本技術(shù)屬于半導體制造設備，尤其涉及薄膜沉積設備領(lǐng)域，具體為一種薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)都是直接在上位機上安裝通訊板卡和io板卡，通過通訊板卡和io板卡采集交流配電設備、熱交換設備和半導體材料輸送系統(tǒng)的數(shù)據(jù)。上述的數(shù)據(jù)采集方式具有以下問題：

2、1、上位機卡槽數(shù)量有限，擴展性較差；

3、2、需要采集數(shù)據(jù)的外設變動后，需要改動上位機的底層通訊程序，程序穩(wěn)定性較差；

4、3、不同信號類型的外設需要不同種類的板卡，特別是工業(yè)總線卡價格昂貴，成本要求高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型提供了一種薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，以解決背景技術(shù)中提出的問題

2、為了實現(xiàn)以上目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

3、一種薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，包括控制單元、上位機、交流配電設備、熱交換設備及半導體材料輸送系統(tǒng)；

4、所述控制單元分別與交流配電設備、熱交換設備和半導體材料輸送系統(tǒng)連接；

5、所述控制單元用于采集交流配電設備、熱交換設備和半導體材料輸送系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，并將其傳輸至上位機。

6、優(yōu)選的，所述控制單元包括串口模塊，所述串口模塊分別與交流配電設備和熱交換設備連接。

7、優(yōu)選的，所述串口模塊集成在控制單元內(nèi)。

8、優(yōu)選的，所述串口模塊通過雙絞屏蔽線分別與交流配電設備和熱交換設備連接。

9、優(yōu)選的，所述控制單元包括io模塊，所述io模塊與半導體材料輸送系統(tǒng)連接。

10、優(yōu)選的，所述io模塊集成在控制單元內(nèi)。

11、優(yōu)選的，所述io模塊通過信號線與半導體材料輸送系統(tǒng)連接。

12、優(yōu)選的，所述控制單元包括以太網(wǎng)接口，所述控制單元通過以太網(wǎng)接口與上位機連接。

13、優(yōu)選的，所述控制單元還包括外置模塊接口，所述外置模塊接口用于接入外置模塊并實現(xiàn)與外置設備的連接。

14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果如下：

15、1、本實用新型獨立設置了控制單元，控制單元具有外置模塊接口，可以通過外置模塊接口接入外置模塊并實現(xiàn)與外置設備的連接，可以自由增加各種類模塊，靈活性好，拓展性強。

16、2、控制單元與上位機通過以太網(wǎng)通訊，通訊協(xié)議成熟，上位機底層程序不需要改動。

17、3、控制單元集成串口模塊、io模塊及以太網(wǎng)接口，通訊種類豐富，實用性強，性價比高。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，包括控制單元、上位機、交流配電設備、熱交換設備及半導體材料輸送系統(tǒng)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述控制單元包括串口模塊，所述串口模塊分別與交流配電設備和熱交換設備連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述串口模塊集成在控制單元內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述串口模塊通過雙絞屏蔽線分別與交流配電設備和熱交換設備連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述控制單元包括io模塊，所述io模塊與半導體材料輸送系統(tǒng)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述io模塊集成在控制單元內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述io模塊通過信號線與半導體材料輸送系統(tǒng)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述控制單元包括以太網(wǎng)接口，所述控制單元通過以太網(wǎng)接口與上位機連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其特征在于，所述控制單元還包括外置模塊接口，所述外置模塊接口用于接入外置模塊并實現(xiàn)與外置設備的連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種薄膜沉積設備外設數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，包括控制單元、上位機、交流配電設備、熱交換設備及半導體材料輸送系統(tǒng)；所述控制單元分別與交流配電設備、熱交換設備和半導體材料輸送系統(tǒng)連接；所述控制單元用于采集交流配電設備、熱交換設備和半導體材料輸送系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，并將其傳輸至上位機。獨立設置了控制單元，控制單元具有外置模塊接口，可以通過外置模塊接口接入外置模塊并實現(xiàn)與外置設備的連接，可以自由增加各種類模塊，靈活性好，拓展性強。

技術(shù)研發(fā)人員：孟斌,許旭銘
受保護的技術(shù)使用者：江蘇首芯半導體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240415
技術(shù)公布日：2024/9/17