一種無損檢測(cè)組合試塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種無損檢測(cè)組合試塊，該組合試塊包括第一試塊和第二試塊，其中，第一試塊為具有一凹槽的薄片，凹槽深度略小于第一試塊厚度；第二試塊由多個(gè)厚度相等的獨(dú)立單塊拼接而成，且多個(gè)獨(dú)立單塊拼接后在第二試塊表面形成交叉拼接線，第二試塊的形狀與凹槽相匹配，嵌入凹槽內(nèi)；第一試塊和第二試塊由電磁純鐵制成。本實(shí)用新型組合試塊既可以作為磁粉檢測(cè)用試塊，也可以作為滲透檢測(cè)用試塊，簡(jiǎn)單實(shí)用，節(jié)約成本。
【專利說明】
一種無損檢測(cè)組合試塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可同時(shí)用于磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)的組合試塊。
【【背景技術(shù)】】
[0002]無損檢測(cè)是一門新興的綜合性應(yīng)用技術(shù)學(xué)科，是在不破壞或不損傷被檢查對(duì)象的前提下，測(cè)定和評(píng)價(jià)物質(zhì)內(nèi)部或外表各類缺陷的學(xué)科。無損檢測(cè)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)質(zhì)量控制、改進(jìn)工藝、降低成本、保證設(shè)備安全運(yùn)行等的重要手段，已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)產(chǎn)品的制造和使用過程中不可缺少的組成部分。到目前為止，針對(duì)不同缺陷類型和特點(diǎn)，無損檢測(cè)方法有:射線檢測(cè)、超聲檢測(cè)、渦流檢測(cè)、磁粉檢測(cè)、滲透檢測(cè)、聲發(fā)射檢測(cè)、紅外檢測(cè)以及激光全息照相檢測(cè)新技術(shù)等。
[0003]其中，磁粉檢測(cè)是利用工件缺陷處的漏磁場(chǎng)與磁粉的相互作用，對(duì)工件表面和近表面缺陷進(jìn)行檢測(cè)的方法。在采用磁粉檢測(cè)方法對(duì)工件進(jìn)行檢查前，需要用試塊對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度進(jìn)行校驗(yàn)，校驗(yàn)合格后才能對(duì)工件進(jìn)行檢測(cè)作業(yè)。同樣地，滲透檢測(cè)出作為無損檢測(cè)的一種檢測(cè)方法，在對(duì)工件進(jìn)行檢查前，也需要用試塊對(duì)滲透劑的靈敏度進(jìn)行校驗(yàn)。
[0004]但目前，針對(duì)上述兩種檢測(cè)，須采用不同的標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行作業(yè)前靈敏度校驗(yàn)，檢驗(yàn)人員在對(duì)工件進(jìn)行磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)時(shí)，需要攜帶兩種不同試塊，為檢驗(yàn)人員帶來了不便，因此，亟需開發(fā)一種能夠同時(shí)滿足磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)作業(yè)前靈敏度校驗(yàn)的試塊。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種無損檢測(cè)組合試塊，該組合試塊能夠同時(shí)滿足磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)作業(yè)前靈敏度校驗(yàn)。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種無損檢測(cè)組合試塊，用于對(duì)磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)的靈敏度進(jìn)行檢驗(yàn)，包括第一試塊和第二試塊，所述第二試塊嵌在第一試塊的凹槽內(nèi)；所述第二試塊由多個(gè)獨(dú)立單塊拼接而成所述多個(gè)獨(dú)立單塊拼接后在所述第二試塊表面形成交叉拼接線作為無損檢測(cè)的缺陷。
