半導體功能測試裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種半導體功能測試裝置，包括：測試底座和測試板；所述測試板安裝在所述測試底座上，所述測試板與所述測試底座之間設置有一保溫腔。在本實用新型提供的半導體功能測試裝置中，通過增設測試底座，使得測試板與測試底座之間形成保溫腔，從而確保待測樣品的溫度環(huán)境符合標準要求。
【專利說明】
半導體功能測試裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種半導體功能測試裝置。
【背景技術】
[0002]隨著半導體工藝的發(fā)展，半導體產(chǎn)品越來越復雜。為了保證半導體產(chǎn)品的性能和質(zhì)量，功能(Funct1nal Test，簡稱FT)測試是產(chǎn)品制造過程中必不可少的一個環(huán)節(jié)。由于越來越多的半導體產(chǎn)品需要在高溫、常溫和低溫環(huán)境下進行工作，因此對半導體產(chǎn)品進行功能測試時也要考慮溫度環(huán)境。
[0003]請參考圖1，其為現(xiàn)有技術的半導體功能測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的半導體功能測試裝置包括一測試板10，所述測試板10用以承載待測樣品(Device UnderTest，簡稱DUT)DUT并與其電性連接。進行半導體功能測試時，先將一待測樣品DUT放置在測試板10的上，之后通入具有設定溫度的氮氣，并從上而下吹掃所述待測樣品DUT，使得所述待測樣品DUT達到設定溫度。在此過程中，所述待測樣品DUT和測試板10的正面與氮氣直接接觸，而所述待測樣品DUT和測試板10的背面均不與氮氣直接接觸，因此所述待測樣品DUT與測試板10的正反面存在一定的溫差。
[0004]由此可見，目前半導體功能測試的溫度環(huán)境只考慮到測試板正面的溫度，忽略了測試板背面的溫度，導致測試板以及待測樣品DUT的正反面出現(xiàn)較大溫差。進行高溫測試時，由于所述測試板10的背面散熱，環(huán)境溫度不穩(wěn)定，因此不符合JEDEC標準的環(huán)境要求。進行低溫測試時，所述測試板10的背面會出現(xiàn)冷凝問題。
[0005]基此，如何解決現(xiàn)有的半導體功能測試存在的高溫狀態(tài)下溫度不穩(wěn)定以及低溫冷凝的問題，成了本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型的目的在于提供一種半導體功能測試裝置，以解決現(xiàn)有技術中半導體功能測試存在的高溫狀態(tài)下溫度不穩(wěn)定以及低溫冷凝的問題。
[0007]為解決上述技術問題，本實用新型提供一種半導體功能測試裝置，所述半導體功能測試裝置包括:
[0008]測試底座和測試板；
[0009]所述測試板安裝在所述測試底座上，所述測試板與所述測試底座之間設置有一保溫腔。
[0010]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述測試底座包括底板、支架和螺栓，所述支架與所述底板連接，所述螺栓的一端設置于所述支架上，所述保溫腔位于所述底板上。
[0011]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述支架通過軸承與所述底板旋轉(zhuǎn)連接。
[0012]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述測試底座包括至少兩個所述支架，且所述保溫腔相對的兩側(cè)至少各設置一個所述支架。
[0013]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述底板上設置有一凹槽，所述凹槽面向所述測試板的一面設置有保溫層，所述保溫腔位于所述凹槽與所述測試板之間。
[0014]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述保溫層為高溫橡膠棉保溫層。
[0015]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述凹槽的側(cè)壁上開設有至少一個通孔，所述通孔連通所述保溫腔。
[0016]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述通孔的外側(cè)覆蓋有彈片，所述通孔和彈片組成一向所述保溫腔外單向?qū)饬鞯膯蜗驓忾y。
[0017]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述凹槽的側(cè)壁上開設有多個所述通孔，多個所述通孔均勻排布或?qū)ΨQ排布于所述凹槽的兩個相對的側(cè)壁上。
[0018]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述支架面向所述測試板的一面上設置有滑道，所述滑道的縱截面的形狀為梯形。
[0019]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述螺栓的另一端設置于所述支架的滑道中，所述螺栓沿著所述滑道移動。
[0020]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述測試板上設置有至少一氣孔，所述氣孔正對所述保溫腔。
