一種手持式自適應(yīng)中電壓功率mosfet參數(shù)測(cè)量?jī)x的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測(cè)試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的LCD顯示模塊與操作鈕；本實(shí)用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x采用可循環(huán)充電鋰電池供電，并配備有常用封裝的功率MOSFET測(cè)試夾具，工程技術(shù)人員只需要將裝載有中電壓功率MOSFET的測(cè)試夾具插入測(cè)量接口，按下測(cè)量按鈕即可測(cè)量中電壓功率MOSFET的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds參數(shù)并在面板的LCD顯示屏顯示測(cè)量所得數(shù)據(jù)；整個(gè)測(cè)量過(guò)程方便、快捷、及時(shí)、準(zhǔn)確、高效。手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x性價(jià)比高、易推廣，在產(chǎn)品選型、產(chǎn)品設(shè)計(jì)的過(guò)程中為工程技術(shù)人員提供有價(jià)值的依據(jù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電子元件的參數(shù)測(cè)量領(lǐng)域，具體涉及一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x。
【背景技術(shù)】
[0002]功率MOSFET器件是目前功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件中市場(chǎng)容量最大、需求增長(zhǎng)最快的電子器件，同時(shí)也是最好的功率開(kāi)關(guān)器件;隨著功率MOSFET在電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，型號(hào)規(guī)格繁多；針對(duì)不同電子產(chǎn)品應(yīng)用，需要設(shè)計(jì)、選擇不同參數(shù)的功率MOSFET，中電壓功率MOSFET 范圍為 100V〈Vds 彡 250V。
[0003]現(xiàn)有的中電壓功率MOSFET測(cè)量?jī)x主要是針對(duì)晶圓FAB廠、晶圓測(cè)試廠和封裝廠批量測(cè)試中電壓功率MOSFET而設(shè)計(jì)，具有復(fù)雜的工控電路和機(jī)械結(jié)構(gòu)，采用市電供電方式，并以機(jī)臺(tái)的形式存在。其價(jià)格昂貴，調(diào)試、維修困難，一般企業(yè)無(wú)力承擔(dān)相關(guān)費(fèi)用，使得眾多MOSFET設(shè)計(jì)企業(yè)、MOSFET銷(xiāo)售企業(yè)及電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠商無(wú)法方便、快捷、及時(shí)的獲得相應(yīng)中電壓功率MOSFET器件的CiSS、CoSS、CrSS、Vth及Vds參數(shù)為工程技術(shù)人員提供有價(jià)值的依據(jù)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化且測(cè)量功能齊全的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x。
[0005]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題提出的技術(shù)方案是:一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測(cè)試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的IXD顯示模塊與操作鈕；
[0006]所述PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號(hào)源單元、DC/DC升壓電源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號(hào)調(diào)理單元和MCU模塊；
[0007]所述鋰電池組為所述LDO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電，所述LDO-A單元分別為所述IMHz信號(hào)源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊和信號(hào)調(diào)理單元供電，所述LDO-B單元分別為所述自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電；
[0008]所述IMHz信號(hào)源單元的信號(hào)輸出到自動(dòng)平衡電橋模塊，所述自動(dòng)平衡電橋模塊的信號(hào)輸出到信號(hào)調(diào)理單元，所述自由軸矢量發(fā)生器的信號(hào)輸出到所述信號(hào)調(diào)理單元，所述信號(hào)調(diào)理單元的信號(hào)輸出到MCU模塊，所述MCU模塊的信號(hào)輸出到所述LCD顯示模塊，所述操作鈕連接到所述MCU模塊的控制信息輸入端，所述MCU模塊的控制端連接到所述自動(dòng)平衡電橋模塊，所述測(cè)試連接端口連接到所述自動(dòng)平衡電橋模塊；
[0009]所述DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，所述直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，所述擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，所述直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動(dòng)平衡電橋模塊。
[0010]進(jìn)一步的，還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測(cè)試夾具，所述測(cè)試夾具連接到所述測(cè)試連接端口。
[0011]進(jìn)一步的，所述操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測(cè)量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0013]本實(shí)用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x采用可循環(huán)充電鋰電池供電，并配備有常用封裝的功率MOSFET測(cè)試夾具，工程技術(shù)人員只需要將裝載有中電壓功率M O S F E T的測(cè)試夾具插入測(cè)量接口，按下測(cè)量按鈕即可測(cè)量中電壓功率M O S F E T的CiSS、C0SS、CrSS、Vth及Vds參數(shù)并在面板的IXD顯示屏顯示測(cè)量所得數(shù)據(jù);整個(gè)測(cè)量過(guò)程方便、快捷、及時(shí)、準(zhǔn)確、高效。手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x性價(jià)比高、易推廣，在產(chǎn)品選型、產(chǎn)品設(shè)計(jì)的過(guò)程中為工程技術(shù)人員提供有價(jià)值的依據(jù)。
【附圖說(shuō)明】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0015]圖1是本實(shí)用新型中手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x的外觀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本實(shí)用新型中手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