[0008]進(jìn)一步地，所述第一試塊和第二試塊由電磁純鐵制成。
[0009]進(jìn)一步地，所述凹槽的深度小于第一試塊的厚度，所述凹槽的直徑略小于第二試塊的直徑。
[0010]進(jìn)一步地，多個(gè)獨(dú)立單塊結(jié)構(gòu)相同，每個(gè)獨(dú)立單塊的厚度與凹槽的深度相等。進(jìn)一步地，所述凹槽截面為圓形，所述第二試塊由四個(gè)相同的獨(dú)立單塊構(gòu)成，該四個(gè)獨(dú)立單塊拼接成與所述凹槽形狀相匹配的圓柱體。
[0011]進(jìn)一步地，所述凹槽截面為正方形，所述第二試塊由四個(gè)相同的獨(dú)立單塊構(gòu)成，該四個(gè)獨(dú)立單塊拼接成與所述凹槽形狀相匹配的正方體。
[0012]進(jìn)一步地，所述凹槽位于所述第一試塊的中心。
[0013]進(jìn)一步地，所述第一試塊為圓形或正方形薄片。
[0014]進(jìn)一步地，所述獨(dú)立單塊拼接后在所述第二試塊表面形成的交叉拼接線為“十”字形交叉拼接線。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型至少具有以下有益效果:本實(shí)用新型提供的一種無損檢測(cè)組合試塊在第一試塊上嵌有第二試塊，且第二試塊由多個(gè)獨(dú)立單塊拼接而成，所述多個(gè)獨(dú)立單塊拼接后在所述第二試塊表面形成交叉拼接線作為無損檢測(cè)的缺陷。這樣，當(dāng)需要進(jìn)行磁粉檢測(cè)設(shè)備靈敏度校驗(yàn)時(shí)，用膠帶紙將本實(shí)用新型試塊的正面緊貼在被檢工件清潔的表面上，在對(duì)工件和試塊進(jìn)行磁化的同時(shí)向試塊反面噴灑磁懸液，并觀察試塊上的磁痕。磁化電流恰當(dāng)，那么試塊反面上就會(huì)出現(xiàn)清晰的交叉拼接線磁痕。當(dāng)需要進(jìn)行滲透檢測(cè)滲透劑靈敏度校驗(yàn)時(shí)，用清洗劑清洗本實(shí)用新型試塊正面后，將滲透劑噴灑在本試塊正面上，靜置后，擦除試塊正面上的滲透劑，將顯像劑噴灑于本實(shí)用新型正面上，觀察顯影即。因此，本實(shí)用新型既可以作為磁粉檢測(cè)用試塊，也可以作為滲透檢測(cè)用試塊，簡(jiǎn)單實(shí)用，節(jié)約成本。
【【附圖說明】】
[0016]圖1為本實(shí)用新型試塊整體示意圖；
[0017]圖2為圖1中沿A-A方向的剖面圖；
[0018]圖3為本實(shí)用新型中第一試塊俯視圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型中第二試塊俯視圖。
[0020]其中，I為第一試塊;2為第二試塊;3為凹槽;4為試塊正面;5為試塊反面;6為拼接線。
【【具體實(shí)施方式】】
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]如圖1-4所示，本實(shí)用新型組合試塊包括第一試塊I和第二試塊2，其中，第一試塊為具有一凹槽3的薄片，所述凹槽3厚度略小于所述第一試塊I厚度;所述第二試塊2由4個(gè)厚度相等的獨(dú)立單塊2a，2b，2c，2d拼接而成，且所述4個(gè)獨(dú)立單塊2a，2b，2c，2d拼接后在所述第二試塊2表面形成交叉拼接線6，所述第二試塊2的形狀與所述凹槽3相匹配，嵌入所述凹槽3內(nèi)；所述第一試塊I和第二試塊2由電磁純鐵DT4A制成。
[0023]所述第一試塊I為厚度5mm的圓形薄片或正方形薄片，其上具有一截面為圓形或正方形的凹槽3，所述凹槽3直徑為10mm，深度為4.9mm。所述第二試塊2由四個(gè)大小相等、形狀相同的獨(dú)立單塊2a，2b，2c，2d構(gòu)成，所述任一獨(dú)立單塊為厚度4.9mm的直角扇形塊，該四個(gè)獨(dú)立單塊2a，2b，2c，2d拼接后形成表面具有“十”字形交叉拼接線6的第二試塊2，該“十”字形交叉拼接線6作為所述組合試塊的人工缺陷，為了使第二試塊2更為緊密地嵌入所述凹槽3中，將該扇形塊所在圓的半徑設(shè)為5.01mm，并將該四個(gè)獨(dú)立單塊2a，2b，2c，2d拼接后嵌入所述第一試塊凹槽3內(nèi)，構(gòu)成本實(shí)用新型所述組合試塊。