[0021]優(yōu)選的，在所述的半導體功能測試裝置中，所述測試板包括一電源信號層和一地信號層，所述電源信號層和地信號層均具有鏤空區(qū)域。
[0022]在本實用新型提供的半導體功能測試裝置中，通過增設測試底座，使得測試板與測試底座之間形成保溫腔，從而確保待測樣品的溫度環(huán)境符合標準要求。
【附圖說明】
[0023]圖1是現(xiàn)有技術的半導體功能測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2是本實用新型實施例的半導體功能測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3是本實用新型實施例的測試底座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4是本實用新型實施例的支架的剖視圖；
[0027]圖5是本實用新型實施例的測試板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6是本實用新型實施例的半導體功能測試裝置進行功能測試時的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的半導體功能測試裝置作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0030]請參考圖2，圖2所示為本實用新型實施例的半導體功能測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述半導體功能測試裝置100包括:測試底座110和測試板120;所述測試板120安裝在所述測試底座110上，所述測試底座110和測試板120之間設置有一保溫腔118。
[0031]具體的，所述測試底座110用于承載所述測試板120，所述測試板120用于承載待測樣品DUT，并與所述待測樣品DUT電性連接。
[0032]請參考圖3，圖3所示為本實用新型實施例的測試底座的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述測試底座110包括底板111、支架113和螺栓115，所述支架113通過軸承117與所述底板111連接，所述螺栓115的一端設置于所述支架113上。
[0033]請參考圖4，圖4所示為本實用新型實施例的支架的剖視圖。如圖4所示，所述支架113的寬度為LI，高度為DI，所述支架113上設置有滑道119，所述滑道119的縱截面的形狀為梯形，所述梯形的上底邊L3相對較短而下底邊L2相對較長，所述梯形的高度為D2。
[0034]本實施例中，所述支架113是可旋轉(zhuǎn)的，而且，所述螺栓115的另一端設置于所述支架113的滑道119中，能夠沿著所述滑道119移動。即，所述支架113的角度是可調(diào)整的，同時所述螺栓115的位置是可移動的。通過調(diào)整所述支架113的角度或者所述螺栓115的位置，能夠測試不同尺寸、不同型號的產(chǎn)品，由此增加了半導體功能測試裝置的適應性。
[0035]請結(jié)合參考圖2和圖3，所述底板111上設置有一凹槽，所述凹槽上設置有保溫層112，所述保溫層112起到隔熱保溫作用。本實施例中，所述保溫層112的材料采用高溫橡膠棉，所述高溫橡膠棉不但能夠起到隔熱保溫作用，而且具有可壓縮性，能夠起到密閉作用，因此能夠確保溫腔118的保溫效果。
[0036]請結(jié)合參考圖2和圖3，所述凹槽的側(cè)壁上開設有至少一個通孔114，所述通孔114連通所述保溫腔118，所述通孔114的外側(cè)覆蓋有彈片116，所述通孔114和彈片116組合形成一向所述保溫腔118外單向?qū)饬鞯膯蜗驓忾y。其中，所述凹槽一般位于所述底板111的中間位置。
[0037]優(yōu)選的，所述底板111和凹槽均為中心對稱結(jié)構(gòu)，所述凹槽的中心與所述底板111的中心重合。
[0038]優(yōu)選的，所述凹槽的側(cè)壁上開設有多個所述通孔114，多個所述通孔114均勻排布或?qū)ΨQ排布于所述凹槽的兩個相對的側(cè)壁上。
[0039]本實施例中，所述底板111和凹槽均為矩形，所述凹槽具有四個側(cè)壁和一個底壁，兩個相對的側(cè)壁上分別開設有兩個通孔114且位置相對。
[0040]請參考圖5，圖5所示為本實用新型實施例的測試板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，所述測試板120為多層結(jié)構(gòu)，包括一電源信號層和一地信號層(圖中未示出)，所述電源信號層和地信號層均采用鏤空設計，即所述電源信號層和地信號層設置有鏤空區(qū)域A(圖中多條黑色粗線所示區(qū)域)，所述鏤空區(qū)域A中沒有金屬層。
[0041]其中，所述鏤空區(qū)域的形狀和位置在此不做限定，所述電源信號層和地信號層中沒有信號線的位置均可以設置為鏤空區(qū)域。
[0042]在現(xiàn)有的測試板中，由于電源信號層和地信號層所在的金屬層是連續(xù)的，熱量非常容易擴散。而在所述的測試板120中，電源信號層和地信號層所在的金屬層都是不連續(xù)的，因此能夠降低熱量的傳導。采用本實施例提供的測試板120，能夠減少熱量的流失，提高特定區(qū)域內(nèi)的溫度準確性。
[0043]請繼續(xù)參考圖2，所述測試板120上設置有至少一氣孔120a，所述氣孔120a正對所述保溫腔118，具有一定溫度的干燥氮氣能夠通過所述氣孔120a進入所述保溫腔118。
