專利名稱：用于晶片檢查或度量設(shè)置的數(shù)據(jù)擾亂的制作方法
用于晶片檢查或度量設(shè)置的數(shù)據(jù)擾亂
相關(guān)串請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2010年6月30 日提交的題為“Perturbation Modeling-Based Recipe Generation (基于擾亂建模的配方產(chǎn)生)”的美國專利申請(qǐng)S/N. 61/360, 406的優(yōu)先權(quán)，該文件如在本文中完全闡述一樣通過引用結(jié)合于此。
發(fā)明背景
I.發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明總地涉及晶片檢查或度量設(shè)置的數(shù)據(jù)擾亂。
2.背景技術(shù)
以下描述和示例不因其包括在該部分中而被視為現(xiàn)有技術(shù)。
檢查工藝在半導(dǎo)體制造工藝期間的多個(gè)步驟中使用以檢查晶片上的缺陷從而促進(jìn)制造工藝中更高的產(chǎn)量并因此產(chǎn)生更高的利潤。檢查一直是制造半導(dǎo)體器件的一個(gè)重要組成部分。然而，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸減小，由于更小的缺陷也會(huì)導(dǎo)致器件產(chǎn)生故障，因此檢查對(duì)于合格半導(dǎo)體器件的成功制造變得更為重要。
當(dāng)前，用于產(chǎn)生能通過工具匹配規(guī)范的配方的方法是基于經(jīng)驗(yàn)的。例如，可在第一工具(“工具I”)上創(chuàng)建一配方并隨后在第二工具(“工具2”)上進(jìn)行嘗試。如果該配方無法通過工具2上的工具匹配規(guī)范，則修正配方并轉(zhuǎn)向工具I并測試。如果經(jīng)修正的配方未通過工具匹配規(guī)范，則從一個(gè)工具至另一工具往復(fù)地執(zhí)行該工藝，直到配方設(shè)定得出工具匹配結(jié)果為止。當(dāng)涉及三件或更多個(gè)工具時(shí)，該工藝變得更為復(fù)雜。因而，如此建立匹配配方會(huì)花費(fèi)大量晶片時(shí)間、工具時(shí)間和工程設(shè)計(jì)時(shí)間。
因此，研發(fā)出一種不具有前述方法的一個(gè)或多個(gè)劣勢的用于確定晶片檢查和/或度量的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的方法和系統(tǒng)是有利的。發(fā)明內(nèi)容
各個(gè)實(shí)施例的以下描述不應(yīng)以任何方式被解釋為限制所附權(quán)利要求的主題。
一個(gè)實(shí)施例涉及用于確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法。該方法包括產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型。這些掃描可發(fā)生在同一檢查或度量工具上，或發(fā)生在不同的檢查或度量工具上。另外，一次或多次掃描可包括以相同或不同(檢查或度量)模式進(jìn)行的掃描，并可包括多次掃描的任意組合。此外，掃描可以是檢查掃描或度量掃描。該方法還包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果。該結(jié)果可包括檢查結(jié)果或非檢查測量結(jié)果(例如度量結(jié)果)。另外，該方法包括使用結(jié)果和模型對(duì)晶片產(chǎn)生經(jīng)擾亂的結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描對(duì)晶片產(chǎn)生的結(jié)果。該方法還包括基于經(jīng)擾亂的結(jié)果確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。該方法步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
另一實(shí)施例涉及一計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，該方法產(chǎn)生可用來確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的結(jié)果。該方法包括產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型。該方法還包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果。另外，該方法包括使用結(jié)果和模型產(chǎn)生對(duì)于晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描對(duì)晶片產(chǎn)生的結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果可用來確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。該方法步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
一個(gè)附加實(shí)施例涉及用于確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法。該方法包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果。該方法還包括使用這些結(jié)果和一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型來產(chǎn)生晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描對(duì)晶片產(chǎn)生的結(jié)果。另外，該方法包括基于經(jīng)擾亂的結(jié)果確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。該方法步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
前述每個(gè)方法的每一步驟可如本文描述地那樣進(jìn)一步地執(zhí)行。另外，前述每個(gè)方法可包括本文描述的任何其他方法的任何其他步驟。此外,前述每個(gè)方法可通過本文所描述的任何系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。


得益于優(yōu)選實(shí)施例的以下詳細(xì)描述和基于參考附圖，本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見
圖I是使用第一晶片掃描確定的缺陷屬性和使用第二晶片掃描確定的屬性之間的差異相對(duì)于使用第一晶片掃描確定的屬性和使用第二晶片掃描確定的屬性的平均值的標(biāo)繪圖的示例；
圖2包括面元的數(shù)量的柱狀圖的示例，其中缺陷被拆分成面元以產(chǎn)生如本文所述的模型；
圖3包括示出使用晶片掃描產(chǎn)生的晶片的結(jié)果和如本文所述產(chǎn)生的擾亂結(jié)果的標(biāo)繪圖的示例；
圖4是示出非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例的方框圖；以及
圖5是示出可用來執(zhí)行本文所述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的方框圖。
