1) 放置并調節(jié)局部區(qū)域軟X射線福射流定量測量裝置,使祀點、針孔、成像板孔、限孔、 平響應X畑探測器中屯、位于一條直線上; 2) 祀點發(fā)射的X射線經過針孔成像在X射線成像板上; 3) 根據(jù)X射線成像板成像與成像板孔的位置關系,孔所對應的區(qū)域就是平響應X射線 探測器的測量區(qū)域; 4. X射線二極管信號通過電纜傳輸至示波器,獲得電壓信號; 5) 根據(jù)公貴,其中嘴銳幼福射流,勞為信號衰減倍數(shù),礙為示波器阻抗,姨 為平響應X射線探測器響應函數(shù),錢為X射線成像板的孔對應的立體角,計算得到區(qū)域福射 流隨時間變化結果; 6) 移動X射線成像板,使成像板孔的孔選定X射線成像的不同位置,重復步驟2、3、4、5 測量不同區(qū)域的X射線福射流。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種局部區(qū)域軟X射線輻射流定量測量裝置與測量方法,其特征在于,包括針孔、X射線成像板、平響應X射線探測器、示波器,所述針孔位于最前端,所述X射線成像板位于針孔與平響應X射線探測器之間,所述X射線成像板上有孔,孔的面積不大于平響應X射線探測器陰極,所述平響應X射線探測器陰極對準X射線成像板上的孔,所述示波器通過電纜與平響應X射線探測器連接。從而避免縮孔影響,實現(xiàn)不同區(qū)域X射線輻射流的測量。
【IPC分類】G01T1/36, G01T1/29
【公開號】CN105204059
【申請?zhí)枴緾N201510574047
【發(fā)明人】侯立飛, 劉慎業(yè), 杜華冰, 李志超, 楊國洪, 韋敏習, 任寬, 楊家敏, 江少恩, 楊冬, 楊軼濛
【申請人】中國工程物理研究院激光聚變研究中心
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年9月11日