[0024]當(dāng)需要進(jìn)行磁粉檢測(cè)設(shè)備靈敏度校驗(yàn)時(shí)，用膠帶紙將本實(shí)用新型試塊的正面4緊貼在被檢工件清潔的表面上，在對(duì)工件和試塊進(jìn)行磁化的同時(shí)向試塊反面5噴灑磁懸液，并觀察試塊上的磁痕。磁化電流恰當(dāng)，那么試塊反面5上就會(huì)出現(xiàn)清晰的交叉拼接線磁痕。
[0025]當(dāng)需要進(jìn)行滲透檢測(cè)滲透劑靈敏度校驗(yàn)時(shí)，用清洗劑清洗本實(shí)用新型試塊正面4后，將滲透劑噴灑在本試塊正面4上，靜置7?1min后，擦除試塊正面4上的滲透劑，將顯像劑噴灑于本實(shí)用新型正面4上，觀察顯影即可。
[0026]本實(shí)用新型提供的一種無損檢測(cè)組合試塊，其第二試塊遠(yuǎn)離凹陷槽一側(cè)表面形成的相交拼接線作為滲透檢測(cè)試塊人工缺陷;第二試塊與凹陷槽接觸一側(cè)表面形成的相交拼接線作為磁粉檢測(cè)試塊人工缺陷，第一試塊作為缺陷基體。該組合試塊既可以作為磁粉檢測(cè)用試塊，也可以作為滲透檢測(cè)用試塊，簡(jiǎn)單實(shí)用，節(jié)約成本。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種無損檢測(cè)組合試塊，用于對(duì)磁粉檢測(cè)和滲透檢測(cè)的靈敏度進(jìn)行檢驗(yàn)，其特征在于:該無損檢測(cè)組合試塊包括第一試塊(I)和第二試塊(2)，所述第二試塊(2)嵌在第一試塊(I)的凹槽(3)內(nèi)；所述第二試塊由多個(gè)獨(dú)立單塊拼接而成，所述多個(gè)獨(dú)立單塊拼接后在所述第二試塊表面形成交叉拼接線(6)作為無損檢測(cè)的缺陷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述第一試塊(I)和第二試塊(2)由電磁純鐵制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述凹槽(3)的深度小于第一試塊(I)的厚度，所述凹槽(3)的直徑略小于第二試塊(2)的直徑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:多個(gè)獨(dú)立單塊結(jié)構(gòu)相同，每個(gè)獨(dú)立單塊的厚度與凹槽(3)的深度相等。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述凹槽(3)截面為圓形，所述第二試塊(2)由四個(gè)相同的獨(dú)立單塊構(gòu)成，該四個(gè)獨(dú)立單塊拼接成與所述凹槽(3)形狀相匹配的圓柱體。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述凹槽(3)截面為正方形，所述第二試塊(2)由四個(gè)相同的獨(dú)立單塊構(gòu)成，該四個(gè)獨(dú)立單塊拼接成與所述凹槽(3)形狀相匹配的正方體。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述凹槽(3)位于所述第一試塊(I)的中心。8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述第一試塊(I)為圓形或正方形薄片。9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的一種無損檢測(cè)組合試塊，其特征在于:所述獨(dú)立單塊拼接后在所述第二試塊表面形成的交叉拼接線(6)為“十”字形交叉拼接線。
【文檔編號(hào)】G01N27/84GK205506755SQ201620082011
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年1月27日
【發(fā)明人】劉寶林, 楊占君, 白公寶, 曹艷, 周寧
【申請(qǐng)人】中國(guó)大唐集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司西北分公司