雖然本發(fā)明容許多種修改和替代形式，但其具體實(shí)施例將通過附圖中的示例示出且將在本文中予以詳細(xì)描述。這些附圖可能未按比例繪制。然而應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的附圖和詳細(xì)描述并不旨在將本發(fā)明限于所公開的特定形式，相反，其意圖是覆蓋落在如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效方案以及替換方案。
具體實(shí)施方式
—般來說，本文描述的實(shí)施例涉及基于擾亂建模的穩(wěn)定配方產(chǎn)生。一個(gè)實(shí)施例涉及用于確定晶片處理(例如晶片檢查和/或晶片度量)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法。如本文將進(jìn)一步描述的那樣，該方法可包括建立模型并隨后使用該模型對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行擾亂(或?qū)?shù)據(jù)執(zhí)行其它修改)來創(chuàng)建晶片檢查或度量配方，其具有三種廣義類型的應(yīng)用。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，確定一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行的，以使一次或多次第二晶片掃描的性能與一次或多次第一晶片掃描的性能匹配。
在一個(gè)實(shí)施例中，一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描是通過不同的工具執(zhí)行的。例如，該方法可用來確定能通過工具匹配規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)(或“配方設(shè)定”)。如此，本文所述實(shí)施例的一種廣義類型的應(yīng)用是其中創(chuàng)建能通過工具匹配規(guī)范的工具-工具匹配。工具匹配規(guī)范的一個(gè)示例是以0%的自捕捉比率(自捕捉率)經(jīng)N次重復(fù)的由兩個(gè)工具捕捉的D缺陷的計(jì)數(shù)和定位必須匹配在M%之內(nèi)。值C、N和M可依賴于晶片的層和工具的性質(zhì)。
在另一實(shí)施例中，一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描是通過同一工具執(zhí)行的。例如，本文描述的方法可用來產(chǎn)生能通過自捕捉率或掃描匹配規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)(或“配方設(shè)定”)。如此，本文所述實(shí)施例可用于包括自捕捉率配方生成或掃描-掃描匹配的另一廣義類型的應(yīng)用，在該應(yīng)用中創(chuàng)建能通過自捕捉率規(guī)范的配方。
在一附加實(shí)施例中，一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描在一預(yù)定間隔之后執(zhí)行。例如，第三廣義類型的應(yīng)用是及時(shí)根據(jù)工藝改變調(diào)整配方，這將在本文中進(jìn)一步描述。
如此，一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描是通過同一工具、不同工具或在不同時(shí)間進(jìn)行的。同樣，三種廣義應(yīng)用包括1)工具-工具匹配(或工具間掃描匹配)；2)掃描-掃描匹配(或工具內(nèi)掃描匹配)以及3)工具-工具或掃描-掃描匹配以將隨時(shí)間的變化考慮在內(nèi)。當(dāng)用戶設(shè)定一配方時(shí)，用戶可判斷他或她是否想要建立具有某一自捕捉率的配方或通過工具匹配規(guī)范的配方。
盡管一些實(shí)施例在本文中是針對(duì)一種應(yīng)用(例如工具-工具匹配)進(jìn)行描述的， 但這三種應(yīng)用在如何使用該方法的方面是相似的。因此，盡管這些實(shí)施例可能是針對(duì)一種應(yīng)用(例如工具-工具匹配)進(jìn)行描述的，但本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將理解如何將這些實(shí)施例用于另一應(yīng)用(例如掃描-掃描匹配)中。
術(shù)語“一個(gè)或多個(gè)參數(shù)”或“配方設(shè)定”一般指配方中可調(diào)整的所有設(shè)定(包括 iDO 設(shè)定)(例如允許用戶調(diào)整的所有設(shè)定)。iDO 是可從加利福尼亞州的米爾皮塔斯的 KLA-Tencor商用購得的inline Defect Organi zer binning(在線缺陷組織 面元)解決方案?！芭浞健币话憧啥x為用于執(zhí)行例如檢查和度量的工藝的一組指令。
在一個(gè)實(shí)施例中，該一個(gè)或多個(gè)參數(shù)包括用來執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。例如，該一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括照明子系統(tǒng)、檢測子系統(tǒng)、掃描子系統(tǒng)或可用于執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描的工具的某些組合的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。如此，該一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括一個(gè)或多個(gè)結(jié)果獲取參數(shù)。照明子系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括例如照明角、照明波長、照明極化、光斑大小、照明子系統(tǒng)中包含的光孔、照明子系統(tǒng)中包含的其它光學(xué)組件及其組合。光檢測子系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括例如收集角、檢測波長、檢測極化、像素大小、檢測子系統(tǒng)中包含的光孔、檢測子系統(tǒng)中包含的其它光學(xué)器件及其組合?？舍槍?duì)非基于光的系統(tǒng)(例如電子束系統(tǒng))確定相似的參數(shù)。
在另一實(shí)施例中，該一個(gè)或多個(gè)參數(shù)包括用來處理由一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。例如，這一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括用于處理由用來執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描的光檢測子系統(tǒng)產(chǎn)生的結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。在一個(gè)這樣的示例中， 由光檢測子系統(tǒng)產(chǎn)生的結(jié)果可包括圖像或圖像數(shù)據(jù)，并且一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括用來對(duì)圖像或圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行濾波、對(duì)準(zhǔn)等操作的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。