實(shí)施例
[0017]根據(jù)圖1和圖2所示，本實(shí)用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測(cè)試連接端口和設(shè)置在殼體上的LCD顯示模塊與操作鈕。
[0018]PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號(hào)源單元、DC/DC升壓電源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號(hào)調(diào)理單元和M⑶模塊，M⑶模塊為微處理器及其外圍電路。LDO-A單元和LDO-B單元分別為低壓差線性穩(wěn)壓器-A和低壓差線性穩(wěn)壓器-B。
[0019]其中，鋰電池組為L(zhǎng)DO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電。
[0020]LDO-A單元產(chǎn)生±5V電壓，分別為IMHz信號(hào)源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊和信號(hào)調(diào)理單元供電，LDO-B單元分別為自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電。
[0021]鋰電池管理單元用于鋰電池組電量計(jì)算及充放電保護(hù)。
[0022]IMHz信號(hào)源單元用于產(chǎn)生測(cè)量基準(zhǔn)信號(hào)并將基準(zhǔn)信號(hào)輸出到自動(dòng)平衡電橋模塊，自動(dòng)平衡電橋模塊的信號(hào)輸出到信號(hào)調(diào)理單元，自由軸矢量發(fā)生器的信號(hào)輸出到信號(hào)調(diào)理單元，信號(hào)調(diào)理單元的信號(hào)輸出到M⑶模塊，M⑶模塊的信號(hào)輸出到LCD顯示模塊，操作鈕連接到MCU模塊的控制信息輸入端，MCU模塊的控制端連接到自動(dòng)平衡電橋模塊，測(cè)試連接端口連接到自動(dòng)平衡電橋模塊。
[0023]自動(dòng)平衡電橋模塊用于信號(hào)轉(zhuǎn)換。
[0024]自由軸矢量發(fā)生器用于產(chǎn)生0°及90°相敏檢波信號(hào)。
[0025]信號(hào)調(diào)理單元用于調(diào)理相敏檢波后的信號(hào)。
[0026]MCU模塊用于數(shù)據(jù)采集、處理并接受功能按鍵操作指令并做出相應(yīng)測(cè)試條件設(shè)置后進(jìn)行測(cè)量，并將測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果通過(guò)LCD顯示模塊顯示。
[0027]DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動(dòng)平衡電橋模塊。測(cè)量Ciss、Coss、Crss時(shí)，對(duì)中電壓功率MOSFET施加直流偏置電壓；測(cè)量Vds時(shí)，對(duì)中電壓功率MOSFET施加擊穿電壓，且電路具有過(guò)流及短路保護(hù)功能。
[0028]可以作為優(yōu)選的是:還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測(cè)試夾具，測(cè)試夾具連接到測(cè)試連接端口。
[0029]可以作為優(yōu)選的是:操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測(cè)量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
[0030]在使用時(shí)，電子工程技術(shù)人員將待測(cè)中電壓功率MOSFET器件(待測(cè)器件簡(jiǎn)稱(chēng)DUT)放置入MOSFET測(cè)試夾具中(T0-220封裝系列可直接插入測(cè)量連接端口，無(wú)需測(cè)量夾具)，并將測(cè)試夾具插入測(cè)量連接端口，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，旋轉(zhuǎn)直流偏置電壓調(diào)節(jié)旋鈕，將直流偏置電壓設(shè)置為MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的測(cè)試電壓條件，測(cè)試電壓值在LCD屏右下角顯示，設(shè)置好后按下測(cè)試按鍵，即進(jìn)行數(shù)據(jù)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果將顯示在IXD屏上。
[0031]本實(shí)用新型的不局限于上述實(shí)施例，本實(shí)用新型的上述各個(gè)實(shí)施例的技術(shù)方案彼此可以交叉組合形成新的技術(shù)方案，另外凡采用等同替換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，其特征在于:包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測(cè)試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的IXD顯示模塊與操作鈕； 所述PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號(hào)源單元、DC/DC升壓電源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號(hào)調(diào)理單元和MCU模塊； 所述鋰電池組為所述LDO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電，所述LDO-A單元分別為所述IMHz信號(hào)源單元、自動(dòng)平衡電橋模塊和信號(hào)調(diào)理單元供電，所述LDO-B單元分別為所述自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電； 所述IMHz信號(hào)源單元的信號(hào)輸出到自動(dòng)平衡電橋模塊，所述自動(dòng)平衡電橋模塊的信號(hào)輸出到信號(hào)調(diào)理單元，所述自由軸矢量發(fā)生器的信號(hào)輸出到所述信號(hào)調(diào)理單元，所述信號(hào)調(diào)理單元的信號(hào)輸出到MCU模塊，所述MCU模塊的信號(hào)輸出到所述LCD顯示模塊，所述操作鈕連接到所述MCU模塊的控制信息輸入端，所述MCU模塊的控制端連接到所述自動(dòng)平衡電橋模塊，所述測(cè)試連接端口連接到所述自動(dòng)平衡電橋模塊； 所述DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，所述直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，所述擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，所述直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動(dòng)平衡電橋模塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，其特征在于:還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測(cè)試夾具，所述測(cè)試夾具連接到所述測(cè)試連接端口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測(cè)量?jī)x，其特征在于:所述操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測(cè)量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK205665369SQ201620552318
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月8日
【發(fā)明人】劉治剛
【申請(qǐng)人】晶科華興集成電路（深圳）有限公司