[0044]請參考圖6，圖6所示為本實用新型實施例的半導體功能測試裝置進行半導體功能測試時的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，進行半導體功能測試時，待測樣品DUT放置在所述測試板120上，所述測試板120通過所述螺栓115固定安裝在所述測試底座110上，達到一定溫度的干燥氮氣從上而下吹掃所述待測樣品DUT，氣流經(jīng)由所述測試板120的氣孔吹到所述測試板120與測試底座110之間的保溫腔118內(nèi)，此時所述保溫腔118內(nèi)的氣壓高于外界，所以單向氣閥的彈片116被吹起，最終氣流流向外界，氣流如此流動，從而達到加熱或制冷的目的。
[0045]在此過程中，所述彈片116起到了使氣流單向流動的作用。當所述保溫腔118內(nèi)的氣壓低于或等于外界氣壓時，所述彈片116能夠防止外界帶有濕氣的氣流進入保溫腔118，進而避免冷凝和結(jié)霜問題。
[0046]采用本實施例提供的半導體功能測試裝置，不會對現(xiàn)有的半導體功能測試方法以及其他硬件，例如分類機(handler)的基本結(jié)構(gòu)造成影響。即，無須進行設備改造，就能夠與現(xiàn)有的半導體功能測試硬件匹配進行半導體功能測試，因此基本上不會增加設備費用和檢測費用。
[0047]綜上，在本實用新型實施例提供的半導體功能測試裝置中，通過增設測試底座，使得測試板與測試底座之間形成保溫腔，從而確保待測樣品的溫度環(huán)境符合標準要求。同時，在所述保溫腔的邊緣設置單向氣閥，以避免低溫環(huán)境時出現(xiàn)冷凝問題。進一步的，所述測試板的金屬層做了分割處理，以降低熱量的傳導，由此增強了半導體功能測試過程的保溫性。
[0048]上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限定，本實用新型領域的普通技術人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導體功能測試裝置，其特征在于，包括:測試底座和測試板； 所述測試板安裝在所述測試底座上，所述測試板與所述測試底座之間設置有一保溫腔。2.如權(quán)利要求1所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述測試底座包括底板、支架和螺栓，所述支架與所述底板連接，所述螺栓的一端設置于所述支架上，所述保溫腔位于所述底板上。3.如權(quán)利要求2所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述支架通過軸承與所述底板旋轉(zhuǎn)連接。4.如權(quán)利要求2所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述測試底座包括至少兩個所述支架，且所述保溫腔相對的兩側(cè)至少各設置一個所述支架。5.如權(quán)利要求2所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述底板上設置有一凹槽，所述凹槽面向所述測試板的一面設置有保溫層，所述保溫腔位于所述凹槽與所述測試板之間。6.如權(quán)利要求5所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述保溫層為高溫橡膠棉保溫層。7.如權(quán)利要求5所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁上開設有至少一個通孔，所述通孔連通所述保溫腔。8.如權(quán)利要求7所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述通孔的外側(cè)覆蓋有彈片，所述通孔和彈片組成一向所述保溫腔外單向?qū)饬鞯膯蜗驓忾y。9.如權(quán)利要求7所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁上開設有多個所述通孔，多個所述通孔均勻排布或?qū)ΨQ排布于所述凹槽的兩個相對的側(cè)壁上。10.如權(quán)利要求2所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述支架面向所述測試板的一面上設置有滑道，所述滑道的縱截面的形狀為梯形。11.如權(quán)利要求10所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述螺栓的另一端設置于所述支架的滑道中，所述螺栓沿著所述滑道移動。12.如權(quán)利要求1所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述測試板上設置有至少一氣孔，所述氣孔正對所述保溫腔。13.如權(quán)利要求1所述的半導體功能測試裝置，其特征在于，所述測試板包括一電源信號層和一地信號層，所述電源信號層和地信號層均具有鏤空區(qū)域。
【文檔編號】G01R31/26GK205670185SQ201620561634
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年6月8日
【發(fā)明人】辛軍啟
【申請人】中芯國際集成電路制造（天津）有限公司, 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司