在另一示例中，結(jié)果可包括信號(hào)， 并且一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括用于對(duì)信號(hào)執(zhí)行濾波、歸一化、校準(zhǔn)等操作的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。 可針對(duì)晶片上的不同區(qū)域分別確定用于處理結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。例如，在晶片一個(gè)區(qū)域中產(chǎn)生的結(jié)果可使用一個(gè)或多個(gè)第一參數(shù)進(jìn)行處理，而在晶片另一區(qū)域中產(chǎn)生的結(jié)果可使用一個(gè)或多個(gè)第二參數(shù)進(jìn)行處理，所述第二參數(shù)中的至少一些可與第一參數(shù)不同。一個(gè)或多個(gè)參數(shù)也可以或替代地包括缺陷檢測靈敏性，缺陷檢測靈敏性可由缺陷檢測算法和/ 或方法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)(例如閾值)定義。另外，一個(gè)或多個(gè)參數(shù)對(duì)于晶片的不同區(qū)域可具有不同的檢測靈敏性(例如對(duì)關(guān)鍵或較低噪聲區(qū)域具有較高靈敏性，并對(duì)非關(guān)鍵或較高噪聲區(qū)域具有較低靈敏性)。
該方法包括產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能與一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型。因此，本文所述實(shí)施例可包括對(duì)掃描、工具或其它硬件之間的結(jié)果進(jìn)行建模，所述建模可如本文進(jìn)一步描述地那樣用來從由僅一個(gè)工具、一次掃描或一個(gè)硬件產(chǎn)生的結(jié)果中產(chǎn)生匹配的參數(shù)。例如，工具或掃描之間的光學(xué)器件和其它硬件的相對(duì)行為從一個(gè)晶片至另一晶片不會(huì)有顯著改變。因此，該信息可用于對(duì)工具或掃描之間的圖像 /缺陷數(shù)據(jù)的行為進(jìn)行建模。例如，對(duì)于工具-工具匹配，該方法可包括創(chuàng)建捕捉工具-工具變化性的模型。
在一個(gè)實(shí)施例中，性能的差異包括在其上執(zhí)行一次或多次第一掃描和一次或多次第二掃描以產(chǎn)生用于產(chǎn)生模型的結(jié)果的晶片上的缺陷屬性的差異。換句話說，模型是使用在晶片上執(zhí)行的實(shí)際掃描的真實(shí)結(jié)果產(chǎn)生的。使用真實(shí)結(jié)果建立模型提供模型性能的置信度。來自多個(gè)工具的結(jié)果可用來對(duì)每個(gè)工具至另一工具(“黃金”工具或基準(zhǔn)工具)創(chuàng)建一模型。然而，本文描述的實(shí)施例也可用來以相對(duì)方式研究兩件或更多個(gè)工具，而不是僅針對(duì)“黃金工具”。真實(shí)結(jié)果可通過在晶片上實(shí)際執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描而產(chǎn)生。然而，真實(shí)結(jié)果可以不通過在晶片上實(shí)際執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描而獲得。例如，真實(shí)結(jié)果可通過本文描述的實(shí)施例從其中已存儲(chǔ)真實(shí)結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中獲得。
缺陷的屬性可包括使用缺陷檢測算法確定的缺陷的屬性。另外，缺陷的屬性可包括響應(yīng)于來自掃描期間或甚至一組像素之間的相對(duì)響應(yīng)期間檢測到的缺陷的光的特性 (例如強(qiáng)度)的缺陷的屬性。例如，屬性可包括量級(jí)、MDAT偏移、MDAT灰度級(jí)(基準(zhǔn)灰度級(jí))以及能量。MDAT是由一些檢查工具使用的缺陷檢測算法，它可從KLA-Tencor商業(yè)購得。缺陷的屬性應(yīng)盡可能地一般?？梢敕菑?qiáng)度類型屬性，例如缺陷位置、缺陷大小以及任何其它計(jì)算或測量出的量。在該方法中對(duì)屬性的性質(zhì)不存在限制。
這里將進(jìn)一步描述用于生成模型的一些特定實(shí)施例。然而，本文描述的模型不僅限于任何特定類型的模型。理論上，模型可像本文描述地那樣簡單或根據(jù)需要變得復(fù)雜以準(zhǔn)確地對(duì)兩次掃描或多組掃描之間的屬性變化予以建模。
在一個(gè)實(shí)施例中，生成模型包括識(shí)別晶片上一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描中共有的缺陷。例如，讓我們考慮缺陷的單種屬性。則我們可如本文進(jìn)一步描述地那樣對(duì)共有缺陷的這種屬性的變化進(jìn)行建模。該共同缺陷可以任何適宜的方式識(shí)別。例如，可將共有缺陷識(shí)別為在彼此相距特定距離內(nèi)的兩個(gè)缺陷。識(shí)別共有缺陷可使用簡單的缺陷位置匹配算法來實(shí)現(xiàn)。
在一個(gè)實(shí)施例中，生成該模型還包括標(biāo)繪出使用一次或多次第一晶片掃描確定的缺陷屬性和使用一次或多次第二晶片掃描確定的屬性之間的差異相對(duì)于使用一次或多次第一晶片掃描確定的屬性和使用一次或多次第二晶片掃描確定的屬性的平均值的圖。換句話說，生成模型可包括在標(biāo)繪出y軸上[屬性(工具I)-屬性(工具2)]相對(duì)于X軸上 [屬性(工具I) +屬性(工具2)]/2的圖。該標(biāo)繪圖的一個(gè)示例在圖I中示出。在該標(biāo)繪圖中，每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一個(gè)共有的缺陷。
在一些實(shí)施例中，生成模型也包括將缺陷拆分成與不同平均值對(duì)應(yīng)的多個(gè)面元內(nèi)，并且每個(gè)面元包括與每個(gè)其它面元相同數(shù)量的缺陷。例如，圖I的面元中所示的缺陷可被拆分到N個(gè)相等大小的面元中。在一個(gè)這樣的示例中，第一面元可對(duì)應(yīng)于從0-50的平均值，第二面元可對(duì)應(yīng)于從51-100的平均值，第三面元可對(duì)應(yīng)于從101-150的平均值，依此類推。
在又一實(shí)施例中，生成模型包括對(duì)于每個(gè)面元確定每個(gè)面元中的缺陷的屬性分布的平均值和Σ值。例如，對(duì)于每個(gè)面元，可確定該面元內(nèi)的點(diǎn)的平均值和Σ值。如此，可檢查每個(gè)面元中的缺陷的屬性變化。例如，如圖I所示，上面的曲線是每個(gè)面元內(nèi)的方差值， 而下面的曲線是每個(gè)面元內(nèi)的平均值。因此，該圖示出了屬性變化和模型生成策略。方差由于飽和而落在較高的值。在調(diào)查期間，分布已通過業(yè)內(nèi)已知的Kolmogorov-Smirnov測試 (通過一組優(yōu)選的參數(shù))或針對(duì)高斯分布的任何其它測試被識(shí)別為高斯分布。例如，圖2示出三個(gè)不同面元內(nèi)的不同缺陷數(shù)量的直方圖。Kolmogorov-Smirnov測試確認(rèn)了分布的高斯性質(zhì)。然而，用于生成模型的屬性可以遵循高斯分布也可以不遵循高斯分布。例如，如果對(duì)數(shù)正態(tài)分布是更好的模型，則可將其取代高斯分布使用。高斯分布以外的分布僅僅改變了構(gòu)建模型的方式，但其整個(gè)過程還是遵循本文所述的內(nèi)容。在那種情形下，使用正確的分布對(duì)數(shù)據(jù)建模存在額外的需求。
當(dāng)對(duì)一種以上的屬性建模時(shí)，則在模型生成時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮屬性之間的關(guān)聯(lián)。例如，讓我們假設(shè)對(duì)遵循高斯分布或任何其它分布的三種屬性建模。如果所有這些屬性是關(guān)聯(lián)的， 則必須從同一隨機(jī)高斯或其它分布中執(zhí)行經(jīng)擾亂結(jié)果的采樣。如果存在糟糕的關(guān)聯(lián)，則必須從獨(dú)立的隨機(jī)高斯或其它分布中執(zhí)行采樣。
在一個(gè)實(shí)施例中，在生成模型之前，該方法包括改變一個(gè)或多個(gè)工具用于執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)，使得在使用一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描來生成產(chǎn)生模型的結(jié)果之前，一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描彼此匹配。例如，如果屬性之間的變化相對(duì)較大，則擾亂手段可能是無益的。換句話說，對(duì)于本文所述的應(yīng)用，它在用于產(chǎn)生模型生成結(jié)果的工具或掃描匹配之后僅對(duì)描述屬性變化的模型建立才行得通。由此，假設(shè)兩個(gè)工具或兩次掃描匹配并因此模型是通過匹配的數(shù)據(jù)構(gòu)建的。在模型生成之前這種工具或掃描的匹配確保了變化不相對(duì)較大。例如，一旦兩個(gè)工具或兩次掃描是“匹配的”，則可保證來自兩個(gè)“匹配的”工具或兩次“匹配的”掃描的屬性的變化落在某些特定界限內(nèi)。如果在產(chǎn)生用于模型生成的結(jié)果之前工具或掃描是不匹配的，則仍可構(gòu)建模型但可能在硬件和校準(zhǔn)中捕捉到極為不合需的變化。可用于產(chǎn)生模型生成的結(jié)果的工具或掃描可使用任何適宜的匹配過程予以匹配，所述匹配過程使工具或掃描之間的硬件和校準(zhǔn)得以匹配。如果工具或掃描是在模型生成之前使用某些其它方法和/或系統(tǒng)匹配的，則本文描述的方法可以不包括這種工具匹配。也可在模型內(nèi)建立安全措施以使過度調(diào)整的風(fēng)險(xiǎn)減至最小。
在另一實(shí)施例中，生成模型可包括對(duì)每個(gè)工具確定一個(gè)或多個(gè)比例因子。(具體模型的細(xì)節(jié)確定了我們使用哪些其它參數(shù)來達(dá)成工具內(nèi)匹配的目的)。例如，工具內(nèi)變化性(即一個(gè)工具的掃描-掃描變化性)可如本文所述地建模。對(duì)掃描-掃描變化性建模去除了對(duì)光學(xué)器件狀態(tài)、像素大小以及晶片的依賴性。如此，對(duì)從一個(gè)工具至另一工具來自掃描-掃描變化性的數(shù)據(jù)建模是硬件、光學(xué)器件和其它殘余差異的合宜措施。例如，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，該實(shí)驗(yàn)表明不同晶片、不同光學(xué)器件模態(tài)和不同階段速度產(chǎn)生近乎相同的比例因數(shù)。同樣，可適當(dāng)?shù)貙?duì)掃描-掃描模型定標(biāo)以表征工具間變化性。如此，可對(duì)每個(gè)工具確定一個(gè)或多個(gè)比例因數(shù)。
該方法還包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果。例如，一旦如前所述地產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)模型，則可針對(duì)任何給定晶片獲得來自僅基準(zhǔn)晶片掃描的真實(shí)數(shù)據(jù)，并將其用于一個(gè)或多個(gè)模型以執(zhí)行本文描述的方法的附加步驟(例如創(chuàng)建一匹配配方)。如此，一旦已使用給定工具生成本文描述的模型，則不再需要該工具來生成與另一工具的性能匹配的配方。當(dāng)然，如果配方被生成為使使用一個(gè)工具執(zhí)行的一次或多次第二掃描的性能與使用同一工具執(zhí)行的一次或多次第一掃描的性能相匹配，則可使用如本文進(jìn)一步描述的那樣使用該工具產(chǎn)生的結(jié)果以生成針對(duì)這一次或多次第二掃描的配方。
該方法包括使用結(jié)果和模型產(chǎn)生對(duì)晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果。換句話說，一次或多次第一掃描的結(jié)果作為輸入用于這些方法，而模型的輸出是經(jīng)擾亂的結(jié)果。如此，一次或多次第一晶片掃描的結(jié)果(諸如將數(shù)據(jù)輸入算法、iDO或其它配方設(shè)定的結(jié)果)將根據(jù)對(duì)于該具體條件早前創(chuàng)建的模型被擾亂。在一個(gè)實(shí)施例中，產(chǎn)生經(jīng)擾亂的結(jié)果包括從隨機(jī)分布中對(duì)一個(gè)面元抽取一個(gè)點(diǎn)，該點(diǎn)具有針對(duì)模型中的相應(yīng)面元確定的平均值和Σ值。例如，經(jīng)擾亂的數(shù)據(jù)集可通過從隨機(jī)高斯分布中抽取一具有從模型中正確面元中推導(dǎo)出的平均值和Σ值的點(diǎn)來生成。如此，經(jīng)擾亂的結(jié)果將具有基本與原始結(jié)果的直方圖匹配的直方圖。 同樣，對(duì)于掃描或工具匹配，通過匹配屬性直方圖，由匹配的掃描或工具檢測到的缺陷的屬性也可望匹配。
經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的對(duì)晶片的結(jié)果。例如， 使用本文描述的模型，可對(duì)例如圖像/缺陷數(shù)據(jù)的結(jié)果進(jìn)行擾亂以逼近、模擬或模仿來自一個(gè)或多個(gè)第二工具或一次或多次第二掃描的結(jié)果。換句話說，經(jīng)擾亂的結(jié)果將不會(huì)恰好等于通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的結(jié)果；然而，經(jīng)擾亂的結(jié)果將是通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的結(jié)果的合理近似。在一個(gè)這樣的示例中，圖3示出經(jīng)擾亂的結(jié)果能多好地逼近、模擬或模仿通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的針對(duì)該晶片的結(jié)果。具體地說， 圖3左側(cè)的標(biāo)繪圖是從中創(chuàng)建模型的真實(shí)結(jié)果的變化性，而圖3右側(cè)的標(biāo)繪圖是經(jīng)擾亂的結(jié)果的變化性。如圖3所示，不可能區(qū)別哪些結(jié)果來自真實(shí)工具和哪些結(jié)果來自模型及其對(duì)應(yīng)的擾亂，這確認(rèn)了這種模型的似真性。
該方法還包括基于經(jīng)擾亂的結(jié)果確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。例如，可使用經(jīng)擾亂的結(jié)果與來自工具或掃描的原始結(jié)果組合地建立配方。在一個(gè)這樣的示例中，可使用這組經(jīng)擾亂的結(jié)果與N數(shù)量個(gè)組的以相同方式擾亂的結(jié)果和/或原始結(jié)果組合地創(chuàng)建配方。這種配方則具有滿足工具或掃描匹配規(guī)范的能力，即便它是在單個(gè)工具上或使用單次掃描形成的。例如，當(dāng)使用本文所述的經(jīng)擾亂結(jié)果設(shè)置配方時(shí)，該配方將以與第一工具或掃描相似的靈敏性自然地工作在第二工具或掃描上。優(yōu)選地使用足夠的經(jīng)擾亂結(jié)果和可能的實(shí)際結(jié)果來捕捉用于匹配配方生成的結(jié)果中的變化性。
確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括為晶片處理配方的至少一個(gè)參數(shù)選擇或確定一個(gè)值。在本文中使用術(shù)語“參數(shù)”來表示用于設(shè)定檢查和/或度量工具的所有變量， 例如波長、像素、關(guān)注區(qū)域、速度、照明和聚集孔等。例如，晶片處理的參數(shù)可包括響應(yīng)來自晶片的光而獲得結(jié)果的工具的參數(shù)和/或用來處理這些結(jié)果的工具的參數(shù)。如此，參數(shù)可包括結(jié)果獲取參數(shù)和/或結(jié)果處理參數(shù)。晶片處理可以是暗區(qū)(DF)檢查、亮區(qū)(BF)檢查、 電子束(e-束)檢查、DF和BF檢查或多模檢查(涉及同時(shí)來自一個(gè)或多個(gè)平臺(tái)的數(shù)據(jù))或來自需要滿足工具/檢查匹配的任何其它度量或檢查工具。在該方法中可自動(dòng)地或無用戶輸入地確定一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。然而，這一個(gè)或多個(gè)參數(shù)也可以或替代地基于來自用戶輸入的經(jīng)擾亂結(jié)果來確定。例如，可在用戶改變配方設(shè)定時(shí)實(shí)時(shí)地向他/她提供關(guān)于一個(gè)或多個(gè)確定的參數(shù)的性能的反饋。
晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。例如，如本文中進(jìn)一步描述的，一個(gè)或多個(gè)參數(shù)可包括用于執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)、用于處理由一次或多次第二晶片掃描所產(chǎn)生的結(jié)果的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)，及其組合。
在一個(gè)實(shí)施例中，該方法是以預(yù)定間隔執(zhí)行的，并且如果在最后兩個(gè)間隔之后產(chǎn)生的結(jié)果或經(jīng)擾亂的結(jié)果彼此相差超過一預(yù)定值，則使用在最近的間隔之后確定的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)執(zhí)行晶片處理。例如，該方法可用來模仿批與批之間的變化并隨著工藝隨時(shí)間變化而動(dòng)態(tài)地調(diào)整配方。在一個(gè)這樣的示例中，這些實(shí)施例可用來研究一規(guī)定時(shí)間段(例如N 批)內(nèi)的配方性能和缺陷屬性。如果該性能就妨害率和缺陷屬性范圍來說是穩(wěn)定的，則不需要配方改變。如果該性能是不穩(wěn)定的，則對(duì)于類中的缺陷屬性可變性的模型可自動(dòng)創(chuàng)建并將其用來調(diào)節(jié)配方設(shè)定?？擅縉批一次地自動(dòng)檢查這種配方性能。如此，本文描述的實(shí)施例可用來調(diào)整配方以使它們?cè)趧?dòng)態(tài)制造工藝中保持穩(wěn)定。如果每M批地重新計(jì)算模型， 則這種計(jì)算出的模型可充當(dāng)工藝變化的獨(dú)立指標(biāo)。這可以是顯著工藝改變的強(qiáng)力的新統(tǒng)計(jì)獨(dú)立的指標(biāo)。
在另一實(shí)施例中，性能之間的差異包括一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描所共有的一類缺陷屬性之間的差異。例如，針對(duì)工藝變化隨時(shí)間調(diào)整配方可以與本文進(jìn)一步描述的方式相同的方式執(zhí)行，但具有一定的性質(zhì)差別。具體地說，第一和第二晶片掃描將在不同晶片上執(zhí)行，并因此兩次掃描所共有的缺陷將不可用于生成模型。然而， 可對(duì)一類或多類缺陷的屬性變化進(jìn)行建模。這種手段基于這樣的假設(shè)在N批數(shù)據(jù)采樣中不存在某一類或多類缺陷的某種分布。對(duì)于這種使用情形的變化范圍可基本不同于針對(duì)工具-工具和掃描-掃描匹配的模型生成確定的屬性的變化范圍。
在一個(gè)實(shí)施例中，一次或多次第一晶片掃描是由第一工具執(zhí)行的，一次或多次第二晶片掃描是由第二工具執(zhí)行的，并且確定一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是不使用第二工具實(shí)現(xiàn)的。在另一實(shí)施例中，該方法不包括迭代地重復(fù)該方法的兩個(gè)或更多個(gè)步驟。例如，本文描述的實(shí)施例提供了一種在單次迭代中利用來自第二工具的在先信息產(chǎn)生用于一個(gè)工具的“可匹配的”配方的具體方法。因此，本文描述的實(shí)施例節(jié)省時(shí)間和精力并帶來一種創(chuàng)建配方的系統(tǒng)性手段，該系統(tǒng)性手段能滿足掃描或工具匹配規(guī)范。具體地說，本文描述的實(shí)施例提供一種具體且快捷的方式，這種方式生成能夠通過自捕捉率和工具匹配規(guī)范的配方而不需要在多個(gè)工具之間多次往返。
本文描述的實(shí)施例提供超過其它用于確定諸如晶片檢查和度量的晶片處理的參數(shù)的方法的許多優(yōu)勢。例如，本文描述的實(shí)施例提供易使用性和相對(duì)快速的自捕捉或工具匹配結(jié)果。具體地說，獲得自捕捉率或工具匹配結(jié)果的目前方法是經(jīng)驗(yàn)性的并需要用戶經(jīng)歷一系列步驟。執(zhí)行這些步驟可能花費(fèi)相對(duì)長的時(shí)間(例如一天或更長)，這依賴于情況的復(fù)雜性、工具的數(shù)目以及在用戶場所的工具用法。然而，本文描述的實(shí)施例允許在創(chuàng)建能夠滿足自捕捉率和工具匹配規(guī)范的配方時(shí)快速地轉(zhuǎn)變策略，而不需要在多個(gè)工具之間往返多次。
如此，本文描述的實(shí)施例需要更少的工具時(shí)間、更少的工程設(shè)計(jì)時(shí)間、更少的掃描電子顯微鏡(SEM)觀察努力和更少的晶片時(shí)間以創(chuàng)建匹配的配方。例如，不像目前在工具上執(zhí)行多個(gè)生產(chǎn)批次，用戶必須使用工具來建立工具匹配配方，這增加了工具所有者的成本。取決于給定用戶寫了多少配方，這可能成為大量的花費(fèi)。然而，在本文中進(jìn)一步描述的實(shí)施例中，不需要使用多個(gè)工具來生成匹配配方。尤其，如本文所述，這些實(shí)施例省去了從用戶必須對(duì)其創(chuàng)建匹配配方的每個(gè)工具和每個(gè)層得到結(jié)果的需要。因此，本文描述的實(shí)施例可節(jié)省大量工具時(shí)間，這些工具時(shí)間可用于許多其它目的(例如實(shí)際測量)。另外，本文描述的實(shí)施例在提供創(chuàng)建配方的系統(tǒng)性方法的同時(shí)加快了創(chuàng)建匹配配方的時(shí)間。本文描述的實(shí)施例也需要較少的工程設(shè)計(jì)時(shí)間以創(chuàng)建工具匹配的配方。例如，通常是工程師寫配方。然而，如果工程師能立即產(chǎn)生用于一個(gè)工具的工具匹配的配方，則能節(jié)省工程師的大量時(shí)間。這演變?yōu)榫凸こ處煏r(shí)間而言的直接成本削減以及通過減少工程師挫敗感的間接成本削減。此外，iDO匹配在目前方法中可能需要大量的SM觀察，在目前方法中SEM分類和觀察是多個(gè)工具所需要的。然而，本文描述的方法急劇地削減了這個(gè)時(shí)間并由此節(jié)省了大量 SEM觀察時(shí)間。
在另一實(shí)施例中，該方法包括在晶片的一個(gè)層上執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第二晶片掃描，以產(chǎn)生用于生成模型的結(jié)果，并在晶片的其它層或其它晶片的其它層上執(zhí)行晶片處理。例如，目前對(duì)于每個(gè)層的晶片處理設(shè)置需要對(duì)每個(gè)工具進(jìn)行訪問并可能需要對(duì)批件的SEM觀察。然而，根據(jù)本文描述的實(shí)施例，在針對(duì)每個(gè)工具創(chuàng)建至“黃金”工具的模型之后，可建立匹配的配方而不需要轉(zhuǎn)向每個(gè)工具。尤其，本文描述的模型可以是層獨(dú)立的，因?yàn)樗鼈兪且来嬗谟布凸鈱W(xué)器件的。層可包括掩模層或例如有源層、多聚層、接觸層、金屬層等的工藝層。層可使用任何適當(dāng)?shù)木圃旃に囆纬稍诰希绻饪谭?、蝕刻、沉積、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或可改變晶片結(jié)構(gòu)的任何其它工藝。
另一實(shí)施例涉及一計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，該方法用于產(chǎn)生用以確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的結(jié)果。該方法包括產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。該方法還包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。另外，該方法包括使用結(jié)果和模型產(chǎn)生對(duì)晶片的受擾亂的結(jié)果，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的對(duì)晶片的結(jié)果。如本文進(jìn)一步描述的那樣，經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于這些結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果可如本文進(jìn)一步描述的那樣用來確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。
一個(gè)附加實(shí)施例涉及用于確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。該方法包括使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。該方法還包括使用該結(jié)果和一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第二晶片掃描的性能之間的差異的模型來產(chǎn)生晶片的經(jīng)擾動(dòng)的結(jié)果，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。該模型可如本文所述地使用另一計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法來產(chǎn)生。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過一次或多次第二晶片掃描產(chǎn)生的對(duì)晶片的結(jié)果。如本文進(jìn)一步描述的那樣，經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于這些結(jié)果。另外，該方法包括基于經(jīng)擾動(dòng)的結(jié)果確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)， 它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第二晶片掃描。
本文描述的所有這些方法可包括將本方法的一個(gè)或多個(gè)步驟的結(jié)果存儲(chǔ)在非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中。這些結(jié)果可包括本文描述的任何結(jié)果并可以業(yè)內(nèi)已知的任何方式存儲(chǔ)。存儲(chǔ)介質(zhì)可包括本文描述的任何存儲(chǔ)介質(zhì)或業(yè)內(nèi)已知的任何其它適宜的存儲(chǔ)介質(zhì)。在結(jié)果已被存儲(chǔ)之后，可訪問存儲(chǔ)介質(zhì)中的結(jié)果并通過本文描述的任何方法或系統(tǒng)實(shí)施例使用這些結(jié)果，將它們格式化以顯示給用戶，由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)等使用。例如，在方法確定用于晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)之后，該方法可包括將包含一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的用于晶片處理的配方存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中以使系統(tǒng)可使用用于例如檢查和/或度量的處理的配方。
這些方法中的每一方法的每個(gè)步驟可通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可如本文中所描述地配置。方法的每個(gè)實(shí)施例可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。 另外，該方法的每個(gè)實(shí)施例可由本文描述的任何系統(tǒng)執(zhí)行。
另一實(shí)施例涉及非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)將程序指令存儲(chǔ)在其中以使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行本文描述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法。這種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例示出于圖4中。具體地說，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)10包含存儲(chǔ)于其中以使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)14執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)本文描述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的程序指令12。
執(zhí)行例如本文所述的那些方法的程序指令12可存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)10上。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，例如只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁盤或光盤、磁帶或業(yè)內(nèi)已知的任何其它適宜的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。
程序指令可以多種方式中的任何一種實(shí)現(xiàn)，包括基于程序的技術(shù)、基于組件的技術(shù)和/或面向?qū)ο蟮募夹g(shù)及其它。例如，程序指令可根據(jù)需要使用ActiveX控件、C++對(duì)象、 JavaBeans、微軟基礎(chǔ)類(MFC)或其它技術(shù)或方法來實(shí)現(xiàn)。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)14可采用多種形式，包括個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、 圖像計(jì)算機(jī)、并行處理器或業(yè)內(nèi)已知的任何其它設(shè)備。一般來說，術(shù)語“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可廣泛地定義成涵蓋具有一個(gè)或多個(gè)處理器的任何設(shè)備，所述設(shè)備執(zhí)行來自存儲(chǔ)器介質(zhì)的指令。
圖5示出配置成執(zhí)行本文描述的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。如圖5所示，系統(tǒng)包括數(shù)個(gè)工具16、18、20和22。工具16、18、20和22可包括任何可商業(yè)購得的晶片檢查和/或度量工具。工具之一(例如工具16)可用來產(chǎn)生結(jié)果，這些結(jié)果用于為其它工具之一(例如工具18、20、22)產(chǎn)生經(jīng)擾亂的結(jié)果。例如，該系統(tǒng)可配置成使用通過工具16執(zhí)行的一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果。
可如本文所述進(jìn)一步配置的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)24可以任何適宜方式耦合于每一工具以使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)發(fā)送至每一工具或從每一工具接收數(shù)據(jù)。例如，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)24可從工具16接收使用一次或多次第一晶片掃描產(chǎn)生的結(jié)果。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可配置成使用由例如本文描述的工具16和模型產(chǎn)生的結(jié)果來產(chǎn)生對(duì)于晶片的經(jīng)擾亂結(jié)果。經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過由其它工具之一執(zhí)行的一次或多次第二晶片掃描對(duì)晶片產(chǎn)生的結(jié)果。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)24也可配置成基于經(jīng)擾亂的結(jié)果確定用于晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)，它可如本文進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。如此，通過工具16產(chǎn)生的結(jié)果可用于對(duì)其它工具之一產(chǎn)生晶片處理配方。另外，由工具16產(chǎn)生的結(jié)果可用于對(duì)其它工具之一產(chǎn)生晶片處理配方，而無需使用這些其它工具，這如本文進(jìn)一步描述的那樣是有利的。因此，工具16可專用于晶片處理配方設(shè)置，盡管當(dāng)不用于晶片處理設(shè)置時(shí)該工具也可用于實(shí)際晶片處理。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)24可配置為不構(gòu)成工藝、檢查、度量、觀察或其它工具的一部分的獨(dú)立系統(tǒng)。替代地，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)24可形成晶片檢查系統(tǒng)、度量系統(tǒng)、缺陷觀察系統(tǒng)、分析系統(tǒng)或另一工具的一部分。
根據(jù)此描述，本發(fā)明的各個(gè)方面的進(jìn)一步修改和替代實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員可變得顯而易見。例如，提供用于確定晶片檢查和/或度量的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的方法。因此， 該描述應(yīng)當(dāng)被解釋為只是說明性的，并且出于教導(dǎo)本領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)該理解，本文中示出且描述的本發(fā)明的形式應(yīng)當(dāng)被視為當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施例。元件和材料可替代本文中示出且描述的元件和材料，部分和過程可顛倒，并且本發(fā)明的某些特征可獨(dú)立地使用，所有這些對(duì)受益于本發(fā)明的該描述之后的本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的?？稍诓槐畴x所附權(quán)利要求書中所描述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)本文所描述的元件作出改變。
權(quán)利要求
1.一種用于確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括 產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能與一次或多次第ニ晶片掃描的性能之間的差異的模型； 使用所述一次或多次第一晶片掃描來產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果； 使用所述結(jié)果和模型來產(chǎn)生晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果，其中所述經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過所述一次或多次第ニ晶片掃描產(chǎn)生的對(duì)所述晶片的結(jié)果；以及 基于所述經(jīng)擾亂的結(jié)果確定所述晶片處理的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)，其中所述晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第ニ晶片掃描，并且所述方法的步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，執(zhí)行所述確定以使所述一次或多次第ニ晶片掃描的性能與所述一次或多次第一晶片掃描的性能匹配。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描是通過不同的工具執(zhí)行的。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描是通過同一工具執(zhí)行的。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法不包括迭代地執(zhí)行所述方法的兩個(gè)或更多個(gè)步驟。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述一次或多次第一晶片掃描是由第一エ具執(zhí)行的，所述一次或多次第ニ晶片掃描是由第二工具執(zhí)行的，并且所述確定是不使用第ニ工具執(zhí)行的。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述性能的差異包括在其上執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描以產(chǎn)生用于建立模型的結(jié)果的晶片上的缺陷屬性的差異。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，生成模型包括識(shí)別晶片上一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描所共有的缺陷。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，生成所述模型還包括標(biāo)繪出使用一次或多次第一晶片掃描確定的缺陷屬性和使用一次或多次第ニ晶片掃描確定的屬性之間的差異相對(duì)于使用一次或多次第一晶片掃描確定的屬性和使用一次或多次第ニ晶片掃描確定的屬性的平均值的圖。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在干，生成所述模型還包括將缺陷拆分成與不同平均值對(duì)應(yīng)的多個(gè)面元，并且每個(gè)面元包括與每個(gè)其它面元相同數(shù)量的缺陷。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，生成所述模型進(jìn)ー步包括對(duì)于每個(gè)面元確定每個(gè)面元中的缺陷的屬性分布的平均值和Σ值。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生經(jīng)擾亂的結(jié)果包括從隨機(jī)分布中對(duì)ー個(gè)面元抽取ー個(gè)點(diǎn)，所述點(diǎn)具有針對(duì)所述模型中的相應(yīng)面元確定的平均值和Σ值。
13.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括在生成所述模型之前，改變ー個(gè)或多個(gè)工具用于執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)，從而在使用一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描來生成產(chǎn)生模型的結(jié)果之前，所述一次或多次第一晶片掃描和所述一次或多次第ニ晶片掃描彼此匹配。
14.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法是以預(yù)定間隔執(zhí)行的，并且如果在最后兩個(gè)間隔之后產(chǎn)生的結(jié)果或經(jīng)擾亂的結(jié)果彼此相差超過ー預(yù)定值則使用在最近的間隔之后確定的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)執(zhí)行晶片處理。
15.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，性能之間的差異包括一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描所共有的一類缺陷屬性之間的差異。
16.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括在晶片的ー個(gè)層上執(zhí)行一次或多次第一晶片掃描和一次或多次第ニ晶片掃描，以產(chǎn)生用于生成模型的結(jié)果，其中所述晶片處理將在晶片的其它層或其它晶片的其它層上執(zhí)行。
17.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)包括用于執(zhí)行所述第ニ晶片掃描的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
18.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)包括用于處理由所述第二晶片掃描產(chǎn)生的結(jié)果的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
19.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述晶片處理包括檢查或度量。
20.一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述方法產(chǎn)生用以確定晶片處理的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)的結(jié)果，包括 產(chǎn)生一次或多次第一晶片掃描的性能和一次或多次第ニ晶片掃描的性能之間的差異的模型； 使用所述一次或多次第一晶片掃描來產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果；以及 使用所述結(jié)果和所述模型產(chǎn)生對(duì)于晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果，所述經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過所述一次或多次第ニ晶片掃描產(chǎn)生的針對(duì)所述晶片的結(jié)果，所述經(jīng)擾亂的結(jié)果用來確定晶片處理的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)，所述晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第ニ晶片掃描，而且所述方法的步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
21.一種用于確定晶片處理的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，包括 使用所述一次或多次第一晶片掃描來產(chǎn)生對(duì)于晶片的結(jié)果； 使用所述結(jié)果和所述一次或多次第一晶片掃描的性能和所述一次或多次第ニ晶片掃描的性能之間的差異的模型來產(chǎn)生晶片的經(jīng)擾亂的結(jié)果，所述經(jīng)擾亂的結(jié)果近似于通過所述一次或多次第ニ晶片掃描產(chǎn)生的對(duì)晶片的結(jié)果；以及 基于所述經(jīng)擾亂的結(jié)果確定所述晶片處理的ー個(gè)或多個(gè)參數(shù)，所述晶片處理包括執(zhí)行一次或多次第ニ晶片掃描，并且所述方法的步驟是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的。
全文摘要
提供了用于確定晶片檢查和/或度量的參數(shù)的各個(gè)實(shí)施例。
文檔編號(hào)G05B19/418GK102985887SQ201180032278
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者G·薩泰森達(dá)拉姆, M·馬哈德萬, A·古普塔, C-H·A·陳, A·庫卡尼, J·柯克伍德, K·吳, S·榮 申請(qǐng)人:克拉-坦科股份有限公司